JP2000077495A - 検査システム及びそれを用いた電子デバイスの製造方法 - Google Patents

検査システム及びそれを用いた電子デバイスの製造方法

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JP2000077495A
JP2000077495A JP10249303A JP24930398A JP2000077495A JP 2000077495 A JP2000077495 A JP 2000077495A JP 10249303 A JP10249303 A JP 10249303A JP 24930398 A JP24930398 A JP 24930398A JP 2000077495 A JP2000077495 A JP 2000077495A
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JP10249303A
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Natsuyo Morioka
なつよ 森岡
Hisafumi Iwata
尚史 岩田
Jiyunko Konishi
潤子 小西
Yoko Ikeda
洋子 池田
Kazunori Nemoto
和典 根本
Makoto Ono
眞 小野
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、ウエハ毎の検査来歴を使いや
すい形に整理し、参照可能とすることで、解析対象ウエ
ハや検査対象ウエハの選択を容易にして、解析準備作業
時間の短縮および有効な検査データを取得することにあ
る。 【解決手段】本発明は、電子デバイスの製造ラインにお
いて解析システムに蓄えられた検査データをあらかじめウエ
ハ毎の被検査工程、検査日時、検査種別、クラスタの有
無、取得画像の有無および該ワークの歩留まりといった
検査来歴を有する検査来歴リストに纏めることにより、
ウエハの検査来歴情報を参照可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイスなど
の製造ラインに適用される検査システムおよびその検査
システムを用いた製造方法に係り、特に検査対象ウエハ
の選択や解析対象ウエハの絞り込みを容易にして効果的
な検査データ取得やデータ解析速度向上を可能とする電
子デバイスなどの検査システム及びその検査システムを
用いた製造方法に関する技術である。
【0002】
【従来の技術】半導体を代表とする電子デバイスは、基
板となるウエハに対して露光、現像、エッチング等の複
数の処理工程を繰り返すことにより形成されている。一
方、この複数の処理工程の内の所定の処理工程において
処理されたウエハは、必要に応じて異物検査装置や外観
検査装置等により検査され、ウエハに付着した異物や外
観不良の位置、大きさ、個数、種類、等の情報が収集さ
れている。以後、異物検査装置の検出対象である異物
と、外観検査装置の検出対象である外観不良とを総称し
て欠陥と呼ぶ。
【0003】これらの検査結果は、月刊Semiconductor
World 1996.8の88、99、102ページに記載されるよう
に、検査装置からネットワークを介して解析ユニットに
送られ、必要に応じて欠陥総数のトレンドや、各工程の
検出欠陥数を発生工程毎に分けて表示した縦積み棒グラ
フ(スタックチャート)や、電気特性の検査結果を用い
た欠陥数と歩留まりとの相関図などのさまざまな解析画
面を出力できるように構成されていた。
【0004】解析者は、これらの解析画面などを用いて
製造ラインにおいて欠陥数が所定の基準値を超えていな
いか、欠陥が異常発生した工程はないか、検査ウエハ上
の欠陥の分布に特異性はないか等を解析し、異常の原因
究明を行い、異常のある工程や製造装置を特定して対策
して歩留まり向上を図っていた。
【0005】なお、従来の解析対象の特定は、解析者の
主観のみで行われており、解析対象とすべきウエハやロ
ットを特定し、もしくは解析対象とすべき工程間(例え
ば、B工程からF工程)を特定し、その特定された解析
対象について前述のような解析を行うように構成されて
いた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
デバイスなどの電子デバイスの検査は、電気特性検査
(最終検査)については全ウエハを対象として行われる
が、異物検査装置や外観検査装置を用いた欠陥検査につ
いては製造ラインのスループットからして全工程におけ
る全ウエハを対象として行われることはなく、検査が必
要と考えられる所望の工程において、しかもその工程で
処理されたウエハの中から所望のウエハを抜き取って検
査するのが一般的であった。
【0007】そのため、単に解析対象となるウエハや工
程を解析者の主観のみで特定して前述の解析画面を出力
させようとしても、解析したい工程において検査されて
いないウエハが特定されていると、欠陥総数のトレンド
やスタックチャートなどの解析画面が生成できないこと
となってしまう。
【0008】また、特定したウエハに特異な欠陥、例え
ば密集欠陥(クラスタ)などの製造装置に起因する欠陥
が多く含まれていると、その検査結果を用いた解析はや
はり特異なウエハを解析したこととなり、その製造ライ
ンの実力を解析した結果として取り扱うことはできな
い。
【0009】例えば製造工程で発生した欠陥の歩留まり
への影響を解析したい場合には、各工程で発生した欠陥
と完成したウエハ上のチッフ゜の良・不良(電気特性)の相
関を取る必要があるが、この場合には解析対象ウエハと
して、比較的多数の工程で欠陥検査を行ったウエハであ
って、解析の誤差要因となり得る密集欠陥(クラスタ)
を含まず、しかも欠陥との相関が取れる比較的歩留まり
の良いウエハを選択する必要がある。また、例えば不良
原因となる欠陥の発生工程特定のためには、詳細な電気
検査結果(例えばメモリフェイルヒ゛ットマッフ゜データ)と製造工程
の欠陥検査結果を照合することが極めて有効であるが、
ウエハ完成後に実施する詳細な電気特性検査工程におい
ては、どのウエハが製造工程で一貫して検査されたかを
識別して選択する必要がある。
【0010】しかし、従来の解析システムでは、解析者
の主観のみで解析対象を特定していたので、多くの場合
において目的とする解析に適したウエハを選択できるま
で解析対象を選択し直さなければならなかった。例えば
密集欠陥(クラスタ)のないウエハを選択できるまで解
析対象を選択しなければならなかった。そのため、解析
時間は長期化し、解析結果の製造工程へのフィードバッ
クを遅らせると言った問題があった。また、その解析結
果も目的とする解析に適したウエハを選択できたかは十
分には判断できなかった。
【0011】今後ウエハ径が300φと大口径化した場
合、データ量は増加し、解析準備作業時間・検査時間は
さらに長くなり、フィードバック作業の遅滞は製造ライ
ンの歩留まり向上に大きな影響を及ぼすことが予想され
る。
【0012】本発明の目的は、解析対象ウエハや検査対
象ウエハの選択を容易にして、解析時間の短縮および効
果的な検査データ取得を可能とすることにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、電子デバイスとなるワークを複数の検査
工程において検査する検査装置と、該検査装置が検査し
て得た検査結果を記憶する記憶手段と、該記憶手段が記
憶する検査結果を用いてワーク毎の検査来歴情報を出力
する出力手段とを有する解析システムとを備えたもので
ある。
【0014】また、前記検査来歴情報は、前記ワークが
前記複数の検査工程のうちのいずれの検査工程で検査さ
れたかを示す情報であるものである。
【0015】また、電子デバイスとなるワークを複数の
検査工程において検査する検査装置と、該検査装置が検
査して得た検査結果を該ワークを検査した検査工程の識
別情報と対応づけて記憶する記憶手段と、該記憶手段が
記憶する検査結果とワークを検査した検査工程の識別情
報とを用いて該ワークが該複数の検査工程のうちのいず
れの検査工程で検査されたかを示す検査来歴情報を出力
する出力手段とを有する解析システムとを備えたもので
ある。
