JP2000082862A - 変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ - Google Patents
変調ドープ多重量子井戸半導体レーザInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 井戸層における内部損失が起こらず、しきい
値電流も低下する変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ
を提供する。 【解決手段】 圧縮歪みを有する井戸層Ａと引張り歪み
を有する障壁層Ｂとのヘテロ接合構造から成る多重量子
井戸構造Ｄを有し、井戸層Ａはノンドープの半導体材料
から成り、障壁層Ｂは井戸層Ａにヘテロ接合する層１
（Ｂ１）とそれら層１（Ｂ１）の間にヘテロ接合して介
装された層２（Ｂ２）との層構造を有し、層１（Ｂ１）
は井戸層Ａの半導体材料よりもバンドギャップ波長が短
いノンドープの半導体材料１から成り、層２（Ｂ２）は
半導体材料１よりもバンドギャップ波長が短い半導体材
料２から成り、かつ半導体材料２にはｐ型またはｎ型の
ドーパントＣが変調ドーピングされている変調ドープ多
重量子井戸半導体レーザ。
値電流も低下する変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ
を提供する。 【解決手段】 圧縮歪みを有する井戸層Ａと引張り歪み
を有する障壁層Ｂとのヘテロ接合構造から成る多重量子
井戸構造Ｄを有し、井戸層Ａはノンドープの半導体材料
から成り、障壁層Ｂは井戸層Ａにヘテロ接合する層１
（Ｂ１）とそれら層１（Ｂ１）の間にヘテロ接合して介
装された層２（Ｂ２）との層構造を有し、層１（Ｂ１）
は井戸層Ａの半導体材料よりもバンドギャップ波長が短
いノンドープの半導体材料１から成り、層２（Ｂ２）は
半導体材料１よりもバンドギャップ波長が短い半導体材
料２から成り、かつ半導体材料２にはｐ型またはｎ型の
ドーパントＣが変調ドーピングされている変調ドープ多
重量子井戸半導体レーザ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は０.６〜１.６５μｍ
の波長帯域で発光する変調ドープ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）半導体レーザに関し、更に詳しくは、しきい値電流
の低減化、しきい値電流の高温特化や高速変調化を実現
することができる変調ドープＭＱＷ半導体レーザに関す
る。
の波長帯域で発光する変調ドープ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）半導体レーザに関し、更に詳しくは、しきい値電流
の低減化、しきい値電流の高温特化や高速変調化を実現
することができる変調ドープＭＱＷ半導体レーザに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】多重量子井戸（ＭＱＷ）半導体レーザ
は、半導体材料から成る厚みがnmオーダの低ポテンシャ
ルの井戸層と、同じく厚みがnmオーダでそのバンドギャ
ップエネルギーが前記半導体材料のそれよりも高い半導
体材料から成る高ポテンシャルの障壁層とを交互にヘテ
ロ接合した多重量子井戸構造を備えており、通常の半導
体レーザに比べて低いしきい値電流で発光する。
は、半導体材料から成る厚みがnmオーダの低ポテンシャ
ルの井戸層と、同じく厚みがnmオーダでそのバンドギャ
ップエネルギーが前記半導体材料のそれよりも高い半導
体材料から成る高ポテンシャルの障壁層とを交互にヘテ
ロ接合した多重量子井戸構造を備えており、通常の半導
体レーザに比べて低いしきい値電流で発光する。
【０００３】このＭＱＷ半導体レーザに関しては、井戸
層と障壁層をそれぞれＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓで構成
し、井戸層はノンドープ状態のままにし、障壁層にのみ
ｐ型またはｎ型のドーパントを変調ドーピングした場合
の性能予測が魚見によって行われ、その中で注入キャリ
ア濃度と利得との関係が計算されている（K.Uomi,Japan
ese Journal of Applied Physics,vol.29,No.1,Januar
y,1990,pp81〜87を参照）。そこでは、次のようなこと
が述べられている。すなわち、 ｐ型変調ドーピング，ｎ型変調ドーピングのいずれ
の場合も変調ドーピングしない場合（ノンドープの状
態）に比べて透明化に要する注入キャリア密度は減少
し、そしてドーパント濃度が高くなるにつれて、透明化
に要する注入キャリアの密度、すなわち、利得をゼロに
する注入キャリア密度は減少し、とくに、ドーパント濃
度が同じであっても、ｎ型変調ドーピングの方がｐ型変
調ドーピングの場合よりも減少する； ｐ型変調ドーピングにおける微分利得はｐ型ドーパ
ントの濃度が高くなるにつれて増大し、ｎ型変調ドーピ
ングの場合の微分利得はその逆になる；ということであ
る。
層と障壁層をそれぞれＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓで構成
し、井戸層はノンドープ状態のままにし、障壁層にのみ
ｐ型またはｎ型のドーパントを変調ドーピングした場合
の性能予測が魚見によって行われ、その中で注入キャリ
ア濃度と利得との関係が計算されている（K.Uomi,Japan
ese Journal of Applied Physics,vol.29,No.1,Januar
y,1990,pp81〜87を参照）。そこでは、次のようなこと
が述べられている。すなわち、 ｐ型変調ドーピング，ｎ型変調ドーピングのいずれ
の場合も変調ドーピングしない場合（ノンドープの状
態）に比べて透明化に要する注入キャリア密度は減少
し、そしてドーパント濃度が高くなるにつれて、透明化
