JP2000081857A - 電子源の駆動方法及び装置及び前記電子源を用いた画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子源の有する複数の電子放出素子の特性の
変化を抑えて、長期間に亙り安定して動作させる。 【解決手段】 複数の電子放出素子を有する電子源を具
備する表示パネル１０００の駆動装置であって、ライン
メモリに８５に格納された１ライン分の画像信号に基づ
いて、変調信号発生器８７から出力される変調信号を帯
域フィルタＦy1〜Ｆynを通過させて、電子源における共
振周波数成分を除去する。こうして共振周波数成分が除
去された駆動信号が表示パネル１０００の列配線端子Ｄ
y1〜Ｄynに入力され、同じ表示パネル１０００の行配線
端子Ｄx1〜Ｄxmに入力される走査信号に同期して表示パ
ネル１０００が駆動されて画像を表示される。こうして
電子放出素子の電子放出特性の劣化を引き起こす、電子
源内における共振を防止しながら表示パネル１０００を
表示・駆動することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電子放出素
子を備える電子源の駆動方法及び装置、及び前記電子源
を用いた画像形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、例えば表面伝導型放出素子や、電界放出型
素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型放
出素子（以下ＭＩＭ型と記す）などが知られている。

【０００３】ＦＥ型の例としては、例えば、W. P. Dyke
& W. W. Dolan,"Field emission",Advance in Electro
n Physics, 8, 89 (1956)や、或は、C. A. Spindt, "Ph
ysical properties of thin-film field emission cath
odes with molybdenium cones", J. Appl. Phys., 47,
5248 (1976)などが知られている。

【０００４】また、ＭＩＭ型の例としては、例えば、C.
A. Mead, "Operation of tunnel-emission Devices",
J. Appl. Phys., 32,646 (1961)などが知られている。

【０００５】表面伝導型放出素子としては、例えば、M.
I. Elinson, Radio E-ng. Electron Phys., 10, 1290,
(1965)や、後述する他の例が知られている。

【０００６】表面伝導型放出素子としては、例えば、M.
I. Elinson, Radio E-ng. Electron Phys., 10, 1290,
(1965)や、後述する他の例が知られている。

【０００７】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、エリンソン(Elinson)等によ
るＳｎＯ2薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるも
の［G. Dittmer: "Thin Solid Films", 9,317 (1972)］
や、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの［M. Hartwell a
nd C. G. Fonstad：”IEEE Trans. ED Conf.”，519 (1
975)］や、カーボン薄膜によるもの［荒木久 他：真
空、第２６巻、第１号、２２（１９８３）］等が報告さ
れている。

【０００８】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図２１に前述のM. Hartwellらによ
る素子の平面図を示す。同図において、３００１は基板
で、３００４はスパッタで形成された金属酸化物よりな
る導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図示のよう
にＨ字形の平面形状に形成されている。この導電性薄膜
３００４に、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処
理を施すことにより、電子放出部３００５が形成され
る。図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］，幅Ｗは、
０．１［ｍｍ］に設定されている。尚、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。

【０００９】M. Hartwell（ハートウエル）らによる素
子をはじめとして上述の表面伝導型放出素子において
は、電子放出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォ
ーミングと呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出
部３００５を形成するのが一般的であった。即ち、通電
フォーミングとは、導電性薄膜３００４の両端に一定の
直流電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっ
くりとしたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電
し、導電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形も
しくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部
３００５を形成することである。尚、局所的に破壊もし
くは変形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部に
は亀裂が発生する。この通電フォーミング後に導電性薄
膜３００４に適宜の電圧を印加した場合には、亀裂付近
において電子放出が行われる。このような通電フォーミ
ング処理をした表面伝導型放出素子は、導電性薄膜３０
０４に電圧を印加して、この素子に電流を流すことによ
り電子放出部３００５より電子を放出せしめるものであ
る。

【００１０】この表面伝導型放出素子は、構造が単純で
製造も容易であることから、大面積に亙って多数配列形
成できる利点がある。そこで、この特徴を活かすための
種々の応用が研究されている。例えば表示装置等の画像
形成装置への利用が挙げられる。

【００１１】従来、多数の表面伝導型放出素子を配列形
成した例としては、並列に表面伝導型放出素子を配列
し、個々の表面伝導型放出素子の両端（両素子電極）を
配線（共通配線とも呼ぶ）にて夫々結線した行を多数行
配列（梯子型配置とも呼ぶ）した電子源が挙げられる
（特開昭６４−３１３３２号公報、特開平１−２８３７
４９号公報、同２−２５７５５２号公報）。また、特に
表示装置においては、液晶を用いた表示装置と同様の平
板型表示装置とすることが可能で、しかもバックライト
が不要な自発光型の表示装置として、表面伝導型放出素
子を多数配置した電子源と、この電子源からの電子線の
照射により可視光を発光する蛍光体とを組合わせた表示
装置が提案されている（アメリカ特許第５０６６８８３
号公報）。

【００１２】従来の電子源の駆動装置及び駆動信号波形
を図１１（ａ）及び（ｂ）に示す。図１１（ａ）におい
て、１１は電子放出素子、２０１はこれら電子放出素子
１１を複数配設した電子源、２０２は電子放出素子１１
を駆動するための電圧信号を発生する駆動信号発生器、
２０３は駆動信号発生器２０２の信号出力端子である。
電子源２０１は真空封止された絶縁基板上に配設された
４つの電子放出素子１１の素子電極のそれぞれ一方をＸ
側配線Ｄx1〜Ｄx4に接続し、もう一方の各素子電極すべ
てをＹ側配線Ｄyに接続することで形成されている。ま
た同図において、Ｘ側配線Ｄx1〜Ｄx4はすべて１個所に
結線された後、接地されている。同図（ｂ）は、駆動信
号発生器２０２の信号出力端子２０３から出力される駆
動信号の電圧の時間変化を示した図であり、Ｖfは電圧
パルスの波高値（電圧値）、ｔ１はそのパルス幅、ｔ２
はパルス間隔（周期）を示している。

【００１３】この電子源２０１を駆動する場合、上述の
駆動信号発生器２０２より出力端子２０３を通して、図
１１（ｂ）に示されるようなパルス状の電圧を電子源の
Ｙ側配線に入力する。また電子源２０１から放出される
電子により発光する蛍光体を画像表示部材として用いた
画像表示装置において、表示される画像の輝度変調は上
述の駆動信号のパルス幅ｔ１を適宜変化させることで実
現している。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述した電子源２０１
及び画像表示装置については、電子源２０１を適用した
画像表示装置が長期間に亙り安定して画像を表示できる
ように更なる安定性が要望されている。

【００１５】しかしながら、上述の電子源２０１及びそ
れを用いた画像表示装置においては、Ｙ側配線及びそれ
と電気的に接続するための配線が持つインダクタンス
（Ｌ）、Ｘ側配線とＹ側配線間、これら両配線とグラン
ド間及びそれぞれの電子放出素子１１における素子電極
間の抵抗（Ｒn）及び静電容量（Ｃ）により、入力信号
のある周波数領域において発振が発生し、電子放出素子
１１の素子電極の両端において通常の駆動電圧Ｖf以上
の電圧が発生してしまうことがある。

【００１６】これを説明したのが図１２で、図１２
（ａ）はＹ側配線からみた電子放出素子の廃船を示す等
価回路図、図１２（ｂ）は、上記発振により発生する異
常電圧の波形を示している。このような異常電圧の発生
により電子放出素子における電子放出特性が劣化するた
め、電子源２０１及びそれを用いた画像表示装置におい
ては、その電子放出素子の電子放出特性の劣化と、それ
に伴う表示画像の画質の低下を引き起こしていた。

【００１７】本発明は上記従来例に鑑みてなされたもの
で、電子源の有する複数の電子放出素子の特性の変化を
抑えて、長期間にわたり安定して動作させることが可能
な電子源の駆動方法及び装置及び前記電子源を用いた画
像形成装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電子源の駆動装置は以下のような構成を備え
る。即ち、複数の電子放出素子を有する電子源の駆動装
置であって、前記電子放出素子のそれぞれに印加する駆
動信号を発生する駆動信号発生手段と、前記駆動信号発
生手段により発生された駆動信号から、前記電子源の共
振周波数に略対応する信号の周波数成分を除去する信号
成分除去手段とを有することを特徴とする。

【００１９】上記目的を達成するために本発明の画像形
成装置は以下のような構成を備える。即ち、複数の電子
放出素子を有する電子源を具備する画像形成装置であっ
て、画像信号を入力して保持する保持手段と、前記保持
手段に保持された画像信号に応じた変調信号を発生する
変調信号発生手段と、前記変調信号発生手段よりの変調
信号に含まれる所定の周波数帯域の信号を除去するフィ
ルタ手段と、前記画像信号の同期信号に同期して前記電
子源の走査ラインを選択する走査信号を発生する走査信
号発生手段と、前記走査信号発生手段からの走査信号と
前記フィルタ手段から入力される変調信号とに基づいて
駆動される前記電子源の電子放出素子から放出される電
子により発光する像形成手段とを有することを特徴とす
る。

