JP2000069375A - インターライン転送型固体撮像装置 - Google Patents
インターライン転送型固体撮像装置Info
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
-
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- Multimedia (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的シャッタと組み合わせ高解像度のスチ
ル画像を得る、インターライン転送型固体撮像装置にお
いて、飽和信号量の低下を防止する技術を提供する。 【解決手段】 一定期間、露光した後、全受光部を遮光
状態にしてからの信号読み出しを、次のようにする。第
１フィールドに対応する奇数行目受光部１ａの信号電荷
を垂直転送部２へ読み出した直後に、空になった奇数行
目受光部へ偶数行目受光部１ｂの信号電荷の半分程度を
移動させる。これにより、偶数行目受光部の信号電荷蓄
積容量は見かけ上、２倍に増大する。したがって、この
後、第１フィールドに対応する垂直転送部内の信号読み
出しを時間をかけて行い、その後に、偶数行目受光部信
号電荷を垂直転送部へ読み出した場合、特に、縦型オー
バーフロードレイン構造で、埋め込みフォトダイオード
型の場合、熱放出効果により、偶数行目受光部の飽和信
号量が低下しても、容量が奇数行目受光部の飽和信号量
より２倍の余裕があるため、現実に問題となることは無
い。
ル画像を得る、インターライン転送型固体撮像装置にお
いて、飽和信号量の低下を防止する技術を提供する。 【解決手段】 一定期間、露光した後、全受光部を遮光
状態にしてからの信号読み出しを、次のようにする。第
１フィールドに対応する奇数行目受光部１ａの信号電荷
を垂直転送部２へ読み出した直後に、空になった奇数行
目受光部へ偶数行目受光部１ｂの信号電荷の半分程度を
移動させる。これにより、偶数行目受光部の信号電荷蓄
積容量は見かけ上、２倍に増大する。したがって、この
後、第１フィールドに対応する垂直転送部内の信号読み
出しを時間をかけて行い、その後に、偶数行目受光部信
号電荷を垂直転送部へ読み出した場合、特に、縦型オー
バーフロードレイン構造で、埋め込みフォトダイオード
型の場合、熱放出効果により、偶数行目受光部の飽和信
号量が低下しても、容量が奇数行目受光部の飽和信号量
より２倍の余裕があるため、現実に問題となることは無
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷結合素子（Ｃ
ＣＤ）などにて形成した固体撮像装置に関し、特に、ス
チル画像の撮像に適したインターライン転送型固体撮像
装置に関するものである。
ＣＤ）などにて形成した固体撮像装置に関し、特に、ス
チル画像の撮像に適したインターライン転送型固体撮像
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤなどの固体撮像装置を用いて高解
像度のスチル画像を得るには、インターライン転送型固
体撮像装置を用いる場合、光学的シャッタと組み合わせ
る方法が知られている。これを、図５に示す。
像度のスチル画像を得るには、インターライン転送型固
体撮像装置を用いる場合、光学的シャッタと組み合わせ
る方法が知られている。これを、図５に示す。
【０００３】図５において、（ａ）〜（ｅ）は、各々、
インターライン転送型ＣＣＤの２画素分を模式的に表し
ており、（ａ）〜（ｅ）で時間経過を示している。ま
た、１ａは奇数番目の受光部、１ｂは偶数番目の受光
部、２は垂直転送部であり、図示のように、２つの受光
部が垂直転送部１ビットに対応する。
インターライン転送型ＣＣＤの２画素分を模式的に表し
ており、（ａ）〜（ｅ）で時間経過を示している。ま
た、１ａは奇数番目の受光部、１ｂは偶数番目の受光
部、２は垂直転送部であり、図示のように、２つの受光
部が垂直転送部１ビットに対応する。
【０００４】光学的シャッタで必要な露光が完了後、シ