に要する注入キャリアの密度、すなわち、利得をゼロに
する注入キャリア密度は減少し、とくに、ドーパント濃
度が同じであっても、ｎ型変調ドーピングの方がｐ型変
調ドーピングの場合よりも減少する； ｐ型変調ドーピングにおける微分利得はｐ型ドーパ
ントの濃度が高くなるにつれて増大し、ｎ型変調ドーピ
ングの場合の微分利得はその逆になる；ということであ
る。
【０００４】このことは、障壁層にｎ型変調ドーピング
を行うと、その場合のＭＱＷ半導体レーザにおける透明
化に要する注入キャリア密度は、障壁層がノンドープ状
態であったり、またｐ型変調ドーピングされているＭＱ
Ｗ半導体レーザの場合に比べて大幅に低下するので、端
面に無反射膜を成膜してミラー損失を小さくした場合、
前者のレーザは後者のレーザよりも低しきい値電流で発
振可能であることを意味する。
を行うと、その場合のＭＱＷ半導体レーザにおける透明
化に要する注入キャリア密度は、障壁層がノンドープ状
態であったり、またｐ型変調ドーピングされているＭＱ
Ｗ半導体レーザの場合に比べて大幅に低下するので、端
面に無反射膜を成膜してミラー損失を小さくした場合、
前者のレーザは後者のレーザよりも低しきい値電流で発
振可能であることを意味する。
【０００５】また、障壁層にｐ型ドーピングしたＭＱＷ
半導体レーザの場合、しきい値電流はｎ型変調ドーピン
グした場合のレーザほどには低くならないが、ノンドー
プ状態の障壁層を有するレーザよりも低くなる。とく
に、ｐ型変調ドーピングしたＭＱＷ半導体レーザの場合
は、その微分利得の増大ということが重要な特性であ
り、このことは、しきい値電流の高温特化、高速変調化
という点で、ｎ型変調ドーピングのＭＱＷ半導体レーザ
やノンドープのＭＱＷ半導体レーザに比べて有利である
ことを意味する。
半導体レーザの場合、しきい値電流はｎ型変調ドーピン
グした場合のレーザほどには低くならないが、ノンドー
プ状態の障壁層を有するレーザよりも低くなる。とく
に、ｐ型変調ドーピングしたＭＱＷ半導体レーザの場合
は、その微分利得の増大ということが重要な特性であ
り、このことは、しきい値電流の高温特化、高速変調化
という点で、ｎ型変調ドーピングのＭＱＷ半導体レーザ
やノンドープのＭＱＷ半導体レーザに比べて有利である
ことを意味する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した魚
見らの変調ドープＭＱＷ半導体レーザに関する理論予測
では、障壁層への変調ドーピング量を増量せしめるほ
ど、ｎ型変調ドーピングの場合にはその半導体レーザに
おける透明化に必要な注入キャリア密度は減少し、また
ｐ型変調ドーピングの場合にはその半導体レーザにおけ
る微分利得が増加して、レーザとしての性能向上がもた
らされることになる。
見らの変調ドープＭＱＷ半導体レーザに関する理論予測
では、障壁層への変調ドーピング量を増量せしめるほ
ど、ｎ型変調ドーピングの場合にはその半導体レーザに
おける透明化に必要な注入キャリア密度は減少し、また
ｐ型変調ドーピングの場合にはその半導体レーザにおけ
る微分利得が増加して、レーザとしての性能向上がもた
らされることになる。
【０００７】しかしながら、問題にしなければならない
ことは次のことである。すなわち、上記した魚見らの理
論予測はあくまでも障壁層への変調ドーピング時にはヘ
テロ接合している井戸層における内部損失の増加は起こ
らないという前提に立っていることである。ところで、
実際問題として、井戸層の近くに高濃度で変調ドーピン
グを行うと、井戸層における自由キャリアの吸収や価電
子帯間での吸収が増加するため、その内部損失の増加が
生ずる。この現象は、波長１.３〜１.５５μｍの長波長
帯域における発振時に顕著に発現してくる。
ことは次のことである。すなわち、上記した魚見らの理
論予測はあくまでも障壁層への変調ドーピング時にはヘ
テロ接合している井戸層における内部損失の増加は起こ
らないという前提に立っていることである。ところで、
実際問題として、井戸層の近くに高濃度で変調ドーピン
グを行うと、井戸層における自由キャリアの吸収や価電
子帯間での吸収が増加するため、その内部損失の増加が
生ずる。この現象は、波長１.３〜１.５５μｍの長波長
帯域における発振時に顕著に発現してくる。
【０００８】例えば、K.Nakamura,et al.IEEE of Selec
ted topics in Quantum Ekectronics,3(1997)166には、
波長１.３μｍで動作するｎ型変調ドープＭＱＷ半導体
レーザにおけるｎ型変調ドーピング量としきい値電流と
の関係が開示されている。それによると、ｎ型変調ドー
ピング量がある値になるまではしきい値電流は低下して
いくが、その値を超えると、ノンドープのＭＱＷ半導体
レーザの場合よりもしきい値電流が増加するという傾向
を示している。また、ｐ型変調ドーピングのＭＱＷ半導
体レーザの場合は、ｐ型変調ドーピング量が増加する
と、価電子帯間の吸収に基づく内部損失の増加がとくに
顕著になり、注入電流を増加して利得を増加しないと発
振しなくなってしまい、しきい値電流はｐ型変調ドーピ
ング量に対して単調に増加している。
ted topics in Quantum Ekectronics,3(1997)166には、
波長１.３μｍで動作するｎ型変調ドープＭＱＷ半導体
レーザにおけるｎ型変調ドーピング量としきい値電流と
の関係が開示されている。それによると、ｎ型変調ドー
ピング量がある値になるまではしきい値電流は低下して
いくが、その値を超えると、ノンドープのＭＱＷ半導体
レーザの場合よりもしきい値電流が増加するという傾向
を示している。また、ｐ型変調ドーピングのＭＱＷ半導
体レーザの場合は、ｐ型変調ドーピング量が増加する
と、価電子帯間の吸収に基づく内部損失の増加がとくに
顕著になり、注入電流を増加して利得を増加しないと発
振しなくなってしまい、しきい値電流はｐ型変調ドーピ
ング量に対して単調に増加している。