【００２０】上記目的を達成するために本発明の電子源
の駆動方法は以下のような工程を備える。即ち、複数の
電子放出素子を有する電子源の駆動方法であって、前記
電子放出素子のそれぞれに印加する駆動信号を発生する
駆動信号発生工程と、前記駆動信号発生工程で発生され
た駆動信号から、前記電子源の共振周波数に略対応する
信号の周波数成分を除去する信号成分除去工程とを有す
ることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好適な実施の形態を詳細に説明する。

【００２２】図１（ａ）は、本発明の実施の形態の電子
源を駆動する駆動装置の回路例を示すブロック図、図１
（ｂ）は帯域制限フィルタ１０２の周波数特性を示す図
である。

【００２３】図１（ａ）において、１０１は本実施の形
態の電子源駆動回路、１０２は帯域制限フィルタ、１０
３はパルス信号発生器、１０４４は出力端子、１０５は
本実施の形態の電子源である。

【００２４】この実施の形態の回路では、パルス信号発
生器１０３から出力されたパルス信号は、図１（ｂ）に
示す周波数特性を有する帯域制限フィルタ１０２により
図１１（ｂ）に示す発振周波数成分が取り除かれた後、
電子源１０５に供給されている。これにより図１１
（ｂ）に示す、電子源１０５における発振に起因する、
電子放出素子への印加電圧の上昇を抑えることができ
る。

【００２５】本実施の形態における特徴を説明する前に
本実施の形態の電子源１０５について説明する。この実
施の形態の電子源１０５の電子放出素子を構成する表面
伝導型放出素子には、その構成上大別して平面型及び垂
直型の２つ種類がある。

【００２６】まず、平面型表面伝導型放出素子について
説明する。

【００２７】図２は、本実施の形態の平面型表面伝導型
放出素子の構成を示す図であり、図２（ａ）は平面図、
図２（ｂ）は断面図である。

【００２８】図２において、１は基板、２と３は素子電
極、４は導電性薄膜、５は電子放出部を示している。

【００２９】ここで基板１としては、石英ガラス、Ｎａ
等の不純物の含有量を減少したガラス、又は青板ガラ
ス、或は青板ガラスにスパッタ法等により形成したＳｉ
Ｏ2を積層したガラス基板、更にはアルミナ等のセラミ
ックス及びＳｉ基板等を用いることができる。

【００３０】この基板１上に対向して配置される素子電
極２，３の材料としては、一般的な導体材料を用いるこ
とができる。これには例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属或は合
金、及びＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ2、Ｐｄ−Ａｇ等の
金属或は金属酸化物とガラス等から構成されるの印刷導
体、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透明導電体及びポリシリコ
ン等の半導体導体材料等から適宜選択することができ
る。

【００３１】これら素子電極２，３の間隔Ｌ、素子電極
幅Ｗ１、導電性薄膜４の幅Ｗ２等は、応用される形態等
を考慮して適宜設計される。ここで素子電極間隔Ｌは、
好ましくは数千オングストロームから数百マイクロメー
トルの範囲とすることができ、より好ましくは、素子電
極２，３の間に印加する電圧等を考慮して、数マイクロ
メートルから数十マイクロメートルの範囲とすることが
できる。

【００３２】また素子電極幅Ｗ１は、電極２，３の抵抗
値、電子放出部５からの電子放出特性を考慮して、数マ
イクロメートルから数百マイクロメートルの範囲とする
ことができる。又、これら素子電極２，３の膜厚ｄは、
数百オングストロームから数マイクロメートルの範囲と
することができる。

【００３３】尚、図２に示した構成だけでなく、基板１
上に、導電性薄膜４、対向する素子電極２，３の順に積
層した構成とすることもできる。

【００３４】この導電性薄膜４には、良好な電子放出特
性を得るために、微粒子で構成された微粒子膜を用いる
のが好ましい。その膜厚は、素子電極２，３へのステッ
プカバレージ、素子電極２，３間の抵抗値及び後述する
フォーミング条件等を考慮して適宜設定されるが、通常
は、数オングストロームから数千オングストロームの範
囲とするのが好ましく、より好ましくは１０オングスト
ロームより５００オングストロームである。

【００３５】尚、以下の説明では、フォーミング処理を
通電処理を例にして説明するが、フォーミング処理はこ
れに限られるものではなく、膜に亀裂を生じさせて高抵
抗状態を形成する処理を包含するものである。

【００３６】また導電性薄膜４を構成する材料は、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、Ｐｄ
Ｏ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓｂ2０3等の酸化
物、ＨｆＢ2、ＺｒＢ2、ＬａＢ6、ＣｅＢ6、ＹＢ4、Ｇ
ｄＢ4等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、
ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の
窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等の中から適
宜選択される。

【００３７】ここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子
が集合した膜であり、その微細構造は、微粒子が個々に
分散配置した状態あるいは微粒子が互いに隣接、あるい
は重なり合った状態（いくつかの微粒子が集合し、全体
として島状構造を形成している場合も含む）をとってい
る。微粒子の粒径は、数オングストロームから数千オン
グストロームの範囲、好ましくは、１０オングストロー
ムから２００オングストロームの範囲である。なお、以
下の説明では「微粒子」という言葉を用いるので、その
意味について説明する。

【００３８】小さな粒子を「微粒子」と呼び、これより
も小さなものを「超微粒子」と呼ぶ。「超微粒子」より
もさらに小さく原子の数が数百個程度以下のものを「ク
ラスター」と呼ぶことは広く行われている。しかしなが
ら、それぞれの境は厳密なものではなく、どの様な性質
に注目して分類するかにより変化する。また「微粒子」
と「超微粒子」を一括して「微粒子」と呼ぶ場合もあ
り、本実施の形態の記述はこれに沿ったものである。

【００３９】例えば、「実験物理学講座１４ 表面・微
粒子」（木下是雄 編、共立出版１９８６年９月１日発
行）では次のように記述されている。

【００４０】「本稿で微粒子と言うときにはその直径が
だいたい２〜３μｍ程度から１０ｎｍ程度までとし、特
に微粒子というときは粒径が１０ｎｍ程度から２〜３ｎ
ｍ程度までを意味することにする。両者を一括して単に
微粒子と書くこともあってけっして厳密なものではな
く、だいたいの目安である。粒子を構成する原子の数が
２個から数十〜数百個程度の場合はクラスターと呼
ぶ。」（１９５ページ ２２〜２６行目）付言すると、
新技術開発事業団の“林・超微粒子プロジェクト”での
「超微粒子」の定義は、粒径の下限はさらに小さく、次
のようなものであった。

【００４１】「創造科学技術推進制度の“超微粒子プロ
ジェクト”（１９８１〜１９８６）では、粒子の大きさ
（径）がおよそ１〜１００ｎｍの範囲のものを“超微粒
子”(ultra fine particle)と呼ぶことにした。すると
１個の超微粒子はおよそ１００〜１０８個くらいの原子
の集合体という事になる。原子の尺度でみれば超微粒子
は大〜巨大粒子である。」（「超微粒子−創造科学技術
−」林主税、上田良二、田崎明 編；三田出版１９８８
年 ２ページ１〜４行目）「超微粒子よりさらに小さい
もの、すなわち原子が数個〜数百個で構成される１個の
粒子は、ふつうクラスターと呼ばれる」（同書２ページ
１２〜１３行目） 上記のような一般的な呼び方をふまえて、本実施の形態
において「微粒子」とは、多数の原子・分子の集合体
で、粒径の下限は数オングストローム〜１０オングスト
ローム程度、上限は数μｍ程度のものを指すこととす
る。

【００４２】また電子放出部５は、導電性薄膜４の一部
に形成された高抵抗の亀裂により構成され、導電性薄膜
４の膜厚、膜質、材料及び後述する通電フォーミング等
の手法等に依存したものとなる。電子放出部５の内部に
は、数オングストロームから数百オングストロームの範
囲の粒径の導電性微粒子が存在する場合もある。この導
電性微粒子は、導電性薄膜４を構成する材料の元素の一
部、或は全ての元素を含有するものとなる。電子放出部
５及びその近傍の導電性薄膜４には、炭素及び炭素化合
物を有することもできる。

【００４３】次に、本実施の形態の垂直型の表面伝導型
放出素子について説明する。

【００４４】図３は、本実施の形態の垂直型の表面伝導
型放出素子の一例を示す図である。この図３において、
前述の図２に示した部位と共通する部位には同じ符号を
付し、それらの説明を省略する。

【００４５】２１は段差形成部である。基板１、素子電
極２及び３、導電性薄膜４、電子放出部５は、前述した
平面型表面伝導型放出素子の場合と同様の材料で構成す
ることができる。段差形成部２１は、真空蒸着法、印刷
法、スパッタ法等で形成されたＳｉＯ2等の絶縁性材料
で構成することができる。段差形成部２１の膜厚は、先
に述べた平面型表面伝導型放出素子の素子電極間隔Ｌに
対応し、数百オングストロームから数百マイクロメート
ルの範囲とすることができる。この膜厚は、段差形成部
２１の製法、及び素子電極２，３間に印加する電圧を考
慮して設定されるが、数百オングストロームから数十マ
イクロメートルの範囲が好ましい。

