JP2000082395A - 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法 - Google Patents
面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法Info
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Abstract
コントラストを高めるプラズマディスプレイパネルの製
造方法を提供する。 【解決手段】本発明は、放電空間を介して対向配置され
た一対の基板を有し、一方の前面基板11上に、表示ラ
インに対応した複数の平行な表示電極対41と、隣接す
る各表示電極対の間に設けられ他方の背面基板21への
透視を遮る絶縁性の帯状遮光膜48と、表示電極対と帯
状遮光膜とを覆う誘電体層17とが形成され、背面基板
21上に表示電極対41と交差する方向の複数のアドレ
ス電極Aが形成された面放電型プラズマ・ディスプレイ
・パネルの製造方法に関する。本製法では、前面基板1
1の上に、表示電極対と遮光膜とを形成した後に、誘電
体層17を形成するために誘電体材料を塗布して焼成す
る作業を2回行い、1回目の焼成温度を誘電体材料の軟
化温度よりも低い温度に選定する。または、本製法で
は、1回目の塗布の厚さを2回目よりも小さい値に選定
する。
Description
式の面放電型のPDP(PLASMA DISPLAY PANEL:プラズ
マ・ディスプレイ・パネル)の製造方法に関する。
一対の表示電極を同一の基板上に隣接配置したPDPで
あり、蛍光体によるカラー表示に適することから、テレ
ビジョン映像の表示が可能な薄型デバイスとして広く利
用されている。また、ハイビジョン映像用の大画面表示
デバイスとして有力視されている。このような状況の中
で、高精細化と大画面化とに加えて、高コントラスト化
による表示品位の向上が望まれている。
示す要部断面図である。PDP90は、マトリクス表示
方式の3電極構造の面放電型PDPであり、蛍光体の配
置形態による分類の上で反射型と呼称されている。
の内面に、基板面に沿った面放電を生じさせるための平
行な一対の表示電極X,Yが、マトリクス表示のライン
毎に一対ずつ配列されている。そして、これらの表示電
極対X,Yを放電空間30に対して被覆するように、A
C駆動のための誘電体層17が設けられている。誘電体
層17の表面には保護膜18が蒸着されている。誘電体
層17及び保護膜18はともに透光性を有している。
膜からなる幅の広い直線状の透明電極41と金属薄膜
(Cr/Cu/Cr)からなる幅の狭い直線状のバス電
極42とから構成されている。バス電極42は、適正な
導電性を確保するための補助電極であり、透明電極41
における面放電ギャップから遠い側の端縁部に配置され
ている。このような電極構造を採用することにより、表
示光のしゃ光を最小限に抑えつつ、面放電領域を拡げて
発光効率を高めることができる。
は、表示電極対X,Yと直交するようにアドレス電極A
が配列されている。そして、アドレス電極Aの上部を含
めて、ガラス基板21を被覆するように、蛍光体層28
が設けられている。アドレス電極Aと表示電極Yとの間
の対向放電によって、誘電体層17における壁電荷の蓄
積状態が制御される。蛍光体層28は、面放電で生じた
紫外線UVによって局部的に励起されて所定色の可視光
を放つ。この可視光の内、ガラス基板11を透過する光
が表示光となる。
電極Yとの間げきS1は「放電スリット」と呼称され、
この放電スリットS1の幅(表示電極対X,Yの配列方
向の寸法)w1は100〜200ボルト程度の駆動電圧
の印加で面放電が生じるように選定されている。これに
対して、隣接するラインの間における表示電極Xと表示
電極Yとの間げきS2は「逆スリット」と呼称され、こ
の逆スリットS2の幅w2は放電スリットS1の幅w1
よりも十分に大きい値に選定されている。すなわち、逆
スリットS2を隔てて並ぶ表示電極対X,Yの間での放
電が防止されている。このように放電スリットS1及び
逆スリットS2を設けて表示電極X,Yを配列すること
により、各ラインを選択的に発光させることができる。
従って、表示画面の内の逆スリットS2に対応する部分
は非発光領域又は非表示領域となり、スリットS1の部
分は発光領域又は表示領域となる。
前面側から逆スリットS2を通して非発光状態の蛍光体
層28が見える構造であった。非発光状態の蛍光体層2
8は白色又は淡い灰色などの白っぽい色である。そのた
めに特に明るい場所で使用したときに、外光が蛍光体層
28で散乱してライン間の非発光領域が白っぽくなり、
表示のコントラストが損なわれていた。
トを高める方法として、前面側の基板の外面に蛍光体の
発光色に対応した半透明の塗料を塗って色フィルタを設
ける方法、PDPの前面に別途に作製したフィルタを配
置する方法、誘電体層17をR,G,Bに色分けして着