【０００９】このように、魚見らが変調ドープＭＱＷ半
導体レーザに関して理論予測した性能向上の問題は、上
記した問題を解決しない限り、とくに長波長帯域では実
現することができないことになる。本発明は、この問題
を解決し、障壁層に変調ドーピングしても内部損失の増
加が起こらず、そのため、魚見らが理論予測したとおり
の高性能を発揮することができる変調ドープＭＱＷ半導
体レーザ、とくにワイドギャップバリアを有する変調ド
ープＭＱＷ半導体レーザの提供を目的とする。
導体レーザに関して理論予測した性能向上の問題は、上
記した問題を解決しない限り、とくに長波長帯域では実
現することができないことになる。本発明は、この問題
を解決し、障壁層に変調ドーピングしても内部損失の増
加が起こらず、そのため、魚見らが理論予測したとおり
の高性能を発揮することができる変調ドープＭＱＷ半導
体レーザ、とくにワイドギャップバリアを有する変調ド
ープＭＱＷ半導体レーザの提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、圧縮歪みを有する井戸層と
引張り歪みを有する障壁層とのヘテロ接合構造から成る
多重量子井戸構造を有し、前記井戸層はノンドープの半
導体材料から成り、前記障壁層は前記井戸層にヘテロ接
合する層１と前記層１の間にヘテロ接合して介装された
層２との層構造を有し、前記層１は前記井戸層の半導体
材料よりもバンドギャップ波長が短いノンドープの半導
体材料１から成り、前記層２は前記半導体材料１よりも
バンドギャップ波長が短い半導体材料２から成り、かつ
前記半導体材料２にはｐ型またはｎ型のドーパントが変
調ドーピングされていることを特徴とする変調ドープ多
重量子井戸半導体レーザが提供される。
ために、本発明においては、圧縮歪みを有する井戸層と
引張り歪みを有する障壁層とのヘテロ接合構造から成る
多重量子井戸構造を有し、前記井戸層はノンドープの半
導体材料から成り、前記障壁層は前記井戸層にヘテロ接
合する層１と前記層１の間にヘテロ接合して介装された
層２との層構造を有し、前記層１は前記井戸層の半導体
材料よりもバンドギャップ波長が短いノンドープの半導
体材料１から成り、前記層２は前記半導体材料１よりも
バンドギャップ波長が短い半導体材料２から成り、かつ
前記半導体材料２にはｐ型またはｎ型のドーパントが変
調ドーピングされていることを特徴とする変調ドープ多
重量子井戸半導体レーザが提供される。
【００１１】具体的には、前記井戸層の半導体材料がＧ
ａＩｎＡｓＰから成り、前記半導体材料１がバンドギャ
ップ波長０.９３〜１.３μｍのＧａＩｎＡｓＰから成
り、前記半導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜０.
９３μｍのＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａ
ＩｎＡｓから成り、前記ドーパントがＢｅなどのｐ型ド
ーパントまたはＳｉなどのｎ型ドーパントから成る変調
ドープ多重量子井戸半導体レーザや、前記井戸層の半導
体材料がＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，またはＡｌＧａＩ
ｎＡｓから成り、前記半導体材料１がバンドギャップ波
長０.９３〜１.３μｍのＧａＩｎＡｓＰから成り、前記
半導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜０.９３μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓ
から成り、前記ドーパントがＢｅなどのｐ型ドーパント
またはＳｉなどのｎ型ドーパントから成る変調ドープ多
重量子井戸半導体レーザや、前記井戸層の半導体材料が
ＧａＩｎＡｓＰから成り、前記半導体材料１がバンドギ
ャップ波長０.９３〜１.３μｍのＡｌＧａＩｎＡｓから
成り、前記半導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜
０.９３μｍのＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌ
ＧａＩｎＡｓから成り、前記ドーパントがＢｅなどのｐ
型ドーパントまたはＳｉなどのｎ型ドーパントから成る
請求項１の変調ドープ多重量子井戸半導体レーザが提供
される。
ａＩｎＡｓＰから成り、前記半導体材料１がバンドギャ
ップ波長０.９３〜１.３μｍのＧａＩｎＡｓＰから成
り、前記半導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜０.
９３μｍのＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａ
ＩｎＡｓから成り、前記ドーパントがＢｅなどのｐ型ド
ーパントまたはＳｉなどのｎ型ドーパントから成る変調
ドープ多重量子井戸半導体レーザや、前記井戸層の半導
体材料がＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，またはＡｌＧａＩ
ｎＡｓから成り、前記半導体材料１がバンドギャップ波
長０.９３〜１.３μｍのＧａＩｎＡｓＰから成り、前記
半導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜０.９３μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓ
から成り、前記ドーパントがＢｅなどのｐ型ドーパント
またはＳｉなどのｎ型ドーパントから成る変調ドープ多
重量子井戸半導体レーザや、前記井戸層の半導体材料が
ＧａＩｎＡｓＰから成り、前記半導体材料１がバンドギ
ャップ波長０.９３〜１.３μｍのＡｌＧａＩｎＡｓから
成り、前記半導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜
０.９３μｍのＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌ
ＧａＩｎＡｓから成り、前記ドーパントがＢｅなどのｐ
型ドーパントまたはＳｉなどのｎ型ドーパントから成る
請求項１の変調ドープ多重量子井戸半導体レーザが提供
される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、図面に基づいて本発明の
半導体レーザを説明する。図１は、井戸層が４個である
ＭＱＷ構造を有する半導体レーザの層構造を示し、図２
はこのＭＱＷ構造における各層の伝導帯のエネルギー準
位（Ｅｃ）の関係を示す。
半導体レーザを説明する。図１は、井戸層が４個である
ＭＱＷ構造を有する半導体レーザの層構造を示し、図２
はこのＭＱＷ構造における各層の伝導帯のエネルギー準
位（Ｅｃ）の関係を示す。
【００１３】図１，図２において、基板１の上に成膜さ
れた下部クラッド層２Ａに後述するＭＱＷ構造Ｄが積層
され、その最上層には更に上部クラッド層２Ｂとコンタ
クト層３が積層されている。これらの各層は、いずれ
も、所定の半導体材料をガスソースＭＢＥ法，ＭＢＥ
法，ＣＢＥ法，またはＭＯＣＶＤ法など、公知の成膜法
を適用して形成される。
れた下部クラッド層２Ａに後述するＭＱＷ構造Ｄが積層
され、その最上層には更に上部クラッド層２Ｂとコンタ
クト層３が積層されている。これらの各層は、いずれ
も、所定の半導体材料をガスソースＭＢＥ法，ＭＢＥ
法，ＣＢＥ法，またはＭＯＣＶＤ法など、公知の成膜法
を適用して形成される。
【００１４】上記したＭＱＷ構造Ｄにおける単位構造
は、井戸層Ａがその上・下にヘテロ接合する障壁層Ｂで
サンドウィッチされた構造になっていて、しかもその障
壁層Ｂは前記井戸層Ａにヘテロ接合する２つの層Ｂ１，
Ｂ１とこれら層Ｂ１の間に介装された層Ｂ２とから成る
層構造を有し、前記層Ｂ２にのみｐ型またはｎ型のドー
パントＣがドーピングされている。
は、井戸層Ａがその上・下にヘテロ接合する障壁層Ｂで
サンドウィッチされた構造になっていて、しかもその障
壁層Ｂは前記井戸層Ａにヘテロ接合する２つの層Ｂ１，
Ｂ１とこれら層Ｂ１の間に介装された層Ｂ２とから成る
層構造を有し、前記層Ｂ２にのみｐ型またはｎ型のドー
パントＣがドーピングされている。
【００１５】なお、障壁層Ｂにおいて、下部クラッド層
２Ａと上部クラッド層２Ｂとヘテロ接合する層Ｂ１０
は、いずれも、他の層Ｂ１よりも厚くなっていて、図１
で示した層構造における光閉じ込め層として機能する。
各井戸層Ａはいずれもノンドープの半導体材料から成
り、かつ基板１に対して圧縮歪みを有する層として形成
されている。
２Ａと上部クラッド層２Ｂとヘテロ接合する層Ｂ１０
は、いずれも、他の層Ｂ１よりも厚くなっていて、図１
で示した層構造における光閉じ込め層として機能する。
各井戸層Ａはいずれもノンドープの半導体材料から成
り、かつ基板１に対して圧縮歪みを有する層として形成
されている。
【００１６】また障壁層Ｂは、上記した井戸層Ａを形成
する半導体材料よりもバンドギャップ波長が短い、すな
わちバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）が高い半導体材
料から成り、かつ基板１に対して引張り歪みを有する層
として形成される。そして、この障壁層Ｂのうち、前記
井戸層Ａにヘテロ接合している層Ｂ１はノンドープの半
導体材料で形成され、また層Ｂ１の間に介装され、井戸
層Ａとはヘテロ接合していない層Ｂ２は、上記層Ｂ１よ
りもバンドギャップ波長が短い、すなわちバンドギャッ
プエネルギー（Ｅｇ）が高い半導体材料２で形成され、
ここにｐ型またはｎ型のドーパントが変調ドーピングさ
れている。
する半導体材料よりもバンドギャップ波長が短い、すな
わちバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）が高い半導体材
料から成り、かつ基板１に対して引張り歪みを有する層
として形成される。そして、この障壁層Ｂのうち、前記
井戸層Ａにヘテロ接合している層Ｂ１はノンドープの半
導体材料で形成され、また層Ｂ１の間に介装され、井戸
層Ａとはヘテロ接合していない層Ｂ２は、上記層Ｂ１よ
りもバンドギャップ波長が短い、すなわちバンドギャッ
プエネルギー（Ｅｇ）が高い半導体材料２で形成され、
ここにｐ型またはｎ型のドーパントが変調ドーピングさ
れている。
【００１７】このように、本発明のＭＱＷ構造Ｄにおけ
る各層の伝導帯のエネルギー準位（Ｅｃ）の状態は図２
で示したようになっている。ここで、井戸層Ａを構成す
る半導体材料としては、例えば、ＧａＩｎＡｓＰ，Ｉｎ
ＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＧａＩｎＡｓなどをあげる
ことができる。また、障壁層Ｂにおける層Ｂ１を構成す
る半導体材料としては、バンドギャップ波長が０.９３
〜１.３μｍになる組成のＧａＩｎＡｓＰ，ＡｌＧａＩ
ｎＡｓなどをあげることができる。そして層Ｂ２を構成
する半導体材料２としては、バンドギャップ波長が０.
６〜０.９３μｍになる組成のＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩ
ｎＰ，ＡｌＧａＩｎＡｓなどをあげることができる。
る各層の伝導帯のエネルギー準位（Ｅｃ）の状態は図２
で示したようになっている。ここで、井戸層Ａを構成す
る半導体材料としては、例えば、ＧａＩｎＡｓＰ，Ｉｎ
ＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＧａＩｎＡｓなどをあげる
ことができる。また、障壁層Ｂにおける層Ｂ１を構成す
る半導体材料としては、バンドギャップ波長が０.９３
〜１.３μｍになる組成のＧａＩｎＡｓＰ，ＡｌＧａＩ
ｎＡｓなどをあげることができる。そして層Ｂ２を構成
する半導体材料２としては、バンドギャップ波長が０.
