JP2000077756A - 波長多重光源 - Google Patents
波長多重光源Info
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- JP2000077756A JP2000077756A JP10241914A JP24191498A JP2000077756A JP 2000077756 A JP2000077756 A JP 2000077756A JP 10241914 A JP10241914 A JP 10241914A JP 24191498 A JP24191498 A JP 24191498A JP 2000077756 A JP2000077756 A JP 2000077756A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子サイズを小さくすることができ、歩留ま
りを向上することのできる構造を有する多波長多重光源
を実現すること。 【解決手段】 １×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導
波路の分岐部にそれぞれ接続されたＮ個の半導体光アン
プと、前記Ｎ個の半導体光アンプにそれぞれ接続された
波長選択機能を備えたＮ個の導波路と、を有し、前記Ｎ
個の半導体光アンプが曲線導波路を含むことを特徴とす
る。
りを向上することのできる構造を有する多波長多重光源
を実現すること。 【解決手段】 １×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導
波路の分岐部にそれぞれ接続されたＮ個の半導体光アン
プと、前記Ｎ個の半導体光アンプにそれぞれ接続された
波長選択機能を備えたＮ個の導波路と、を有し、前記Ｎ
個の半導体光アンプが曲線導波路を含むことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長多重光源に関
し、特に、小型で歩留まり良い素子を提供することを可
能とする構造の波長多重光源の構造に関する。
し、特に、小型で歩留まり良い素子を提供することを可
能とする構造の波長多重光源の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の通信需要の増大に伴い、波長多重
伝送技術が実用化されてきた。波長多重伝送技術は一本
の光伝送路（光ファイバー）に複数の異なる波長によっ
て複数の通信信号を同時に伝送することにより、新たな
伝送路を敷設することなく伝送容量を増大させることが
できるためである。
伝送技術が実用化されてきた。波長多重伝送技術は一本
の光伝送路（光ファイバー）に複数の異なる波長によっ
て複数の通信信号を同時に伝送することにより、新たな
伝送路を敷設することなく伝送容量を増大させることが
できるためである。
【０００３】波長多重伝送技術のキーデバイスとして、
多波長光源がある。多波長光源は異なる任意の波長光源
を一つの素子から提供するものであり、多波長光源の一
つとして、複数の異なる半導体レーザを１×Ｎ（Ｎは正
の整数）合波導波路に接続させた図８に示すような多波
長光源が、M. G. YoungらからElectronics Letters,vo
l. 31, No. 21, 1995, pp. 1835-1836に報告されてい
る。
多波長光源がある。多波長光源は異なる任意の波長光源
を一つの素子から提供するものであり、多波長光源の一
つとして、複数の異なる半導体レーザを１×Ｎ（Ｎは正
の整数）合波導波路に接続させた図８に示すような多波
長光源が、M. G. YoungらからElectronics Letters,vo
l. 31, No. 21, 1995, pp. 1835-1836に報告されてい
る。
【０００４】図８に示す多波長光源は、複数の分布帰還
型半導体レーザにより構成された半導体レーザ群８０３
の各半導体レーザから出射された異なる波長のレーザ光
を曲線受動導波路８０２を介して合波器８０１に入射し
て結合するものである。
型半導体レーザにより構成された半導体レーザ群８０３
の各半導体レーザから出射された異なる波長のレーザ光
を曲線受動導波路８０２を介して合波器８０１に入射し
て結合するものである。
【０００５】合波器８０１にはスターカップラーが用い
られており、異なる波長の半導体レーザは曲線受動導波
路８０２によって合波器８０１のスターカップラーへ入
射される。半導体レーザ群８０３を構成する半導体レー
ザは、電極など素子構成上の必要から８０μｍ間隔に並
べられており、この間隔から合波器８０１のスターカッ
プラーへと接続するために上記の曲線導波路８０３が用
いられている。ここで、この曲線導波路８０３の比較的
大きな曲率半径に起因し、素子長が３．５ｍｍと大きく
なってしまうという課題があった。
られており、異なる波長の半導体レーザは曲線受動導波
路８０２によって合波器８０１のスターカップラーへ入
射される。半導体レーザ群８０３を構成する半導体レー
ザは、電極など素子構成上の必要から８０μｍ間隔に並
べられており、この間隔から合波器８０１のスターカッ
プラーへと接続するために上記の曲線導波路８０３が用
いられている。ここで、この曲線導波路８０３の比較的
大きな曲率半径に起因し、素子長が３．５ｍｍと大きく
なってしまうという課題があった。
【０００６】また、波長の異なる分布帰還型半導体レー
ザを複数個集積する必要があり、各半導体レーザのグレ
ーティングピッチを変える等、工程的にも複雑で歩留ま
り良い素子を提供できる構造ではなかった。
ザを複数個集積する必要があり、各半導体レーザのグレ
ーティングピッチを変える等、工程的にも複雑で歩留ま
り良い素子を提供できる構造ではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図８に示した多波長光
源においては、上述したようにその素子サイズが大きく
なってしまうという問題点があった。また、その構造
は、製造工程が複雑となるものであり、歩留まりが悪い
という問題点があった。
源においては、上述したようにその素子サイズが大きく
なってしまうという問題点があった。また、その構造
は、製造工程が複雑となるものであり、歩留まりが悪い
という問題点があった。
【０００８】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、素子サイズを
小さくすることができ、歩留まりを向上することのでき
る構造を有する多波長多重光源を実現することを目的と
する。
る問題点に鑑みてなされたものであって、素子サイズを
小さくすることができ、歩留まりを向上することのでき
る構造を有する多波長多重光源を実現することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の波長多重光源
は、１×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導波路の分岐
部にそれぞれ接続されたＮ個の半導体光アンプと、前記
Ｎ個の半導体光アンプにそれぞれ接続された波長選択機
能を備えたＮ個の導波路と、を有し、前記Ｎ個の半導体
光アンプが曲線導波路を含むことを特徴とする。