色する方法が提案されている。
料を塗ることは極めて困難である。別体のフィルタを前
面に配置した場合は、PDPとフィルタとの間のすき間
に起因する表示画像の歪みが生じる。また、誘電体層1
7を色分けする場合は、色毎に着色材(顔料)が異なる
ことから、色分けによって誘電率の一様性が損なわれて
放電特性が不安定になる。加えて、誘電体層の色分け
は、塗料の塗り分けと同様に位置合わせが困難である。
ので、ライン間の非発光領域を目立たなくして表示のコ
ントラストを高めることを目的としている。
域に黒色顔料を含むしゃ光膜を形成するに最適な構造の
製造方法を提供することを目的とする。
放電空間を介して対向配置された一対の基板を有し、一
方の前面基板上に、表示ラインに対応した複数の表示電
極対と、隣接する各表示電極対の間に設けられた帯状遮
光膜と、前記表示電極対と帯状遮光膜とを覆う誘電体層
とが形成され、前記背面基板上に該表示電極対と交差す
る方向の複数のアドレス電極が形成された面放電型プラ
ズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法であって、前記
前面基板の上に、前記表示電極対と前記遮光膜とを形成
した後に、前記誘電体層を形成するために誘電体材料を
塗布して焼成する作業を2回行い、1回目の塗布の厚さ
を2回目よりも小さい値に選定することを特徴とする面
放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法であ
る。
(以下「逆スリット」という)に対応した領域は非発光
領域である。この非発光領域毎に遮光膜が配置される。
個々の遮光膜の平面パターンは帯状であるので、表示画
面の全体において、ストライプ状(縞状)の遮光パター
ンが形成される。遮光膜は逆スリットを透過しようとす
る可視光をさえぎる。これにより、外光及び各ラインの
漏れ光によって非発光領域が明るく見える現象が防止さ
れ、表示のコントラストが高まる。
て、その上に誘電体材料を塗布して小生する場合、1回
目の焼成時の誘電体材料を薄くすることにより、焼成中
における誘電体材料の軟化にともなう遮光膜の流動を最
小限に抑えることができ、遮光膜が表示電極を覆うよう
に不要に拡がるのを防止することができる。
対向配置された一対の基板を有し、一方の前面基板上
に、表示ラインに対応した複数の表示電極対と、隣接す
る各表示電極対の間に設けられた帯状遮光膜と、前記表
示電極対と帯状遮光膜とを覆う誘電体層とが形成され、
前記背面基板上に該表示電極対と交差する方向の複数の
アドレス電極が形成された面放電型プラズマ・ディスプ
レイ・パネルの製造方法であって、前記前面基板の上
に、前記表示電極対と前記遮光膜とを形成した後に、前
記誘電体層を形成するために誘電体材料を塗布して焼成
する作業を2回行い、1回目の焼成温度を誘電体材料の
軟化温度よりも低い温度に選定することを特徴とする面
放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法であ
る。
低くすることによっても、遮光膜が表示電極を覆うよう
に不要に拡がるのを防止することができる。
放電のための放電スリットを隔てて配置した表示電極対
をそれぞれ放電しない所定の逆スリットを隔てて複数対
配置し、背面基板上に、前記表示電極対と交差する複数
のアドレス電極および複数のストライプ状蛍光体を備え
てなる3電極形式の面放電型プラズマ・ディスプレイ・
パネルであって、前記各表示電極対は、透明電極と当該
透明電極における前記逆スリット部に近い側の端縁部に
重なる金属電極とからなり、前記前面基板の隣接する表
示電極対間の前記逆スリット部に、帯状の絶縁性遮光膜
を、前記逆スリット部の両側の前記金属電極と重なるよ
うに設けた面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの
製造方法において、前面側の前記基板の上に遮光材料膜
を成膜してパターニングし、前記遮光膜を形成する工程
と、前記遮光膜を有した前面側の前記基板の上に透明導
電膜を成膜してパターニングし、前記遮光膜と部分的に
重なるように前記透明電極を形成する工程と、前記遮光
膜と前記透明電極とを覆うように、露光によって非溶化
する感光材料を塗布し、前面側の前記基板の裏面側から
前記感光材料に対して全面露光を行い、前記感光材料を
現像して前記遮光膜の間にレジスト層を形成する工程
と、前記透明電極の露出部分の上に、めっき法によって
選択的に金属膜を設けて前記金属電極を形成する工程
と、を含むことを特徴とする面放電型プラズマ・ディス
プレイ・パネルの製造方法である。
のアライメントがセルフアライメントになり、遮光膜を
確実に表示電極対の金属電極に重ねることができる。
対向配置された一対の基板を有し、一方の前面基板上
に、表示ラインに対応した複数の表示電極対と、隣接す
る各表示電極対の間に設けられた帯状遮光膜と、前記表