６〜０.９３μｍになる組成のＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩ
ｎＰ，ＡｌＧａＩｎＡｓなどをあげることができる。
【００１８】この層Ｂ２へ変調ドーピングされるｐ型ド
ーパントとしてはＢｅを好適とするが、Ｍｇ，Ｃ，Ｚｎ
を用いることもでき、またｎ型ドーパントとしてはＳｉ
を好適とするが、Ｓｅを用いることもできる。このとき
の変調ドーピング量は、ｐ型，ｎ型のいずれの場合も、
１×１０17〜１×１０20cm-3の範囲内にあればよい。こ
の半導体レーザの場合、井戸層Ａの両側にはノンドープ
でバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）の高い層Ｂ１が存
在し、更にその層Ｂ１に接してバンドギャップエネルギ
ー（Ｅｇ）が最も高い層Ｂ２が存在し、そこにのみ変調
ドーピングが施された構造になっているので、井戸層Ａ
における自由キャリアの吸収や価電子帯での吸収に基づ
く内部損失の増加が防止される。また、層１はバンドギ
ャップエネルギー（Ｅｇ）の比較的小さい半導体材料で
構成されているので、光閉じ込め係数の減少によって生
起するしきい値電流の増加現象も起こらなくなる。
ーパントとしてはＢｅを好適とするが、Ｍｇ，Ｃ，Ｚｎ
を用いることもでき、またｎ型ドーパントとしてはＳｉ
を好適とするが、Ｓｅを用いることもできる。このとき
の変調ドーピング量は、ｐ型，ｎ型のいずれの場合も、
１×１０17〜１×１０20cm-3の範囲内にあればよい。こ
の半導体レーザの場合、井戸層Ａの両側にはノンドープ
でバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）の高い層Ｂ１が存
在し、更にその層Ｂ１に接してバンドギャップエネルギ
ー（Ｅｇ）が最も高い層Ｂ２が存在し、そこにのみ変調
ドーピングが施された構造になっているので、井戸層Ａ
における自由キャリアの吸収や価電子帯での吸収に基づ
く内部損失の増加が防止される。また、層１はバンドギ
ャップエネルギー（Ｅｇ）の比較的小さい半導体材料で
構成されているので、光閉じ込め係数の減少によって生
起するしきい値電流の増加現象も起こらなくなる。
【００１９】このようなことから、この半導体レーザの
場合、ｐ型，ｎ型の変調ドープＭＱＷ半導体レーザに関
して魚見らが理論予測したような性能を発揮することが
できる。また、本発明の半導体レーザの場合、井戸層Ａ
は圧縮歪み、障壁層Ｂは引張り歪みを有しているので、
ＭＱＷ構造Ｄの全体としては歪み補償が実現している状
態になっている。したがって、ＭＱＷ構造Ｄにおける結
晶性も優れた状態になっている。
場合、ｐ型，ｎ型の変調ドープＭＱＷ半導体レーザに関
して魚見らが理論予測したような性能を発揮することが
できる。また、本発明の半導体レーザの場合、井戸層Ａ
は圧縮歪み、障壁層Ｂは引張り歪みを有しているので、
ＭＱＷ構造Ｄの全体としては歪み補償が実現している状
態になっている。したがって、ＭＱＷ構造Ｄにおける結
晶性も優れた状態になっている。
【００２０】その場合、ＭＱＷ構造全体の歪みをゼロに
近づけることが良好な結晶性を得るという点で好適であ
るが、ＭＱＷ構造Ｄの全体としては、若干の圧縮歪みを
有している方がレーザとしての特性は向上するので好適
である。通常、ＭＱＷとしては全体の歪み量が圧縮歪み
側に０〜０.５％となっていることが好ましい。
近づけることが良好な結晶性を得るという点で好適であ
るが、ＭＱＷ構造Ｄの全体としては、若干の圧縮歪みを
有している方がレーザとしての特性は向上するので好適
である。通常、ＭＱＷとしては全体の歪み量が圧縮歪み
側に０〜０.５％となっていることが好ましい。
【００２１】
【実施例】実施例１ 波長１.３μｍ帯域の半導体レーザを次のようにして製
造した。まず、ガスソースＭＢＥ法で図１で示した層構
造をｎ型ＩｎＰ基板１の（１００）面の上に形成した。
造した。まず、ガスソースＭＢＥ法で図１で示した層構
造をｎ型ＩｎＰ基板１の（１００）面の上に形成した。
【００２２】この層構造において、下部クラッド層２Ａ
は厚み０.６μｍのｎ型ＩｎＰから成り、上部クラッド
層２Ｂは厚み２μｍのｐ型ＩｎＰから成り、コンタクト
層３は厚み０.４μｍのｐ+型のＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓか
ら成る。そしてＭＱＷ構造Ｄにおける井戸層Ａは、いず
れも、厚み９nmのＩｎＡｓ0.45Ｐ0.55から成り、その圧
縮歪みは基板１に対して＋１.４５％になっている。
は厚み０.６μｍのｎ型ＩｎＰから成り、上部クラッド
層２Ｂは厚み２μｍのｐ型ＩｎＰから成り、コンタクト
層３は厚み０.４μｍのｐ+型のＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓか
ら成る。そしてＭＱＷ構造Ｄにおける井戸層Ａは、いず
れも、厚み９nmのＩｎＡｓ0.45Ｐ0.55から成り、その圧
縮歪みは基板１に対して＋１.４５％になっている。
【００２３】また、障壁層Ｂにおける層Ｂ１は、いずれ
も、厚み２nmである格子整合系のノンドープＩｎ0.86Ｇ
ａ0.14Ａｓ0.306Ｐ0.694（バンドギャップ波長が１.１
μｍの組成）から成る。層Ｂ２は、いずれも、厚み１１
nmのＩｎ0.9Ｇａ0.1Ｐ（バンドギャップ波長が８４２nm
の組成）から成り、その引張り歪みは基板１に対して−
０.７％になっている。そして、この層Ｂ２にはＢｅが
１×１０19cm-3の濃度でｐ型変調ドーピングされてい
る。
も、厚み２nmである格子整合系のノンドープＩｎ0.86Ｇ
ａ0.14Ａｓ0.306Ｐ0.694（バンドギャップ波長が１.１
μｍの組成）から成る。層Ｂ２は、いずれも、厚み１１
nmのＩｎ0.9Ｇａ0.1Ｐ（バンドギャップ波長が８４２nm
の組成）から成り、その引張り歪みは基板１に対して−
０.７％になっている。そして、この層Ｂ２にはＢｅが
１×１０19cm-3の濃度でｐ型変調ドーピングされてい
る。
【００２４】なお、下部クラッド層２Ａと上部クラッド
層２Ｂに接している層Ｂ１０は、いずれも前記した組成
と同じ組成であることが望ましいが、厚みは０.１２μ
ｍになっている。なお、この厚みは０〜０.３μｍであ
ることが望ましい。また、層Ｂ２の厚みは１１nmとした
