JP2000082690A - 半導体ウェーハのエッチング方法 - Google Patents
半導体ウェーハのエッチング方法Info
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- JP2000082690A JP2000082690A JP10251249A JP25124998A JP2000082690A JP 2000082690 A JP2000082690 A JP 2000082690A JP 10251249 A JP10251249 A JP 10251249A JP 25124998 A JP25124998 A JP 25124998A JP 2000082690 A JP2000082690 A JP 2000082690A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギャザリングされた各半導体ウェーハの外周
部の略全面を均一に面取りエッチングする半導体ウェー
ハの表面処理方法を提供する。 【解決手段】 ギャザリングウェーハＧの各ウェーハ外
周部間の隙間形成面同士にブラシ１６を当接し、これら
の部分にエッチング液を吹きかけならがブラッシングす
る。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェー
ハＷの外周部の山谷部分のエッチングムラが小さくな
る。その結果、各ウェーハ外周部の略全面を均一に面取
りエッチングすることができる。
部の略全面を均一に面取りエッチングする半導体ウェー
ハの表面処理方法を提供する。 【解決手段】 ギャザリングウェーハＧの各ウェーハ外
周部間の隙間形成面同士にブラシ１６を当接し、これら
の部分にエッチング液を吹きかけならがブラッシングす
る。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェー
ハＷの外周部の山谷部分のエッチングムラが小さくな
る。その結果、各ウェーハ外周部の略全面を均一に面取
りエッチングすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
エッチング方法、詳しくはギャザリングされた各半導体
ウェーハの外周部の略全面を均一にエッチング処理する
半導体ウェーハのエッチング方法に関する。
エッチング方法、詳しくはギャザリングされた各半導体
ウェーハの外周部の略全面を均一にエッチング処理する
半導体ウェーハのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコンウェーハ（半導体ウェ
ーハ）は、スライシングされたのち、ウェーハ外周部
が、研削砥石により面取り加工される。この面取り時
に、ウェーハ外周部の表層には、研削砥石によるダメー
ジが発生する。そこで、このダメージを除去するため
に、ウェーハ表裏面のラップ工程後、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）工程とい
う、このウェーハ面取り部に対するエッチング（以下、
面取りエッチングという場合がある）が行われている。
従来、このＣＣＲ処理の一種として、複数枚のシリコン
ウェーハの面取りエッチングをまとめて行う、ギャザー
エッチングが開発されている。ギャザーエッチングと
は、面取りエッチングの処理前に、シリコンウェーハを
多数枚重ね合わせ、これを回転しながらエッチング液に
浸漬することにより、半導体ウェーハの外周部だけをエ
ッチング処理する方法である。
ーハ）は、スライシングされたのち、ウェーハ外周部
が、研削砥石により面取り加工される。この面取り時
に、ウェーハ外周部の表層には、研削砥石によるダメー
ジが発生する。そこで、このダメージを除去するため
に、ウェーハ表裏面のラップ工程後、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）工程とい
う、このウェーハ面取り部に対するエッチング（以下、
面取りエッチングという場合がある）が行われている。
従来、このＣＣＲ処理の一種として、複数枚のシリコン
ウェーハの面取りエッチングをまとめて行う、ギャザー
エッチングが開発されている。ギャザーエッチングと
は、面取りエッチングの処理前に、シリコンウェーハを
多数枚重ね合わせ、これを回転しながらエッチング液に
浸漬することにより、半導体ウェーハの外周部だけをエ
