JP2000076932A - 半導電性混和物 - Google Patents
半導電性混和物Info
- Publication number
- JP2000076932A JP2000076932A JP10262442A JP26244298A JP2000076932A JP 2000076932 A JP2000076932 A JP 2000076932A JP 10262442 A JP10262442 A JP 10262442A JP 26244298 A JP26244298 A JP 26244298A JP 2000076932 A JP2000076932 A JP 2000076932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductive
- cable
- base resin
- admixture
- polyolefin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＣＶケーブルなどの半導電層用の
半導電性混和物を提供せんとするものである。 【解決手段】 本発明は、ケーブルの半導電層用の半導
電性混和物であって、ＥＶＡ又はＥＥＡ１００重量部に
融点が１１５℃以上のポリオレフィン２５重量部以上添
加してベース樹脂とすると共に、このベース樹脂に半導
電用のカーボンを添加した半導電性混和物にあり、上記
融点が１１５℃以上のポリオレフィンの添加によってベ
ース樹脂の特性の変更が図られ、ケーブル使用時におけ
る半導電層の変形を大幅に低減することができる。
半導電性混和物を提供せんとするものである。 【解決手段】 本発明は、ケーブルの半導電層用の半導
電性混和物であって、ＥＶＡ又はＥＥＡ１００重量部に
融点が１１５℃以上のポリオレフィン２５重量部以上添
加してベース樹脂とすると共に、このベース樹脂に半導
電用のカーボンを添加した半導電性混和物にあり、上記
融点が１１５℃以上のポリオレフィンの添加によってベ
ース樹脂の特性の変更が図られ、ケーブル使用時におけ
る半導電層の変形を大幅に低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶケーブルなど
の半導電層用の半導電性混和物に関するものである。
の半導電層用の半導電性混和物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＶケーブルなどにあっては、ポ
リエチレンやシラン架橋ポリエチレンなどのポリオレフ
ィンを絶縁体として、導体撚線上に内部及び外部半導電
層用の半導電性混和物と共に、或いは内部半導電層用の
半導電性混和物と共に同時に押し出して被覆し、そし
て、シラン架橋ポリオレフィンを絶縁体とするシラン架
橋ＣＶケーブルの場合には、さらに架橋筒などに導い
て、架橋させている。
リエチレンやシラン架橋ポリエチレンなどのポリオレフ
ィンを絶縁体として、導体撚線上に内部及び外部半導電
層用の半導電性混和物と共に、或いは内部半導電層用の
半導電性混和物と共に同時に押し出して被覆し、そし
て、シラン架橋ポリオレフィンを絶縁体とするシラン架
橋ＣＶケーブルの場合には、さらに架橋筒などに導い
て、架橋させている。
【０００３】このようなＣＶケーブルにおける上記内部
や外部半導電層用の半導電性混和物としては、一般にＥ
ＶＡやＥＥＡをベース樹脂として用い、これに半導電用
のカーボンブラックを添加し、必要により老化防止剤や
その他の添加剤を添加したり、さらに架橋剤などを添加
することもある。
や外部半導電層用の半導電性混和物としては、一般にＥ
ＶＡやＥＥＡをベース樹脂として用い、これに半導電用
のカーボンブラックを添加し、必要により老化防止剤や
その他の添加剤を添加したり、さらに架橋剤などを添加
することもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
半導電層用の半導電性混和物、特に内部半導電層用の半
導電性混和物において、架橋しない場合は、ＥＶＡやＥ
ＥＡのベース樹脂は軟化温度が低いため、ケーブル使用
時に半導電層が変形し易く、ケーブルの破壊事故が発生
する懸念があった。
半導電層用の半導電性混和物、特に内部半導電層用の半
導電性混和物において、架橋しない場合は、ＥＶＡやＥ
ＥＡのベース樹脂は軟化温度が低いため、ケーブル使用
時に半導電層が変形し易く、ケーブルの破壊事故が発生
する懸念があった。