が、この厚みは３０nm未満であればその範囲内で変化さ
せてもよい。また、層Ｂ１としては格子整合系を用いた
が、層Ｂ２よりもバンドギャップ波長が長い材料であれ
ば歪み系の材料を用いてもよい。また、実施例１では井
戸数を４個とした例を示したが、この井戸数は１〜３０
個の範囲内で変化させることもできる。
層２Ｂに接している層Ｂ１０は、いずれも前記した組成
と同じ組成であることが望ましいが、厚みは０.１２μ
ｍになっている。なお、この厚みは０〜０.３μｍであ
ることが望ましい。また、層Ｂ２の厚みは１１nmとした
が、この厚みは３０nm未満であればその範囲内で変化さ
せてもよい。また、層Ｂ１としては格子整合系を用いた
が、層Ｂ２よりもバンドギャップ波長が長い材料であれ
ば歪み系の材料を用いてもよい。また、実施例１では井
戸数を４個とした例を示したが、この井戸数は１〜３０
個の範囲内で変化させることもできる。
【００２５】このようにして製造されたＭＱＷ構造Ｄ
は、全体として、基板１に対して＋０.１２８％の圧縮
歪みを有している。得られた層構造の上面に対してフォ
トリソグラフィーを行って、図３で示したように、上部
幅５.５μｍ，下部幅３μｍの逆メサリッジの導波路を
形成したのち全面にＳｉＮx膜４を成膜し、このＳｉＮx
膜の上にフォトリソグラフィーを行ってメサ上部にのみ
窓を開けるようなレジストパターンを形成し、更にその
窓から表出するＳｉＮx膜４をＲＩＥで除去してコンタ
クト層３を表出させた。ついで、レジストパターンを全
て除去したのち、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ型オーミック電
極５を形成し、また基板１の裏面を研磨して全体の厚み
を１００μｍ程度にしたのちその研磨面にＡｕＧｅ／Ｎ
ｉ／Ａｕのｎ型オーミック電極６を形成した。
は、全体として、基板１に対して＋０.１２８％の圧縮
歪みを有している。得られた層構造の上面に対してフォ
トリソグラフィーを行って、図３で示したように、上部
幅５.５μｍ，下部幅３μｍの逆メサリッジの導波路を
形成したのち全面にＳｉＮx膜４を成膜し、このＳｉＮx
膜の上にフォトリソグラフィーを行ってメサ上部にのみ
窓を開けるようなレジストパターンを形成し、更にその
窓から表出するＳｉＮx膜４をＲＩＥで除去してコンタ
クト層３を表出させた。ついで、レジストパターンを全
て除去したのち、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ型オーミック電
極５を形成し、また基板１の裏面を研磨して全体の厚み
を１００μｍ程度にしたのちその研磨面にＡｕＧｅ／Ｎ
ｉ／Ａｕのｎ型オーミック電極６を形成した。
【００２６】その後、劈開を行い、共振器としての長さ
３００μｍの半導体レーザにした。なお、劈開面に対し
てはＳｉＮxなどから成る高反射膜で被覆してもよい。
なお、上記した半導体レーザのＭＱＷ構造Ｄの形成時
に、層Ｂ２にドーピングするＢｅの濃度を変化させて半
導体レーザを製造し、それらの半導体レーザにつき、常
法に従って、無限大共振器における１井戸当たりのしき
い値電流密度（Ｊth∞／Ｎw）を測定した。その結果
を、Ｂｅのドーピング濃度との関係として図４に示し
た。
３００μｍの半導体レーザにした。なお、劈開面に対し
てはＳｉＮxなどから成る高反射膜で被覆してもよい。
なお、上記した半導体レーザのＭＱＷ構造Ｄの形成時
に、層Ｂ２にドーピングするＢｅの濃度を変化させて半
導体レーザを製造し、それらの半導体レーザにつき、常
法に従って、無限大共振器における１井戸当たりのしき
い値電流密度（Ｊth∞／Ｎw）を測定した。その結果
を、Ｂｅのドーピング濃度との関係として図４に示し
た。
【００２７】なお、比較のために、従来のｐ型変調ドー
プＭＱＷ半導体レーザについても同様にしてＪth∞／Ｎ
wを測定し、その結果も図４に示した。図４から明らか
なように、本発明の半導体レーザの場合には、層Ｂ２へ
のＢｅのドーピング濃度を１×１０19cm-3にすることに
より、Ｊth∞／Ｎwが３０Ａ／cm2という極めて低いしき
い値を実現することができる。
プＭＱＷ半導体レーザについても同様にしてＪth∞／Ｎ
wを測定し、その結果も図４に示した。図４から明らか
なように、本発明の半導体レーザの場合には、層Ｂ２へ
のＢｅのドーピング濃度を１×１０19cm-3にすることに
より、Ｊth∞／Ｎwが３０Ａ／cm2という極めて低いしき
い値を実現することができる。
【００２８】また、層Ｂ２へのＢｅのドーピング濃度が
１×１０19cm-3であり、また共振器としての長さが２５
０μｍである本発明の半導体レーザにつき、緩和振動周
波数（ｆｒ）の２乗と光出力との関係を調べた。その結
果を図５に示した。なお、比較のために、従来アンドー
プＭＱＷ半導体レーザと従来のｐ型変調ＭＱＷ半導体レ
ーザの場合についても同様の関係を調べ、それも図５に
示した。
１×１０19cm-3であり、また共振器としての長さが２５
０μｍである本発明の半導体レーザにつき、緩和振動周
波数（ｆｒ）の２乗と光出力との関係を調べた。その結
果を図５に示した。なお、比較のために、従来アンドー
プＭＱＷ半導体レーザと従来のｐ型変調ＭＱＷ半導体レ
ーザの場合についても同様の関係を調べ、それも図５に
示した。
【００２９】図５から明らかなように、本発明の半導体
レーザの場合は、その緩和振動周波数（ｆｒ）が従来の
ｐ型変調ドープＭＱＷ半導体レーザ、従来のノンドープ
ＭＱＷ半導体レーザの場合に比べて、それぞれ、１.４
倍、１.７倍の値になっている。更に、ドーパントとし
てＳｉを用いたことを除いては、実施例１と同様にして
ｎ型変調ドープＭＱＷ半導体レーザを製造し、その半導
体レーザについても、Ｊth∞／ＮwとＳｉのドーピング
濃度との関係を調べた。その結果を図６に示した。
レーザの場合は、その緩和振動周波数（ｆｒ）が従来の
ｐ型変調ドープＭＱＷ半導体レーザ、従来のノンドープ
ＭＱＷ半導体レーザの場合に比べて、それぞれ、１.４
倍、１.７倍の値になっている。更に、ドーパントとし
てＳｉを用いたことを除いては、実施例１と同様にして
ｎ型変調ドープＭＱＷ半導体レーザを製造し、その半導
体レーザについても、Ｊth∞／ＮwとＳｉのドーピング
濃度との関係を調べた。その結果を図６に示した。
【００３０】比較のために、ｎ型変調ドープＭＱＷ半導