示電極対と帯状遮光膜とを覆う誘電体層とが形成され、
前記背面基板上に該表示電極対と交差する方向の複数の
アドレス電極が形成された面放電型プラズマ・ディスプ
レイ・パネルの製造方法において、前記誘電体層を形成
する工程が、焼成温度で第一の粘性を有する第一の誘電
体ペーストを形成して焼成し、更に焼成温度で該第一の
粘性より低い第二の粘性を有する第二の誘電体ペースト
を形成して焼成する工程を有することを特徴とするプラ
ズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法である。
は、暗色の顔料を含有する膜が、感光材料からなり、前
記誘電体ペースト膜と一緒に焼成されることを特徴をす
るプラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法である。
例は、該暗色の顔料を含有する膜が、更に酸化剤を含有
していることを特徴とするプラズマ・ディスプレイ・パ
ネルの製造方法である。
本構造を示す斜視図である。なお、図1においては図1
4と対応する構成要素には形状及び材質の差異に係わら
ず同一の符号を付してある。以下の他の図についても同
様である。
射型と呼称されるマトリクス表示方式の3電極構造の面
放電型PDPである。外観形状は、放電空間30を挟ん
で対向する一対のガラス基板11,21によって形作ら
れており、これらのガラス基板11,21は、互いの対
向領域の周縁部に設けられた低融点ガラスからなる図示
しない枠状のシール層によって接合されている。
面に沿った面放電を生じさせるための平行した一対の直
線状の表示電極X,Yが、マトリクス表示のラインL毎
に一対ずつ配列されている。ラインピッチは例えば66
0μmである。
膜からなる幅の広い直線状の透明電極41と多層構造の
金属薄膜からなる幅の狭い直線状のバス電極42とから
構成されている。透明電極41及びバス電極42の寸法
の具体例は、透明電極41が厚さ0.1μm、幅180
μm、バス電極42が厚さ1μm、幅60μmである。
ための補助電極であり、透明電極41における面放電ギ
ャップから遠い側の端縁部に配置されている。
間30に対して被覆するように、AC駆動のための誘電
体層(PbO系低融点ガラス層)17が設けられてい
る。そして、誘電体層17の表面にはMgO(酸化マグ
ネシウム)からなる保護膜18が蒸着されている。誘電
体層17の厚さは約30μmであり、保護膜18の厚さ
は約5000・である。
ZnO系低融点ガラスからなる厚さ10μm程度の下地
層22で一様に被覆されている。そして、下地層22の
上に、表示電極対X,Yと直交するように一定ピッチ
(220μm)でアドレス電極Aが配列されている。ア
ドレス電極Aは銀ペーストの焼成によって形成され、そ
の厚さは約10μmである。下地層22は、アドレス電
極Aのエレクトロマイグレーションを防止する。
放電によって、誘電体層17における壁電荷の蓄積状態
が制御される。アドレス電極Aも下地層22と同じ組成
の低融点ガラスからなる誘電体層24で被覆されてい
る。アドレス電極Aの上部における誘電体層24の厚さ
は10μm程度である。
mの平面視で直線状の複数の隔壁29が、各アドレス電
極Aの間に1つずつ設けられている。そして、アドレス
電極Aの上部を含めて、誘電体24の表面及び隔壁29
の側面を被覆するように、フルカラー表示のためのR
(赤),G(緑),B(青)の3原色の蛍光体層28
R,28B,28C(以下、特に色を区別する必要がな
いときは蛍光体層28と記述する)が設けられている。
これらの蛍光体層28は、面放電で生じた紫外線によっ
て励起されて発光する。
向(表示電極対X,Yと平行な画素配列方向)に単位発
光領域毎に区画され、且つ放電空間30の間げき寸法が
規定されている。PDP1では、マトリクス表示の列方
向(表示電極対X,Yの配列方向)に放電空間30を区
画する隔壁は存在しない。しかし、表示電極対X,Yを
有する表示ラインLの間隔(逆スリットの幅)が100
〜400μmに選定され、各ラインLにおける50μm
程度の面放電ギャップ(放電スリットの幅)に比べて十
分に大きいので、ライン間の放電の干渉は起きない。
ル)は、各ラインL内の隣接する3つの単位発光領域
(サブピクセル)で構成される。同一の列における各ラ
インLの発光色は同一であり、各色の蛍光体層28R,
28B,28Cは列内で連続するようにスクリーン印刷
によって設けられている。スクリーン印刷は生産性に優
れている。列内で蛍光体層28が連続する場合は、ライ
ンL毎に分断させて配置する場合に比べて各サブピクセ
ルの蛍光体層28の厚さの均一化が容易である。
ゃ光膜45の平面図である。図2のように、PDP1に
おいては、ガラス基板11の内面と直接に接するよう
に、可視光をさえぎる(遮る)しゃ光膜45が逆スリッ
トS2毎に設けられている。各しゃ光膜45は、図3の
ように、ライン方向に延びる帯状にパターニングされて