【0016】また、前記検査来歴情報は前記ワークが検
査されていない検査工程を示す情報を含むものである。
【0017】また、前記検査来歴情報は、前記ワークが
検査された検査工程の検査結果に密集欠陥が含まれるか
否かを示す情報を含むものである。
【0018】また、前記解析システムは、前記ワークを
検査して得た各欠陥の位置情報を用いて所定の距離範囲
に所定個数の欠陥が存在すると判断した欠陥を前記密集
欠陥とするものである。
【0019】また、前記検査システムは前記ワークの画
像を取得する画像取得装置をさらに備え、前記検査来歴
情報は、前記ワークが検査された検査工程において前記
画像取得装置がワークの画像を取得したか否か示す情報
を含むものである。
【0020】また、前記検査装置は、異物検査装置もし
くは欠陥検査装置であるものである。
【0021】また、電子デバイスとなるワークを複数の
検査工程において検査して得た検査結果を記憶する記憶
手段と、該記憶手段が記憶する検査結果を用いてワーク
毎の検査来歴情報を出力する出力手段とを備えるもので
ある。
【0022】また、前記検査来歴情報は、前記ワークが
前記複数の検査工程のうちのいずれの検査工程で検査さ
れたかを示す情報であるものである。
【0023】また、電子デバイスとなるワークを複数の
検査工程において検査して得た検査結果を該ワークを検
査した検査工程の識別情報と対応づけて記憶する記憶手
段と、該記憶手段が記憶する検査結果とワークを検査し
た検査工程の識別情報とを用いて該ワークが該複数の検
査工程のうちのいずれの検査工程で検査されたかを示す
検査来歴情報を出力する出力手段とを備えるものであ
る。
【0024】また、前記検査来歴情報は前記ワークが検
査されていない検査工程を示す情報を含むものである。
【0025】また、前記検査来歴情報は、前記ワークが
検査された検査工程の検査結果に密集欠陥が含まれるか
否かを示す情報を含むものである。
【0026】また、前記密集欠陥は、前記ワークを検査
して得た各欠陥の位置情報を用いて所定の距離範囲に所
定個数の欠陥が存在すると判断した欠陥であるものであ
る。
【0027】また、前記解析システムをクライアント・
サーバシステムにより構成するものである。
【0028】また、電子デバイスとなるワークを処理す
る製造装置と、該製造装置の処理したワークを複数の検
査工程において検査する検査装置と、該検査装置が検査
して得た検査結果を記憶する記憶手段と該記憶手段が記
憶する検査結果を用いてワーク毎の検査来歴情報を出力
する出力手段とを有する解析システムとを用い、該検査
来歴情報に基づいて該製造装置の配置さた製造ラインを
管理してワークを処理するものである。
【0029】また、前記検査来歴情報は、前記ワークが
前記複数の検査工程のうちのいずれの検査工程で検査さ
れたかを示す情報であるものである。
【0030】このようにウエハの検査実施工程を検査来
歴情報として出力することで、これまで解析者が把握す
ることができなかったウエハの検査実施状況が総覧さ
れ、所望の解析に適したウエハの選択が容易となる。す
なわち、ウエハの検査実施状況を総覧することで、解析
の目的に適したウエハを容易に選択することが可能とな
り、解析時間の短縮および効果的な検査データ取得が可
能となる。
【0031】また、クラスタなどの特異的な事項を含む
検査結果のみの解析や、特異的な事項を含まない検査結
果のみの解析ができるように構成したので、これによっ
ても解析の目的に適した検査結果に基づいた解析を行う
ことができ、その解析精度を向上させることができる。
【0032】例えば、検査来歴情報を用いて解析対象か
ら除く検査工程を指定することができるので、解析対象
ウエハの検査実施工程をウエハ間で揃えることが容易と
なり、各検査工程で発生した欠陥(正味欠陥)数の算出
条件を揃えて解析精度を向上させることができ、高信頼
な解析結果を提供することができる。
【0033】また、例えば、全検査工程を通じて密集欠
陥が無いワークを絞り込み、工程毎の欠陥検出数の平均
値を欠陥出現工程で分けた縦積み棒グラフ(工程トレー
ス)で表示することができるので、製造装置に起因した
異常である密集欠陥(クラスタ)のある検査結果を取り
除いた検査結果で解析でき、プロセスに起因した異常を
より正確に解析することが可能となる。
【0034】同様に、全検査工程を通じて密集欠陥が無
いワークを絞り込み、着目した工程で発生した正味欠陥
数の指定した期間における推移を表示することができる
ので、これによっても製造装置に起因した異常である密
集欠陥(クラスタ)のある検査結果を取り除いたもので
解析でき、より正確にプロセス起因の異常を検出するこ
とが可能となる。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。
【0036】図1は、本発明の検査システムの全体構成
を示した図である。
【0037】図において、101はウエハを処理する製
造工程、102はその製造途中のウエハを検査する異物
検査や外観検査等の検査工程、103は検査工程で検出
された欠陥を観察し画像取得する観察工程、104は完
成した電子テ゛ハ゛イスの良・不良を判定する電気検査工程で
ある。各検査工程102はウエハの検査結果である欠陥
座標データ105を出力し、観察工程103は欠陥画像
データ106を、また電気検査工程104は電気検査結
果107を出力する。
【0038】解析ユニット112は欠陥座標データ10
5、欠陥画像データ106、電気検査結果107を収集
し、検査来歴リスト作成処理108によって検査来歴リ
スト109を、欠陥来歴リスト作成処理110によって
欠陥来歴リスト111を生成する。検査来歴リスト10
9とはウエハ毎の検査実施状況をまとめたものであり、
ウエハ識別子と検査工程名、検査時間、検査種別、およ
び検査結果に特徴的な事柄、例えば密集欠陥の有無、取
得画像の有無、歩留まりの項目からなる。欠陥来歴リス
ト111とはウエハ毎の欠陥検出状況をまとめたもので
あり、欠陥座標およびその属性、例えば検出工程、欠陥
座標近傍に存在する欠陥個数、欠陥大きさ、欠陥種類、
欠陥の密集性を判定した結果であるクラスタ情報、取得
画像のインデックス情報の項目からなる。検査来歴リス
ト109、欠陥来歴リスト111の詳細については後述
する。
【0039】解析装置113は解析ユニット112に対
し、例えば解析対象の品種情報を元に検査来歴リスト1
09を検索し取得する。次に検査来歴リスト109を参
照して決定した解析対象ウエハの識別情報、例えば品種
・ロット・ウエハ番号を元に欠陥来歴リスト111を検
索・取得する。次に解析装置113は欠陥来歴リスト1
11を参照し、所望の解析処理計算および結果の表示を
行う。
【0040】検査来歴表示端末114は解析ユニット1
12に対し、例えば検査対象の品種情報を元に検査来歴
リスト109を検索・取得し、これを参照して検査来歴
を表示する。検査工程102で用いられる検査装置、観
察工程103で用いられる画像取得装置、電気検査工程
104で用いられる電気検査措置、解析ユニット11
2,解析装置113、検査来歴表示端末114はネット
ワークで接続されている。
【0041】次に、図1に示す検査システムの動作につ
いて説明する。
【0042】まず、製造工程101では、ウエハに対
し、成膜、露光、エッチング等の複数の処理工程を経
て、所望の電気回路を形成する。
【0043】一方、製造工程101の途中段階において
所望の処理工程で処理されたウエハは、検査工程へ送ら
れ、異物検査装置や外観検査装置を用いてウエハ上に付
着した異物や外観不良等の欠陥が検査される。図25は
異物検査装置や外観検査装置などが検査した欠陥検査結
果の一例であり、品種名やロット番号やウエハ番号など
の検査対象を識別する識別情報と、検査対象となったウ
エハが処理された処理工程に関する情報と、検出した欠
陥の座標に関する情報とを含むものである。また、図2
5のように、検査を実施した時間に関する情報や、欠陥
の大きさに関する情報等が含まれていてもよい。また、
図示はしていないが、異物検査と外観検査との検査結果
を区別するための情報が付加されている。
【0044】また、さらに必要に応じて、ウエハは観察
工程103へ送られ、レビューステーション、SEMな