ッチング処理する方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来技術におけるギャザーエッチングでは、ウェーハ外周
部が面取りされたシリコンウェーハ同士を重ね合わせて
いる。そのため、隣接する各ウェーハの外周部間は隙間
を有している。したがって、これらの隙間に異物が付着
したり、エッチング液に浸漬した際に発生する気泡が付
着したりするおそれがある。そこで、この問題を解消す
るために、従来では、このＣＣＲ工程の前に、ギャザリ
ングウェーハを純水で潤して、異物の除去および気泡の
付着を防いでいた。しかしながら、この面取りエッチン
グは、周知の通り、ウェーハ外周部のＳｉ面を、エッチ
ング液との化学反応によって溶損させる面取り方法であ
る。そのため、この面取りエッチング中、各ウェーハ外
周部の表面からは反応ガスが発生する。その結果、例え
ば反応ガスが各ウェーハの外周部間（谷部分）の隙間に
付着た場合は、ギャザリングウェーハの各谷部分および
谷部分間にエッチングムラが生じるおそれがあった。
来技術におけるギャザーエッチングでは、ウェーハ外周
部が面取りされたシリコンウェーハ同士を重ね合わせて
いる。そのため、隣接する各ウェーハの外周部間は隙間
を有している。したがって、これらの隙間に異物が付着
したり、エッチング液に浸漬した際に発生する気泡が付
着したりするおそれがある。そこで、この問題を解消す
るために、従来では、このＣＣＲ工程の前に、ギャザリ
ングウェーハを純水で潤して、異物の除去および気泡の
付着を防いでいた。しかしながら、この面取りエッチン
グは、周知の通り、ウェーハ外周部のＳｉ面を、エッチ
ング液との化学反応によって溶損させる面取り方法であ
る。そのため、この面取りエッチング中、各ウェーハ外
周部の表面からは反応ガスが発生する。その結果、例え
ば反応ガスが各ウェーハの外周部間（谷部分）の隙間に
付着た場合は、ギャザリングウェーハの各谷部分および
谷部分間にエッチングムラが生じるおそれがあった。
【０００４】
【発明の目的】この発明は、ギャザリングされた各半導
体ウェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチング
することができる半導体ウェーハのエッチング方法を提
供することを、その目的としている。また、この発明
は、効果的な面取りエッチングを行うことができる半導
体ウェーハのエッチング方法を提供することを、その目
的としている。
体ウェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチング
することができる半導体ウェーハのエッチング方法を提
供することを、その目的としている。また、この発明
は、効果的な面取りエッチングを行うことができる半導
体ウェーハのエッチング方法を提供することを、その目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、エッチング処理前に、半導体ウェーハを複数枚重ね
合わせてギャザーし、これにエッチング液を供給して、
半導体ウェーハの外周部をエッチングする半導体ウェー
ハのエッチング方法において、隣接する各半導体ウェー
ハの外周部間の隙間形成面同士をブラッシングしなが
ら、エッチング処理する半導体ウェーハのエッチング方
法である。
は、エッチング処理前に、半導体ウェーハを複数枚重ね
合わせてギャザーし、これにエッチング液を供給して、
半導体ウェーハの外周部をエッチングする半導体ウェー
ハのエッチング方法において、隣接する各半導体ウェー
ハの外周部間の隙間形成面同士をブラッシングしなが
ら、エッチング処理する半導体ウェーハのエッチング方
法である。
【０００６】半導体ウェーハとしては、シリコンウェー
ハ，ガリウム砒素ウェーハなどが挙げられる。半導体ウ
ェーハの重ね合わせ（ギャザー）の枚数は限定されな
い。例えば１０〜５００枚程度である。エッチング液の
種類は限定されない。例えば、フッ酸と硝酸との混酸な
どを採用することができる。また、このエッチング液の
ギャザリングウェーハへの供給は、浸漬でもいいし、吹
きかけでもよい。なお、浸漬の場合において、この浸漬
されるギャザリングウェーハの浸漬部分は、少なくと
も、この面取りエッチングされる各ウェーハ外周部が含
まれていればよい。ブラッシングに使用されるブラシの
形状や大きさは限定されない。ブラシ毛の素材も限定さ
れない。例えばナイロンなどが挙げられる。ただし、ブ
ラッシング時に磨耗およびエッチング液による溶損を起