ャッタを閉じた直後の状態を（ａ）とし、これ以降、
（ｅ）までの間、シャッタは閉じた状態を保つとする。
（ａ）では、全受光部に信号電荷（黒丸で示す）が蓄積
している。次いで、（ｂ）では、奇数番目の受光部１ａ
の信号電荷を全て垂直転送部２へ読み出す。その後、
（ｃ）では、垂直転送部２に読み出された信号電荷を順
次読み出し、奇数番目の受光部１ａに対応する第１フィ
ールドの画像信号を得る。次いで、（ｄ）では、残りの
偶数番目の受光部１ｂの信号電荷を全て垂直転送部２へ
読み出す。その後、（ｅ）では、垂直転送部２に読み出
された信号電荷を順次読み出し、偶数番目の受光部１ｂ
に対応する第２フィールドの画像信号を得る。
ャッタを閉じた直後の状態を（ａ）とし、これ以降、
（ｅ）までの間、シャッタは閉じた状態を保つとする。
（ａ）では、全受光部に信号電荷（黒丸で示す）が蓄積
している。次いで、（ｂ）では、奇数番目の受光部１ａ
の信号電荷を全て垂直転送部２へ読み出す。その後、
（ｃ）では、垂直転送部２に読み出された信号電荷を順
次読み出し、奇数番目の受光部１ａに対応する第１フィ
ールドの画像信号を得る。次いで、（ｄ）では、残りの
偶数番目の受光部１ｂの信号電荷を全て垂直転送部２へ
読み出す。その後、（ｅ）では、垂直転送部２に読み出
された信号電荷を順次読み出し、偶数番目の受光部１ｂ
に対応する第２フィールドの画像信号を得る。
【０００５】図６は、図５に模式的に示した画素部を、
平面パターン例で示した図である。ここで、破線は下側
電極、実線は上側電極を示し、また、斜線ハッチング部
５はチャネル阻止領域、ドット部４は表面チャネル領域
を示す。また、１ａ、１ｂ、２は、それぞれ、奇数番目
受光部、偶数番目受光部、垂直転送部を表しており、図
５の同じ記号と対応している。画素部は、全体が低濃度
Ｐ層の上に形成されている。受光部１ａ、１ｂ（ＰＤ）
には、一般に埋め込み型フォトダイオード構造が採用さ
れ、表面は高濃度のＰ＋層であり、その下層に信号電荷
（電子）の蓄積層となるＮ層が、低濃度Ｐ層の上に形成
されている。また、垂直転送部２（ＶＣＣＤ）は、通常
埋め込みチャネル型であり、上記低濃度Ｐ層の上の表面
Ｎ層により形成されている。下側電極には、クロックφ
Ｖ２、φＶ４が印加され、上側電極には、クロックφＶ
１、φＶ３が印加される。
平面パターン例で示した図である。ここで、破線は下側
電極、実線は上側電極を示し、また、斜線ハッチング部
５はチャネル阻止領域、ドット部４は表面チャネル領域
を示す。また、１ａ、１ｂ、２は、それぞれ、奇数番目
受光部、偶数番目受光部、垂直転送部を表しており、図
５の同じ記号と対応している。画素部は、全体が低濃度
Ｐ層の上に形成されている。受光部１ａ、１ｂ（ＰＤ）
には、一般に埋め込み型フォトダイオード構造が採用さ
れ、表面は高濃度のＰ＋層であり、その下層に信号電荷
（電子）の蓄積層となるＮ層が、低濃度Ｐ層の上に形成
されている。また、垂直転送部２（ＶＣＣＤ）は、通常
埋め込みチャネル型であり、上記低濃度Ｐ層の上の表面
Ｎ層により形成されている。下側電極には、クロックφ
Ｖ２、φＶ４が印加され、上側電極には、クロックφＶ
１、φＶ３が印加される。
【０００６】図６の動作を、図７にタイミングチャート
で示す。露光期間が終わり、光学的シャッタが閉じた時
点をｔ0 とする。期間ｔ1 では、垂直転送部を高速で駆
動し、垂直転送部内の不要電荷を排出する。時刻ｔ2 で
は、奇数番目受光部の信号電荷を垂直転送部へ読み出
す。これは、図５の（ｂ）に相当する。次いで、期間ｔ
4 では、垂直転送部を通常駆動し、垂直転送部の信号電
荷を読み出して、奇数番目の受光部に対応する第１フィ
ールドの信号を得る。これは、図５の（ｃ）に相当す
る。その後、時刻ｔ5 で、偶数番目受光部の信号電荷を
垂直転送部へ読み出す。これは、図５の（ｄ）に相当す
る。最後に、期間ｔ7 で、垂直転送部を通常駆動し、垂
直転送部の信号電荷を読み出して、偶数番目の受光部に
対応する第２フィールドの信号を得る。これは、図５の
（ｅ）に相当する。
で示す。露光期間が終わり、光学的シャッタが閉じた時