は、１×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導波路の分岐
部にそれぞれ接続されたＮ個の半導体光アンプと、前記
Ｎ個の半導体光アンプにそれぞれ接続された波長選択機
能を備えたＮ個の導波路と、を有し、前記Ｎ個の半導体
光アンプが曲線導波路を含むことを特徴とする。
【００１０】この場合、１×Ｎ分岐導波路が光アンプと
して動作することとしてもよい。
して動作することとしてもよい。
【００１１】また、波長選択機能を備えたＮ個の導波路
が、ファイバーグレーティングであるとしてもよい。
が、ファイバーグレーティングであるとしてもよい。
【００１２】また、波長選択機能を備えたＮ個の導波路
が、グレーティング付石英系導波路であるとしてもよ
い。
が、グレーティング付石英系導波路であるとしてもよ
い。
【００１３】さらに、波長選択機能を備えたＮ個の導波
路が、モノリシック集積されたグレーティング付導波路
であるとしてもよい。
路が、モノリシック集積されたグレーティング付導波路
であるとしてもよい。
【００１４】本発明の他の形態による波長多重光源は、
１×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導波路の分岐部に
それぞれ接続されたＮ個の半導体分布帰還型レーザと、
を有し、前記Ｎ個の半導体分布帰還型レーザが曲線導波
路を含むことを特徴とする。
１×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導波路の分岐部に
それぞれ接続されたＮ個の半導体分布帰還型レーザと、
を有し、前記Ｎ個の半導体分布帰還型レーザが曲線導波
路を含むことを特徴とする。
【００１５】上記のいずれの場合においても、１×Ｎ分
岐導波路がマルチモード干渉導波路であるとしてもよ
い。
岐導波路がマルチモード干渉導波路であるとしてもよ
い。
【００１６】「作用」上記のように構成される本発明に
おいては、曲線導波路領域が半導体光アンプ領域もしく
は半導体レーザ領域に含まれている。これらの領域にお
ける導波路構造は通常の受動導波路よりも光閉じ込めの
強く、このような導波路構造をそのまま曲線導波路に適
用できるので、曲率半径の短い曲線導波路とすることが
でき、素子サイズも短小化する。
おいては、曲線導波路領域が半導体光アンプ領域もしく
は半導体レーザ領域に含まれている。これらの領域にお
ける導波路構造は通常の受動導波路よりも光閉じ込めの
強く、このような導波路構造をそのまま曲線導波路に適
用できるので、曲率半径の短い曲線導波路とすることが
でき、素子サイズも短小化する。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１８】図１は本発明による第１の実施例としての
４波長多重光源の概略構造を示す斜視図である。
４波長多重光源の概略構造を示す斜視図である。
【００１９】本実施例は、出射導波路４０１と、１×４
型のＭＭＩ（Multi-Mode interference：マルチモード
干渉）構造の分岐導波路４０２と、曲線導波路を含む半
導体光アンプ４０４1〜４０４4から構成されており、半
導体光アンプ４０４1〜４０４4の端部には反射光の中心
波長λ1〜λ4が互いに異なるファイバーグレーティング
４０７1〜４０７4が接続されている。このように、本実
施例においては半導体光アンプ４０４1〜４０４4とファ
イバーグレーティング４０７1〜４０７4とが組み合わさ
れることにより共振器構造が形成されてレーザ光が発生
するものとなっている。
型のＭＭＩ（Multi-Mode interference：マルチモード
干渉）構造の分岐導波路４０２と、曲線導波路を含む半
導体光アンプ４０４1〜４０４4から構成されており、半
導体光アンプ４０４1〜４０４4の端部には反射光の中心
波長λ1〜λ4が互いに異なるファイバーグレーティング
４０７1〜４０７4が接続されている。このように、本実
施例においては半導体光アンプ４０４1〜４０４4とファ
イバーグレーティング４０７1〜４０７4とが組み合わさ
れることにより共振器構造が形成されてレーザ光が発生
するものとなっている。
【００２０】本実施例は、出射導波路４０１に対応する
出射導波路領域４１１、分岐導波路４０２に対応する分
岐導波路領域４１２、半導体光アンプ４０４1〜４０４4
に対応する半導体光アンプ領域４１４に分けられ、その
素子サイズは、出射導波路領域４１１の長さが５０μｍ
程度、分岐導波路領域４１２の長さが２３０μｍ程度、
曲率半径３００μｍの曲線導波路を含む半導体光アンプ
領域４１４の長さが５００μｍ程度、各半導体光アンプ
４０４1〜４０４4の間隔が２５０μｍ、全長０．８ｍｍ
程度である。
出射導波路領域４１１、分岐導波路４０２に対応する分
岐導波路領域４１２、半導体光アンプ４０４1〜４０４4
に対応する半導体光アンプ領域４１４に分けられ、その
素子サイズは、出射導波路領域４１１の長さが５０μｍ
程度、分岐導波路領域４１２の長さが２３０μｍ程度、
曲率半径３００μｍの曲線導波路を含む半導体光アンプ
領域４１４の長さが５００μｍ程度、各半導体光アンプ
４０４1〜４０４4の間隔が２５０μｍ、全長０．８ｍｍ
程度である。
【００２１】本実施例は全領域が能動領域とされてお
り、出射導波路領域４１１と分岐導波路領域４１２は光
アンプ領域として同一の電極（不図示）によって駆動さ
れる。また、各半導体光アンプ４０４1〜４０４4はそれ
ぞれ異なる電極（不図示）を用いて駆動されて波長選択
動作が行われる。
り、出射導波路領域４１１と分岐導波路領域４１２は光
アンプ領域として同一の電極（不図示）によって駆動さ
れる。また、各半導体光アンプ４０４1〜４０４4はそれ
ぞれ異なる電極（不図示）を用いて駆動されて波長選択
動作が行われる。
【００２２】図２（ａ）〜（ｅ）のそれぞれは、本実施
例の製造方法を説明するための図であり、以下、図２を
参照しながら本実施例による半導体レーザの製造方法を
説明する。
例の製造方法を説明するための図であり、以下、図２を
参照しながら本実施例による半導体レーザの製造方法を
説明する。
【００２３】まず、図２（ａ）に示すように、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板２２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２３、１．５５
μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層２５をＭＯＶＰＥ法を用いて積層する。各層の層
厚は、ｎ−ＩｎＰバッファ層２３が２００ｎｍ程度、
１．５５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４が１００
ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５が２００ｎｍ程度
である。
Ｐ基板２２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２３、１．５５
μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４、ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層２５をＭＯＶＰＥ法を用いて積層する。各層の層
厚は、ｎ−ＩｎＰバッファ層２３が２００ｎｍ程度、
１．５５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４が１００
ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５が２００ｎｍ程度
である。
【００２４】次に、熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ2薄膜を形
成した後、フォトリソグラフィ法を用いて図２（ｂ）に
示すようにエッチング用マスク３１を形成する。
成した後、フォトリソグラフィ法を用いて図２（ｂ）に
示すようにエッチング用マスク３１を形成する。
【００２５】その後、反応性イオンエッチング法（ＲＩ
Ｅ法）を用いて、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５と、１．５
５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４と、ｎ−ＩｎＰ
バッファ層２３と、ｎ−ＩｎＰ基板２２の一部を、図２
（ｃ）に示すように除去する。
Ｅ法）を用いて、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５と、１．５
５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４と、ｎ−ＩｎＰ
バッファ層２３と、ｎ−ＩｎＰ基板２２の一部を、図２
（ｃ）に示すように除去する。
【００２６】次に図２（ｄ）に示すようにＭＯＶＰＥ法
を用いてｐ−ＩｎＰ電流ブロック層３２、およびｎ−Ｉ
ｎＰ電流ブロック層３３を形成する。その後、エッチン
グ用マスク３１をＢＨＦ（バッファードふっ酸）によっ
て除去し、図２（ｅ）に示すようにｐ−ＩｎＰクラッド
層３５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層３６を形成す
る。各層の厚さは、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５は２μｍ
程度、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層は２００ｎｍ程度
である。
を用いてｐ−ＩｎＰ電流ブロック層３２、およびｎ−Ｉ
ｎＰ電流ブロック層３３を形成する。その後、エッチン
グ用マスク３１をＢＨＦ（バッファードふっ酸）によっ
て除去し、図２（ｅ）に示すようにｐ−ＩｎＰクラッド
層３５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層３６を形成す
る。各層の厚さは、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５は２μｍ
程度、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層は２００ｎｍ程度
である。
【００２７】この後、裏面に研磨を施し、裏面電極およ
び表面電極をスパッタリング法により形成し、素子へき
開後の光アンプ４０４側端面に無反射（ＡＲ）コーティ
ングを施した後、図１に示した互いに中心波長の異なる
ファイバーグレーティング４０７1〜４０７4を各出射端
に接続し、素子の製作を終了する。
び表面電極をスパッタリング法により形成し、素子へき
開後の光アンプ４０４側端面に無反射（ＡＲ）コーティ
ングを施した後、図１に示した互いに中心波長の異なる
ファイバーグレーティング４０７1〜４０７4を各出射端
に接続し、素子の製作を終了する。
【００２８】以上が、本発明による波長多重光源の製造
方法の一例である。以下には上記のように構成される波
長多重光源が、小型で実現できる原理について説明す
る。
方法の一例である。以下には上記のように構成される波
長多重光源が、小型で実現できる原理について説明す
る。
【００２９】本実施例による波長多重光源は、図１に示
すようにマルチチャンネルのファイバーグレーティング
４０７1〜４０７4に接続するために、チャンネル間隔を
広げるための曲線導波路領域が光アンプ領域に含まれて
いる。このため、通常の受動導波路よりも光閉じ込めの
強い光アンプの導波路構造がそのまま曲線導波路に適用
できる。
すようにマルチチャンネルのファイバーグレーティング
４０７1〜４０７4に接続するために、チャンネル間隔を
広げるための曲線導波路領域が光アンプ領域に含まれて
いる。このため、通常の受動導波路よりも光閉じ込めの
強い光アンプの導波路構造がそのまま曲線導波路に適用
できる。
【００３０】図３は、上記の光アンプ導波路構造による
曲率半径と放射損失との関係をマーカットリィ法によっ
て計算した一例である。図３から、曲率半径を１００μ
ｍ以下としても、放射損失が殆ど生じないことが判る。
従って、極めて小さな曲率半径にて素子を設計できるた
め、極めて小型な波長多重光源が実現される。
曲率半径と放射損失との関係をマーカットリィ法によっ
て計算した一例である。図３から、曲率半径を１００μ
ｍ以下としても、放射損失が殆ど生じないことが判る。
従って、極めて小さな曲率半径にて素子を設計できるた
め、極めて小型な波長多重光源が実現される。
【００３１】また、分岐導波路も光アンプとして動作さ
せることが可能な構造であるため、小型でありながらも
高い光出力を得ることができる。さらに、各発振波長は
外部グレーティングであるファイバーグレーティングに
よって制御されるため、各光アンプの組成を厳密に制御
することなく、異なる波長光を容易に発振させることが
可能となる。
せることが可能な構造であるため、小型でありながらも
高い光出力を得ることができる。さらに、各発振波長は
外部グレーティングであるファイバーグレーティングに
よって制御されるため、各光アンプの組成を厳密に制御
することなく、異なる波長光を容易に発振させることが
可能となる。
【００３２】なお、本実施例では外部に設ける波長選択
機能を有する導波路としてファイバーグレーティングを
用いたが、波長選択機能があればこれに限定されるもの
ではない。例えばグレーティングが設けられた石英導波
路であってもよいし、モノリシックにグレーティングが
設けられた導波路が集積されていても本発明は適用可能
である。
機能を有する導波路としてファイバーグレーティングを
用いたが、波長選択機能があればこれに限定されるもの
ではない。例えばグレーティングが設けられた石英導波
路であってもよいし、モノリシックにグレーティングが
設けられた導波路が集積されていても本発明は適用可能
である。
【００３３】また、本実施例では全ての光アンプを同一
の波長組成で実現しているが、もちろん同一である必要
はなく、発振波長に合わせて異なる波長組成領域を同時
に形成してもよい。
の波長組成で実現しているが、もちろん同一である必要
はなく、発振波長に合わせて異なる波長組成領域を同時
に形成してもよい。
【００３４】また、分岐導波路としてＭＭＩ構造のもの