【０００５】これに対して、架橋させた場合は、ベース
樹脂の耐熱性が改善されて、ケーブル使用時における半
導電層の変形が少なくなるものの、ベース樹脂に架橋剤
が添加されているため、ケーブル製造時の加熱によっ
て、スコーチ（早期架橋）が生じるという懸念があっ
た。
樹脂の耐熱性が改善されて、ケーブル使用時における半
導電層の変形が少なくなるものの、ベース樹脂に架橋剤
が添加されているため、ケーブル製造時の加熱によっ
て、スコーチ（早期架橋）が生じるという懸念があっ
た。
【０００６】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
なされたもので、ＥＶＡやＥＥＡに融点が１１５℃以上
のポリオレフィンを添加したものをベース樹脂とするこ
とによって、ベース樹脂の特性の変更を図り、また、非
架橋タイプであるため、スコーチの発生を根本的に解消
した半導電性混和物を提供せんとするものである。
なされたもので、ＥＶＡやＥＥＡに融点が１１５℃以上
のポリオレフィンを添加したものをベース樹脂とするこ
とによって、ベース樹脂の特性の変更を図り、また、非
架橋タイプであるため、スコーチの発生を根本的に解消
した半導電性混和物を提供せんとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明
は、ケーブルの半導電層用の半導電性混和物であって、
ＥＶＡ又はＥＥＡ１００重量部に融点が１１５℃以上の
ポリオレフィン１０重量部以上を添加してベース樹脂と
すると共に、このベース樹脂に半導電用のカーボンブラ
ックを添加したことを特徴とする半導電性混和物にあ
る。
は、ケーブルの半導電層用の半導電性混和物であって、
ＥＶＡ又はＥＥＡ１００重量部に融点が１１５℃以上の
ポリオレフィン１０重量部以上を添加してベース樹脂と
すると共に、このベース樹脂に半導電用のカーボンブラ
ックを添加したことを特徴とする半導電性混和物にあ
る。
【０００８】請求項２記載の本発明は、シラン架橋ケー
ブルの半導電層用の半導電性混和物であって、ＥＶＡ又
はＥＥＡ１００重量部に融点が１１５℃以上のポリオレ
フィン２５重量部以上を添加してベース樹脂とすると共
に、このベース樹脂に半導電用のカーボンブラックを添
加したことを特徴とする半導電性混和物にある。
ブルの半導電層用の半導電性混和物であって、ＥＶＡ又
はＥＥＡ１００重量部に融点が１１５℃以上のポリオレ
フィン２５重量部以上を添加してベース樹脂とすると共
に、このベース樹脂に半導電用のカーボンブラックを添
加したことを特徴とする半導電性混和物にある。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明でＥＶＡ又はＥＥＡに添加
される融点が１１５℃以上のポリオレフィンとしては、
超低密度ポリエチレン（Ｌ−ＬＤＰＥ）、低密度ポリエ
チレン（ＬＤＰＥ）、高密度ホリエチレン（ＨＤＰ
Ｅ）、サーモプラスチックラバー（ＴＰＲ）などが挙げ
られる。
される融点が１１５℃以上のポリオレフィンとしては、
超低密度ポリエチレン（Ｌ−ＬＤＰＥ）、低密度ポリエ
チレン（ＬＤＰＥ）、高密度ホリエチレン（ＨＤＰ
Ｅ）、サーモプラスチックラバー（ＴＰＲ）などが挙げ
られる。
【００１０】そして、その添加量は、ＥＶＡやＥＥＡの
軟化温度が変更される量であればよく、ＥＶＡ又はＥＥ
Ａ１００重量部に対して、１０重量部以上がよく、より
好ましくは２５重量部以上がよい。なお、添加量の上限
としては、ＥＶＡ又はＥＥＡの特性が失われない程度と
する。
軟化温度が変更される量であればよく、ＥＶＡ又はＥＥ
Ａ１００重量部に対して、１０重量部以上がよく、より
好ましくは２５重量部以上がよい。なお、添加量の上限
としては、ＥＶＡ又はＥＥＡの特性が失われない程度と
する。
【００１１】また、このベース樹脂に添加される半導電
用のカーボンブラックとしては、アセチレンカーボンや
ファーネスカーボンなどが挙げられる。さらに、必要に
より酸化老化防止剤やその他の添加剤を添加することが
できる。
用のカーボンブラックとしては、アセチレンカーボンや
ファーネスカーボンなどが挙げられる。さらに、必要に
より酸化老化防止剤やその他の添加剤を添加することが
できる。
【００１２】実施例 表１に示すように、本発明に係る半導電性混和物（実施
例１〜３）と本発明の条件を欠く半導電性混和物（比較
例１〜２）を、ＣＶケーブルの内部半導電層用のサンプ
ルとして製造した。これらの各サンプルについて、加熱