点をｔ0 とする。期間ｔ1 では、垂直転送部を高速で駆
動し、垂直転送部内の不要電荷を排出する。時刻ｔ2 で
は、奇数番目受光部の信号電荷を垂直転送部へ読み出
す。これは、図５の（ｂ）に相当する。次いで、期間ｔ
4 では、垂直転送部を通常駆動し、垂直転送部の信号電
荷を読み出して、奇数番目の受光部に対応する第１フィ
ールドの信号を得る。これは、図５の（ｃ）に相当す
る。その後、時刻ｔ5 で、偶数番目受光部の信号電荷を
垂直転送部へ読み出す。これは、図５の（ｄ）に相当す
る。最後に、期間ｔ7 で、垂直転送部を通常駆動し、垂
直転送部の信号電荷を読み出して、偶数番目の受光部に
対応する第２フィールドの信号を得る。これは、図５の
（ｅ）に相当する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５〜
７に示した従来の構成では次の問題が生じる。
７に示した従来の構成では次の問題が生じる。
【０００８】受光部１ａ、１ｂ等は、最近では縦型オー
バーフロードレイン構造が採用されるのが一般的であ
る。すなわち、図８（ａ）に示すように、高濃度Ｐ＋層
１３、信号電荷蓄積のＮ層１２、低濃度Ｐ層１１の下
に、低濃度Ｎ基板１０が設けられている。このため、図
８（ｂ）にポテンシャル分布で示すように、過大光など
により信号電荷が大量に発生し、信号電荷蓄積層１２に
流入すると、蓄積可能な量を越えた過剰分はＮ基板側へ
オーバーフローさせることが可能となる。これは、信号
電荷に対してＮ基板１０がドレインとなる一方、低濃度
Ｐ層１１がポテンシャルバリアを形成するため、ある飽
和値Ｑｓａｔまでは信号電荷を蓄積し、それ以上の信号
電荷を基板側へ排出することができるからである。
バーフロードレイン構造が採用されるのが一般的であ
る。すなわち、図８（ａ）に示すように、高濃度Ｐ＋層
１３、信号電荷蓄積のＮ層１２、低濃度Ｐ層１１の下
に、低濃度Ｎ基板１０が設けられている。このため、図
８（ｂ）にポテンシャル分布で示すように、過大光など
により信号電荷が大量に発生し、信号電荷蓄積層１２に
流入すると、蓄積可能な量を越えた過剰分はＮ基板側へ
オーバーフローさせることが可能となる。これは、信号
電荷に対してＮ基板１０がドレインとなる一方、低濃度
Ｐ層１１がポテンシャルバリアを形成するため、ある飽
和値Ｑｓａｔまでは信号電荷を蓄積し、それ以上の信号
電荷を基板側へ排出することができるからである。
【０００９】しかしながら、この縦型オーバーフロード
レイン構造を光学的シャッタと組み合わせる時、以下の
問題が発生する。図７に示すように、光学的シャッタが
閉じる時ｔ0 を起点として、信号電荷蓄積層１２に蓄積
可能な量Ｑｓａｔを考える。この時、受光部では信号電
荷の発生は無いから、Ｑｓａｔは熱放出効果により減少
し続ける。この関係は次式で表される（Ｃ．Ｈ．Ｓｅｑ
ｕｉｎ ａｎｄ Ｍ．Ｆ．Ｔｏｍｐｓｅｔｔ著、武石、
香山訳、「電荷転送デバイス」、ｐ．８５、近代科学
社、１９７８年）。
レイン構造を光学的シャッタと組み合わせる時、以下の
問題が発生する。図７に示すように、光学的シャッタが
閉じる時ｔ0 を起点として、信号電荷蓄積層１２に蓄積
可能な量Ｑｓａｔを考える。この時、受光部では信号電
荷の発生は無いから、Ｑｓａｔは熱放出効果により減少
し続ける。この関係は次式で表される（Ｃ．Ｈ．Ｓｅｑ
ｕｉｎ ａｎｄ Ｍ．Ｆ．Ｔｏｍｐｓｅｔｔ著、武石、
香山訳、「電荷転送デバイス」、ｐ．８５、近代科学
社、１９７８年）。
【００１０】 Ｑ（ｔ）＝Ｑ0 −Ｃ・ｋＴ・ｌｎ［１＋（ｔ−ｔ0 ）／τ］・・・（式１） ここで、Ｃは電荷蓄積層容量、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は絶対温度、τは電荷蓄積層の構造で決まる時定数であ
る。実測例では、次のような値となる。
は絶対温度、τは電荷蓄積層の構造で決まる時定数であ
る。実測例では、次のような値となる。
【００１１】 Ｃ・ｋＴ／Ｑ0 ≒０．０５、（ｔ−ｔ0 ）／τ≒１〜５００・・・（式２） したがって、Ｑ（ｔ）／Ｑ0 ≒０〜０．３ 程度とな