を用いたが、通常のスターカップラー構造のものであっ
ても本発明は適用可能である。
を用いたが、通常のスターカップラー構造のものであっ
ても本発明は適用可能である。
【００３５】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図４は、本発明の第２の実施例としての４波長多
重光源の概略構造を示す斜視図である。
する。図４は、本発明の第２の実施例としての４波長多
重光源の概略構造を示す斜視図である。
【００３６】本実施例は、出射導波路５０１と、１×４
型のＭＭＩ構造の分岐導波路５０２と、曲線導波路を含
む半導体光アンプ５０４1〜５０４4から構成されてお
り、半導体光アンプ５０４1〜５０４4の端部には導波光
の中心波長λ1〜λ4が互いに異なるファイバーグレーテ
ィング５０７1〜５０７4が接続されている。
型のＭＭＩ構造の分岐導波路５０２と、曲線導波路を含
む半導体光アンプ５０４1〜５０４4から構成されてお
り、半導体光アンプ５０４1〜５０４4の端部には導波光
の中心波長λ1〜λ4が互いに異なるファイバーグレーテ
ィング５０７1〜５０７4が接続されている。
【００３７】本実施例は、出射導波路５０１に対応する
出射導波路領域５１１、分岐導波路５０２に対応する分
岐導波路領域５１２、半導体光アンプ５０４1〜５０４4
に対応する半導体光アンプ領域５１４に分けられ、その
素子サイズは、出射導波路領域５１１の長さが５０μｍ
程度、分岐導波路領域５１２の長さが２３０μｍ程度、
曲率半径３００μｍの曲線導波路を含む半導体光アンプ
領域５１４の長さが５００μｍ程度、半導体光アンプ５
０４1〜５０４4の間隔は２５０μｍ程度、全長０．８ｍ
ｍ程度である。
出射導波路領域５１１、分岐導波路５０２に対応する分
岐導波路領域５１２、半導体光アンプ５０４1〜５０４4
に対応する半導体光アンプ領域５１４に分けられ、その
素子サイズは、出射導波路領域５１１の長さが５０μｍ
程度、分岐導波路領域５１２の長さが２３０μｍ程度、
曲率半径３００μｍの曲線導波路を含む半導体光アンプ
領域５１４の長さが５００μｍ程度、半導体光アンプ５
０４1〜５０４4の間隔は２５０μｍ程度、全長０．８ｍ
ｍ程度である。
【００３８】図５（ａ）〜（ｃ）のそれぞれは、本実施
例の製造方法を説明するための図であり、以下、図５を
参照しながら本実施例による半導体レーザの製造方法を
説明する。
例の製造方法を説明するための図であり、以下、図５を
参照しながら本実施例による半導体レーザの製造方法を
説明する。
【００３９】ｎ−ＩｎＰ基板２２２上に通常の熱ＣＶＤ
法によりＳｉＯ2薄膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィ法を用いて、図５（ａ）にあるようにＳｉＯ2マスク
２３１を形成する。
法によりＳｉＯ2薄膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィ法を用いて、図５（ａ）にあるようにＳｉＯ2マスク
２３１を形成する。
【００４０】この後、図５（ｂ）に示すように、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板２２２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２３、Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層２２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
２５をバンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて積
層する。
ｎＰ基板２２２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２３、Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層２２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
２５をバンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて積
層する。
【００４１】各層の層厚は、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２
３が２００ｎｍ程度、ＩｎＧａＡｓＰガイド層２２４が
１００ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２５が２００
ｎｍ程度である。ここで、ＳｉＯ2マスク２３１のマス
ク幅を各領域に応じて変えることによりＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層２２４のバンドギャップエネルギーを制御し、
曲線導波路を含む半導体光アンプゲート領域５１４は能
動導波路領域（波長組成１．５５μｍ程度）、出射導波
路領域５１１および分岐導波路領域５１２は受動導波路
領域（波長組成は１．４μｍ程度）としている。
３が２００ｎｍ程度、ＩｎＧａＡｓＰガイド層２２４が
１００ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２５が２００
ｎｍ程度である。ここで、ＳｉＯ2マスク２３１のマス
ク幅を各領域に応じて変えることによりＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層２２４のバンドギャップエネルギーを制御し、
曲線導波路を含む半導体光アンプゲート領域５１４は能
動導波路領域（波長組成１．５５μｍ程度）、出射導波
路領域５１１および分岐導波路領域５１２は受動導波路
領域（波長組成は１．４μｍ程度）としている。
【００４２】次に、前述のＳｉＯ2マスク２３１のマス
ク開口幅を広げた後、図５（ｃ）に示すようにｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２３５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層２
３６を形成する。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２３５の層厚は
２μｍ程度、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層２３６の層
厚は２００ｎｍ程度である。
ク開口幅を広げた後、図５（ｃ）に示すようにｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２３５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層２
３６を形成する。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２３５の層厚は
２μｍ程度、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層２３６の層
厚は２００ｎｍ程度である。