体レーザについても同様の関係を調べ、それも図６に示
した。図６から明らかなように、この場合もＳｉのドー
ピング濃度を１×１０19cm-3することにより、Ｊth∞／
Ｎwは極めて低いしきい値になっている。
体レーザについても同様の関係を調べ、それも図６に示
した。図６から明らかなように、この場合もＳｉのドー
ピング濃度を１×１０19cm-3することにより、Ｊth∞／
Ｎwは極めて低いしきい値になっている。
【００３１】実施例２ 波長１.５５μｍ帯域の半導体レーザを次のようにして
製造した。まず、ＭＯＣＶＤ法で図１で示した層構造を
ｎ型ＩｎＰ基板１の（１００）面の上に形成した。この
層構造において、下部クラッド層２Ａは厚み０.６μｍ
のｎ型ＩｎＰから成り、上部クラッド層２Ｂは厚み２μ
ｍのｐ型ＩｎＰから成り、コンタクト層３は厚み０.４
μｍのｐ+型からＩｎＧａＡｓから成る。
製造した。まず、ＭＯＣＶＤ法で図１で示した層構造を
ｎ型ＩｎＰ基板１の（１００）面の上に形成した。この
層構造において、下部クラッド層２Ａは厚み０.６μｍ
のｎ型ＩｎＰから成り、上部クラッド層２Ｂは厚み２μ
ｍのｐ型ＩｎＰから成り、コンタクト層３は厚み０.４
μｍのｐ+型からＩｎＧａＡｓから成る。
【００３２】そしてＭＱＷ構造Ｄにおける井戸層Ａは、
いずれも、厚み３nmのＩｎ0.68Ｇａ 0.32Ａｓから成り、
その圧縮歪みは基板１に対して＋１.０％になってい
る。また、障壁層Ｂにおける層Ｂ１は、いずれも、厚み
２nmである格子整合系のノンドープＩｎ0.208Ｇａ0.792
Ａｓ0.453Ｐ0.547（バンドギャップ波長が１.２μｍの
組成）から成る。層Ｂ２は、いずれも、厚み６nmのＩｎ
0.9Ｇａ0.1Ｐ（バンドギャップ波長が８４２nmの組成）
から成り、その引張り歪みは基板１に対して−０.７％
になっている。そして、この層Ｂ２にはＢｅが１×１０
19cm-3の濃度でｐ型変調ドーピングされている。
いずれも、厚み３nmのＩｎ0.68Ｇａ 0.32Ａｓから成り、
その圧縮歪みは基板１に対して＋１.０％になってい
る。また、障壁層Ｂにおける層Ｂ１は、いずれも、厚み
２nmである格子整合系のノンドープＩｎ0.208Ｇａ0.792
Ａｓ0.453Ｐ0.547（バンドギャップ波長が１.２μｍの
組成）から成る。層Ｂ２は、いずれも、厚み６nmのＩｎ
0.9Ｇａ0.1Ｐ（バンドギャップ波長が８４２nmの組成）
から成り、その引張り歪みは基板１に対して−０.７％
になっている。そして、この層Ｂ２にはＢｅが１×１０
19cm-3の濃度でｐ型変調ドーピングされている。
【００３３】なお、下部クラッド層２Ａと上部クラッド
層２Ｂに接している層Ｂ１０は、いずれも前記した組成
と同じ組成であるが、厚みは０.１２μｍになってい
る。また、層Ｂ２の厚みは６nmとしたが、この厚みは３
０nm未満であればその範囲内で変化させてもよい。ま
た、層Ｂ１としては格子整合系を用いたが、層Ｂ２より
もバンドギャップ波長が長い材料であれば歪み系の材料
を用いてもよい。
層２Ｂに接している層Ｂ１０は、いずれも前記した組成
と同じ組成であるが、厚みは０.１２μｍになってい
る。また、層Ｂ２の厚みは６nmとしたが、この厚みは３
０nm未満であればその範囲内で変化させてもよい。ま
た、層Ｂ１としては格子整合系を用いたが、層Ｂ２より
もバンドギャップ波長が長い材料であれば歪み系の材料
を用いてもよい。
【００３４】得られた層構造を実施例１と同様にして加
工し、半導体レーザを製造した。この半導体レーザの場
合も、実施例１の場合と同様の結果を得ることができ
た。
工し、半導体レーザを製造した。この半導体レーザの場
合も、実施例１の場合と同様の結果を得ることができ
た。
【００３５】実施例３ Ｂｅに代えてＳｉを１×１０19cm-3ドーピングしたこと
を除いては、実施例２と同様にしてｎ型変調ドープＭＱ
Ｗ半導体レーザを製造した。この半導体レーザの場合も
実施例１の場合と同様の結果を得ることができた。実施
例１，２，３では、波長１.３μｍ帯域と波長１.５５μ
ｍ帯域で発信するレーザを示したが、本発明の構造は、
波長１６５０μｍ，９８０μｍ，８５０μｍ，７８０μ
ｍ，６８０μｍ，６３０μｍ，６００μｍの各帯域のＭ
ＱＷ半導体レーザにも適用することができる。
を除いては、実施例２と同様にしてｎ型変調ドープＭＱ
Ｗ半導体レーザを製造した。この半導体レーザの場合も
実施例１の場合と同様の結果を得ることができた。実施
例１，２，３では、波長１.３μｍ帯域と波長１.５５μ
ｍ帯域で発信するレーザを示したが、本発明の構造は、
波長１６５０μｍ，９８０μｍ，８５０μｍ，７８０μ
ｍ，６８０μｍ，６３０μｍ，６００μｍの各帯域のＭ
ＱＷ半導体レーザにも適用することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
ＭＱＷ半導体レーザは、変調ドーピングされている障壁
層の部分のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）が高くな
っているので、井戸層における自由キャリアの吸収や低
価電子帯での吸収に基づく内部損失が防止され、また、
井戸層と直接ヘテロ接合する光閉じ込め係数の減少に基
づくしきい値電流の増加も起こらない。更には、ＭＱＷ
構造全体では歪み補償が実現していて全体の結晶性は良
好である。
ＭＱＷ半導体レーザは、変調ドーピングされている障壁
層の部分のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ）が高くな
っているので、井戸層における自由キャリアの吸収や低
価電子帯での吸収に基づく内部損失が防止され、また、
井戸層と直接ヘテロ接合する光閉じ込め係数の減少に基
づくしきい値電流の増加も起こらない。更には、ＭＱＷ
構造全体では歪み補償が実現していて全体の結晶性は良
好である。
【図１】本発明の半導体レーザの層構造を示す概略図で
ある。
ある。
【図２】図１の層構造における各層のバンドギャップエ
ネルギー（Ｅｇ）の関係を示す概略図である。
ネルギー（Ｅｇ）の関係を示す概略図である。
【図３】図１で示した層構造を用いたＭＱＷ半導体レー
ザを示す斜視図である。
ザを示す斜視図である。
【図４】ｐ型変調ドープＭＱＷ半導体レーザのドーピン
グ濃度とＪth∞／Ｎwとの関係を示すグラフである。