どの観察装置を用いてウエハの欠陥の画像が取得され
る。図26は観察装置などが観察した観察結果の一例で
あり、品種名やロット番号やウエハ番号などの観察対象
を識別する識別情報と、観察対象となったウエハが処理
された処理工程に関する情報と、観察結果である画像情
報とが含まれるものである。また、図26のように、観
察を実施した時間に関する情報や、観察したウエハ上の
座標に関する情報等が含まれていてもよい。
【0045】また、製造工程101における全ての処理
を終え、完成したウエハは電気検査工程104へ送ら
れ、プローブ検査装置などを用いてウエハ上の電気テ゛ハ゛
イスの良・不良(チップ単位)が判定される。図27はプ
ローブ検査装置などが検査した電気特性検査結果の一例
であり、品種名やロット番号やウエハ番号などの検査対
象を識別する識別情報と、検査対象となったウエハが処
理された処理工程に関する情報と、検査対象となったチ
ップのウエハ上の位置情報と、検査対象となったチップ
の判定結果とが含まれるものである。
【0046】このように検査された図25〜27の検査
結果や観察結果は、欠陥検査装置や観察装置やプローブ
検査装置から検査もしくは観察が終了するたびに、もし
くは所定の時間ごとに定期的に解析ユニット112へ送
られる。
【0047】次に、これらの検査結果や観察結果を受信
した解析ユニット112は、品種名やロット番号やウエ
ハ番号など識別情報をキーとして、図5に示すような検
査来歴リスト109を生成する。すなわち、品種名やロ
ット番号やウエハ番号など識別情報(501〜503)
ごとに、欠陥検査が実施された工程名505と、その工
程で取得した画像(観察結果)の有無509、電気検査
の実施の有無511を対応づけたデータを生成する。な
お、図5では、その他の情報として、歩留まり510、
該当するウエハが検査された回数を示す検査工程数50
4、異物検査や外観検査を区別するための検査種別情報
506、欠陥検査結果に密集欠陥(クラスタ)が有るか
否かを示すクラスタ情報507、欠陥検査を実施した時
間を示す検査時間情報508も品種名やロット番号やウ
エハ番号など識別情報(501〜503)ごとに対応づ
けているが、これらの情報は解析の目的に応じて必要な
情報だけを記憶するように構成すればよい。例えば、欠
陥検査が実施された工程を表示するだけならば、品種名
やロット番号やウエハ番号など識別情報(501〜50
3)ごとに、欠陥検査が実施された工程名505だけを
対応づけたデータを生成するだけで良いことは言うまで
もない。
【0048】このように、検査来歴リスト109とはウ
エハ毎の検査実施状況とその結果をまとめたものであ
り、例えばウエハの識別情報に対して、工程名、検査時
間、検査種別、検査結果に特徴的な事柄(例えば密集欠
陥の有無、取得画像の有無)が検査工程数分繰り返され
る。なお、図5においては、検査実施内容および検査結
果に特徴的な事柄として上記5項目を挙げたが、例えば
電気検査に対しては特定の電気特性値を検査結果に特徴
的な事柄として持たせても差し支えない。
【0049】さて、解析ユニット112では、欠陥検査
結果を受信すると、検査工程数504をカウントすると
ともに、欠陥検査装置から送られてくる前述の図25の
検査結果に基づいて、工程名505、検査種別506、
検査時間507およびクラスタ有無情報508を記述す
る。クラスタ有無情報508としては、例えばクラスタ
有りの場合は1、無しの場合は0のフラグをたてる。ま
た、検査種別としては、例えば異物検査を0で、欠陥検
査を1で記述する。欠陥検査データには画像情報を含ま
ないので画像有無情報509は画像無しフラグ、例えば
0を記載する。そして、順次ウエハが欠陥検査工程を経
る度に検査工程数504を1つずつ増やし、検査実施状
況とその結果を記載する。
【0050】ここで、密集欠陥(クラスタ)の判定は次
の様な方法で実現できる。まずウエハ上を2次元の矩形
で領域に分割し、検出した欠陥座標を用いて欠陥の存在
する矩形を1、欠陥の存在しない矩形を0と画像に置き
換える。次にこの画像を膨張させ連結性を判断した後、
つながった領域上の欠陥数がしきい値を越えたものを密
集性が高い(クラスタ有り)と判断し、図5においてフ
ラグ「1」をたてるように構成すればよい。その他、ク
ラスタ欠陥を判断する手法は多数あるが、いずれの手法
を用いるものであってもよい。例えば、欠陥座標を用い
て欠陥間の距離を算出し、所定の距離内にあるものをク
ラスタ欠陥として判断するようにしてもよい。
【0051】また、解析ユニット112では、観察検査
結果を受信すると、観察装置から送られてくる前述の図
26の観察結果に基づいて、該当するウエハの識別情報
の該当する工程名にある画像有無フラグ509を例えば
画像有りの場合に1に更新する。このとき観察工程は欠
陥検査工程で検出された欠陥に対して欠陥の観察を行う
ものであり、検査工程数としてはカウントしないように
構成する。
【0052】また、解析ユニット112では、電気検査
結果を受信すると、検査工程数504を1つ増加させる
とともに、プローブ検査装置から送られてくる前述の図
27の検査結果に基づいて歩留まり計算結果510を記
載する。そして、欠陥検査結果の処理と同様に、検査工
程名、検査時間、検査種別、および検査結果に特徴的な
事柄、例えば密集欠陥の有無、取得画像の有無を記載す
る。電気検査に対する検査種別は例えば2とする。な
お、歩留まり計算については、電気検査結果から対象ウ
エハに含まれる不良チップ数を算出し、その算出した不
良チップ数を全チップ数で除算するように構成すればよ
い。
【0053】このような欠陥検査結果、観察結果、電気
検査結果を受信した場合の解析ユニット112の処理を
それぞれ図2、図3、図4に示す。
【0054】図からも分かるように、欠陥検査結果を受
信した解析ユニット112は、被検査ウエハの識別情報
を読み込み(ステップ201)、すでに作成された被検
査ウエハの検査来歴を有する検査来歴リスト202を抽
出する(ステップ203)。ここで検査来歴リストと
は、前述の図5に示したものである。そして、抽出した
検査来歴リストの該当する項目に受信した欠陥検査結果
を書き込み、検査来歴リストの更新処理を行う(ステッ
プ205)。また一方で、欠陥検査結果に含まれる欠陥
座標データを用いて前述のクラスタ欠陥の判定処理を行
い(ステップ204)、その判定結果を抽出した検査来
歴リストに書き込み、検査来歴リストの更新処理を行う
(ステップ205)。更新処理内容は検査工程数の更新
および検査工程名、検査種別、クラスタ有無情報、検査
時間、画像有無の追加である。
【0055】同様に、電気検査結果107を受信した解
析ユニットは、被検査ウエハの識別情報を読み込み(ス
テップ301)、すでに作成された被検査ウエハの検査
来歴を有する検査来歴リスト302を抽出する(ステッ
プ303)。ここでも検査来歴リストとは、前述の図5
に示したものである。そして、抽出した検査来歴リスト
の該当する項目に受信した電気検査結果を書き込み、検
査来歴リストの更新処理を行う(ステップ305)。こ
こで検査種別とは異物検査と欠陥検査の識別子を指す。
また一方で、電気検査結果を用いて歩留まり計算処理を
行い(ステップ304)、その計算結果を抽出した検査
来歴リストに書き込み、検査来歴リストの更新処理を行
う(ステップ305)。更新処理内容は検査工程数の更
新および検査工程名、検査種別、クラスタ無し情報、検
査時間、画像無し情報、歩留まりの追加である。ここで
検査種別とは電気検査の識別子を指す。
【0056】また、同様に、観察結果(欠陥画像データ
106)を受信した解析ユニットは被検査ウエハの識別
情報を読み込み(ステップ401)、すでに作成された
被検査ウエハの検査来歴を有する検査来歴リスト402
を抽出する(ステップ403)。ここでも検査来歴リス
トとは、前述の図5に示したものである。そして、抽出
した検査来歴リストの該当する項目に受信した観察結果
を書き込み、検査来歴リストの更新処理を行う(ステッ
プ404)。更新処理内容は該当する検査工程名の画像
有り情報の更新である。
【0057】なお、ここで検査来歴リスト202、30
2、402は同一のファイルである。また、検査来歴リ
ストを更新するタイミングとしては、各種検査結果を受