おり、隣接したラインLの間の表示電極X,Yで挟まれ
た領域と重なるように配置されている。これらの互いに
離れたしゃ光膜45によって、表示画面の全体ではスト
ライプ状(縞状)のしゃ光パターンが形成され、ライン
L間で蛍光体層28が隠れて表示のコントラストが高ま
る。ストライプパターンによれば、サブピクセル又はピ
クセルを囲むマトリクスパターンとは違って、ライン方
向の位置ずれの心配がないので、PDP1の製造におけ
る両ガラス基板11,21の位置合わせが容易になる。
部を前記しゃ光膜と同様な暗色に形成しておくのが望ま
しい。こうすると、互いに交差する方向の隔壁としゃ光
膜とで格子状の暗色パターンが形成されるので、各サブ
ピクセルの輪郭は明瞭になる。具体的には隔壁の材料に
クロム(Cr)などの黒色材を混入させて全体が暗色の
隔壁を形成する。
示す図である。PDP1は、ガラス基板11とガラス基
板21とについて別個に所定の構成要素を設け、その後
に両ガラス基板11,21を対向配置して周縁部を接合
することによって製造される。
板11の表面にスパッタリングによって暗色の絶縁材料
を堆積させて、金属電極42よりも表面反射率の小さい
絶縁膜(図示せず)を形成する。絶縁材料としては、酸
化クロム(CrO)、酸化珪素(SiO)などを用いる
ことができる。絶縁膜の厚さは透明電極41の段差を軽
減する上で1μm以下が好ましい。次に、絶縁膜を第1
の露光マスクを使用するフォトリソグラフィによってパ
ターニングし、上述の複数のしゃ光膜45を一括に形成
する〔図4(a)〕。
11の上にITO膜を成膜し、第2の露光マスクを使用
するフォトリソグラフィによってパターニングし、しゃ
光膜45と部分的に重なるように透明電極41を形成す
る〔図4(b)〕。
に、紫外線露光によって非溶化するネガ型の感光材料6
1を塗布し、ガラス基板11の裏面側から感光材料に対
して全面露光を行う〔図4(c)〕。そして、感光材料
を現像してしゃ光膜45どうしの間の領域のみを覆うレ
ジスト層62を形成する〔図4(d)〕。
択めっきによって例えばニッケル/銅/ニッケルの複層
構造の金属電極42を形成する〔図4(e)〕。
層17及び保護膜18を順に形成して前面側の製造を終
える〔図4(f)〕。
マスクの数は従来のPDP90を製造する場合と同数の
「2」であり(図4(a)と(b))、露光マスクのア
ライメント数も従来と同数の「1」である。つまり、図
4の製造方法によれば、アライメントずれに係わる歩留
りを低下させることなくしゃ光膜45を設けることがで
きる。
るPDP2の要部の断面図であり、放電空間の前面側の
部分の構造を示している。PDP2では、前面側のガラ
ス基板11の内面に逆スリットS2と同一の幅のしゃ光
膜46が設けられている。しゃ光膜46も、図3のしゃ
光膜45と同様に平面視においてライン方向に延びる帯
状であり、ストライプ状のしゃ光パターンを構成する。
1の上に表示電極対X,Yを形成した後、例えば酸化鉄
又は酸化コバルトなどの600℃以上の耐熱性を有した
黒色顔料を逆スリット領域S2に印刷してしゃ光膜46
を形成する。そして、低融点ガラスを500〜600℃
の温度で焼成して誘電体層17を形成する。
7の表面の平坦性を確保する上で、各表示電極の厚さ以
下が望ましい。また、誘電体層17を2層構造とし、各
層毎に焼成を行うのが望ましい。すなわち、まず低融点
ガラスペーストを比較的に薄く塗布して焼成し、下側誘
電体層17aを形成する。その後、再び低融点ガラスペ
ーストを必要な厚さの誘電体層17が得られるように塗
布して焼成し、上側誘電体層17bを形成する。しゃ光
膜46と接する下側誘電体層17aを薄くすることによ
り、焼成時における低融点ガラスの軟化に伴う黒色顔料
の流動を低減することができ、しゃ光膜46が不要に拡
がることによる輝度の低下を防止することができる。下
側誘電体層17aの厚さをしゃ光膜46の幅の1/10
以下に選定すれば、実質的に顔料の流動の影響が現れな
い。
融点ガラスの軟化温度より低い温度にすることによって
も、しゃ光膜46の不要の拡がりを防止することができ
る。その場合には、下側誘電体層17a及び上側誘電体
層17bの厚さを同一としてもよいし、上側誘電体層1
7bを下側誘電体層17aより薄くすることも可能であ
る。
るPDP3の要部の断面図であり、放電空間の前面側の
部分の構造を示している。PDP3では、誘電体層17
の厚さ方向の中間部に、逆スリットS2毎にしゃ光膜4
7が配置されている。しゃ光膜47も、図3のしゃ光膜
45と同様に平面視においてライン方向に延びる帯状で
あり、ストライプ状のしゃ光パターンを構成する。
2の幅w2より大きく、逆スリットS2を挟む金属電極
42の放電スリットS1側の端縁間の幅w22より小さ
い。すなわち、各金属電極42の一部と重なるようにし
ゃ光膜47の平面寸法が選定されている。これにより、
逆スリットS2と完全に重なり、且つライン内の透光部
と重ならないようにしゃ光膜47を位置決めすることが