【００４６】導電性薄膜４は、素子電極２及び３と段差
形成部２１の作成後に、該素子電極２，３の上に積層さ
れる。電子放出部５は、図３においては、段差形成部２
１に形成されているが、作成条件、フォーミング条件等
に依存し、形状、位置ともこれに限られるものでない。

【００４７】次に図４を参照して、本実施の形態の表面
伝導型放出素子の電子放出特性について説明する。即
ち、この表面伝導型放出素子は放出電流Ｉeに関して以
下の３つの特徴的性質を有する。即ち、 （ｉ）この表面伝導型放出素子はある電圧（閾値電圧Ｖ
th）以上の素子電圧Ｖfを印加すると急激に放出電流Ｉe
が増加し、一方、閾値電圧Ｖth以下では放出電流Ｉeが
はとんど検出されない。つまり放出電流Ｉeに対する明
確な閾値電圧Ｖthを有する非線形素子である。 （ii）放出電流Ｉeが素子電圧Ｖfに対して単調増加依存
するため放出電流Ｉeは素子電圧Ｖfで制御できる。 （iii）放出される電子を捕捉するアノード電極におい
て検出される放出電荷は素子電圧Ｖfを印加する時間に
依存する。つまり、アノード電極に捕捉される電荷量
は、素子電圧Ｖfを印加する時間により制御できる。

【００４８】以上の説明より理解されるように、本実施
の形態の表面伝導型放出素子は、入力信号に応じて電子
放出特性を容易に制御できることになる。この性質を利
用することにより、複数の電子放出素子を配して構成し
た電子源及び画像形成装置等の多方面への応用が可能と
なる。

【００４９】図４においては、素子電流Ｉfが素子電圧
Ｖfに対して単調増加する（以下、「ＭＩ特性」）例を
実線に示したが、素子電流Ｉfが素子電圧Ｖfに対して電
圧制御型負性抵抗特性（以下、「ＶＣＮＲ特性」）を示
す場合もある（不図示）。これら特性は、この表面伝導
型放出素子の製造工程を制御することで調整できる。

【００５０】本実施の形態の電子放出素子の応用例につ
いて以下に述べる。本実施の形態の表面伝導型放出素子
の複数個を基板上に配列し、例えば電子源或は画像形成
装置を構成することができる。

【００５１】これら表面伝導型電子放出素子の配列につ
いて種々のものが採用できる。

【００５２】一例として、並列に配置した多数の電子放
出素子の各素子電極同士を接続した電子放出素子の行を
多数個配し（行方向と呼ぶ）、この行方向の配線と直交
する方向（列方向と呼ぶ）で、これら電子放出素子の上
方に配した制御電極（グリッド）により、電子放出素子
からの電子を制御駆動する梯子型の配置のものがある。

【００５３】またこれとは別に、電子放出素子をＸ方向
及びＹ方向に行列状に複数個配し、同じ行に配された複
数の電子放出素子のそれぞれの素子電極の一方をＸ方向
の配線に共通に接続し、同じ列に配された複数の電子放
出素子の各他方の素子電極のをＹ方向の配線に共通に接
続したものが挙げられる。このようなものは所謂、単純
マトリクス配置と呼ばれる。次にまず、この単純マトリ
クス配置について詳述する。

【００５４】本実施の形態の表面伝導型放出素子につい
ては、前述した（ｉ）乃至（iii）で示される特性を有
している。即ち、表面伝導型放出素子からの放出電子
は、閾値電圧Ｖth以上では、対向する素子電極間に印加
されるパルス状電圧の波高値と幅で制御できる。一方、
その印加電圧が閾値電圧Ｖth以下の場合では殆ど電子が
放出されない。このような特性によれば、多数の電子放
出素子を配置した場合においても、個々の素子にパルス
状電圧を適宜印加すれば、その印加信号に応じて表面伝
導型放出素子を選択して電子放出量を制御できることに
なる。

【００５５】以下この原理に基づき、本実施の形態の表
面伝導型電子放出素子を複数配して得られる電子源基板
について、図５を参照して説明する。

【００５６】図５において、５１は電子源基板を示し、
５２はＸ方向配線で合計ｍ本を有し、５３はＹ方向配線
で、ｎ本の配線からなっている。５４は表面伝導型放出
素子、５５は結線で、この表面伝導型電子放出素子５４
とＸ及びＹ方向配線５２，５３とを接続している。な
お、この表面伝導型電子放出素子５４は、前述した平面
型或は垂直型のいずれであってもよい。

【００５７】ｍ本のＸ方向配線５２はＤx1，Ｄx2，…，
Ｄxmからなり、これらＸ方向配線５２は真空蒸着法，印
刷法，スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で
構成することができる。この配線５２の材料、膜厚、巾
は適宜設計される。またＹ方向配線５３はＤy1．Ｄy2，
…，Ｄynのｎ本の配線よりなり、Ｘ方向配線５２と同様
にして形成される。これらｍ本のＸ方向配線５２とｎ本
のＹ方向配線５３との間には不図示の層間絶縁層が設け
られており、この絶縁層により両者を電気的に分離して
いる（ｍ，ｎは、共に正の整数）。

【００５８】これら不図示の層間絶縁層は、例えば真空
蒸着法，印刷法，スパッタ法等を用いて形成されたＳｉ
Ｏ2等で構成される。例えば、Ｘ方向配線５２を形成し
た基板５１の全面或は一部に所望の形状で形成され、特
に、Ｘ方向配線５２とＹ方向配線５３の交差部の電位差
に耐え得るように、その膜厚，材料，製法が適宜設定さ
れる。なお、これらＸ方向配線５２とＹ方向配線５３
は、それぞれ外部端子として引き出されている。

【００５９】表面伝導型放出素子５４を構成する一対の
電極（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線５２とｎ本のＹ方
向配線５３と導電性金属等からなる結線５５によって電
気的に接続されている。

【００６０】Ｘ方向配線５２とＹ方向配線５３を構成す
る材料、及び結線５５を構成する材料、及び一対の素子
電極を構成する材料は、その構成元素の一部或は全部が
同一であっても、またそれぞれ異なってもよい。これら
配線の材料は、例えば前述の素子電極の材料より適宜選
択される。また素子電極を構成する材料と配線材料が同
一である場合には、素子電極に接続された配線は素子電
極ということもできる。

【００６１】Ｘ方向配線５２には、Ｘ方向に配列した表
面伝導型放出素子５４の行を選択するための走査信号を
印加する不図示の走査信号印加手段（例えば図８の走査
回路８２）が接続される。一方、Ｙ方向配線５３には、
Ｙ方向に配列した表面伝導型放出素子５４の各列に印加
する信号を入力信号に応じて変調するための不図示の変
調信号発生手段（例えば図８の変調信号発生器８７）が
接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、
当該素子に印加される走査信号と変調信号との差電圧と
して供給される。

【００６２】上記構成においては、単純なマトリクス配
線を用いて個別の素子を選択し、独立に駆動可能とする
ことができる。

【００６３】このような単純マトリクス配置の電子源を
用いて構成した画像表示用の表示パネル１０００につい
て図６乃至図８を参照して説明する。

【００６４】図６は、画像形成装置の表示パネル１００
０の外観斜視図で、その内部構成を示すために一部破断
して示している。

【００６５】図６において、５１は電子放出素子を複数
配した電子源基板、６１は電子源基板５１を固定したリ
アプレート、６６はガラス基板６３の内面に蛍光膜６４
とメタルバック６５等が形成されたフェースプレートで
ある。６２は支持枠で、この支持枠６２には、リアプレ
ート６１、フェースプレート６６が低融点のフリットガ
ラスなどを用いて接合される。

【００６６】５４は、図２に示す表面伝導型放出素子５
４に相当する部分である。５２，５３のそれぞれは、表
面伝導型放出素子５４の一対の素子電極と接続されたＸ
方向配線及びＹ方向配線を示している。

【００６７】外囲器６８は、上述の如く、フェースープ
レート６６、支持枠６２、リアプレート６１等で構成さ
れる。リアプレート６１は主に基板５１の強度を補強す
る目的で設けられるため、基板５１自体で十分な強度を
持つ場合は別体のリアプレート６１は不要とすることが
できる。即ち、基板５１に直接支持枠６２を封着し、フ
ェースプレート６６、支持枠６２及び基板５１で外囲器
６８を構成しても良い。またフェースープレート６６、
リアプレート６１間に、スペーサとよばれる不図示の支
持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度
をもつ外囲器６８を構成することもできる。