信するたびに更新するように構成しても、所定の時間に
定期的に更新するように構成してもよい。
【0058】以上のように解析ユニット112は、検査
来歴リストとして各種検査結果を検査対象毎に記憶する
ように構成される。
【0059】次に検査来歴リストを用いた表示例につい
て説明する。これは、解析対象ウエハや検査対象ウエハ
の選択を容易にして、解析時間の短縮および効果的な検
査データ取得を可能とするための表示であり、ウエハの
検査履歴を明瞭に表示した表示例である。
【0060】図6は検査来歴リストの情報を用いて生成
した表示例(解析ウエハ選択画面)である。予め指定さ
れた品種601に対して解析可能なロットおよびウエハ
番号602とその検査実施状況が総覧されている。検査
実施状況とは検査未実施603(黒点印)、クラスタな
し604(一重丸印)、クラスタあり605(黒丸
印)、画像あり606(網掛け)、電気検査実施607
(二重丸印)および歩留まり608である。
【0061】図6に示す解析ウエハ選択画面は、図5の
ような検査来歴リストを用いることで容易に生成するこ
とができる。例えば、工程表示エリア617に製造ライ
ンのうちで検査すべき工程を全てかつ時系列に表示でき
るように構成し、また解析対象表示エリア618にウエ
ハなどの識別情報を列挙できるように構成する。そし
て、検査来歴リストには検査したウエハの識別情報とそ
の検査工程などの情報が記述されているので、解析対象
表示エリア618に検査来歴リストに含まれるウエハ番
号などの識別番号を抽出して表示するように構成すると
ともに、識別情報に該当する検査来歴リストに記述され
た情報(ウエハが検査された工程、検査されない工程、
クラスタの有無などの特徴的な検査結果)を任意の記号
を用いて表示するように構成すれば良い。
【0062】この解析ウエハ選択画面における最大の特
徴は、検査対象となるウエハがどの工程で検査されたか
が分かるように検査工程順に検査履歴として表示した点
と、その検査結果の特徴的な事項(クラスタの有無、画
像の有無、電気検査の有無)を表示した点と、特徴的な
事項をキーとした検索とその検索結果による解析画面の
出力を可能とした点にある。
【0063】これにより、これまで解析者が把握するこ
とができなかったウエハの検査実施状況が総覧され、所
望の解析に適したウエハの選択が容易となるとともに、
クラスタなどの特異的な事項を含む検査結果のみの解析
や、特異的な事項を含まない検査結果のみの解析ができ
るので、解析の目的に適した検査結果に基づいた解析を
行うことができ、その解析精度を向上させることができ
る。すなわち、解析の目的に適したウエハを容易に選択
できるようにして、解析時間の短縮および効果的な検査
データ取得を可能としている。
【0064】次に、図6に示す解析対象選択画面を用い
て解析対象ウエハを解析内容に応じて絞り込むための様
々な検索方法について示す。
【0065】まず、図6に示す解析対象画面では、ロッ
ト番号608やウエハ番号609を指定することによる
該当するロット番号608やウエハ番号609のみを検
索する機能、指定した期間に指定された工程を検査され
たウエハのみを検索する機能、全工程を通じてクラスタ
が発生しなかったウエハのみを検索する機能、画像を取
得したウエハのみの検索する機能、該当する数値内の歩
留まりのウエハのみを検索する機能、指定された工程を
検査したウエハのみを検索する機能を備えている。いず
れの検索機能も入力された検索条件に基づいて検査来歴
リストにおいて該当する検査結果を抽出するように構成
すれば実現することができることは言うまでもない。ま
た、上記のロット番号608、ウエハ番号609、工程
名611および検査日時612、クラスタ有無613、
画像有無614、歩留まり615、検査必須工程616
の検索キーの中で、複数のキーを用いて検索できること
も言うまでもない。
【0066】ここで、各種の解析画面を生成する場合に
使用する欠陥来歴リストについて説明する。欠陥来歴リ
ストは、これまで説明してきた検査来歴リストとは別に
ウエハ単位の検査結果そのものを記憶したものであり、
各種の解析画面を生成する上で効率的なデータ処理を実
現することができる。従って、効率的な解析を必要とし
ないのであれば、欠陥来歴リストを必ずしも使用する必
要はない。
【0067】図9は、欠陥来歴リスト111の構成であ
る。欠陥来歴リスト111は、各種検査データをウエハ
単位に纏めたものであり、製造工程で1枚のウエハ上に
発生した欠陥座標およびその属性、例えば検出工程、欠
陥座標近傍に存在する欠陥個数、欠陥大きさ、欠陥種
類、クラスタ情報、取得画像のインデックス情報をまと
めたものである。従って1ウエハに対して1つの欠陥来
歴リストが生成される。
【0068】まず先頭部分にはウエハ識別情報(901
〜903)、欠陥来歴リスト作成処理パラメータ904
および検査工程名905が記載される。ウエハ識別情報
は図9では品種名901とロット番号902とウエハ番
号903である。欠陥来歴リスト作成処理パラメータ9
04は密集性判定処理および発生工程識別処理のパラメ
ータである。検査工程905は該ウエハが検査された工
程が検査された順に記載される。図9では3工程であ
る。検査日時912に各工程が検査された時間が記され
る。
【0069】次に該ウエハ上で1工程目から3工程目ま
でに新規に検出されたすべての欠陥座標906が左側に
記載されている。この場合、まず1工程目で検出された
欠陥座標はその結果を記述するだけであるが、2工程目
以降では1工程目で検出された欠陥座標と一致しないと
判定された欠陥座標だけを順に記述するようにしてい
る。ここで一致とは完全同一ではなく所定の許容範囲内
にあるか否かを意味する。
【0070】そして、その各々の座標に対して工程別に
いくつの欠陥が存在したかが工程別欠陥数907に記さ
れる。左から右へ1、2、3工程の検出欠陥数となって
いる。検出欠陥数2となっているものは、欠陥座標90
6を中心とする所定半径内にある欠陥の数が2つである
ことを示す。図においては、1工程目で検出された後に
2工程目以降検出されないものや、継続して検出される
もの、また2工程目で無くなった後に3工程目で再び出
現する欠陥もある。この場合は、単に各工程で検出した
欠陥数を該当する欠陥座標に対応させて記述している。
【0071】そして、工程別欠陥数907をさらにわか
り易く示したのが欠陥出現工程908の表示である。左
から右へ1、2、3工程において検出された欠陥の欠陥
出現工程が示される。例えば3工程目で検出された欠陥
のうち、0で示された座標の欠陥は1工程目で初めて検
出されたものであり、1、2、で示されたものはそれぞ
れ、2工程目、3工程目で検出されたものである。25
5は該当する座標の近傍に欠陥が検出されなかった事を
示す。この場合、該当する欠陥が初めて検出された工程
を識別し、その工程に対応した情報、例えば「0」
「1」「2」を用い、以後の工程で着目した座標近傍に
欠陥が出現した場合にはその情報で記述するようにして
いる。
【0072】欠陥サイズ909は左から右に1、2、3
工程において検出された欠陥の大きさを表示する。本実
施例では欠陥の大きさを例えば1、2、3で示し、数字
が大きいほど大きな欠陥であることを示している。これ
は欠陥の実際の大きさであっても差し支えない。
【0073】欠陥種類910は欠陥の分類結果を示す。
あらかじめ定められたカテゴリに従って分類された結果
であり、本実施例は1から9の欠陥分類番号で示されて
いる。
【0074】クラスタ911表示は欠陥座標の密集性を
判定した結果を示す。各クラスタ欠陥毎に異なる識別番
号を付け、その値を欠陥座標毎に記載した。
【0075】画像インデックス912は工程毎に取得し
た欠陥画像のインデックスを示す。数字が横に並んでい
るものは、工程を追って画像を取得した欠陥であること
を示す。本実施例では欠陥サイズの大きなものが選択さ
れ画像が取得されている。
【0076】以上述べてきたように、欠陥来歴リスト1
11はウエハ毎の欠陥座標と欠陥座標の属性である検出
工程、検出欠陥数、欠陥サイズ、欠陥種類、クラスタ情
報、画像取得インデックス情報を有し、この一つのリス
トでウエハ上の欠陥に関するすべての来歴情報が参照可
能なように記述されている。