こしにくいものが好ましい。ブラシ毛の長さは、ブラシ
裏面の全域にわたって均一でもよいし、部分的にブラシ
毛の長さを異ならせてもよい。例えば、ギャザリングウ
ェーハの山部分と谷部分との起伏に合わせて、一定ピッ
チで凹凸を繰り返す山切りカットのブラシ毛としてもよ
い。
ハ，ガリウム砒素ウェーハなどが挙げられる。半導体ウ
ェーハの重ね合わせ（ギャザー）の枚数は限定されな
い。例えば１０〜５００枚程度である。エッチング液の
種類は限定されない。例えば、フッ酸と硝酸との混酸な
どを採用することができる。また、このエッチング液の
ギャザリングウェーハへの供給は、浸漬でもいいし、吹
きかけでもよい。なお、浸漬の場合において、この浸漬
されるギャザリングウェーハの浸漬部分は、少なくと
も、この面取りエッチングされる各ウェーハ外周部が含
まれていればよい。ブラッシングに使用されるブラシの
形状や大きさは限定されない。ブラシ毛の素材も限定さ
れない。例えばナイロンなどが挙げられる。ただし、ブ
ラッシング時に磨耗およびエッチング液による溶損を起
こしにくいものが好ましい。ブラシ毛の長さは、ブラシ
裏面の全域にわたって均一でもよいし、部分的にブラシ
毛の長さを異ならせてもよい。例えば、ギャザリングウ
ェーハの山部分と谷部分との起伏に合わせて、一定ピッ
チで凹凸を繰り返す山切りカットのブラシ毛としてもよ
い。
【０００７】また、ブラッシングの際には、ブラシ毛を
各ウェーハ外周部に当接して、ギャザリングウェーハを
回転してもよい。また、これとは反対に、ブラシをギャ
ザリングウェーハの外周面に沿わせて回転してもよい。
さらには、両者を回転してもよい。ウェーハ側およびブ
ラシ側を回転する場合の各回転数は限定されない。例え
ば１〜５０ｒｐｍくらいである。この面取りエッチング
時にブラシに加えられる押圧力は０．０１〜２ｋｇｆ／
ｃｍ２、特に０．１〜０．５ｋｇｆ／ｃｍ２が好まし
い。０．０１ｋｇｆ／ｃｍ ２未満ではブラシの変形とい
う不都合が生じる。また、２ｋｇｆ／ｃｍ２を超えると
ブラシ自体の作用により、エッチングムラが発生する。
各ウェーハ外周部に当接して、ギャザリングウェーハを
回転してもよい。また、これとは反対に、ブラシをギャ
ザリングウェーハの外周面に沿わせて回転してもよい。
さらには、両者を回転してもよい。ウェーハ側およびブ
ラシ側を回転する場合の各回転数は限定されない。例え
ば１〜５０ｒｐｍくらいである。この面取りエッチング
時にブラシに加えられる押圧力は０．０１〜２ｋｇｆ／
ｃｍ２、特に０．１〜０．５ｋｇｆ／ｃｍ２が好まし
い。０．０１ｋｇｆ／ｃｍ ２未満ではブラシの変形とい
う不都合が生じる。また、２ｋｇｆ／ｃｍ２を超えると
ブラシ自体の作用により、エッチングムラが発生する。
【０００８】請求項２の発明は、上記エッチング処理
は、それぞれの半導体ウェーハをウェーハ中心部を中心
にして一括して回転させつつ、ブラッシング面にエッチ
ング液を供給しながら行う請求項１に記載の半導体ウェ
ーハのエッチング方法である。エッチング液としては、
例えば上記フッ酸と硝酸との混酸（ＨＦ：ＨＮＯ３）な
どが挙げられる。ブラッシング面へのエッチング液の供
給方法は限定されない。例えば、ノズルを介してブラシ
側にエッチング液を送り込み、その後、このブラシ側か
らブラッシング面にエッチング液を供給するようにして
もよい。または、直接、ブラッシング面にエッチング液
を供給してもよい。このエッチング液の供給量は、０．
５〜１０ミリリットル／秒、特に１〜５ミリリットル／
秒が好ましい。０．５ミリリットル／秒未満では、混酸
液の流れが制御しにくくなり、半導体ウェーハのエッチ
ングの不均一性が生じやすいという不都合が生じる。ま
た、１０ミリリットル／秒を超えるとコスト高になると
いう不都合が生じる。
は、それぞれの半導体ウェーハをウェーハ中心部を中心
にして一括して回転させつつ、ブラッシング面にエッチ
ング液を供給しながら行う請求項１に記載の半導体ウェ
ーハのエッチング方法である。エッチング液としては、
例えば上記フッ酸と硝酸との混酸（ＨＦ：ＨＮＯ３）な
どが挙げられる。ブラッシング面へのエッチング液の供
給方法は限定されない。例えば、ノズルを介してブラシ
側にエッチング液を送り込み、その後、このブラシ側か
らブラッシング面にエッチング液を供給するようにして
もよい。または、直接、ブラッシング面にエッチング液
を供給してもよい。このエッチング液の供給量は、０．
５〜１０ミリリットル／秒、特に１〜５ミリリットル／