【００４３】この後、裏面に研磨を施し、裏面電極およ
び表面電極をスパッタリング法を用いて形成し、素子へ
き開後の半導体光アンプ５０４側端面に無反射（ＡＲ）
コーティングを施した後、図４に示すように互いに中心
波長の異なるファイバーグレーティング５０７1〜５０
７4を各出射端に接続し、素子の製作を終わる。
び表面電極をスパッタリング法を用いて形成し、素子へ
き開後の半導体光アンプ５０４側端面に無反射（ＡＲ）
コーティングを施した後、図４に示すように互いに中心
波長の異なるファイバーグレーティング５０７1〜５０
７4を各出射端に接続し、素子の製作を終わる。
【００４４】以上が、本発明による第２の実施例とその
製造方法である。本実施例の構成は第１の実施例とほぼ
同様であるが、第１の実施例との構成の違いは、半導体
光アンプ領域５１４のみを能動領域としている点であ
る。本実施例においては、半導体光アンプ領域５１４の
みに電流注入すれば良いので、低電流での動作が可能と
なっている。
製造方法である。本実施例の構成は第１の実施例とほぼ
同様であるが、第１の実施例との構成の違いは、半導体
光アンプ領域５１４のみを能動領域としている点であ
る。本実施例においては、半導体光アンプ領域５１４の
みに電流注入すれば良いので、低電流での動作が可能と
なっている。
【００４５】また、第１の実施例と同様に分岐導波路を
用い、かつ、曲線導波路領域が半導体光アンプ領域５１
４に含まれる構成を採用していることから、極めて小型
な波長多重光源が実現される。
用い、かつ、曲線導波路領域が半導体光アンプ領域５１
４に含まれる構成を採用していることから、極めて小型
な波長多重光源が実現される。
【００４６】なお、本実施例では外部に設ける波長選択
機能を有する導波路としてファイバーグレーティングを
用いたが、波長選択機能があればこれに限定されるもの
ではない。例えばグレーティングが設けられた石英導波
路であってもよいし、モノリシックにグレーティングが
設けられた導波路が集積されていても本発明は適用可能
である。
機能を有する導波路としてファイバーグレーティングを
用いたが、波長選択機能があればこれに限定されるもの
ではない。例えばグレーティングが設けられた石英導波
路であってもよいし、モノリシックにグレーティングが
設けられた導波路が集積されていても本発明は適用可能
である。
【００４７】また、本実施例では全ての光アンプを同一
の波長組成で実現しているが、もちろん同一である必要
はなく、発振波長に合わせて異なる波長組成領域を同時
に形成してもよい。
の波長組成で実現しているが、もちろん同一である必要
はなく、発振波長に合わせて異なる波長組成領域を同時
に形成してもよい。
【００４８】また、分岐導波路としてＭＭＩ構造のもの
を用いたが、通常のスターカップラー構造のものであっ
ても本発明は適用可能である。
を用いたが、通常のスターカップラー構造のものであっ
ても本発明は適用可能である。
【００４９】また、本実施例の製造方法は、バンドギャ
ップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて能動導波路領域と受
動導波路領域とを一括形成しているが、この製造方法に
限定されるわけではなく、たとえば通常の結晶成長工程
とエッチング工程とを繰り返して形成してもよい。
ップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて能動導波路領域と受
動導波路領域とを一括形成しているが、この製造方法に
限定されるわけではなく、たとえば通常の結晶成長工程
とエッチング工程とを繰り返して形成してもよい。
【００５０】また、本実施例の半導体光アンプ領域にお
ける波長組成は１．５５μｍ帯としたが、これに限定さ
れるわけではなく、例えば１．３μｍ帯であっても本発
明は適用可能である。
ける波長組成は１．５５μｍ帯としたが、これに限定さ
れるわけではなく、例えば１．３μｍ帯であっても本発
明は適用可能である。
【００５１】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。図６は、本発明の第３の実施例としての４波長多
重光源の概略構造を示す斜視図である。
する。図６は、本発明の第３の実施例としての４波長多
重光源の概略構造を示す斜視図である。
【００５２】本実施例は、出射導波路６０１と、１×４
型のＭＭＩ構造の分岐導波路６０２と、曲線導波路を含
む分布帰還型の半導体レーザ６０４1〜６０４4から構成
されている。
型のＭＭＩ構造の分岐導波路６０２と、曲線導波路を含
む分布帰還型の半導体レーザ６０４1〜６０４4から構成
されている。
【００５３】本実施例は、出射導波路６０１に対応する
出射導波路領域６１１、分岐導波路６０２に対応する分
岐導波路領域６１２、半導体レーザ６０４1〜６０４4に
対応する半導体レーザ領域６１４に分けられ、その素子
サイズは、出射導波路領域６１１の長さが５０μｍ程
度、分岐導波路領域６１２の長さが２３０μｍ程度、曲
率半径３００μｍの曲線導波路を含む半導体レーザ領域
６１４の長さが５００μｍ程度、半導体レーザの間隔は
２５０μｍ程度、全長０．８ｍｍ程度である。
出射導波路領域６１１、分岐導波路６０２に対応する分
岐導波路領域６１２、半導体レーザ６０４1〜６０４4に
対応する半導体レーザ領域６１４に分けられ、その素子
サイズは、出射導波路領域６１１の長さが５０μｍ程
度、分岐導波路領域６１２の長さが２３０μｍ程度、曲
率半径３００μｍの曲線導波路を含む半導体レーザ領域
６１４の長さが５００μｍ程度、半導体レーザの間隔は
２５０μｍ程度、全長０．８ｍｍ程度である。
【００５４】図７（ａ）〜（ｄ）のそれぞれは、本実施
例の製造方法を説明するための図であり、以下、図７を
参照しながら本実施例による半導体レーザの製造方法を
説明する。
例の製造方法を説明するための図であり、以下、図７を
参照しながら本実施例による半導体レーザの製造方法を
説明する。
【００５５】ｎ−ＩｎＰ基板７２２上に予め１．１５μ
ｍ組成ＩｎＧａＡｓＰグレーティング層７１１を全面に
０．１μｍ成長させた後、図７（ａ）に示すように、各
レーザ波長に対応するグレーティング７１０をＥＢ露光
法とウェットエッチング法を用いて形成する。この後、
通常の熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ2薄膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィ法を用いて、図５（ｂ）に示すように
ＳｉＯ2マスク７３１を形成する。
ｍ組成ＩｎＧａＡｓＰグレーティング層７１１を全面に
０．１μｍ成長させた後、図７（ａ）に示すように、各
レーザ波長に対応するグレーティング７１０をＥＢ露光
法とウェットエッチング法を用いて形成する。この後、
通常の熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ2薄膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィ法を用いて、図５（ｂ）に示すように
ＳｉＯ2マスク７３１を形成する。