【0077】例えば欠陥座標906と工程別欠陥数90
7を参照すれば、検査工程順に欠陥マッフ゜の一覧表示が可
能である。表示例を図10に示す。同様に欠陥座標と欠
陥出現工程908を参照し、各工程で新規に発生した欠
陥(正味欠陥)の座標のみを描画すれば、各工程の正味
欠陥マッフ゜が表示可能である。クラスタ情報911を参照
し、各工程毎のクラスタ発生状況を表示することも可能
である。このように欠陥来歴リストには1ウエハ上の欠
陥に関するすべての情報が含まれているので、総覧性に
優れている。
【0078】また欠陥出現工程908を参照し、各工程
毎の検出欠陥数を欠陥出現工程で分けた縦積み棒グラフ
(スタックチャート)で表示すれば、各工程に起因する
欠陥の発生状況や後の工程における検出状況が一目でき
る(図11)。このようなグラフは工程トレース処理により
得られる。工程トレース処理とは、検査データの中からその
工程で初めて出現した欠陥(正味欠陥)を弁別する処理
である。検査データと前工程までの各工程の正味欠陥と
を順次座標比較し、前工程までの正味欠陥座標の、比較
半径と呼ばれる予め定められた距離内に検出されなかっ
た欠陥を当該工程の正味欠陥として認識することから、
トレース(追跡)処理と呼ばれる。欠陥来歴リストではあら
かじめ各工程で検出された欠陥の欠陥出現工程が弁別さ
れており、工程トレース処理結果を得る事は極めて容易
である。
【0079】このように欠陥来歴リストを用いれば、1
リストの参照で1ウエハに関する全ての欠陥来歴情報が
参照でき、解析時のデータ検索および計算作業が外段取
り化され、解析準備時間が大幅に短縮される効果があ
る。すなわち、従来は解析端末からの解析指示を契機と
して、それぞれの解析に必要となる検査結果を検索して
解析を実施していた。例えば、工程トレースなどは、該
当するウエハの各工程での検査結果を抽出して、所望の
解析処理をしていたため、例えば一週間分のテ゛ータの解析
指示をしてから丸一日の解析時間が必要であったが、本
実施例のように解析指示が来る前、すなわち解析ユニッ
トへ検査結果が送られるたびに解析に必要となる処理を
実施し(解析時のデータ検索および計算作業の外段取り
化)、かつその処理結果を図9のように記憶させておく
ようにしたので、従来の解析時間を大幅に短縮(工程ト
レースの場合、24時間→10分)することができた。
【0080】なお、解析ユニット112における欠陥来
歴リスト作成処理110は図7、図8の通りである。
【0081】欠陥座標データ105を受信した解析ユニ
ット112は被検査ウエハの識別情報を読み込み(ステ
ップ701)、すでに作成された図9に示す被検査ウエ
ハの欠陥来歴リスト702を、ウエハ識別情報を用いて
抽出する(ステップ703)。そして、この欠陥来歴リ
スト702の更新処理を行う(ステップ705)。すな
わち、図25に示す欠陥検査結果を用いて欠陥来歴リス
トの更新処理を行う。また図25に示す欠陥検査結果を
用いて密集性判定処理を行い(ステップ704)、その
判定結果を用いて欠陥来歴リストの更新処理を行う(ス
テップ705)。更新処理内容は新規検出座標の追加、
および新規検出座標の属性、例えば検出工程識別子、検
出欠陥数、欠陥サイズ、欠陥種類、クラスタ識別情報、
画像インデックス無しフラグ、の追加、および既検出欠
陥座標に対して付け加えられるべき属性、例えば検出工
程識別子、検出欠陥数、欠陥サイズ、欠陥種類、クラス
タ識別情報、画像インデックス無しフラグ、の追加であ
る。
【0082】同様に、欠陥画像データ106を受信した
解析ユニット112は被検査ウエハの識別情報を読み込
み(ステップ801)、すでに作成された図9に示す被
検査ウエハの検査来歴リスト802を抽出する(ステッ
プ803)。そして、この欠陥来歴リスト802の更新
処理を行う(ステップ604)。すなわち、図26に示
す観察結果を用いて欠陥来歴リストの更新処理を行う。
更新処理内容は、欠陥画像データを取得した欠陥座標に
最も近い座標の、欠陥画像取得工程に対応する画像取得
インデックスの更新である。
【0083】なお、欠陥来歴リストは、検査来歴リスト
同様に、図25、26に示す欠陥検査結果、観察結果を
用いて生成されるものである。また、欠陥来歴リスト7
02と欠陥来歴リスト802はウエハ毎に同一のもので
ある。
【0084】さて、前述の検査来歴リストと欠陥来歴リ
ストを用いた解析処理の一例を以下に説明する。図12
は、その場合の解析装置113の処理フローである。
【0085】解析装置113は解析ユニット112に対
し、まず検査来歴リスト取得キーを送信し(ステップ12
01)、検査来歴リストを取得する(ステップ120
2)。次に解析対象の検査来歴を表示し(ステップ12
03)、その表示した検査履歴を用いて解析対象ウエハ
を絞り込んだ(ステップ1204)後、解析対象を選択
する(ステップ1205)。選択した解析対象ウエハの
識別子を再び解析ユニットに対し送信し(ステップ12
06)、該当する欠陥来歴リストを取得する(ステップ
1207)。欠陥来歴リストを参照し解析の目的に応じ
た計算処理を行い(ステップ1208)、結果を表示す
る(ステップ1209)。
【0086】図13は図6に示した解析対象ウエハ一覧
からクラスタなしウエハを検索した結果である。非表示
工程として工程4、15、23、24を選択し、全て選
択ホ゛タン801を押すと、表示されたすべてのウエハが解
析対象ウエハとして選択される。
【0087】これらの解析対象ウエハについて該当する
欠陥来歴リストを参照し、各ウエハのスタックチャートを平均し
て得られた結果を図14に示した。予め工程4、工程1
5、工程23、工程24を解析ウエハ選択画面で非表示
工程として選択してあるため、これらの工程はスタックチャート
では表示されない。非表示工程の選択には以下に述べる
効果がある。工程23、24の検査を行ったウエハと行
わなかったウエハとでは、工程25の正味欠陥数に差を
生ずる。すなわち工程23、24で検査を行わなかった
ウエハについては、本来工程23、24で検出されて各
々の工程の正味欠陥として識別されるべき欠陥が工程2
5の正味欠陥として数えられてしまうためである。この
ようにウエハ毎の検査実施工程が異なるために生じる工
程トレース処理計算条件の違いは、多数のウエハの工程トレース
結果の平均値を取る際に大きな誤差要因となる。従って
非表示工程として予め選択された工程については、検査
を行わなかったものと仮定して、非表示工程の後の工程
で非表示工程に起因すると弁別された欠陥数はその工程
の正味欠陥数に加算する処理を行い、解析精度を向上す
る。またクラスタ有りウエハを解析対象から除外してい
るため、ウエハハント゛リンク゛時の作業ミスや装置の搬送ミス
といった原因がある程度明らかであって、しかも欠陥数
を大幅に増やすような特殊なウエハについては解析対象
外となる。これにより精度の高い工程トレース結果が得ら
れ、各工程の発塵状況、すなわち正味欠陥数の正確な把
握が可能となった。
【0088】図15は1999年4月27日から8月2
日に工程21を検査されたウエハについて、全工程を通
じてクラスタが発生しなかったものを検索した結果であ
る。解析対象ウエハについて欠陥来歴リストを参照し、
工程21の正味欠陥推移を一週間単位で算出・表示した
結果を図16に示す。欠陥来歴リストには各工程の検査
日時および正味欠陥が予め算出されて記載されており、
図16を得る事は非常に容易である。クラスタの発生し
たウエハは解析対象外としているため、ウエハハント゛リンク゛
時の作業ミスや装置の搬送ミスといった原因がある程度
明らかであって、しかも欠陥数を大幅に増やすような特
殊なウエハについては解析対象外となり、工程21に起
因する発塵の正確な推移が把握でき、正確な工程管理が
可能となる。
【0089】図17には1999年6月1日から6月30日の間
に完成し、電気検査を行ったウエハであって、歩留まり
60%以上、全工程を通じてクラスタ発生がなく、工程
9、10、18、19、20、25、26、27を検査
したウエハの検索結果を示す。検査されていない工程4
および15、検査実施ウエハの少ない工程23、24を
非表示工程として指定し、全てを選択ホ゛タンを押した。こ
れらのウエハを対象として該当する欠陥来歴リストを参