り、Ｑ（ｔ）は初期値の７０％程度まで低下することに
なる。
り、Ｑ（ｔ）は初期値の７０％程度まで低下することに
なる。
【００１２】（式１）を図に示すと図９のようになる。
したがって、図７のタイミングの場合、奇数番目受光部
に対応する第１フィールドのＱｓａｔは、ｔ2 −ｔ0 ＝
Ｔaより、Ｑa となるが、偶数番目受光部に対応する第
２フィールドのＱｓａｔは、ｔ5 −ｔ0 ＝Ｔb よりＱb
となり、Ｔb ≫Ｔa だから、第２フィールドの飽和信号
が大幅に低下する。高解像度のスチル画像を得るには、
第１フィールドと第２フィールドの２つの画像信号によ
り構成する必要があるが、両者間で飽和信号に大きな差
があると、画像全体の飽和信号は低い方で制約されるか
ら、ダイナミックレンジが大きく低下してしまうという
重大な問題となる。
したがって、図７のタイミングの場合、奇数番目受光部
に対応する第１フィールドのＱｓａｔは、ｔ2 −ｔ0 ＝
Ｔaより、Ｑa となるが、偶数番目受光部に対応する第
２フィールドのＱｓａｔは、ｔ5 −ｔ0 ＝Ｔb よりＱb
となり、Ｔb ≫Ｔa だから、第２フィールドの飽和信号
が大幅に低下する。高解像度のスチル画像を得るには、
第１フィールドと第２フィールドの２つの画像信号によ
り構成する必要があるが、両者間で飽和信号に大きな差
があると、画像全体の飽和信号は低い方で制約されるか
ら、ダイナミックレンジが大きく低下してしまうという
重大な問題となる。
【００１３】本発明は、以上の問題点に鑑み考案された
ものであり、インターライン転送型固体撮像装置に光学
的シャッタを組み合わせ、高解像度の画像信号を得る方
法において、第１フィールドの飽和信号に比べ、第２フ
ィールドでの飽和信号の低下を引き起こさない、構造及
び駆動法を提供するものである。
ものであり、インターライン転送型固体撮像装置に光学
的シャッタを組み合わせ、高解像度の画像信号を得る方
法において、第１フィールドの飽和信号に比べ、第２フ
ィールドでの飽和信号の低下を引き起こさない、構造及
び駆動法を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係わるイン
ターライン転送型固体撮像装置においては、水平及び垂
直方向に配列された複数の受光部と、該受光部の各垂直
列に隣接して配列された垂直転送部とを有し、奇数行目
（または、偶数行目）の受光部からは第１フィールドに
対応する画像信号を読み出し、偶数行目（または、奇数
行目）の受光部からは第２フィールドに対応する画像信
号を読み出す、インターライン転送型固体撮像装置にお
いて、次のステップで読み出し動作を行う、すなわち、 一定期間露光した後、全受光部を遮光状態にする、 奇数行目（または、偶数行目）の受光部から垂直転送
部へ信号電荷を読み出す、 偶数行目（または、奇数行目）の受光部から上下の１
方向に隣接する奇数行目（または、偶数行目）の受光部
へ信号電荷の一部を分配する、 垂直転送部内にある奇数行目（または、偶数行目）受
光部からの信号電荷を、転送動作により読み出す、 奇数行目及び偶数行目の受光部から垂直転送部へ信号
電荷を読み出し、により分配された信号電荷同士を垂
直転送部内で加算し、元の偶数行目（または、奇数行
目）の受光部信号電荷とする、 垂直転送部内にある偶数行目（または、奇数行目）受
光部からの信号電荷を、転送動作により読み出す、こと
を特徴とする。
ターライン転送型固体撮像装置においては、水平及び垂
直方向に配列された複数の受光部と、該受光部の各垂直
列に隣接して配列された垂直転送部とを有し、奇数行目
（または、偶数行目）の受光部からは第１フィールドに
対応する画像信号を読み出し、偶数行目（または、奇数
行目）の受光部からは第２フィールドに対応する画像信
号を読み出す、インターライン転送型固体撮像装置にお
いて、次のステップで読み出し動作を行う、すなわち、 一定期間露光した後、全受光部を遮光状態にする、 奇数行目（または、偶数行目）の受光部から垂直転送
部へ信号電荷を読み出す、 偶数行目（または、奇数行目）の受光部から上下の１