【００６８】図７は、フェースプレート６６における蛍
光膜６４の配置を説明する図である。

【００６９】蛍光膜６４は、モノクロームの場合は蛍光
体のみから構成することができる。カラーの蛍光膜の場
合は、蛍光体の配列によりブラックストライプ或はブラ
ックマトリクスなどと呼ばれる黒色導電材７１と蛍光体
７２とから構成することができる。このブラックストラ
イプ、ブラックマトリクスを設ける目的は、カラー表示
の場合、必要となる３原色蛍光体の各蛍光体７２間の塗
り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくするた
め、蛍光膜６４における外光反射によるコントラストの
低下を抑制するため等である。このブラックストライプ
の材料としては、通常用いられている黒鉛を主成分とす
る材料の他、導電性があり、光の透過及び反射が少ない
材料を用いることができる。

【００７０】ガラス基板７３に蛍光体を塗布する方法
は、モノクローム、カラーによらず、沈澱法、印刷法等
が採用できる。蛍光膜６４の内面側には、通常メタルパ
ック６５が設けられる。このメタルバック６５を設ける
目的は、蛍光体の発光のうち内面側への光をフェースプ
レート６６側へ鏡面反射させることにより輝度を向上さ
せるため、電子の加速電圧を印加するための電極として
作用させるため、外囲器６８内で発生した負イオンの衝
突によるダメージから蛍光体を保護するため等である。
このメタルバック６５は、蛍光膜６４の生成後、蛍光膜
６４の内面側表面の平滑化処理（通常、「フィルミン
グ」と呼ばれる）を行い、その後アルミニウム（Ａｌ）
を真空蒸着等を用いて堆積させることで形成できる。

【００７１】フェースプレート６６には、更に蛍光膜６
４の導電性を高めるため、蛍光膜６４の外面側に透明電
極（不図示）を設けてもよい。

【００７２】前述の封着を行う際には、カラーの場合は
各色の蛍光体と電子放出素子とを対応させる必要があ
り、電子放出素子と蛍光体との十分な位置合わせが不可
欠となる。

【００７３】次に、単純マトリクス配置の電子源を用い
て構成した表示パネル１０００に、ＮＴＳＣ方式のテレ
ビ信号に基づいたテレビジョン表示を行うための駆動回
路の構成例について図８を用いて説明する。

【００７４】図８において、１０００は上述した表示パ
ネル、８２は走査回路で、制御回路８３からの水平同期
信号Ｔscanに同期して表示パネル１０００の行配線を選
択し、その選択した行配線に電圧Ｖxを印加し、その他
の行配線を接地するように切換えている。８３は制御回
路で、同期信号分離回路８６から出力される同期信号Ｔ
syncを入力し、シフトクロックＴsft、ラッチ信号Ｔmry
及び水平同期信号Ｔscan等を発生して出力している。８
４はシフトレジスタで、同期信号分離回路８６から入力
される画像の輝度信号(DATA)をシリアルでシフトクロッ
クＴsftに同期して入力し、１ライン分の輝度データに
変換している。８５はラインメモリで、シフトレジスタ
８４から出力される１ライン分の輝度データを信号Ｔmr
yのタイミングでラッチしてい保持している。８６は同
期信号分離回路で、入力されるＮＴＳＣ信号から、その
輝度成分信号（DATA）と同期信号Ｔsyncとを分離してい
る。８７は変調信号発生器で、ラインメモリ８５から入
力される１ライン分の輝度データの値に応じた変調信号
（例えばパルス幅変調信号など）を発生している。Ｆy
1，…，Ｆynは帯域制限フィルタで図１に示す帯域制限
フィルタ１０２に相当している。Ｖｘ及びＶａは直流電
圧源で、Ｖｘは選択された行配線に印加される電圧を示
し、Ｖａは加速電極（図６のメタルバック６５に相当）
に印加される高電圧を発生している。

【００７５】表示パネル１０００は、端子Ｄx1乃至Ｄx
m、端子Ｄy1乃至Ｄyn、及び高圧端子Ｈｖを介して外部
の電気回路と接続している。行配線端子Ｄx1乃至Ｄxmに
は、表示パネル１０００内に設けられている電子源、即
ち、ｍ行ｎ列にマトリクス配線された表面伝導型放出素
子を、一行（ｎ素子）ずつ順次駆動するための走査信号
が印加される。

【００７６】また列配線端子Ｄy1乃至Ｄynには、走査回
路８２から出力された走査信号により選択された一行の
表面伝導型放出素子の各素子から放出される電子を制御
するための変調信号が、帯域制限フィルタＦy1，…，Ｆ
ynを通じて印加される。また表示パネル１０００の高圧
端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａから、例えば１０ｋＶの
直流電圧が印加されるが、これは表面伝導型放出素子か
ら放出される電子を蛍光体方向に加速し、この蛍光体を
励起するのに十分なエネルギーを付与するための加速電
圧である。

【００７７】次に走査回路８２について説明する。この
回路８２は、内部にｍ個のスイッチング素子を備えてい
る（図中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示す）。各スイッ
チング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０Ｖ
（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表示パネ
ル１０００の端子Ｄx1ないしＤxmと電気的に接続され
る。Ｓ１乃至Ｓｍの各スイッチング素子は、制御回路８
３が出力する制御信号Ｔscanに基づいて動作するもので
あり、例えばＦＥＴのようなスイッチング素子を組み合
わせることにより構成することができる。

【００７８】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には表面伝
導型放出素子の特性（電子放出閾値電圧）に基づき走査
されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出閾値
電圧以下となるような一定電圧を出力するよう設定され
ている。

【００７９】制御回路８３は、外部より入力する画像信
号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作
を整合させる機能を有する。制御回路８３は、同期信号
分離回路８６より送られる同期信号Ｔsyncに基づいて、
前述したように各部に対してＴscan及びＴsft及びＴmry
の各制御信号を出力する。同期信号分離回路８６は、外
部から入力されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信
号成分Ｔsyncと輝度信号成分(DATA)とを分離するための
回路で、一般的な周波数分離（フィルタ）回路等を用い
て構成できる。この同期信号分離回路８６により分離さ
れた同期信号Ｔsyncは、垂直同期信号と水平同期信号を
含んでいるが、ここでは説明の便宜上Ｔsync信号として
図示した。このＮＴＳＣのテレビ信号から分離された画
像の輝度信号成分信号（DATA）で表した。このDATA信号
はシフトレジスタ８４に入力されている。

【００８０】シフトレジスタ８４は、時系列でシリアル
に入力されるＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン毎にシリ
アル／パラレル変換するためのもので、制御回路８３よ
り送られる制御信号Ｔsftに基づいて動作する（即ち、
制御信号Ｔsftは、シフトレジスタ８４のシフトクロッ
クであるということもできる）。こうしてシフトレジス
タ８４によりシリアル／パラレル変換された１ライン分
（電子放出素子Ｎ素子分の駆動データに相当）の画像デ
ータは、Ｉd1乃至ＩdnのＮ個のパラレル信号としてシフ
トレジスタ８４より出力される。

【００８１】ラインメモリ８５は、画像１ライン分のデ
ータを必要時間の間だけ記憶するためのメモリであり、
制御回路８３より送られる制御信号Ｔmryに従って適宜
Ｉd1乃至Ｉdnの内容をラッチして記憶する。こうして記
憶された内容は、Ｉ'd1乃至Ｉ'dnとして出力され、変調
信号発生器８７に入力される。

【００８２】変調信号発生器８７は、画像データＩ'd1
乃至Ｉ'dnの各々に応じて表面伝導型放出素子の各々を
適切に駆動変調するための信号源であり、その出力信号
は、帯域制限フィルタＦy1，…，Ｆynに接続された列配
線端子Ｄy1乃至Ｄynを通じて表示パネル１０００の表面
伝導型放出素子に印加される。

【００８３】前述したように、本実施の形態の電子放出
素子は放出電流Ｉeに対して以下の基本特性を有してい
る。即ち、電子放出素子には明確な閾値電圧Ｖthがあ
り、この閾値電圧Ｖth以上の電圧を印加された時のみ電
子放出が生じる。この閾値電圧以上の電圧に対しては、
電子放出素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変
化する。このことから、本実施の形態の電子放出素子に
パルス状の電圧を印加する場合、例えば閾値電圧以下の
電圧を印加しても電子放出は生じないが、その閾値電圧
以上の電圧を印加することにより電子が放出される。そ
の際、印加電圧パルスの波高値Ｖｍを変化させることに
より、その放出される電子の強度を制御することが可能
である。また、電圧パルスの幅Ｐｗを変化させることに
より、放出される電子の電荷の総量を制御することが可
能である。

【００８４】従って、変調信号発生器８７において入力
信号を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅
変調方式等が考えられる。即ち、電圧変調方式を採用す
るに際しては、変調信号発生器８７として、一定長さの
電圧パルスを発生し、入力される輝度データの値に応じ
て適宜パルスの波高値を変調するような電圧変調方式の
回路を用いることができる。またパルス幅変調方式を採
用するに際しては、変調信号発生器８７として、一定の
波高値の電圧パルスを発生し、入力される輝度データの
値に応じて電圧パルスの幅を変調するようなパルス幅変
調方式の回路を用いることができる。