【００５６】続いて、図５（ｃ）に示すように、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板７２２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層７２３、Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層７２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層７
２５をバンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて積
層する。各層の層厚は、ｎ−ＩｎＰバッファ層７２３が
２００ｎｍ程度、ＩｎＧａＡｓＰガイド層７２４が１０
０ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層７２５が２００ｎｍ
程度である。ここで、ＳｉＯ2マスク７３１のマスク幅
を各領域に応じて変えることによりＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層７２４のバンドギャップエネルギーを制御し、曲線
導波路を含む半導体レーザ領域６１４は能動導波路領域
（波長組成１．５５μｍ程度）とし、出射導波路領域６
１１および分岐導波路領域６１２は受動導波路領域（波
長組成１．４μｍ程度）としている。
ｎＰ基板７２２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層７２３、Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層７２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層７
２５をバンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて積
層する。各層の層厚は、ｎ−ＩｎＰバッファ層７２３が
２００ｎｍ程度、ＩｎＧａＡｓＰガイド層７２４が１０
０ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層７２５が２００ｎｍ
程度である。ここで、ＳｉＯ2マスク７３１のマスク幅
を各領域に応じて変えることによりＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層７２４のバンドギャップエネルギーを制御し、曲線
導波路を含む半導体レーザ領域６１４は能動導波路領域
（波長組成１．５５μｍ程度）とし、出射導波路領域６
１１および分岐導波路領域６１２は受動導波路領域（波
長組成１．４μｍ程度）としている。
【００５７】次に、前述のＳｉＯ2マスク７３１のマス
ク開口幅を広げた後、図５（ｄ）に示すようにｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層７３５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層７
３６を形成する。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層７３５の層厚は
２μｍ程度、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層７３６の層
厚は２００ｎｍ程度である。
ク開口幅を広げた後、図５（ｄ）に示すようにｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層７３５、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層７
３６を形成する。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層７３５の層厚は
２μｍ程度、ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層７３６の層
厚は２００ｎｍ程度である。
【００５８】この後、裏面に研磨を施し、裏面電極およ
び表面電極をスパッタリング法を用いて形成し、素子へ
き開後の半導体分布帰還型レーザ６０４側端面に全反射
（ＨＲ）コーティングをを、また、出射導波路６０１側
端面に無反射（ＡＲ）コーティングを、それぞれ施す。
び表面電極をスパッタリング法を用いて形成し、素子へ
き開後の半導体分布帰還型レーザ６０４側端面に全反射
（ＨＲ）コーティングをを、また、出射導波路６０１側
端面に無反射（ＡＲ）コーティングを、それぞれ施す。
【００５９】以上が、本発明による第３の実施例として
４波長多重光源の製造方法である。本実施例の構成は第
１および第２の実施例とほぼ同様であるが、第１および
第２の実施例との構成の違いは、半導体光アンプ領域の
代わりに、分布帰還型の半導体レーザ６０４1〜６０４4
を集積している点である。このような構成としたことに
より、外部波長選択機能素子が不要となるので、製造工
程はやや複雑となるが、デバイス構成としては簡略化さ
れたものとなっている。また、第１の実施例と同様に１
×Ｎ分岐導波路を用い、かつ、第１および第２の実施例
における半導体光アンプ領域４１４，５１４に相当する
半導体レーザ領域６１４に曲線導波路領域が含まれる構
成が採用されていることから、極めて小型な波長多重半
導体レーザが実現されている。また、本実施例の製造方
法は、バンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて能
動導波路領域と受動導波路領域とを一括形成している
が、この製造方法に限定されるわけではなく、たとえば
通常の結晶成長工程とエッチング工程とを繰り返して形
成してもよい。
４波長多重光源の製造方法である。本実施例の構成は第
１および第２の実施例とほぼ同様であるが、第１および
第２の実施例との構成の違いは、半導体光アンプ領域の
代わりに、分布帰還型の半導体レーザ６０４1〜６０４4
を集積している点である。このような構成としたことに
より、外部波長選択機能素子が不要となるので、製造工
程はやや複雑となるが、デバイス構成としては簡略化さ
れたものとなっている。また、第１の実施例と同様に１
×Ｎ分岐導波路を用い、かつ、第１および第２の実施例
における半導体光アンプ領域４１４，５１４に相当する
半導体レーザ領域６１４に曲線導波路領域が含まれる構
成が採用されていることから、極めて小型な波長多重半
導体レーザが実現されている。また、本実施例の製造方
法は、バンドギャップ制御選択ＭＯＶＰＥ法を用いて能
動導波路領域と受動導波路領域とを一括形成している
が、この製造方法に限定されるわけではなく、たとえば
通常の結晶成長工程とエッチング工程とを繰り返して形
成してもよい。
【００６０】また、本実施例の半導体レーザはその波長
組成が１．５５μｍ帯のものとしたが、これに限定され
るわけではなく、例えば１．３μｍ帯であっても本発明
は適用可能である。
組成が１．５５μｍ帯のものとしたが、これに限定され
るわけではなく、例えば１．３μｍ帯であっても本発明
は適用可能である。
【００６１】また、分岐導波路としてＭＭＩ構造のもの
を用いたが、通常のスターカップラー構造のものであっ
