JP2000083925A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも、各々が撮像空間を画成する互いに反対向きのほぼ平面の磁極面を持つ複数の磁極片を備えていると共に、少なくとも１個の励起コイルおよび磁極片を持つ磁気励起手段を備えている開放型磁気共鳴イメージング・システムにおいて、前記磁極面が複数の磁気ブロックを有し、各々の磁気ブロックが、互いに非導電性基板により分離されているが、該基板により一緒に保持されている複数の積層シートで構成され、各積層シートが前記磁極面とほぼ平行に揃えられており、各積層シートがアモルファス強磁性材料で構成されていることを特徴とする、アーティファクトを低減した開放型磁気共鳴イメージング・システム。
【請求項２】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−硼素（Ｆｅ−Ｂ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項３】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−硼素−珪素（Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項４】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−燐（Ｆｅ−Ｐ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項５】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−ニッケル−硼素（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項６】 前記複数のブロックが特定方向において互いに間隔をあけて設けられており、この間隔が、該特定方向における時間変化する磁界に対する透磁率を１００〜５００の範囲に調節するように選択されている請求項１に記載のシステム。
【請求項７】 前記ブロックが複数の層を成すように設けられている請求項１に記載のシステム。
【請求項８】 前記複数のブロック層が互いに特定の間隔を有し、この層間の間隔を選択することにより、これらのブロック層の厚さ方向における時間変化する磁界に対する透磁率を、これらの磁界が磁極片に侵入しないで磁極片材料をバイアスするように調節している請求項７に記載のシステム。
【請求項９】 各々の前記ブロックが「スキン深さ」より小さい厚さの複数の積層シートから構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】 前記ブロックが約８０〜９５％の充填率を有する請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】 前記磁極片から磁束を受け取り、その磁束をＸ、ＹおよびＺ方向のそれぞれに選択的に差し向ける磁束導通体を備え、前記磁極面が複数の層から成り、各層が、ＸおよびＹ方向の各々における所定の透磁率に合致させるようにＸおよびＹ方向の各々において互いから離間された積層シートの複数のブロックで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】 前記ブロックは、互いに基板により分離されているが、該基板により一緒に保持されている複数の積層シートで構成されており、ブロックの充填率、積層シート材料および基板材料が、前記積層シートに沿った方向および前記積層シートに垂直な方向の両方で所定の透磁率に合致するように選択されている請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】 前記層間の間隔がＺ方向における所定の透磁率に合致するように選択されている請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】 さらに、前記磁極片と前記磁極面との間に適当な材料の中実部材からなる磁束シールドであって、他のソースからの磁束が前記磁極片に入り込むのを減少させて前記磁極片の残留磁化を減少させるように作用する磁束シールドを含んでいる請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】 前記磁束シールドが焼鈍珪素鋼からなる請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】 隣り合う前記層のブロックを部分的にオーバーラップさせて、前記層に垂直および平行なソース磁束の相対量を制御する請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】 隣り合う前記層のブロックを部分的にオーバーラップさせて、前記層に垂直および平行な勾配磁束の相対量を制御する請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】 前記ブロックが渦電流を減少させる最小の長さと幅を有する、請求項１に記載の開放型ＭＲＩシステム。