容易となる。
るPDP4の要部断面図である。図2に示したしゃ光膜
45は、X,Y電極41、42と前面側ガラス基板10
との間に形成されていたが、図7に示した第4のPDP
では、X,Y電極41、42の間の逆スリットS2の領
域内であって、X,Y電極41、42上に一部オーバー
ラップするようにしゃ光膜49が形成されている。かか
る構造は、表示ライン領域Lの間の逆スリット領域を完
全に覆う様にしゃ光膜49を形成している点では、図2
の構造と類似するが、黒色顔料を含むしゃ光膜49を
X,Y電極41、42を形成した後に形成するという製
造プロセスの点で異なる。この製造プロセスについては
後で詳細に説明する。
膜49がCr/Cu/Crの3層構造をなすバス電極4
2上で終端する様にオーバーラップしている点に意味が
ある。即ち、バス電極42は、透明電極41の高抵抗材
料に対してより高い導電性を与える為に形成されるが、
それ自体でしゃ光性を有している。従って、バス電極4
2上までオーバーラップしてしゃ光膜49が形成されれ
ば、表示ライン領域L以外の部分が完全にしゃ光され
る。
るPDP5の要部断面図である。この構造では、しゃ光
膜48がX,Y電極41、42の間に形成され且つしゃ
光膜48はX,Y電極に接触することなく離間して設け
られている。例えば、X,Y電極41、42の非表示領
域部の距離が500μmの場合は(42インチPDPの
例)、電極41、42と20μm程度離間される。かか
る構成は、表示ライン領域Lの間を完全にしゃ閉する構
造ではないが、製造プロセスの観点からすると好まし
い。即ち、図7に示したPDP4の場合と同様に、X,
Y電極41、42を形成した後にしゃ光膜48を形成す
ることができ、しかもその上に形成される低融点ガラス
からなる誘電体層17の焼成プロセスと一緒にしゃ光膜
も焼成でき、その高温での焼成工程では、しゃ光膜48
が電極41、42と接触していないので安定したプロセ
スを実現することができる。この点については後で詳細
に説明する。
膜48を形成する時のアライメント(位置あわせ)に関
し、しゃ光膜48の幅が非表示領域W22よりかなり狭
いので、かなりの余裕をもってしゃ光膜48が表示ライ
ン領域L上に重ならない様にアライメントを行うことが
できる。
で示した第2、4、5のPDPの製造方法を説明する断
面図である。
1上にパッシベーション膜として例えば酸化シリコン膜
を形成した上に、全面に透明電極41をスッパッタリン
グ法により形成する。透明電極41の材料はITOから
なり、膜厚0.1μm程度に形成する。そして、通常の
リソグラフィ工程により、ストライプ状にパターニング
して幅180μm程度のX,Y電極41を形成する。
極層としてCr/Cu/Crの3層構造の金属層42を
厚さ1μm程度で全面にスパッタリング法により形成す
る。そして、通常のフォトリソグラフ工程により60μ
m程度にパターニングする。前述した通り、バス電極4
2は透明電極41の対向辺とは反対側の端部に位置する
様形成される。
真空チャンバー内にガラス基板をおいてスパッタリング
法で行うが、その時ガラス基板11には黒色顔料等を含
んだしゃ光膜等が設けられていないので、スパッタリン
グの高真空プロセスを安定的に実施することができる。
料を含んだフォトレジスト層71をスクリーン印刷法に
より形成する。この黒色顔料は、例えばマンガン(M
n)、鉄(Fe)、銅(Cu)の酸化物であり、感光性
材料のフォトレジストにその様な顔料が混入されてい
る。例えば、東京応化工業株式会社製の顔料分散型フォ
トレジスト(商品名CFPR BK)が使用される。
のマスクパターンを介して露光して現像し、例えば12
0〜200℃の温度の乾燥雰囲気中で2〜5分間ベーキ
ング(乾燥)を行いしゃ光膜49を形成する。図9
(d)の例では図7で示したPDP4の様にしゃ光膜4
9がX,Y電極41、42上にオーバーラップしてパタ
ーニングされる。
図9(e)に示した様に電極41、42から離間したし
ゃ光膜48を形成することもできる。この構造は図8で
示したPDP5の構造となる。同様に、図5に示した構
造の様にしゃ光膜46を形成することもできる。
機材料の感光性レジストが使用されるので、電極41よ
り先にしゃ光膜を形成して安定化の為に焼成しておく
と、その表面の凹凸により電極41の密着性が悪くなる
場合もある。その点で図9のプロセスは有利である。
7と保護層のMgO層18を形成する製造工程を示す断
面図である。ここの例では、図8及び図9(e)に示し
た様な電極41、42から離間したしゃ光膜48を例に
して説明する。
は、誘電体層17の焼成工程にてしゃ光膜48の焼成も
同時に行う。また、誘電体層17の形成に、酸化鉛(P
bO)を主成分とする低融点ガラスのペーストを表面に
印刷し焼成するが、その工程が少なくとも下層の誘電体
層17aと上層の誘電体層17bの印刷と焼成という2
つの工程からなる。しかも、下層の誘電体層17aとし