秒が好ましい。０．５ミリリットル／秒未満では、混酸
液の流れが制御しにくくなり、半導体ウェーハのエッチ
ングの不均一性が生じやすいという不都合が生じる。ま
た、１０ミリリットル／秒を超えるとコスト高になると
いう不都合が生じる。
【０００９】
【作用】この発明によれば、ギャザリングウェーハの各
ウェーハ外周部間の隙間形成面同士にブラシを当接し、
これらの部分をエッチング液に浸漬した状態でブラッシ
ングする。これにより、ギャザリングされた各半導体ウ
ェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチングする
ことができる。
ウェーハ外周部間の隙間形成面同士にブラシを当接し、
これらの部分をエッチング液に浸漬した状態でブラッシ
ングする。これにより、ギャザリングされた各半導体ウ
ェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチングする
ことができる。
【００１０】特に、請求項２に記載の発明によれば、エ
ッチング液に浸漬された半導体ウェーハをウェーハ中心
部を中心にして一括して回転させながら、ブラッシング
面に新たにエッチング液を供給しつつブラッシングする
ので、ギャザリングされた各半導体ウェーハの外周部
に、効果的な面取りエッチングを施すことができる。
ッチング液に浸漬された半導体ウェーハをウェーハ中心
部を中心にして一括して回転させながら、ブラッシング
面に新たにエッチング液を供給しつつブラッシングする
ので、ギャザリングされた各半導体ウェーハの外周部
に、効果的な面取りエッチングを施すことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１は、この発明の一実施例に係る
半導体ウェーハのエッチング方法を適用した面取りエッ
チング装置の説明図である。図２は、ギャザリングウェ
ーハの外周部の面取りエッチング中の要部拡大図であ
る。図３は、この発明の一実施例に係るギャザリングウ
ェーハの周方向のエッチングムラを示す要部拡大正面図
である。図４は、この発明と従来手段とのギャザリング
ウェーハの周方向のエッチングムラ発生率を示すグラフ
である。図１において、１０は半導体ウェーハのエッチ
ング方法が適用された面取りエッチング装置である。こ
の面取りエッチング装置１０は、あらかじめ多数枚のシ
リコンウェーハＷを一対のチャック部材１１間で重ね合
わせてギャザリングウェーハＧを作製し、これをエッチ
ング槽（図外）内に収納して、このギャザリングウェー
ハＧの外周部にエッチング液を吹きかけることで、面取
り砥石による機械的面取り時に発生し、それぞれのシリ
コンウェーハＷの外周部の表層に残存している面取りダ
メージ（通常、深さ５〜２０μｍ）を取り除く装置であ
る。
参照して説明する。図１は、この発明の一実施例に係る
半導体ウェーハのエッチング方法を適用した面取りエッ
チング装置の説明図である。図２は、ギャザリングウェ
ーハの外周部の面取りエッチング中の要部拡大図であ
る。図３は、この発明の一実施例に係るギャザリングウ
ェーハの周方向のエッチングムラを示す要部拡大正面図
である。図４は、この発明と従来手段とのギャザリング
ウェーハの周方向のエッチングムラ発生率を示すグラフ
である。図１において、１０は半導体ウェーハのエッチ
ング方法が適用された面取りエッチング装置である。こ
の面取りエッチング装置１０は、あらかじめ多数枚のシ
リコンウェーハＷを一対のチャック部材１１間で重ね合
わせてギャザリングウェーハＧを作製し、これをエッチ
ング槽（図外）内に収納して、このギャザリングウェー
ハＧの外周部にエッチング液を吹きかけることで、面取
り砥石による機械的面取り時に発生し、それぞれのシリ
コンウェーハＷの外周部の表層に残存している面取りダ
メージ（通常、深さ５〜２０μｍ）を取り除く装置であ
る。
【００１２】ギャザリングウェーハＧを構成する各シリ
コンウェーハＷは、隣接するもの同士、その表裏面を接
触させて重ね合わされている。また、エッチング液に
は、フッ酸と硝酸との混酸が用いられている。このエッ
チング液は、図外のエッチング槽外へと導かれ、その
後、循環路の途中部に設けられた温調・濾過装置１４に
より濾過される。この温調・濾過装置１４は、エッチン
グ液を所定温度まで昇温し、かつフィルタリングして異
物などを除去する装置である。それから、昇温および濾
過後のエッチング液は、循環ポンプ１３の圧送力によ
り、エッチング槽の上部内に突出した長尺なノズル１５