【００８５】シフトレジスタ８４やラインメモリ８５
は、デジタル信号式であっても、アナログ信号式のいず
れも採用できる。これは画像信号のシリアル／パラレル
変換や記憶が所定の速度で行なわれれば良いからであ
る。ここでデジタル信号式を用いる場合には、同期信号
分離回路８６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号に変換
する必要があるが、これには同期信号分離回路８６の出
力部にＡ／Ｄ変換器を設ければ良い。これに関連してラ
インメモリ８５の出力信号がデジタル信号かアナログ信
号かにより、変調信号発生器８７に用いられる回路が若
干異なったものとなる。即ち、デジタル信号を用いた電
圧変調方式の場合、変調信号発生器８７には、例えばＤ
／Ａ変換回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付加
する。パルス幅変調方式の場合、変調信号発生器８７に
は、例えば高速の発振器とその発振器から出力されるク
ロック信号を計数する計数器（カウンタ）及び、この計
数器の出力値とラインメモリ８５の各出力値とを比較す
る比較器（コンパレータ）を組み合せた回路を用いるこ
とができる。これにより、ラインメモリ８５から出力さ
れる各データの値に応じたパルス幅の変調信号を出力す
ることができる。更に必要に応じて、比較器の出力する
パルス幅変調された変調信号を表面伝導型放出素子の駆
動電圧にまで増幅するための増幅器を付加することもで
きる。

【００８６】またアナログ信号を用いた電圧変調方式の
場合、変調信号発生器８７には、例えばオペアンプなど
を用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフ
ト回路などを付加することもできる。パルス幅変調方式
の場合には、例えば、電圧制御型発振回路（VCO）を採
用でき、必要に応じて表面伝導型放出素子の駆動電圧ま
で電圧増幅するための増幅器を付加することもできる。

【００８７】このような構成をとり得る本実施の形態の
画像形成装置においては、各電子放出素子に、容器外の
行配線端子Ｄx1乃至Ｄxm、列配線端子Ｄy1乃至Ｄynを介
して電圧を印加することにより、対応する電子放出素子
から電子が放出される。これと同時に、高圧端子Ｈｖを
介してメタルバック６５、或は透明電極（不図示）に高
圧を印加して、その放出された電子を蛍光体方向に加速
する。こうして加速された電子は蛍光膜６４に衝突し、
発光が生じて画像が形成される。

【００８８】ここで述べた装置の構成は、本実施の形態
の画像形成装置の一例であり、本発明の技術思想に基づ
いて種々の変形が可能である。例えば入力信号について
は、ＮＴＳＣ方式を挙げたが入力信号はこれに限られる
ものではなく、ＰＡＬ，ＳＥＣＡＭ方式など他、これよ
りも、多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、ＭＵＳ
Ｅ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用でき
る。

【００８９】次に、梯子型に複数の電子放出素子を配置
した梯子型配置の電子源、及びその電子源を用いた画像
形成装置について図９及び図１０を参照して説明する。

【００９０】図９は、本実施の形態の梯子型配置の電子
源の一例を示す図である。

【００９１】図９において、９０は電子源基板、９１は
電子放出素子である。９２は行配線用端子を示し、ここ
でＤx1〜Ｄx1０は電子放出素子９１を接続するための共
通配線を示している。電子放出素子９１は、基板９０上
にＸ方向に並列に複数個配されている（これを素子行と
呼ぶ）。この素子行が複数個配して電子源を構成してい
る。各素子行の共通配線間に駆動電圧を印加することに
より、各素子行を独立して駆動することができる。即
ち、電子を放出させたい素子行には前述の閾値電圧Ｖth
以上の電圧を、電子を放出させない素子行には閾値電圧
以下の電圧を印加する。各素子行間の共通配線Ｄx2〜Ｄ
x9において、例えばＤx2，Ｄx3を同一配線とすることも
できる。

【００９２】図１０は、図９に示す梯子型配置の電子源
を備えた画像形成装置における表示パネル２０００の構
造の一例を示す外観斜視図で、その内部構造を示すため
に一部を破断して示している。

【００９３】図１０において、１２０はグリッド電極、
１２１は電子が通過するため空孔、１２２はＤxo1，Ｄx
o2，…Ｄxomよりなる容器外端子である。１２３は、グ
リッド電極１２０と接続されたＧ１，Ｇ２，…，Ｇｎか
らなる容器外端子、９０は各素子行間の共通配線を同一
配線とした電子源基板である。なお、この図１０におい
ては、図６及び図９に示した部位と同じ部位には同一の
符号を付し、それらの説明を省略する。尚、ここに示し
た画像形成装置と、図６に示した単純マトリクス配置の
画像形成装置との大きな速いは、電子源基板９０とフェ
ースプレート６６の間にグリッド電極１２０を備えてい
る点にある。

【００９４】図１０においては、基板９０とフェースプ
レート６６との間には、Ｙ方向における電子放出素子の
配置に対応してグリッド電極１２０が設けられている。
これらグリッド電極１２０は、表面伝導型放出素子９１
から放出された電子を変調するためのものであり、梯子
型配置の素子行に直交して設けられたストライプ状の電
極であり、各電子放出素子から放出された電子を通過さ
せるため、各素子に対応して１個ずつ円形の開口１２１
が設けられている。なお、これらグリッド１２０の形状
や設置位置は図１０に示したものに限定されるものでは
ない。例えば、開口としてメッシュ状に多数の通過口を
設けても良く、またグリッドを表面伝導型放出素子９１
の周囲や近傍に設けてもよい。容器外端子１２２及びグ
リッド容器外端子１２３のそれぞれは、例えば前述の図
８の走査回路８２、変調信号発生器８７と電気的に接続
されている。

【００９５】本実施の形態の画像形成装置では、素子行
を１列ずつ順次駆動（走査）していくのと同期してグリ
ッド電極１２３に画像ｌライン分の変調信号を同時に印
加する。これにより、各電子の蛍光体への照射を制御
し、画像を１ラインずつ表示すことができる。

【００９６】この実施の形態の画像形成装置は、テレビ
ジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピュ
ータ等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成さ
れた光プリンタとしての画像形成装置等としても用いる
ことができる。

【００９７】以下、具体的な実施の形態を挙げてを詳し
く説明するが、本発明はこの実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要
素の置換や設計変更がなされたものをも包含する。

【００９８】［実施の形態１］本実施の形態１では、図
９に示した本実施の形態の電子源の駆動回路を表面伝導
型放出素子を用いた電子源に適用した例を図１３を参照
して説明する。尚、図１３において、図１と共通する部
分は同じ番号を付している。

【００９９】図１３において、１００１は本実施の形態
の駆動回路、１０２は帯域制限フィルタ、１０３はパル
ス信号発生器、１０４は出力端子、１０５は本実施の形
態の電子源を示し、ここでは図１２（ａ）に示す等価回
路で表している。尚、この実施の形態１では、電子源１
０５における電子放出素子の数ｎを“１００”としてい
る。

【０１００】本実施の形態１における帯域制限フィルタ
１０２は、図１３に示したように、１個のインダクタ
（Ｌｆ）、１個のキャパシタ（Ｃｆ）、そして１個の抵
抗器（Ｒｆ）を備えている。ここでインダクタＬｆとキ
ャパシタＣｆは並列に接続されており、その一方は帯域
制限フィルタ１０２の入力端子に接続され、もう一方は
出力端子１０４に接続されている。また出力端子１０４
は、抵抗Ｒｆを介してコモン電位に接続されている。
尚、本実施の形態１では、コモン電位はアース電位と等
価である。

【０１０１】この実施の形態１で使用した電子源１０５
の電気的特性を求めるため、インピーダンス測定器を用
いて計測することにより、図１２（ｂ）で表される、入
力電圧Ｖinに対して電子放出素子９１の両端にかかる電
圧Ｖfとの比と発振周波数との関係を求めた。この結果
から、電子源１０５の共振角周波数ω0＝６０ＭＨｚを
得た。

【０１０２】本実施の形態で適用した帯域制限フィルタ
の中心角周波数ω0fは、下記の数式（１）で表される。

【０１０３】

【数１】

【０１０４】ω0f ＝ ＳＱＲＴ｛１／（Ｌｆ×Ｃ
ｆ）｝ 但し、ここで「ＳＱＲＴ｛Ａ｝」は、「Ａ」の平方根を
示す。またここで、この中心角周波数ω0fの値が、共振
角周波数ω0と等しくなるように、Ｌｆ＝０．７［μ
Ｈ］、Ｃｆ＝４００［ｐＦ］とした。また、抵抗Ｒｆの
抵抗値を１ｋΩとした。

【０１０５】パルス信号発生器１０３から発生されるパ
ルス信号は、その電圧値を１５Ｖ、パルス幅を１００μ
ｓｅｃ、そのパルス間隔を１６．６ｍｓｅｃとした。

【０１０６】以上のように構成された本実施の形態の駆
動回路の効果を確認するため、帯域制限フィルタ１０２
を有しない従来の駆動回路により本実施の形態の電子源
を駆動した場合と比較して、その特性の安定性の比較を
行った。