ては、焼成雰囲気中でもその粘度が下がらずに、透明電
極のITO41やバス電極42の銅(Cu)等と反応し
にくい組成が選択される。例えば、PbO/SiO2
/B2 O3 /ZnOを含むガラスペーストであり、S
iO2 を比較的多く含む材料が選択される。
成雰囲気中で十分に粘度が下がり表面が平坦になる様な
組成が選択される。例えば、PbO/SiO2 /B2
O3/ZnOを含むガラスペーストの場合は、SiO2
を比較的少なく含む材料が選択される。
を比較的多く含むPbO/SiO2/B2 O3 /Zn
Oを含むガラスペーストがガラス基板11の表面に印刷
される。そして、約580〜590℃の乾燥雰囲気中で
約60分間焼成される。そのガラスペーストは、焼成温
度化でもそれほど粘度が下がらず、透明電極のITO4
1やバス電極42の銅(Cu)等と反応しにくい。更
に、しゃ光膜48と一緒に焼成される。しゃ光膜48を
電極41、42より先に形成する場合よりも焼成工程を
節約できる。
の誘電体層17bが形成される。下層の場合と同様に、
ガラスペーストを印刷し、約580〜590℃の乾燥雰
囲気中で約60分間焼成する。このガラスペーストとし
て、上述した通り、SiO2を比較的少なく含むPbO
/SiO2 /B2 O3 /ZnOを含むガラスペース
トが好ましい。その結果、表面が平坦な誘電体層17が
形成される。
にシール用の低融点ガラス材料の膜が厚く形成された後
に、図10(c)に示される通り、保護膜としてMgO
膜18が蒸着法により形成される。
1、42と離間した例で説明したが、前述の通り、図5
や7で示したPDP2,4の様にしゃ光膜が電極41に
接触していても良い。但し、理由は定かではないが、し
ゃ光膜が電極41、42に接触した状態で600℃近い
焼成雰囲気中に置かれると、しゃ光膜が茶色に変色する
場合があり、しゃ光膜48の様に電極41、42から離
間させることが有効な場合がある。この場合の離間距離
を便宜上、変色防止間隙と称する。
域の外の周辺部にも形成した場合の平面図である。図1
2は、図11内のXX−YYで示した部分の断面構造図
である。しゃ光膜48は、表示ライン領域L1,L2,
L3の間のX電極とY電極との間に設けることでコント
ラストを上げることは上述した通りである。図11で
は、更にそれ以外の周辺部にもしゃ光膜48が設けられ
ている。
X,Y電極X1,Y1,X2,Y2,X3,Y3の周辺
部に、偶発放電防止の為にダミーのX,Y電極DX,D
Yが設けられている。このダミー電極DX,DY間でも
放電を積極的に行わせることで表示に不要な壁電荷の蓄
積を防止するのである。ところが、そのような周辺領域
での放電や蛍光体層の露出は表示領域のコントラストを
落とす要因となる。従って、図11の通り、ダミー電極
DX,DY上(図中Dummy)、さらにバス電極42
の引き出し部分42Rが形成されている周辺領域PEの
上にもしゃ光膜48が形成されている。図中の、一点鎖
線で示されたEXはパネルの表面上に設けられる表示画
面枠であり、その枠EXの位置にガラス基板間を封止す
る為のシール剤50が形成される。図12の断面図に
は、前面ガラス基板11とMgO膜18の上に形成され
たシール剤50が表示され、背面ガラス基板は省略され
ている。
レキシブルケーブルを介して外部の制御回路に接続され
る。従って、バス電極の導出部42Rの部分でシール材
50により、2枚のガラス基板が封止されている。
しゃ光膜48上に誘電体層17を形成して600℃程度
で焼成を行うことを説明した。この時、表示電極としゃ
光膜とが接触していると当該しゃ光膜48の黒色が変色
するという問題を有する場合がある。この理由は必ずし
も明確ではないが、焼成中に接触状態の表示電極としゃ
光膜との間にイオン化傾向が生じ低融点ガラスペースト
が黒色顔料のMn,Fe,Cuの酸化物から酸素を奪
い、それらの酸化物が還元されることが原因と思われ
る。そこで、しゃ光膜となる黒色顔料を含んだ感光性レ
ジスト71に、それ自体が積極的に酸素を放出する酸化
剤を混入させることが変色防止に有効である。
BaO2 等である。その結果、焼成工程を経ても変色
が発生しないことが確認された。
部にもらさないことでPDPの表示のコントラストを上
げることができる。しかし、その一方で、黒色であるの
で外部からの光がしゃ光膜48とガラス基板11との界
面で正反射し、正反射による映り込みが発生し、表示画
面の表面が見えにくくなる現象が生じる。この表示電極
対間の正反射は、従来のしゃ光膜が形成されない構造で
も背面基板状のアドレス電極表面で生じていた。そこ
で、このしゃ光膜48とガラス基板11と界面での正反
射を防止する為に、しゃ光膜の材料に低融点ガラス粉末
を混入させる。
17と同じ材料であり、有機感光レジスト71に50%
程度含有させる。従って有機感光レジスト71には黒色
顔料と低融点ガラス粉末が含まれることになる。その結
果、前面ガラス基板11の前面側では従来通り外光の正