を通して、再びギャザリングウェーハＧに吹きかけられ
る。
コンウェーハＷは、隣接するもの同士、その表裏面を接
触させて重ね合わされている。また、エッチング液に
は、フッ酸と硝酸との混酸が用いられている。このエッ
チング液は、図外のエッチング槽外へと導かれ、その
後、循環路の途中部に設けられた温調・濾過装置１４に
より濾過される。この温調・濾過装置１４は、エッチン
グ液を所定温度まで昇温し、かつフィルタリングして異
物などを除去する装置である。それから、昇温および濾
過後のエッチング液は、循環ポンプ１３の圧送力によ
り、エッチング槽の上部内に突出した長尺なノズル１５
を通して、再びギャザリングウェーハＧに吹きかけられ
る。
【００１３】ギャザリングウェーハＧの上方には、各ウ
ェーハ外周部をブラッシングする横長なブラシ１６が配
設されている。ブラシ１６の長さ方向はウェーハ中心軸
に沿っている。また、そのブラシ毛１６ａは、ギャザリ
ングウェーハＧの各シリコンウェーハＷの外周部の山部
分および谷部分に略均等に押し付けられるよう、山ぎり
にカットされている。また、ブラシ１６の直上には、上
記ノズル１５が、このブラシ１６と並行に設けられてい
る。ノズル１５の周側板の下部には、略ノズル全長にわ
たり、多数の噴出口１５ａが穿孔されている。これらの
噴出口１５ａの開口方向は、ブラシ１６方向（下方向）
である。これらの噴出口１５ａからは、上記昇温および
濾過されたエッチング液が、２ミリリットル／秒で、ギ
ャザリングウェーハＧのブラッシング面に向けて噴出さ
れる。
ェーハ外周部をブラッシングする横長なブラシ１６が配
設されている。ブラシ１６の長さ方向はウェーハ中心軸
に沿っている。また、そのブラシ毛１６ａは、ギャザリ
ングウェーハＧの各シリコンウェーハＷの外周部の山部
分および谷部分に略均等に押し付けられるよう、山ぎり
にカットされている。また、ブラシ１６の直上には、上
記ノズル１５が、このブラシ１６と並行に設けられてい
る。ノズル１５の周側板の下部には、略ノズル全長にわ
たり、多数の噴出口１５ａが穿孔されている。これらの
噴出口１５ａの開口方向は、ブラシ１６方向（下方向）
である。これらの噴出口１５ａからは、上記昇温および
濾過されたエッチング液が、２ミリリットル／秒で、ギ
ャザリングウェーハＧのブラッシング面に向けて噴出さ
れる。
【００１４】次に、この面取りエッチング装置１０を用
いたギャザリングウェーハＧの各ウェーハ外周部の面取
りエッチング方法（表面処理方法）を説明する。ギャザ
リングウェーハＧを図外のエッチング槽内に投入し、ウ
ェーハ外周部に、エッチング液を噴射する。その後、回
転中の各シリコンウェーハＷの外周部に、ブラシ毛１６
ａの山切り面を０．２ｋｇｆ／ｃｍ２の押圧力で押し付
ける。それから、この状態を維持して、ウェーハ中心部
を中心に１５ｒｐｍでギャザリングウェーハＧを回転し
ながら、エッチング液による面取りエッチングを行う。
いたギャザリングウェーハＧの各ウェーハ外周部の面取
りエッチング方法（表面処理方法）を説明する。ギャザ
リングウェーハＧを図外のエッチング槽内に投入し、ウ
ェーハ外周部に、エッチング液を噴射する。その後、回
転中の各シリコンウェーハＷの外周部に、ブラシ毛１６
ａの山切り面を０．２ｋｇｆ／ｃｍ２の押圧力で押し付
ける。それから、この状態を維持して、ウェーハ中心部
を中心に１５ｒｐｍでギャザリングウェーハＧを回転し
ながら、エッチング液による面取りエッチングを行う。
【００１５】すなわち、各シリコンウェーハＷの外周部
をブラッシングしながら、面取りエッチングを施す。こ
のようにしたので、従来、面取りエッチング時に各ウェ
ーハ外周部間の隙間形成面に付着していた異物や、ギャ
ザリングウェーハＧのエッチング液浸漬時に発生した気
泡や、さらには面取りエッチング時に発生した反応ガス
といった付着物Ｐ（図２参照）を、このエッチング中、
常時、ブラシ１６により、きれいに除去することができ
る。この結果、従来法に比べて、ギャザリングウェーハ
Ｇの各ウェーハ周方向のエッチングムラが減少する。す
なわち、図３に示すように、従来法ではシリコンウェー
ハＷの面取り部ｗａの谷部分ｗ２に、エッチングムラＸ
が発生しやすかった。なお、図３において、ｗ１は面取
り部ｗａの山部分である。これに対して、この面取りエ
ッチング装置１０を用いた本発明の面取りエッチング方
法では、エッチングムラの発生率が従来法の約１０分の
１まで抑えることができた（図４のグラフ参照）。