ても本発明は適用可能である。
を用いたが、通常のスターカップラー構造のものであっ
ても本発明は適用可能である。
【００６２】
【発明の効果】本発明による波長多重光源は、半導体光
アンプ領域が曲線導波路を含む構成とすることから曲線
導波路の曲率半径を小さくすることが出来、極めて小型
な波長多重半導体レーザとすることができる効果があ
る。
アンプ領域が曲線導波路を含む構成とすることから曲線
導波路の曲率半径を小さくすることが出来、極めて小型
な波長多重半導体レーザとすることができる効果があ
る。
【００６３】また、本発明による波長多重光源は小型で
ある上に、構造が比較的単純で、再現性良く素子を製造
することができることから、歩留まり良く製造すること
ができる効果がある。
ある上に、構造が比較的単純で、再現性良く素子を製造
することができることから、歩留まり良く製造すること
ができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の概略構成を示す斜視図
である。
である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）のそれぞれは、本発明の第１の
実施例の製造工程を段階的に示す図である。
実施例の製造工程を段階的に示す図である。
【図３】本発明の第１の実施例による曲線導波路の曲率
半径と放射損失との関係をマーカットリィ法によって計
算した結果を示す図である。
半径と放射損失との関係をマーカットリィ法によって計
算した結果を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施例の概略構成を示す斜視図
である。
である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）のそれぞれは、本発明の第２の
実施例の製造工程を段階的に示す図である。
実施例の製造工程を段階的に示す図である。
【図６】本発明の第３の実施例の概略構成を示す斜視図
である。
である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）のそれぞれは、本発明の第２の
実施例の製造工程を段階的に示す図である。
実施例の製造工程を段階的に示す図である。
【図８】従来例の構成を示す図である。
４０１ 出射導波路 ４０２ １×４−ＭＭＩ分岐導波路 ４０４ 曲線導波路を含む半導体光アンプゲート ４０７ ファイバーグレーティング ４１１ 出射導波路領域 ４１２ １×４−ＭＭＩ分岐導波路領域 ４１４ 曲線導波路を含む半導体光アンプ領域 ５０１ 出射導波路 ５０２ １×４−ＭＭＩ分岐導波路 ５０４ 曲線導波路を含む半導体光アンプ ５０７ ファイバーグレーティング ５１１ 出射導波路領域 ５１２ １×４−ＭＭＩ分岐導波路領域 ５１４ 曲線導波路を含む半導体光アンプゲート領域 ２２ ＩｎＰ基板 ２３ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ２４ １．５５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ２５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３１ エッチングマスク ３２ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 ３３ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 ３５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３６ ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層 ２２２ ＩｎＰ基板 ２２３ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ２２４ １．５５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ２２５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２３１ ＳｉＯ2マスク ２３５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２３６ ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層 ６０１ 出射導波路 ６０２ １×４−ＭＭＩ分岐導波路 ６０４ 曲線導波路を含む半導体半導体分布帰還型レ
ーザ ６１１ 出射導波路領域 ６１２ １×４−ＭＭＩ分岐導波路領域 ６１４ 曲線導波路を含む半導体分布帰還型レーザ領
域 ７１０ グレーティング ７１１ グレーティング層 ７２２ ＩｎＰ基板 ７２３ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ７２４ １．５５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ７２５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７３１ ＳｉＯ2マスク ７３５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７３６ ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層
ーザ ６１１ 出射導波路領域 ６１２ １×４−ＭＭＩ分岐導波路領域 ６１４ 曲線導波路を含む半導体分布帰還型レーザ領
域 ７１０ グレーティング ７１１ グレーティング層 ７２２ ＩｎＰ基板 ７２３ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ７２４ １．５５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ７２５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７３１ ＳｉＯ2マスク ７３５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７３６ ｐ+−ＩｎＧａＡｓキャップ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/28 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｗ 10/02 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA24 CA01 DA16 2H047 KA03 KA12 LA12 LA16 MA05 PA06 PA21 PA24 QA02 QA07 TA02 TA42 5F072 AB13 AK07 JJ01 JJ12 KK30 RR01 YY17 5F073 AA26 AA45 AB06 AB28 CA12 CB02 DA04 EA04 5K002 AA01 BA02 BA04 BA07 BA13 CA05 CA13 DA02 FA01