【０１０７】電子源１０５における電子放出素子の安定
性の比較は、放出電流値Ｉeにおける駆動初期の状態
と、その駆動時間が２００時間になった後におけるとの
放出特性とを比較することにより行った。この比較実験
の結果を図１４に示す。尚、劣化率（％）は、２００時
間経過後の放出電流値Ｉeの値を駆動初期の電流値で割
った値を“１”から引いた値の百分率で表した。

【０１０８】以上のように、本実施の形態１の電子源の
駆動回路を用いることにより、電子源を長期間安定して
駆動することが可能となった。

【０１０９】［実施の形態２］本実施の形態２では、図
６に示した本実施の形態２の画像形成装置の表示パネル
１０００の電子源の製造方法について、図１５乃至図１
８を参照して説明する。

【０１１０】複数の導電性膜がマトリクス状に配線され
た基板５１の一部の平面図を図１５に示す。また、図中
のＡ−Ａ’の断面図を図１６に示す。但し、図１５乃至
図１８において、同じ符号は同じ部材を示す。ここで、
５１は基板、７２はＸ方向配線（下配線とも呼ぶ）、７
３はＹ方向配線（上配線とも呼ぶ）、４は導電性薄膜、
２，３は素子電極、１３１は層間絶縁層（図１６）、１
３２は素子電極３と下配線７２と電気的接続のためのコ
ンタクトホールである。

【０１１１】まず、本実施の形態２で用いられる電子源
の製造方法を、図１７及び図１８を用いて工程順に従っ
て具体的に説明する。尚、以下の工程ａ〜ｈは、図１７
の（ａ）〜（ｄ）及び図１８の（ｅ）〜（ｈ）に対応す
る。

【０１１２】工程ａ：清浄化した青板ガラス上に厚さ
０．５μｍのシリコン酸化膜をスパッタ法で形成した基
板５１上に、真空蒸着により、厚さ５０オングストロー
ムのＣｒ、厚さ６０００オングストロームの金（Ａｕ）
を順次積層した後、ホトレジスト（ＡＺ１３７０ヘキス
ト社製）をスピンナーにより回転塗布してベークした
後、ホトマスク像を露光、現像して、下配線７２のレジ
ストパターンを形成し、Ａｕ／Ｃｒ堆積膜をウェットエ
ッチングして、所望の形状の下配線７２を形成した。

【０１１３】工程ｂ：次に、厚さ１．０μｍのシリコン
酸化膜からなる層間絶縁層１３１をＲＦスパッタ法によ
り堆積した。

【０１１４】工程ｃ：工程ｂで堆積したシリコン酸化膜
にコンタクトホール１３２を形成するためのホトレジス
トパターンを作り、これをマスクパターンとして層間絶
縁層１３１をエッチングしてコンタクトホール１３２を
形成した。エッチングはＣＦ４とＨ２ガスを用いたＲＩ
Ｅ(Reactive Ion Etching)法によった。

【０１１５】工程ｄ：その後、素子電極２，３と素子電
極間ギャップＬとなるべきパターンをホトレジストで形
成し、真空蒸着法により、厚さ５０オングストロームの
Ｔｉ、厚さ５００オングストロームのＮｉを順次堆積し
た。その後、ホトレジストを有機溶剤で溶解し、Ｎｉ／
Ｔｉ堆積膜をリフトオフした。尚、素子電極間隔Ｌは３
μｍとし、素子電極の幅Ｗ１を２００μｍで形成した。

【０１１６】工程ｅ：素子電極２，３の上に上配線７３
のホトレジストパターンを形成した後、厚さ５０オング
ストロームのＴｉ、厚さ５０００オングストロームのＡ
ｕを順次真空蒸着により堆積し、リフトオフにより不要
の部分を除去して、所望の形状の上配線７３を形成し
た。

【０１１７】工程ｆ：素子間電極ギャップＬ及びこの近
傍に開口を有するマスクパターンにより、膜厚５００オ
ングストロームのＣｒ膜１３３を真空蒸着により堆積し
てパターニングし、その上にＰｄをスパッタ法により堆
積した後、３００℃の大気雰囲気中で６時間加熱焼成し
た。このようにして形成された主としてＰｄＯより成る
微粒子からなる導電性薄膜４の膜厚は６５オングストロ
ーム、抵抗値ＲＳは５×１０の４乗［Ω／□］であっ
た。

【０１１８】工程ｇ：Ｃｒ膜１３３及び焼成後の導電性
薄膜４を酸エッチャントによりエッチングして、所望の
パターン形状を有する導電性薄膜４を形成した。

【０１１９】工程ｈ：全面にレジストを塗布し、マスク
パターンを用いて露光した後現像し、コンタクトホール
１３２部分のみレジストを除去した。この後、真空蒸着
により、厚さ５０オングストロームのＴｉ、厚さ５００
０オングストロームのＡｕを順次堆積し、リフトオフに
より不要の部分を除去することによりコンタクトホール
１３２を埋め込んだ。

【０１２０】以上の工程により、絶縁性基板５１上に下
配線７２、層間絶縁層１３１、上配線７３、素子電極
２，３、導電性薄膜４等を形成し、複数の導電性薄膜４
がマトリクス配線された基板５１（図１５）を得た。

【０１２１】以上のようにして作成した、複数の導電性
薄膜４がマトリクス配線された基板５１（図１５）を用
いて画像形成装置を作製した。その装置の製造手順を図
６を参照して以下に説明する。

【０１２２】まず、上記複数の導電性薄膜４がマトリク
ス配線された基板５１（図１５）をリアプレート５１上
に固定した後、基板５１の約５ｍｍ上方にフェースプレ
ート６６（ガラス基板６３の内面に画像形成部材である
ところの蛍光膜６４とメタルバック６５が形成されてい
る）を支持枠６２を介し配置し、フェースプレート６
６、支持枠６２、リアプレート６１の接合部にフリット
ガラスを塗布し、大気中で４１０℃で１０分焼成するこ
とで封着した。またリアプレート６１への基板５１の固
定もフリットガラスで行った。

【０１２３】ここで画像形成部材であるところの蛍光膜
６４は、カラー画像表示を実現するためにストライプ形
状（図７（ａ）参照）の蛍光体とし、先にブラックスト
ライプ７１を形成し、その間隙部に、例えばスラリー法
により各色蛍光体７２を塗布して蛍光膜６４を作製し
た。このブラックストライプの材料として、通常良く用
いられている黒鉛を主成分とする材料を用いた。

【０１２４】また、蛍光膜６４の内面側にはメタルバッ
ク６５を設けた。このメタルバック６５は、蛍光膜６４
の作製後、蛍光膜６４の内面側表面の平滑化処理（通
常、フィルミングと呼ばれる）を行い、その後、Ａｌを
真空蒸着することで作製した。フェースプレート６６に
は、更に蛍光膜６４の導伝性を高めるため、蛍光膜６４
の外面側に透明電極（不図示）を設けた。

【０１２５】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体７２と表面伝導型放出素子５４とを対応させなく
てはいけないため十分な位置合わせを行った。

【０１２６】以上のようにして完成した外囲器６８内の
雰囲気を排気管（不図示）を通じ真空ポンプにて排気
し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄx1ないしＤ
xmとＤy1ないしＤynとを通じ、所望の表面伝導型放出素
子５４の素子電極２，３間に電圧を印加し、前述のフォ
ーミング処理を行い、電子放出部５を形成した。

【０１２７】このフォーミング処理には図１９（ａ）或
は図１９（ｂ）に示した電圧波形を用いた。本実施の形
態２では、Ｔ１を１ｍ秒、Ｔ２を１０ｍ秒とし、約１×
１０のマイナス６乗［torr］の真空雰囲気下で行った。

【０１２８】このようにして形成された電子放出部５に
はパラジウム元素を主成分とする微粒子が分散配置され
た状態となり、その微粒子の平均粒径は５０オングスト
ロームであった。

【０１２９】次に、図１９（ａ）に示した電圧波形を用
いて活性化処理及び安定化処理を行った。本実施の形態
の活性化処理ははＴ１を１ｍ秒、Ｔ２を１０ｍ秒、波高
１５Ｖで、７×１０のマイナス５乗［torr］のアセトン
雰囲気中で、素子電流Ｉf、放出電流Ｉeを測定しながら
行った。安定化処理は外囲器６８全体を２００℃で１０
時間加熱しながら真空排気することで行った。

【０１３０】この後、不図示の排気管を通じ外囲器６８
内を１０のマイナス８乗［torr］程度の真空度とし、該
排気管をガスバーナで熱することで溶着し、外囲器６８
の封止を行った。最後に、封止後の真空度を維持するた
めに、高周波加熱法でゲッター処理を行った。