反射が発生するが、ガラス基板11としゃ光膜48との
間の界面では、しゃ光膜48の屈折率がガラス基板11
の屈折率に近くなるので、その分反射率が半減する。ま
た、しゃ光膜48の黒色顔料により光が吸収されてその
分でも反射光が減る。従って、トータルでは表示画面で
の正反射が減って、映り込みによる見えにくさが改善さ
れる。
度(ガラス表面で4%,界面で4%)の正反射率であっ
たが、低融点ガラス粉末をしゃ光膜48に混入させた結
果、正反射は6%程度(ガラス表面で4%,界面で2
%)に低下した。
げるためにしゃ光膜を設けたが、その形成に当たり、焼
成時の変色防止の為に酸化剤を混入され、更に正反射防
止の為に低融点ガラス粉末を混入される。
表示電極を薄い絶縁膜、例えばSiO2 膜、によって
被覆し、この絶縁薄膜によりしゃ光膜と表示電極とを非
接触にする方法が挙げられる。
ある。この図では、前面側のガラス基板11と背面側の
ガラス基板21とが示されている。この例では、しゃ光
膜48が、表示ラインLの間の領域であって、前面基板
11の外面上に形成されたしゃ光膜48Aの例と、誘電
体層17の中に形成されたしゃ光膜48Bの例と、背面
側の基板の蛍光膜24の上に形成されたしゃ光膜48C
の例とが示されている。
いても、蛍光膜24からの光が前面側に漏れることは防
止できる。
3、4、5を例示したが、本発明は前面側のガラス基板
11に蛍光体層28を配置した透過型のPDPにも適用
可能である。また、しゃ光膜をガラス基板11の外面上
に設けてもよい。但しその場合は、ガラス基板間のアラ
インメントが必要になる。
領域を目立たなくすることができ、表示のコントラスト
を高めることができる。
の反射を防止し、高コントラストの表示を実現すること
ができる。
反射を防止するとともに、金属電極の表面での外光の反
射を防止することができ、高コントラストの表示を実現
することができる。
るしゃ光膜の拡がりを無くし、輝度の低下を防止するこ
とができる。
スクアライメントの回数を増やさずにしゃ光膜を設ける
ことができるので、歩留りの維持を図りつつ表示のコン
トラストを高めることができる。
た後にしゃ光膜と誘電体層とを形成して同時に焼成する
ことができ、比較的安定したプロセスにより形成するこ
とができる。
ある。
る。
面図である。
断面図である。
部にも形成した場合の平面図である。
造図である。
ある。
れた領域) X,Y 表示電極対
Claims (6)
- 【請求項1】放電空間を介して対向配置された一対の基
板を有し、一方の前面基板上に、表示ラインに対応した
複数の表示電極対と、隣接する各表示電極対の間に設け
られた帯状遮光膜と、前記表示電極対と帯状遮光膜とを
覆う誘電体層とが形成され、前記背面基板上に該表示電
極対と交差する方向の複数のアドレス電極が形成された
面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法で
あって、 前記前面基板の上に、前記表示電極対と前記遮光膜とを
形成した後に、前記誘電体層を形成するために誘電体材
料を塗布して焼成する作業を2回行い、1回目の塗布の
厚さを2回目よりも小さい値に選定することを特徴とす
る面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方
法。 - 【請求項2】放電空間を介して対向配置された一対の基
板を有し、一方の前面基板上に、表示ラインに対応した
複数の表示電極対と、隣接する各表示電極対の間に設け
られた帯状遮光膜と、前記表示電極対と帯状遮光膜とを
覆う誘電体層とが形成され、前記背面基板上に該表示電
極対と交差する方向の複数のアドレス電極が形成された
面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法で
あって、 前記前面基板の上に、前記表示電極対と前記遮光膜とを
形成した後に、前記誘電体層を形成するために誘電体材
料を塗布して焼成する作業を2回行い、1回目の焼成温
度を誘電体材料の軟化温度よりも低い温度に選定するこ
とを特徴とする面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネ
ルの製造方法。 - 【請求項3】前面基板上に、面放電のための放電スリッ
トを隔てて配置した表示電極対をそれぞれ放電しない所
定の逆スリットを隔てて複数対配置し、背面基板上に、
前記表示電極対と交差する複数のアドレス電極および複
数のストライプ状蛍光体を備えてなる3電極形式の面放
電型プラズマ・ディスプレイ・パネルであって、前記各
表示電極対は、透明電極と当該透明電極における前記逆
スリット部に近い側の端縁部に重なる金属電極とからな
り、前記前面基板の隣接する表示電極対間の前記逆スリ
ット部に、帯状の絶縁性遮光膜を、前記逆スリット部の
両側の前記金属電極と重なるように設けた面放電型プラ
ズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法において、 前面側の前記基板の上に遮光材料膜を成膜してパターニ
ングし、前記遮光膜を形成する工程と、 前記遮光膜を有した前面側の前記基板の上に透明導電膜
を成膜してパターニングし、前記遮光膜と部分的に重な
るように前記透明電極を形成する工程と、 前記遮光膜と前記透明電極とを覆うように、露光によっ
て非溶化する感光材料を塗布し、前面側の前記基板の裏
面側から前記感光材料に対して全面露光を行い、前記感
光材料を現像して前記遮光膜の間にレジスト層を形成す
る工程と、 前記透明電極の露出部分の上に、めっき法によって選択
的に金属膜を設けて前記金属電極を形成する工程と、を
含むことを特徴とする面放電型プラズマ・ディスプレイ
・パネルの製造方法。 - 【請求項4】放電空間を介して対向配置された一対の基
板を有し、一方の前面基板上に、表示ラインに対応した
複数の表示電極対と、隣接する各表示電極対の間に設け
られた帯状遮光膜と、前記表示電極対と帯状遮光膜とを
覆う誘電体層とが形成され、前記背面基板上に該表示電
極対と交差する方向の複数のアドレス電極が形成された
面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法に
おいて、 前記誘電体層を形成する工程が、焼成温度で第一の粘性
を有する第一の誘電体ペーストを形成して焼成し、更に
焼成温度で該第一の粘性より低い第二の粘性を有する第
二の誘電体ペーストを形成して焼成する工程を有するこ
とを特徴とするプラズマ・ディスプレイ・パネルの製造
方法。 - 【請求項5】請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズ
マ・ディスプレイ・パネルの製造方法において、 暗色の顔料を含有する膜が、感光材料からなり、前記誘
電体ペースト膜と一緒に焼成されることを特徴をするプ
ラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法。 - 【請求項6】請求項1乃至5のいずれかに記載のプラズ
マ・ディスプレイ・パネルの製造方法において、 該暗色の顔料を含有する膜が、更に酸化剤を含有してい
ることを特徴とするプラズマ・ディスプレイ・パネルの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP28800799A JP3394219B2 (ja) | 1995-08-25 | 1999-10-08 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP21713695 | 1995-08-25 | ||
JP7-217136 | 1995-08-25 | ||
JP28800799A JP3394219B2 (ja) | 1995-08-25 | 1999-10-08 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルの製造方法 |
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JP19183796A Division JP3163563B2 (ja) | 1995-08-25 | 1996-07-22 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2000082395A true JP2000082395A (ja) | 2000-03-21 |
JP3394219B2 JP3394219B2 (ja) | 2003-04-07 |
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ID=26521832
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100681037B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2007-02-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
CN100426442C (zh) * | 2003-11-29 | 2008-10-15 | 三星Sdi株式会社 | 等离子显示板 |
EP2068342A2 (en) | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel and method of manufacturing the same |
-
1999
- 1999-10-08 JP JP28800799A patent/JP3394219B2/ja not_active Expired - Fee Related
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