JP2000070883A - 洗浄装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄液中のパーティクルによる被処理物の汚
染を防止することができる洗浄装置を提供する。 【解決手段】 被処理物Ｓを浸漬して洗浄するための洗
浄液Ｌを貯えた洗浄槽２と、ガスＧをイオン化するため
のガスイオン化手段３と、このガスイオン化手段３でイ
オン化されたガスＧを洗浄槽２内の洗浄液Ｌの内部に注
入するためのイオン化ガス注入手段４と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄装置及び方法
に係わり、特に、半導体用シリコンウエハ、液晶表示基
板（ＬＣＤ基板）等（以下「被処理物」と総称する。）
を洗浄する際に使用される洗浄装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＬＣＤ基板の製造工程、或いは半
導体の製造工程の一つに、洗浄液によって被処理物を洗
浄する工程があり、この洗浄工程においては、被処理物
を浸漬して洗浄するための洗浄液を貯えた洗浄槽を備え
た洗浄装置が使用される。

【０００３】ここで、半導体やＬＣＤ基板においては、
パーティクルの付着を極力防止しなければならない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示し
たように、洗浄槽１０の内部の洗浄液Ｌに被処理物Ｓを
浸漬した場合、被処理物Ｓの表面が帯電する場合があ
る。

【０００５】そして、被処理物Ｓの表面がマイナスに帯
電し、一方、洗浄液Ｌの中に存在するパーティクルＰが
プラスに帯電した場合、洗浄液Ｌの中を浮遊しているパ
ーティクルＰが静電気力によって被処理物Ｓ側に引き寄
せられてその表面に吸着し、被処理物Ｓを汚染してしま
うという問題があった。

【０００６】そこで、本発明は、洗浄液中のパーティク
ルによる被処理物の汚染を防止することができる洗浄装
置及び方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による洗浄装置
は、被処理物を浸漬して洗浄するための洗浄液を貯えた
洗浄槽と、ガスをイオン化するためのガスイオン化手段
と、このガスイオン化手段でイオン化されたガスを前記
洗浄槽内の洗浄液の内部に注入するためのイオン化ガス
注入手段と、を備えたことを特徴とする。

【０００８】さらに、イオン化したガスを泡状にして洗
浄液の内部に注入するための手段を設けることが望まし
い。

【０００９】本発明による洗浄方法は、洗浄槽に貯えら
れた洗浄液に被処理物を浸漬して洗浄する洗浄方法にお
いて、洗浄槽に貯えられた洗浄液の内部にイオン化した
ガスを注入することを特徴とする。

【００１０】ここで、イオン化したガスは、泡状にして
洗浄液の内部に注入することが望ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
洗浄装置及びこの洗浄装置を用いた洗浄方法について図
１及び図２を参照して説明する。

【００１２】図１は本実施形態による洗浄装置１の概略
を示した構成図であり、この洗浄装置１は、被処理物Ｓ
を浸漬して洗浄するための洗浄液Ｌを貯えた洗浄槽２を
備えている。

【００１３】ここで、洗浄液Ｌは絶縁性の高い液体であ
り、より具体的には純水である。

【００１４】さらに、この洗浄装置１は、ガスＧをイオ
ン化するためのイオナイザー（ガスイオン化手段）３
と、このイオナイザー３でイオン化したガスＧを洗浄液
Ｌの内部に泡状に注入してバブリングさせるイオン化ガ
ス注入手段４と、を備えている。

【００１５】イオン化ガス注入手段４は複数の配管４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを備えており、これらの配管の放
出端部に、ガスＧのバブリングを効率的に行うためのノ
ズル手段を設けることが望ましい。

【００１６】イオナイザー３は高圧電源５を備えてお
り、この高圧電源５によってコロナ放電を発生させるこ
とによって、高性能フィルタ（図示せず）によって清浄
化されたダストフリーのガスＧをイオン化することがで
きる。

【００１７】次に、本実施形態による洗浄装置１を用い
て、被処理物Ｓを洗浄する場合の洗浄方法について説明
する。

【００１８】図２に示したように被処理物Ｓの表面がマ
イナスに帯電し、一方、洗浄液Ｌ中のパーティクルＰが
プラスに帯電している場合、イオナイザー３によってマ
イナスイオンにイオン化したガスＧを泡状にして洗浄液
Ｌの内部に注入する。

【００１９】すると、洗浄液Ｌの内部の全体にイオン化
したガスＧが満遍なく供給され、洗浄液Ｌの中を浮遊す
るパーティクルＰの周囲にマイナスの電荷を持ったガス
Ｇを存在させることができる。これにより、被処理物Ｓ
の表面のマイナスの電荷によってプラスの電荷を持つパ
ーティクルＰが吸引されることを防止できる。

【００２０】この状態で被処理物Ｓの洗浄を行うことに
よって、パーティクルの付着による被処理物Ｓの汚染を
防止することができる。

【００２１】また、イオン化したガスＧを泡状にしてバ
ブリングさせることによって、洗浄液Ｌの中を浮遊する
多数のパーティクルＰの周囲にガスＧを確実に供給する
ことができるので、被処理物Ｓの汚染防止効果を高める
ことができる。

【００２２】以上述べたように本実施形態による洗浄装
置１及び洗浄方法によれば、洗浄液Ｌの内部にイオン化
したガスを注入するようにしたので、被処理物Ｓの表面
が帯電している場合でも、洗浄液Ｌの中を浮遊するパー
ティクルＰが被処理物Ｓ側に吸引されることがなく、パ
ーティクルＰによる被処理物Ｓの汚染を防止することが
できる。

【００２３】なお、被処理物Ｓの表面がプラスに帯電し
た場合には、上記と逆にイオン化したガス、つまりプラ
スにイオン化したガスを供給すれば良い。

【００２４】

【発明の効果】以上述べたように本実施形態による洗浄
装置及び洗浄方法によれば、洗浄液の内部にイオン化し
たガスを注入するようにしたので、被処理物の表面が帯
電している場合でも、洗浄液の中を浮遊するパーティク
ルが被処理物側に吸引されることがなく、パーティクル
による被処理物の汚染を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による洗浄装置の概略を示
した構成図。

【図２】本発明の一実施形態による洗浄装置及び洗浄方
法の作用を説明するための説明図。

【図３】従来の洗浄装置及び洗浄方法の問題点を説明す
るための説明図。

【符号の説明】

１ 洗浄装置 ２ 洗浄槽 ３ イオナイザー（ガスイオン化手段） ４ イオン化ガス注入手段 ５ 高圧電源 Ｇ ガス Ｐ パーティクル Ｓ 被処理物 Ｌ 洗浄液

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被処理物を浸漬して洗浄するための洗浄液
   を貯えた洗浄槽と、ガスをイオン化するためのガスイオ
   ン化手段と、このガスイオン化手段でイオン化されたガ
   スを前記洗浄槽内の洗浄液の内部に注入するためのイオ
   ン化ガス注入手段と、を備えたことを特徴とする洗浄装
   置。
2. 【請求項２】洗浄槽に貯えられた洗浄液に被処理物を浸
   漬して洗浄する洗浄方法において、洗浄槽に貯えられた
   洗浄液の内部にイオン化したガスを注入することを特徴
   とする洗浄方法。