【０１３１】以上のように完成した本実施の形態の表示
パネル１０００を図８に示すように駆動回路に接続し
た。

【０１３２】各電子放出素子には、走査信号及び変調信
号を、容器外端子Ｄx1ないしＤxm，Ｄy1ないしＤynに対
応して接続された帯域制限フィルタＦy1ないしＦynを通
じ、信号発生手段より各々電子放出素子５４に印加する
ことにより電子放出させるとともに、高圧端子Ｈｖを通
じてメタルバック６５、透明電極（不図示）に５ｋＶ以
上の高圧を印加して電子を加速して蛍光膜６４に衝突さ
せ、その蛍光体を励起、発光させることで画像表示を行
った。その結果、長期間に亙り良好な画像が表示され
た。

【０１３３】［実施の形態３］図２０は、本実施の形態
の駆動回路１００１を用いて、例えばテレビジョン放送
をはじめとする種々の画像情報源より提供される画像情
報を表示できるように構成した画像表示装置の一例を示
すブロック図である。

【０１３４】図中、１０００は上述した表示パネルであ
る。但し、この表示パネルは図１０に示す表示パネル２
０００であってもよい。１００１は上述した帯域制限フ
ィルタ１０２を有するの駆動回路、１００２はディスプ
レイコントローラ、１００３はマチプレクサ、１００４
はデコーダ、１００５は入出力インターフェース回路、
１００６はＣＰＵ、１００７は画像生成回路、１００
８、１００９及び１０１０は画像メモリ・インターフェ
ース回路、１０１１は画像入力インターフェース回路、
１０１２及び１０１３はＴＶ信号受信回路、１０１４は
入力部である。

【０１３５】尚、本実施の形態３の画像表示装置は、例
えばテレビジョン信号のように映像情報と音声情報の両
方を含む信号を受信する場合には、当然映像の表示と同
時に音声を再生するものであるが、本実施の形態の特徴
部分と直接関係しない音声情報の受信、分離、再生、処
理、記憶などに関する回路やスピーカなどについては説
明を省略する。

【０１３６】以下、画像信号の流れに沿って各部を説明
していく。

【０１３７】まずＴＶ信号受信回路１０１３は、例えば
電波や空間光通信などのような無線伝送系を用いて伝送
されるＴＶ画像信号を受信するための回路である。ここ
で、受信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではな
く、例えば、ＮＴＳＣ方式、ＰＡＬ方式、ＳＥＣＡＭ方
式などのいずれの方式でもよい。また、これらより更に
多数の走査線よりなるＴＶ信号、例えばＭＵＳＥ方式を
始めとする、いわゆる高品位ＴＶは、大面積化や大画素
数化に適した表示パネル１０００の利点を生かすのに好
適な信号源である。

【０１３８】ＴＶ信号受信回路１０１３で受信されたＴ
Ｖ信号は、デコーダ１００４に出力される。ＴＶ信号受
信回路１０１２は、例えば同軸ケーブルや光ファイバな
どのような有線伝送系を用いて伝送されるＴＶ画像信号
を受信するための回路である。ＴＶ信号受信回路１０１
３と同様に、受信するＴＶ信号の方式は特に限られるも
のではなく、また本回路で受信されたＴＶ信号もデコー
ダ１００４に出力される。

【０１３９】画像入力インターフェース回路１０１１
は、例えばＴＶカメラや画像読み取りスキャナなどの画
像入力装置から供給される画像信号を取り込むための回
路で、取り込まれた画像信号はデコーダ１００４に出力
される。画像メモリインターフェース回路１０１０は、
ビデオテープレコーダ（以下ＶＴＲ）に記憶されている
画像信号を取り込むための回路で、取り込まれた画像信
号はデコーダ１００４に出力される。画像メモリインタ
ーフェース回路１００９は、ビデオディスクに記憶され
ている画像信号を取り込むための回路で、取り込まれた
画像信号はデコーダ１００４に出力される。画像メモリ
・インターフェース回路１００８は、いわゆる静止画デ
ィスクのように、静止画像データを記憶している装置か
ら画像信号を取り込むための回路で、取り込まれた静止
画像データはデコーダ１００４に入力される。

【０１４０】入出力インターフェース回路１００５は、
この画像表示装置と、外部のコンピュータもしくはコン
ピュータ・ネットワークもしくはプリンタなどの出力装
置とを接続するための回路である。画像データや文字・
図形情報の入出力を行うのはもちろんのこと、場合によ
っては本表示装置の備えるＣＰＵ１００６と外部との間
で制御信号や数値データの入出力などを行うことも可能
である。

【０１４１】画像生成回路１００７は、入出力インター
フェース回路１００５を介して外部から入力される画像
データや文字・図形情報や、或はＣＰＵ１００６より出
力される画像データや文字・図形情報に基づき表示用画
像データを生成するための回路である。本回路の内部に
は、例えば画像データや文字・図形情報を蓄積するため
の書き換え可能メモリや、文字コードに対応する画像パ
ターンが記憶されている読み出し専用メモリや、画像処
理を行うためのプロセッサなどをはじめとして画像の生
成に必要な回路が組み込まれている。本回路により生成
された表示用画像データは、デコーダ１００４に出力さ
れるが、場合によっては入出力インターフェース回路１
００５を介して外部のコンピュータ・ネットワークやプ
リンタに出力することも可能である。

【０１４２】ＣＰＵ１００６は、主として本実施の形態
の表示装置の動作制御や、表示画像の生成や選択や編集
に関わる作業を行う。例えば、マルチプレクサ１００３
に制御信号を出力し、表示パネル１０００に表示する画
像信号を適宜選択したり組み合わせたりする。また、そ
の際には表示する画像信号に応じて表示パネルコントロ
ーラ１００２に対して制御信号を発生し、画面表示周波
数や走査方法（例えばインターレースかノンインターレ
ースか）や一画面の走査線の数など表示装置の動作を適
宜制御する。また、画像生成回路１００７に対して画像
データや文字・図形情報を直接出力したり、或は入出力
インターフェース回路１００５を介して外部のコンピュ
ータやメモリをアクセスして画像データや文字や図形情
報を入力する。

【０１４３】尚、ＣＰＵ１００６は、むろんこれ以外の
目的の作業にも関わるものであって良い。例えば、パー
ソナルコンピュータやワードプロセッサなどのように、
情報を生成したり処理する機能に直接関わっても良い。
或は、前述したように入出力インターフェース回路１０
０５を介して外部のコンピュータ・ネットワークと接続
し、例えば数値計算などの作業を外部機器と協動して行
っても良い。

【０１４４】入力部１０１４は、ＣＰＵ１００６に使用
者が命令やプログラム、或はデータなどを入力するため
のものであり、例えばキーボードやマウスのほか、ジョ
イスティック、バーコードリーダ、音声認識装置など多
様な入力機器を用いることが可能である。デコーダ１０
０４は、画像生成回路１００７ないしＴＶ信号受信回路
１０１３などから入力される種々の画像信号を３原色信
号、または輝度信号とＩ信号、Ｑ信号に逆変換するため
の回路である。なお、同図中に点線で示すように、デコ
ーダ１００４は内部に画像メモリを備えるのが望まし
い。これは、例えばＭＵＳＥ方式をはじめとして、逆変
換するに際して画像メモリを必要とするようなテレビ信
号を扱うためである。またこのような画像メモリを備え
ることにより静止画の表示が容易になる、或は画像生成
回路１００７及びＣＰＵ１００６と協動して画像の間引
き、補間、拡大、縮小、合成をはじめとする画像処理や
編集が容易に行えるようになるという利点が得られる。

【０１４５】マルチプレクサ１００３は、ＣＰＵ１００
６より入力される制御信号に基づき表示画像を適宜選択
するものである。即ち、マルチプレクサ１００３はデコ
ーダ１００４から入力される逆変換された画像信号の中
から所望の画像信号を選択して駆動回路１００１に出力
する。その場合には、一画面表示時間内で画像信号を切
り替えて選択することにより、いわゆる多画面テレビの
ように、一画面を複数の領域に分けて領域によって異な
る画像を表示することも可能である。

【０１４６】表示パネルコントローラ１００２は、ＣＰ
Ｕ１００６より入力される制御信号に基づき駆動回路１
００１の動作を制御するための回路である。この表示パ
ネル１０００の基本的な動作に関わるものとして、例え
ば表示パネル１０００の駆動用電源（不図示）の動作シ
ーケンスを制御するための信号を駆動回路１００１に対
して出力する。この表示パネル１０００の駆動方法に関
わるものとして、例えば画面表示周波数や走査方法（例
えばインターレースかノンインターレースか）を制御す
るための信号を駆動回路１００１に対して出力する。ま
た場合によっては、表示画像の輝度やコントラストや色
調やシャープネスといった画質の調整に関わる制御信号
を駆動回路１００１に対して出力する場合もある。

【０１４７】駆動回路１００１は、表示パネル１０００
に印加する駆動信号を発生するための回路であり、マル
チプレクサ１００３から入力される画像信号と、表示パ
ネルコントローラ１００２より入力される制御信号に基
づいて動作するものであり、ここで発生する駆動信号
は、この駆動回路１００１内の帯域制限フィルタ１０２
を通じて表示パネル１０００に出力される。