Claims (7)
- 【請求項１】 １×Ｎ分岐導波路と、 前記１×Ｎ分岐導波路の分岐部にそれぞれ接続されたＮ
個の半導体光アンプと、 前記Ｎ個の半導体光アンプにそれぞれ接続された波長選
択機能を備えたＮ個の導波路と、を有し、前記Ｎ個の半
導体光アンプが曲線導波路を含むことを特徴とする波長
多重光源。 - 【請求項２】 請求項１記載の波長多重光源において、 １×Ｎ分岐導波路が光アンプとして動作することを特徴
とする波長多重光源。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の波長多重
光源において、 波長選択機能を備えたＮ個の導波路が、ファイバーグレ
ーティングであることを特徴とする波長多重光源。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２記載の波長多重
光源において、 波長選択機能を備えたＮ個の導波路が、グレーティング
付石英系導波路であることを特徴とする波長多重光源。 - 【請求項５】 請求項１または請求項２記載の波長多重
光源において、 波長選択機能を備えたＮ個の導波路が、モノリシック集
積されたグレーティング付導波路であることを特徴とす
る波長多重光源。 - 【請求項６】 １×Ｎ分岐導波路と、 前記１×Ｎ分岐導波路の分岐部にそれぞれ接続されたＮ
個の半導体分布帰還型レーザと、 を有し、前記Ｎ個の半導体分布帰還型レーザが曲線導波
路を含むことを特徴とする波長多重光源。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
の波長多重光源において、 １×Ｎ分岐導波路がマルチモード干渉導波路であること
を特徴とする波長多重光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24191498A JP3529275B2 (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 波長多重光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24191498A JP3529275B2 (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 波長多重光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077756A true JP2000077756A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3529275B2 JP3529275B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=17081435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24191498A Expired - Fee Related JP3529275B2 (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 波長多重光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529275B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002319731A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光回路及びその作製方法 |
| WO2006103767A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | モード制御導波路型レーザ装置 |
| JP2008203837A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長多重光源および波長多重光源システム |
| EP2437087A1 (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-04 | Alcatel Lucent | A tunable optical filter, an optical device integrating such filter and a method of filtering an optical signal |
-
1998
- 1998-08-27 JP JP24191498A patent/JP3529275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002319731A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光回路及びその作製方法 |
| JP4762434B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-08-31 | 古河電気工業株式会社 | 光回路の作製方法 |
| WO2006103767A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | モード制御導波路型レーザ装置 |
| CN100463310C (zh) * | 2005-03-30 | 2009-02-18 | 三菱电机株式会社 | 模式控制波导型激光装置 |
| US7839908B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-11-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Mode control waveguide laser device |
| JP2008203837A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長多重光源および波長多重光源システム |
| US7463797B2 (en) | 2007-01-23 | 2008-12-09 | Panasonic Corporation | Wavelength multiplexed light source and wavelength multiplexed light source system |
| EP2437087A1 (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-04 | Alcatel Lucent | A tunable optical filter, an optical device integrating such filter and a method of filtering an optical signal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3529275B2 (ja) | 2004-05-24 |
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