グ濃度とＪth∞／Ｎwとの関係を示すグラフである。
【図５】ＭＱＷ半導体レーザの緩和振動周波数の２乗と
光出力との関係を示すグラフである。
光出力との関係を示すグラフである。
【図６】ｎ型変調ドープＭＱＷ半導体レーザのドーピン
グ濃度とＪth∞／Ｎwの関係を示すグラフである。
グ濃度とＪth∞／Ｎwの関係を示すグラフである。
Ａ 井戸層 Ｂ 障壁層 Ｂ１，Ｂ１０ 層１ Ｂ２ 層２ Ｃ ｐ型またはｎ型のドーパント Ｄ 光閉じ込め層を含む多重量子井戸構造 １ 基板 ２Ａ 下部クラッド層 ２Ｂ 上部クラッド層 ３ コンタクト層 ４ ＳｉＮx膜 ５ ｐ型オーミック電極 ６ ｎ型オーミック電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粕川 秋彦 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA11 AA74 AA89 CA06 CA12 CA15 EA14 EA23
Claims (4)
- 【請求項１】 圧縮歪みを有する井戸層と引張り歪みを
有する障壁層とのヘテロ接合構造から成る多重量子井戸
構造を有し、前記井戸層はノンドープの半導体材料から
成り、前記障壁層は前記井戸層にヘテロ接合する層１と
前記層１の間にヘテロ接合して介装された層２との層構
造を有し、前記層１は前記井戸層の半導体材料よりもバ
ンドギャップ波長が短いノンドープの半導体材料１から
成り、前記層２は前記半導体材料１よりもバンドギャッ
プ波長が短い半導体材料２から成り、かつ前記半導体材
料２にはｐ型またはｎ型のドーパントが変調ドーピング
されていることを特徴とする変調ドープ多重量子井戸半
導体レーザ。 - 【請求項２】 前記井戸層の半導体材料がＧａＩｎＡｓ
Ｐから成り、前記半導体材料１がバンドギャップ波長
０.９３〜１.３μｍのＧａＩｎＡｓＰから成り、前記半
導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜０.９３μｍの
ＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓか
ら成り、前記ドーパントがｐ型またはｎ型のドーパント
から成る請求項１の変調ドープ多重量子井戸半導体レー
ザ。 - 【請求項３】 前記井戸層の半導体材料がＩｎＡｓＰ，
ＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓから
成り、前記半導体材料１がバンドギャップ波長０.９３
〜１.３μｍのＧａＩｎＡｓＰから成り、前記半導体材
料２がバンドギャップ波長０.６〜０.９３μｍのＧａＩ
ｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓから成
り、前記ドーパントがｐ型またはｎ型のドーパントから
成る請求項１の変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記井戸層の半導体材料がＧａＩｎＡｓ
Ｐから成り、前記半導体材料１がバンドギャップ波長
０.９３〜１.３μｍのＡｌＧａＩｎＡｓから成り、前記
半導体材料２がバンドギャップ波長０.６〜０.９３μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓ
から成り、前記ドーパントがｐ型またはｎ型のドーパン
トから成る請求項１の変調ドープ多重量子井戸半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10251183A JP2000082862A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10251183A JP2000082862A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000082862A true JP2000082862A (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17218925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10251183A Pending JP2000082862A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000082862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774389B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-08-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
| JP2006108641A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-04-20 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザおよびそれを用いた半導体レーザジャイロ |
-
1998
- 1998-09-04 JP JP10251183A patent/JP2000082862A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774389B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-08-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
| JP2006108641A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-04-20 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザおよびそれを用いた半導体レーザジャイロ |
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|---|---|---|---|
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