照し、各工程毎の正味欠陥の付着したチッフ゜位置と電気検
査結果との相関を取り、各工程欠陥の歩留まりに対する
影響度を算出・表示した結果を図18に示す。歩留まり
との相関を算出する際に大きな誤差要因となりうるクラ
スタの発生したウエハや低歩留まりウエハを除外したこ
とで、より信頼性の高い解析が可能となる。また検査必
須工程を選択して解析対象ウエハを絞り込むことで、解
析時に着目する工程について解析対象データ数が多くな
り、統計解析結果の信頼性を増した。さらに、検査実施
ウエハの少ない工程を非表示工程として解析対象工程か
ら除外して、次工程の正味欠陥数の算出条件をすべての
ウエハで同一とし、解析計算精度を向上した。これによ
り各工程に起因する欠陥の歩留まり影響度が正確に把握
でき、欠陥対策工程の優先順位付けの精度が向上する。
またウエハの完成した時期を特定した事で、時期を特定
した製造工程能力の把握が可能となる。
【0090】このように検査来歴リストにはウエハ毎の
検査に関する来歴情報がすべて含まれているので、解析
の目的に応じた解析対象ウエハの絞り込みが非常に容易
となる。
【0091】次に検査来歴リストを検査来歴表示端末1
901に送信し参照可能とした実施例について説明する
(図19)。ウエハ処理工程を経て完成したウエハは電
気検査でチッフ゜単位の良・不良を判定されるが、さらに詳
細な解析が必要とされる場合には、フェイルヒ゛ットマッフ゜取得検
査が行われる。フェイルヒ゛ットマッフ゜とはメモリの1ヒ゛ット毎の良・
不良をマッフ゜上に表示したものである。フェイルヒ゛ットマッフ゜の取
得には1ヒ゛ット単位の電気検査が必要であるために、1枚
のウエハ検査に膨大な時間を要する。従ってより不良解
析に役立つ検査データを取得するためには、どのウエハ
を検査対象とするかが重要となってくる。数あるウエハ
の中から製造工程中の検査データが比較的揃っていて、
工程トレース計算が可能であり、詳細な電気解析をするに相
応しいウエハを選択する必要がある。検査来歴表示端末
1901はフェイルヒ゛ット検査対象の例えば品種情報から解析
ユニットの対応する検査来歴リストを検索し取得する。
検査来歴表示端末では検査来歴リストに記載されたウエ
ハ毎の検査来歴が参照でき、フェイルヒ゛ットマッフ゜取得対象ウエ
ハの選択が可能となる。
【0092】フェイルヒ゛ットマッフ゜取得対象ウエハの選択処理フロ
ーを図20に示す。検査来歴表示端末1901は解析ユ
ニットに対し検査来歴リスト取得キーを送信し(ステップ
2001)検査来歴リストを取得する(ステップ200
2)。次に検査対象の検査来歴を表示し(ステップ20
03)、フェイルヒ゛ットマッフ゜取得対象ウエハを絞り込んだ(ス
テップ2004)後、取得対象を選択する(ステップ2
005)。選択した検査対象ウエハの識別子をフェイルヒ゛ット
マッフ゜取得装置に指示する(ステップ2006)。
【0093】図21は検査来歴表示端末1901のGU
Iの一例である。フェイルヒ゛ットマッフ゜を取得するウエハを選択
するために、6月25日から30日の間に払い出されたウエ
ハであって、クラスタがなく、歩留まりが60%以上、
画像取得済みのウエハを絞り込んだ結果である。この中
から例えば、検査工程数が最も多いロット番号D01ウ
エハ番号3を選びフェイルヒ゛ットマッフ゜を取得することで、結果
であるフェイルヒ゛ットとその原因となる製造工程中の正味欠陥
との位置の比較やフェイルヒ゛ットを引き起こしたと考えられる
工程の欠陥画像の参照が可能となる。このように検査来
歴リストにはウエハ毎の検査に関する来歴情報が含まれ
ているので、検査来歴リストを参照することでフェイルヒ゛ット
マッフ゜を取得するに相応しい、製造工程中の検査データの
揃ったウエハの選択が可能である。
【0094】本実施例では検査来歴表示端末1901を
参照して、フェイルヒ゛ットマッフ゜取得を行うウエハを選択する構
成としたが、解析ユニットに対して検査来歴リストを検
索・取得し、検査来歴表示を行う機能をフェイルヒ゛ットマッフ゜取
得装置で有しても差し支えない。
【0095】次に検査来歴表示端末で製造途中のウエハ
の検査来歴リストを参照し、検査対象ウエハの選択を可
能とした実施例について述べる(図22)。これまで述
べてきたように1枚のウエハについて工程を追跡した検
査(工程トレース検査)を行うことは、工程トレース計算を行っ
て工程毎の正味欠陥を認識したり、正味欠陥の載ったチッ
フ゜位置と電気検査結果との相関から工程毎の歩留影響度
を算出したり、正味欠陥の付着位置とフェイルヒ゛ットマッフ゜の不
良ヒ゛ットの座標とを比較し原因工程の絞り込みを行うな
ど、半導体製造の工程管理や不良解析に非常に有用であ
る。しかしあらかじめ検査するウエハの番号を製造ライ
ンで統一する場合を除いては、工程トレース検査を、莫大な
ウエハを日々処理するラインで実現することは非常に困
難である。また検査ウエハの番号を予め決めた場合に
も、何らかのトラブルでトレース検査するウエハを変更する
場合には、数百工程からなる製造工程で検査ウエハを同
一にする事は困難となる。
【0096】そこで本実施例では、検査来歴表示端末で
検査対象となるロットのウエハ検査来歴を参照可能とす
ることで、所望の解析を実現するために検査すべきウエ
ハを選定することが容易となる。例えば、工程トレース
を行うために、検査来歴表示端末では検査来歴リストに
記載された検査来歴を参照すれば、これまで統一されて
検査されたウエハを判断することが容易となり、検査対
象ウエハの選択が可能となる。
【0097】検査対象ウエハの選択処理フローを図23
に示す。検査来歴表示端末2201は解析ユニットに対
し検査来歴リスト取得キーを送信し(ステップ220
1)、該当する検査来歴リストを取得する(ステップ2
202)。次に検査対象の検査来歴を表示し(ステップ
2203)、検査対象ウエハを絞り込んだ後(ステップ
2204)、検査対象を選択する(ステップ220
5)。そして、選択した検査対象ウエハの識別子を検査
装置に指示する(ステップ2206)。
【0098】図24は検査来歴表示端末2201のGU
Iの一例を示したものである。各ロットの中でどのウエ
ハがどの工程で検査されているかが表示されている。ロ
ット番号を指定して検索すれば、指定したロットに含ま
れるウエハの工程トレース状況が表示され、この情報を
元に検査対象ウエハを選択することが可能となる。これ
により特定のウエハを一貫して検査することが可能とな
り、収集する検査データの質を向上することができる。
【0099】本実施例では検査来歴表示端末2201を
参照して、検査対象ウエハを選択する構成としたが、解
析ユニットに対して検査来歴リストを検索・取得し、検
査来歴表示を行う機能を検査装置が有しても差し支えな
い。
【0100】以上説明してきた実施の形態は、半導体製
造を中心としてきたが、本発明は半導体製造に限らず、
ワークの欠陥検査と最終製品検査を行う製品(例えば磁
気ディスク、回路基板)の製造ラインに適用することが
できることは言うまでもない。
【0101】また、成分分析装置や膜厚測定装置などの
分析もしくは測定結果を特徴的な事柄として検査履歴リ
ストに表示するようにしてもよい。
【0102】
【発明の効果】本発明によれば、解析対象ウエハや検査
対象ウエハの選択を容易にして、解析時間の短縮および
効果的な検査データ取得が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示したシステム構成図
【図2】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リスト
作成処理フロー
【図3】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リスト
作成処理フロー
【図4】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リスト
作成処理フロー
【図5】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リスト
構成図
【図6】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リスト
を用いた解析システム機能