【０１４８】以上、各部の機能を説明したが、図２０に
例示した構成により、本実施の形態３の表示装置におい
ては多様な画像情報源より入力される画像情報を表示パ
ネル１０００に表示することが可能である。即ち、テレ
ビジョン放送をはじめとする各種の画像信号はデコーダ
１００４におて逆変換された後、マルチプレクサ１００
３において適宜選択され、駆動回路１００１に入力され
る。一方、表示パネルコントローラ１００２は、表示す
る画像信号に応じて駆動回路１００１の動作を制御する
ための制御信号を発生する。駆動回路１００１は、上記
画像信号と制御信号に基づいて表示パネル１０００に駆
動信号を印加する。これにより、表示パネル１０００に
おいて画像が表示される。これらの一連の動作は、ＣＰ
Ｕ１００６により統括的に制御される。

【０１４９】本画像表示装置においては、デコーダ１０
０４に内蔵する画像メモリや、画像生成回路１００７及
びＣＰＵ１００６が関与することにより、単に複数の画
像情報の中から選択したものを表示するだけでなく、表
示する画像情報に対して、例えば拡大、縮小、回転、移
動、エッジ強調、間引き、補間、色変換、画像の縦横比
変換などをはじめとする画像処理や、合成、消去、接
続、入れ換え、はめ込みなどをはじめとする画像編集を
行うことも可能である。また、本実施の形態の説明では
特に触れなかったが、上記画像処理や画像編集と同様
に、音声情報に関しても処理や編集を行なうための専用
回路を設けても良い。

【０１５０】従って、この実施の形態３の表示装置は、
テレビジョン放送の表示機器、テレビ会議の端末機器、
静止画像及び動画像を扱う画像編集機器、コンピュータ
の端末機器、ワードプロセッサをはじめとする事務用端
末機器、ゲーム機などの機能を一台で兼ね備えることが
可能で、産業用或は民生用として極めて応用範囲が広
い。

【０１５１】なお、図２０は、表面伝導形放出素子を電
子源とする表示パネル１０００を用いた表示装置の構成
の一例を示したにすぎず、本発明の画像形成装置がこれ
のみに限定されるものでないことは言うまでもない。例
えば図２０の構成要素のうち、使用目的上必要のない機
能に関わる回路は省いても差し支えない。また、これと
は逆に、使用目的によっては更に構成要素を追加しても
良い。例えば、本表示装置をテレビ電話機として応用す
る場合には、テレビカメラ、音声マイク、照明機、モデ
ムを含む送受信回路などを構成要素に追加するのが好適
である。

【０１５２】本実施の形態３の画像表示装置において
は、とりわけ本実施の形態の表示パネル１０００の薄形
化が容易なため、表示装置の奥行きを小さくすることが
できる。それに加えて、大画面化が容易で輝度が高く視
野角特性にも優れるため、臨場感にあふれ迫力に富んだ
画像を視認性良く表示することが可能である。

【０１５３】また、長時間に亙り安定な電子放出特性を
維持する本発明の電子源の駆動法を用いたことにより、
長期間安定に良好な画像が表示されるカラーフラットテ
レビが、実現された。

【０１５４】尚、上述した本実施の形態では、表示パネ
ルに変調信号を印加する側の駆動回路を帯域制限フィル
タを使用した駆動回路としたが本発明はこれに限定され
るものでなく、例えば走査信号を印加する信号の供給側
の駆動回路も同様に構成してもよい。

【０１５５】以上説明したように本実施の形態の電子源
の駆動方法によれば、電子源における共振の発生を防止
でき、この共振により電子放出素子に印加される電圧が
異常に高くなるのを防止できるため、その電子源の電子
放出素子の電子放出特性を長期間に亙り安定させること
ができる。

【０１５６】また本実施の形態の画像形成装置の駆動方
法によれば、上述の理由に基づいて長期間に亙り安定し
た画像を形成できる画像形成装置を提供できる。

【０１５７】また本実施の形態の電子源の駆動装置及び
駆動方法によれば、長期間に亙り安定した特性を有しな
がら電子源を駆動することができる。

【０１５８】更に、本実施の形態の画像形成装置によれ
ば、長期間に亙り動作安定性に優れた画像を形成するこ
とができる。

【０１５９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子源の有する複数の電子放出素子の特性の変化を抑え
て、長期間に亙り安定して動作させることができるとい
う効果がある。

【０１６０】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の駆動回路を説明する図
で、（ａ）は駆動回路の構成例を示すブロック図、
（ｂ）は帯域制限フィルタの増幅率と共進周波数との関
係例を示すグラフ図である。

【図２】本実施の形態の表面伝導型放出素子の構成を示
す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。

【図３】本実施の形態の垂直型表面伝導型放出素子の構
成を示す図である。

【図４】本実施の形態の表面伝導型放出素子における放
出電流Ｉe、素子電流Ｉfと素子電圧Ｖfの関係の一例を
示すグラフ図である。

【図５】本実施の形態の表面伝導型放出素子を単純マト
リクス配置した電子源の一例を示す図である。

【図６】本実施の形態の表面伝導型放出素子を用いた表
示パネルの一部破断外観斜視図である。

【図７】本実施の形態の表示パネルの蛍光膜の配置例を
示す図である。

【図８】本実施の形態の画像表示装置の駆動回路の構成
を示すブロック図である。

【図９】本実施の形態の梯子型の電子源の構成例を示す
図である。

【図１０】図９の電子源を用いた表示パネルの一部破断
外観斜視図である。

【図１１】従来の電子源の駆動における問題点を説明す
る図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は駆動パルス信号の一
例を示す。

【図１２】従来の電子源の駆動における問題点を説明す
る図で、（ａ）は電子源の等価回路図、（ｂ）は電子源
における共振周波数を示している。

【図１３】本発明の実施の形態１における駆動回路の具
体例を示す回路図である。

【図１４】本発明の実施の形態１における駆動回路と、
従来の駆動回路による電子源の劣化の程度を比較して示
す図である。

【図１５】本実施の形態の単純マトリクス配置の電子源
の部分平面図である。

【図１６】図１５の電子源の部分断面図である。

【図１７】図１５の電子源の製造工程を説明するための
断面図である。

【図１８】図１５の電子源の製造工程を説明するための
断面図である。

【図１９】本実施の形態の表面伝導型放出素子の製造時
の通電フォーミング処理における印加電圧波形の一例を
示す図である。

【図２０】本実施の形態の多機能画像形成装置の構成を
示すブロック図である。

【図２１】従来の表面伝導型放出素子の一例を示す図で
ある。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の電子放出素子を有する電子源の駆
   動装置であって、 前記電子放出素子のそれぞれに印加する駆動信号を発生
   する駆動信号発生手段と、 前記駆動信号発生手段により発生された駆動信号から、
   前記電子源の共振周波数に略対応する信号の周波数成分
   を除去する信号成分除去手段と、 を有することを特徴とする電子源の駆動装置。
2. 【請求項２】 前記電子放出素子は表面伝導型放出素子
   であることを特徴とする請求項１に記載の電子源の駆動
   装置。
3. 【請求項３】 複数の電子放出素子を有する電子源を具
   備する画像形成装置であって、 画像信号を入力して保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された画像信号に応じた変調信号を
   発生する変調信号発生手段と、 前記変調信号発生手段よりの変調信号に含まれる所定の
   周波数帯域の信号を除去するフィルタ手段と、 前記画像信号の同期信号に同期して前記電子源の走査ラ
   インを選択する走査信号を発生する走査信号発生手段
   と、 前記走査信号発生手段からの走査信号と前記フィルタ手
   段から入力される変調信号とに基づいて駆動される前記
   電子源の電子放出素子から放出される電子により発光す
   る像形成手段と、を有することを特徴とする画像形成装
   置。
4. 【請求項４】 前記所定の周波数帯域は、前記電子源の
   共振周波数に略等しいことを特徴とする請求項３に記載
   の画像形成装置。
5. 【請求項５】 前記変調信号発生手段はパルス幅変調を
   行うことを特徴とする請求項３又は４に記載の画像形成
   装置。
6. 【請求項６】 前記変調信号発生手段は振幅変調を行う
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の画像形成装
   置。
7. 【請求項７】 前記走査信号発生手段が更に前記所定の
   周波数帯域の信号を除去するフィルタ手段を有すること
   を特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
8. 【請求項８】 前記電子放出素子は表面伝導型放出素子
   であることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項
   に記載の画像形成装置。
9. 【請求項９】 複数の電子放出素子を有する電子源の駆
   動方法であって、 前記電子放出素子のそれぞれに印加する駆動信号を発生
   する駆動信号発生工程と、 前記駆動信号発生工程で発生された駆動信号から、前記
   電子源の共振周波数に略対応する信号の周波数成分を除
   去する信号成分除去工程と、を有することを特徴とする
   電子源の駆動方法。
10. 【請求項１０】 前記電子放出素子は表面伝導型放出素
    子であることを特徴とする請求項９に記載の電子源の駆
    動方法。