をブラッシングしながら、面取りエッチングを施す。こ
のようにしたので、従来、面取りエッチング時に各ウェ
ーハ外周部間の隙間形成面に付着していた異物や、ギャ
ザリングウェーハＧのエッチング液浸漬時に発生した気
泡や、さらには面取りエッチング時に発生した反応ガス
といった付着物Ｐ（図２参照）を、このエッチング中、
常時、ブラシ１６により、きれいに除去することができ
る。この結果、従来法に比べて、ギャザリングウェーハ
Ｇの各ウェーハ周方向のエッチングムラが減少する。す
なわち、図３に示すように、従来法ではシリコンウェー
ハＷの面取り部ｗａの谷部分ｗ２に、エッチングムラＸ
が発生しやすかった。なお、図３において、ｗ１は面取
り部ｗａの山部分である。これに対して、この面取りエ
ッチング装置１０を用いた本発明の面取りエッチング方
法では、エッチングムラの発生率が従来法の約１０分の
１まで抑えることができた（図４のグラフ参照）。
【００１６】これにより、ギャザリングされたシリコン
ウェーハＷの外周部の全面を、略均一に面取りエッチン
グすることができる。その結果、今まで以上に高品質な
シリコンウェーハＷを作製することが可能になる。ま
た、面取りエッチング時には、ギャザリングウェーハＧ
をウェーハ中心部を中心にして一括して回転しながら、
ノズル１５の各噴出口１５ａから、上記ブラッシング面
に向かって、昇温および濾過後のエッチング液を噴出さ
せる。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェ
ーハＷの外周部に対して、効果的な面取りエッチングを
施すこともできる。
ウェーハＷの外周部の全面を、略均一に面取りエッチン
グすることができる。その結果、今まで以上に高品質な
シリコンウェーハＷを作製することが可能になる。ま
た、面取りエッチング時には、ギャザリングウェーハＧ
をウェーハ中心部を中心にして一括して回転しながら、
ノズル１５の各噴出口１５ａから、上記ブラッシング面
に向かって、昇温および濾過後のエッチング液を噴出さ
せる。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェ
ーハＷの外周部に対して、効果的な面取りエッチングを
施すこともできる。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、ギャザリング状態の
各半導体ウェーハの外周部間の隙間部分をブラッシング
しながら面取りエッチングを行うようにしたので、これ
らのウェーハ外周部の全面に、ムラのない均一なエッチ
ング処理を施すことができる。
各半導体ウェーハの外周部間の隙間部分をブラッシング
しながら面取りエッチングを行うようにしたので、これ
らのウェーハ外周部の全面に、ムラのない均一なエッチ
ング処理を施すことができる。
【００１８】特に、請求項２に記載の発明によれば、請
求項１の効果に加えて、ギャザリングされた各半導体ウ
ェーハを、ウェーハ中心部を中心にして回転しながら、
各ブラッシング面にエッチング液を供給しつつブラッシ
ングするようにしたので、効果的な面取りエッチングが
行える。
求項１の効果に加えて、ギャザリングされた各半導体ウ
ェーハを、ウェーハ中心部を中心にして回転しながら、
各ブラッシング面にエッチング液を供給しつつブラッシ
ングするようにしたので、効果的な面取りエッチングが
行える。
【図１】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハのエ
ッチング方法を適用した面取りエッチング装置の説明図
である。
ッチング方法を適用した面取りエッチング装置の説明図
である。
【図２】この発明の一実施例に係るギャザリングウェー
ハの外周部の面取りエッチング中の要部拡大図である。
ハの外周部の面取りエッチング中の要部拡大図である。
【図３】この発明の一実施例に係るギャザリングウェー
ハの周方向のエッチングムラを示す要部拡大正面図であ
る。
ハの周方向のエッチングムラを示す要部拡大正面図であ
る。
【図４】この発明と従来手段とのギャザリングウェーハ
の周方向のエッチングムラ発生率を示すグラフである。
の周方向のエッチングムラ発生率を示すグラフである。
１０ 面取りエッチング装置、 １６ ブラシ、 Ｇ ギャザリングウェーハ、 Ｗ シリコンウェーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺澤 昭浩 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F043 AA02 BB02 DD30 EE07 EE22 EE25 EE35 EE40 GG10