時における加熱変形率（％）を調べるため、１２０℃下
で２Ｋｇの荷重を加えた。また、各サンプルについて種
々の温度（３０℃、６０℃、９０℃、１０５℃、１２０
℃）下で通電し、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を調べた。
例１〜３）と本発明の条件を欠く半導電性混和物（比較
例１〜２）を、ＣＶケーブルの内部半導電層用のサンプ
ルとして製造した。これらの各サンプルについて、加熱
時における加熱変形率（％）を調べるため、１２０℃下
で２Ｋｇの荷重を加えた。また、各サンプルについて種
々の温度（３０℃、６０℃、９０℃、１０５℃、１２０
℃）下で通電し、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を調べた。
【００１３】
【表１】
【００１４】この表１から、本発明に係る半導電性混和
物（実施例１〜３）では、ＥＶＡに適量の融点が１１５
℃以上のポリオレフィン（Ｌ−ＬＤＰＥ、ＨＤＰＥ、Ｔ
ＰＲ）を添加すると、加熱変形率が１％以下で極めて小
さいことが判る。また、最大体積抵抗率（Ω・ｃｍ）が
小さくなり、内部半導電層用の混和物として優れた特性
を呈することも判る。
物（実施例１〜３）では、ＥＶＡに適量の融点が１１５
℃以上のポリオレフィン（Ｌ−ＬＤＰＥ、ＨＤＰＥ、Ｔ
ＰＲ）を添加すると、加熱変形率が１％以下で極めて小
さいことが判る。また、最大体積抵抗率（Ω・ｃｍ）が
小さくなり、内部半導電層用の混和物として優れた特性
を呈することも判る。
【００１５】これに対して、ＥＶＡだけをベース樹脂と
する本発明の条件を欠く半導電性混和物（比較例１〜
２）では、架橋させない場合には加熱変形率が８６％に
もなり極めて大きいことが判る。また、架橋させた場合
でも、１２％程度の加熱変形率が避けられないことが判
る。さらに、最大体積抵抗率（Ω・ｃｍ）も、本発明に
係る半導電性混和物に比較すると、大きいことが判る。
する本発明の条件を欠く半導電性混和物（比較例１〜
２）では、架橋させない場合には加熱変形率が８６％に
もなり極めて大きいことが判る。また、架橋させた場合
でも、１２％程度の加熱変形率が避けられないことが判
る。さらに、最大体積抵抗率（Ω・ｃｍ）も、本発明に
係る半導電性混和物に比較すると、大きいことが判る。
【００１６】なお、上記実施例では、本発明に係る半導
電性混和物をＣＶケーブルの内部半導電層用のサンプル
として製造した場合であったが、本発明に係る半導電性
混和物は、外部半導電層用の混和物としても使用するこ
とができる。また、対象とするケーブルにあっても、Ｃ
Ｖケーブルに限定されず、シラン架橋ポリオレフィンを
絶縁体とするシラン架橋ＣＶケーブルやその他のケーブ
ルの半導電層用の混和物として使用することができる。
電性混和物をＣＶケーブルの内部半導電層用のサンプル
として製造した場合であったが、本発明に係る半導電性
混和物は、外部半導電層用の混和物としても使用するこ
とができる。また、対象とするケーブルにあっても、Ｃ
Ｖケーブルに限定されず、シラン架橋ポリオレフィンを
絶縁体とするシラン架橋ＣＶケーブルやその他のケーブ
ルの半導電層用の混和物として使用することができる。
【００１７】
【発明の効果】このように、本発明に係る半導電性混和
物によると、ＥＶＡ又はＥＥＡに融点が１１５℃以上の
ポリオレフィンを添加することにより、ベース樹脂を特
性を変更してしてあるため、ケーブル使用時における半
導電層、特に内部半導電層の変形が大幅に低減できると
共に、架橋剤の不使用によって、ケーブル製造時におけ
るスコーチの発生する恐れが全くない、優れたＣＶケー
ブルやシラン架橋ＣＶケーブルなどの半導電層用の半導
電性混和物を得ることができる。
物によると、ＥＶＡ又はＥＥＡに融点が１１５℃以上の
ポリオレフィンを添加することにより、ベース樹脂を特
性を変更してしてあるため、ケーブル使用時における半
導電層、特に内部半導電層の変形が大幅に低減できると
共に、架橋剤の不使用によって、ケーブル製造時におけ
るスコーチの発生する恐れが全くない、優れたＣＶケー
ブルやシラン架橋ＣＶケーブルなどの半導電層用の半導
電性混和物を得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 ケーブルの半導電層用の半導電性混和物
であって、ＥＶＡ又はＥＥＡ１００重量部に融点が１１
５℃以上のポリオレフィン２５重量部以上を添加してベ