【図7】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リスト
作成処理フロー
【図8】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リスト
作成処理フロー
【図9】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リスト
構成図
【図10】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リス
トを用いた解析システム機能
【図11】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リス
トを用いた解析システム機能
【図12】本発明の一実施の形態を示した解析システム処理
フロー
【図13】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リス
トを用いた解析システム機能
【図14】本発明の一実施の形態を示した解析システム機能
【図15】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リス
トを用いた解析システム機能
【図16】本発明の一実施の形態を示した解析システム機能
【図17】本発明の一実施の形態を示した検査来歴リス
トを用いた解析システム機能
【図18】本発明の一実施の形態を示した解析システム機能
【図19】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リス
トを用いた検査来歴表示構成図
【図20】本発明の一実施の形態を示したフェイルヒ゛ットマッフ゜
取得対象ウエハの選択処理フロー
【図21】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リス
トを用いた検査来歴表示機能
【図22】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リス
トを用いた検査来歴表示構成図
【図23】本発明の一実施の形態を示した検査対象ウエ
ハの選択処理フロー
【図24】本発明の一実施の形態を示した欠陥来歴リス
トを用いた検査来歴表示機能
【図25】本発明の一実施の形態を示した欠陥検査結果
のデータ構成図
【図26】本発明の一実施の形態を示した観察結果のデ
ータ構成図
【図27】本発明の一実施の形態を示した電気検査結果
のデータ構成図
【符号の説明】
101…製造工程、102…検査工程、103…観察工
程、104、603…電気検査工程、105…欠陥座標
データ、106…欠陥画像データ、107、603…電
気検査結果、108…検査来歴リスト作成処理、10
9、202、206、302、306、402、405
…検査来歴リスト、110…欠陥来歴リスト作成処理、
111、702、706、802、805…欠陥来歴リ
スト、112…解析ユニット、113…解析装置、11
4、1901、2201…検査来歴表示端末、901、
501、601…品種名、902、502、602、6
08…ロット番号、903、503、609…ウエハ番
号、904…欠陥来歴リスト作成処理パラメータ、90
5…検査工程名、906…欠陥座標、907…工程別欠
陥数、908…欠陥出現工程、909…欠陥サイズ、9
10…欠陥種別、911、507、613…クラスタ、
912…画像インデックス、913、612…検査日
時、510、615…歩留り、504…検査工程数、5
05…工程名、506…検査種別、508…検査時間、
509、614…画像、511…電気検査実施、603
…検査なし、604…クラスタなし、605…クラスタ
あり、606…画像あり、607…電気検査実施、61
0…検索開始ホ゛タン、611…工程、616…検査必須工
程、617…工程表示エリア、618…解析対象表示エ
リア、1301…全てを選択ホ゛タン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小西 潤子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 池田 洋子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 根本 和典 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小野 眞 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 4M106 AA01 AA02 BA01 BA02 BA10 CA26 CA38 CA41 CB19 CB30 DA14 DB05 DH60 DJ20 DJ38

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子デバイスとなるワークを複数の検査工
    程において検査する検査装置と、 該検査装置が検査して得た検査結果を記憶する記憶手段
    と、該記憶手段が記憶する検査結果を用いてワーク毎の
    検査来歴情報を出力する出力手段とを有する解析システ
    ムとを備えたことを特徴とする検査システム。
  2. 【請求項2】前記検査来歴情報は、前記ワークが前記複
    数の検査工程のうちのいずれの検査工程で検査されたか
    を示す情報であることを特徴とする請求項1記載の検査
    システム。
  3. 【請求項3】電子デバイスとなるワークを複数の検査工
    程において検査する検査装置と、 該検査装置が検査して得た検査結果を該ワークを検査し
    た検査工程の識別情報と対応づけて記憶する記憶手段
    と、該記憶手段が記憶する検査結果とワークを検査した
    検査工程の識別情報とを用いて該ワークが該複数の検査
    工程のうちのいずれの検査工程で検査されたかを示す検
    査来歴情報を出力する出力手段とを有する解析システム
    とを備えたことを特徴とする検査システム。
  4. 【請求項4】前記検査来歴情報は前記ワークが検査され
    ていない検査工程を示す情報を含むことを特徴とする請
    求項2または3記載の検査システム。
  5. 【請求項5】前記検査来歴情報は、前記ワークが検査さ
    れた検査工程の検査結果に密集欠陥が含まれるか否かを
    示す情報を含むことを特徴とする請求項1から4のいず
    れかに記載の検査システム。
  6. 【請求項6】前記解析システムは、前記ワークを検査し
    て得た各欠陥の位置情報を用いて所定の距離範囲に所定
    個数の欠陥が存在すると判断した欠陥を前記密集欠陥と
    することを特徴とする請求項5記載の検査システム。
  7. 【請求項7】前記検査システムは前記ワークの画像を取
    得する画像取得装置をさらに備え、 前記検査来歴情報は、前記ワークが検査された検査工程
    において前記画像取得装置がワークの画像を取得したか
    否か示す情報を含むことを特徴とする請求項1から6の
    いずれかに記載の検査システム。
  8. 【請求項8】前記検査装置は、異物検査装置もしくは欠
    陥検査装置であることを特徴とする請求項1から7のい
    ずれかに記載の検査システム。
  9. 【請求項9】電子デバイスとなるワークを複数の検査工
    程において検査して得た検査結果を記憶する記憶手段
    と、該記憶手段が記憶する検査結果を用いてワーク毎の
    検査来歴情報を出力する出力手段とを備えることを特徴
    とする解析システム。
  10. 【請求項10】前記検査来歴情報は、前記ワークが前記
    複数の検査工程のうちのいずれの検査工程で検査された
    かを示す情報であることを特徴とする請求項9記載の解
    析システム。
  11. 【請求項11】電子デバイスとなるワークを複数の検査
    工程において検査して得た検査結果を該ワークを検査し
    た検査工程の識別情報と対応づけて記憶する記憶手段
    と、該記憶手段が記憶する検査結果とワークを検査した
    検査工程の識別情報とを用いて該ワークが該複数の検査
    工程のうちのいずれの検査工程で検査されたかを示す検