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチング処理前に、半導体ウェーハを
複数枚重ね合わせてギャザーし、これにエッチング液を
供給して、半導体ウェーハの外周部をエッチングする半
導体ウェーハのエッチング方法において、 隣接する各半導体ウェーハの外周部間の隙間形成面同士
をブラッシングしながら、エッチング処理する半導体ウ
ェーハのエッチング方法。 - 【請求項２】 上記エッチング処理は、それぞれの半導
体ウェーハをウェーハ中心部を中心にして一括して回転
させつつ、ブラッシング面にエッチング液を供給しなが
ら行う請求項１に記載の半導体ウェーハのエッチング方
法。
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|---|---|---|---|
| JP25124998A JP3529032B2 (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 半導体ウェーハのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25124998A JP3529032B2 (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 半導体ウェーハのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000082690A true JP2000082690A (ja) | 2000-03-21 |
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Family
ID=17219965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25124998A Expired - Lifetime JP3529032B2 (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 半導体ウェーハのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529032B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8192822B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Edge etched silicon wafers |
| US8735261B2 (en) | 2008-11-19 | 2014-05-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
| US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
-
1998
- 1998-09-04 JP JP25124998A patent/JP3529032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8192822B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Edge etched silicon wafers |
| US8309464B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-11-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for etching the edge of a silicon wafer |
| US8735261B2 (en) | 2008-11-19 | 2014-05-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
| US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3529032B2 (ja) | 2004-05-24 |
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