ース樹脂とすると共に、このベース樹脂に半導電用のカ
ーボンブラックを添加したことを特徴とする半導電性混
和物。 - 【請求項２】 シラン架橋ケーブルの半導電層用の半導
電性混和物であって、ＥＶＡ又はＥＥＡ１００重量部に
融点が１１５℃以上のポリオレフィン１０重量部以上を
添加してベース樹脂とすると共に、このベース樹脂に半
導電用のカーボンブラックを添加したことを特徴とする
半導電性混和物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262442A JP2000076932A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 半導電性混和物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262442A JP2000076932A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 半導電性混和物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000076932A true JP2000076932A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17375856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10262442A Pending JP2000076932A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 半導電性混和物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000076932A (ja) |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP10262442A patent/JP2000076932A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3096210A (en) | Insulated conductors and method of making same | |
| KR101336522B1 (ko) | 반도전성 조성물 및 이를 이용한 전력 케이블 | |
| CN115322472A (zh) | 基于复配树脂的半导电屏蔽料及其制备方法和应用 | |
| KR20110076983A (ko) | 전기 케이블용 반도전성 조성물 | |
| JPH04106B2 (ja) | ||
| JP2000076932A (ja) | 半導電性混和物 | |
| JPH0955125A (ja) | 耐火電線 | |
| JP2001325834A (ja) | 直流電力ケーブル | |
| JP4175588B2 (ja) | 電力ケーブルの半導電層用樹脂組成物 | |
| JP2002109970A (ja) | 電力ケーブル | |
| JP3886633B2 (ja) | 絶縁電力ケーブルおよびその接続部 | |
| JPH11329077A (ja) | 半導電層用組成物及び電力ケーブル | |
| JPH09245520A (ja) | 電力ケーブルの半導電層用組成物 | |
| JPS61203508A (ja) | 電気絶縁体の製造方法 | |
| JPS6356651B2 (ja) | ||
| JP2014154477A (ja) | 電力ケーブルの製造方法 | |
| JP2001229732A (ja) | 半導電性樹脂組成物 | |
| JP3414581B2 (ja) | 電力ケーブルの半導電層用組成物 | |
| JPS61235444A (ja) | 半導電性樹脂組成物 | |
| JPS5956441A (ja) | 半導電性組成物 | |
| JPS63307605A (ja) | 半導電性混和物 | |
| JP2001143541A (ja) | 半導電性樹脂混和物及び電力ケーブルの製造方法 | |
| JPS5828101A (ja) | 電力ケ−ブル用外部半導電層形成組成物 | |
| JPH11353942A (ja) | 電力ケーブル | |
| JPH06309931A (ja) | 電気絶縁組成物及び電線・ケーブル |