    査来歴情報を出力する出力手段とを備えることを特徴と
    する解析システム。
  12. 【請求項12】前記検査来歴情報は前記ワークが検査さ
    れていない検査工程を示す情報を含むことを特徴とする
    請求項10または11記載の解析システム。
  13. 【請求項13】前記検査来歴情報は、前記ワークが検査
    された検査工程の検査結果に密集欠陥が含まれるか否か
    を示す情報を含むことを特徴とする請求項10から12
    のいずれかに記載の解析システム。
  14. 【請求項14】前記密集欠陥は、前記ワークを検査して
    得た各欠陥の位置情報を用いて所定の距離範囲に所定個
    数の欠陥が存在すると判断した欠陥であることを特徴と
    する請求項13記載の解析システム。
  15. 【請求項15】前記解析システムをクライアント・サー
    バシステムにより構成することを特徴とする請求項10
    から14のいずれかに記載の解析システム。
  16. 【請求項16】電子デバイスとなるワークを処理する製
    造装置と、該製造装置の処理したワークを複数の検査工
    程において検査する検査装置と、該検査装置が検査して
    得た検査結果を記憶する記憶手段と該記憶手段が記憶す
    る検査結果を用いてワーク毎の検査来歴情報を出力する
    出力手段とを有する解析システムとを用い、該検査来歴
    情報に基づいて該製造装置の配置された製造ラインを管
    理してワークを処理することを特徴とする電子デバイス
    の製造方法。
  17. 【請求項17】前記検査来歴情報は、前記ワークが前記
    複数の検査工程のうちのいずれの検査工程で検査された
    かを示す情報であることを特徴とする請求項16記載の
    電子デバイスの製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021111A1 (fr) * 2000-09-05 2002-03-14 Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha Appareil d'inspection de la surface de plaquettes, procede d'inspection de la surface de plaquettes, appareil d'estimation de plaquettes defectueuses, procede d'estimation de plaquette defectueuse et appareil de traitement d'informations sur la surface de plaquettes
JP2002082063A (ja) * 2000-09-05 2002-03-22 Komatsu Electronic Metals Co Ltd ウエハの表面検査装置及び検査方法
JP2002082064A (ja) * 2000-09-05 2002-03-22 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 不良ウエハの判定装置及び判定方法
JP2002107310A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Komatsu Electronic Metals Co Ltd ウエハ表面情報処理装置
JP2002110754A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Komatsu Electronic Metals Co Ltd ウエハ表面情報処理装置
CN106815709A (zh) * 2016-12-06 2017-06-09 国网福建省电力有限公司 一种服务快速响应中心支撑系统及方法
JP2020047077A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 株式会社Screenホールディングス データ処理方法、データ処理装置、および、データ処理プログラム

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4733252B2 (ja) * 2000-09-05 2011-07-27 Sumco Techxiv株式会社 ウエハの表面検査装置及び検査方法
JP2002082063A (ja) * 2000-09-05 2002-03-22 Komatsu Electronic Metals Co Ltd ウエハの表面検査装置及び検査方法
JP2002082064A (ja) * 2000-09-05 2002-03-22 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 不良ウエハの判定装置及び判定方法
WO2002021111A1 (fr) * 2000-09-05 2002-03-14 Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha Appareil d'inspection de la surface de plaquettes, procede d'inspection de la surface de plaquettes, appareil d'estimation de plaquettes defectueuses, procede d'estimation de plaquette defectueuse et appareil de traitement d'informations sur la surface de plaquettes
JP4733820B2 (ja) * 2000-09-05 2011-07-27 Sumco Techxiv株式会社 不良ウエハの判定装置及び判定方法
US7383156B2 (en) * 2000-09-05 2008-06-03 Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer, and apparatus for processing information on wafer surface
JP2002107310A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Komatsu Electronic Metals Co Ltd ウエハ表面情報処理装置
JP4659961B2 (ja) * 2000-09-29 2011-03-30 Sumco Techxiv株式会社 ウエハ表面情報処理装置
JP4623809B2 (ja) * 2000-09-29 2011-02-02 Sumco Techxiv株式会社 ウエハ表面検査装置及びウエハ表面検査方法
JP2002110754A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Komatsu Electronic Metals Co Ltd ウエハ表面情報処理装置
CN106815709A (zh) * 2016-12-06 2017-06-09 国网福建省电力有限公司 一种服务快速响应中心支撑系统及方法
CN106815709B (zh) * 2016-12-06 2020-08-25 国网福建省电力有限公司 一种服务快速响应中心支撑系统及方法
JP2020047077A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 株式会社Screenホールディングス データ処理方法、データ処理装置、および、データ処理プログラム
JP7181033B2 (ja) 2018-09-20 2022-11-30 株式会社Screenホールディングス データ処理方法、データ処理装置、および、データ処理プログラム
JP2023025068A (ja) * 2018-09-20 2023-02-21 株式会社Screenホールディングス データ処理方法、データ処理装置、および、データ処理プログラム

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