方向に隣接する奇数行目（または、偶数行目）の受光部
へ信号電荷の一部を分配する、 垂直転送部内にある奇数行目（または、偶数行目）受
光部からの信号電荷を、転送動作により読み出す、 奇数行目及び偶数行目の受光部から垂直転送部へ信号
電荷を読み出し、により分配された信号電荷同士を垂
直転送部内で加算し、元の偶数行目（または、奇数行
目）の受光部信号電荷とする、 垂直転送部内にある偶数行目（または、奇数行目）受
光部からの信号電荷を、転送動作により読み出す、こと
を特徴とする。
【００１５】第２の発明に係わるインターライン転送型
固体撮像装置においては、受光部は、信号電荷蓄積層と
基板との間にポテンシャルバリア層が形成され、過剰に
なった信号電荷を基板へ排出する、縦型オーバーフロー
ドレイン構造であることを特徴とする。
固体撮像装置においては、受光部は、信号電荷蓄積層と
基板との間にポテンシャルバリア層が形成され、過剰に
なった信号電荷を基板へ排出する、縦型オーバーフロー
ドレイン構造であることを特徴とする。
【００１６】第３の発明に係わるインターライン転送型
固体撮像装置においては、受光部は、信号電荷蓄積層の
表面に信号電荷蓄積層と逆の導電型で高濃度の表面電位
固定層が設けられて成ることを特徴とする。
固体撮像装置においては、受光部は、信号電荷蓄積層の
表面に信号電荷蓄積層と逆の導電型で高濃度の表面電位
固定層が設けられて成ることを特徴とする。
【００１７】第４の発明に係わるインターライン転送型
固体撮像装置においては、偶数行目（または、奇数行
目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数行目（また
は、偶数行目）の受光部との間に、信号電荷転送チャネ
ルを形成したことを特徴とする。
固体撮像装置においては、偶数行目（または、奇数行
目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数行目（また
は、偶数行目）の受光部との間に、信号電荷転送チャネ
ルを形成したことを特徴とする。
【００１８】第５の発明に係わるインターライン転送型
固体撮像装置においては、偶数行目（または、奇数行
目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数行目（また
は、偶数行目）の受光部との間に下側電極層を形成し、
下側電極層の一部は垂直転送部まで延在され、かつ垂直
転送部の一部を覆い、下側電極層の下には偶数行目（ま
たは、奇数行目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇
数行目（または、偶数行目）の受光部との間にチャネル
を形成すると共に、下側電極層の下で奇数行目及び偶数
行目の受光部と垂直転送部との間はチャネル阻止層を形
成し、下側電極層に読み出し信号を印加することによ
り、偶数行目（または、奇数行目）の受光部から上下の
１方向に隣接する奇数行目（または、偶数行目）の受光
部へ信号電荷の一部を分配することを特徴とする。
固体撮像装置においては、偶数行目（または、奇数行
目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数行目（また
は、偶数行目）の受光部との間に下側電極層を形成し、
下側電極層の一部は垂直転送部まで延在され、かつ垂直
転送部の一部を覆い、下側電極層の下には偶数行目（ま
たは、奇数行目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇
数行目（または、偶数行目）の受光部との間にチャネル
を形成すると共に、下側電極層の下で奇数行目及び偶数
行目の受光部と垂直転送部との間はチャネル阻止層を形
成し、下側電極層に読み出し信号を印加することによ
り、偶数行目（または、奇数行目）の受光部から上下の
１方向に隣接する奇数行目（または、偶数行目）の受光
部へ信号電荷の一部を分配することを特徴とする。
【００１９】第６の発明に係わるインターライン転送型
固体撮像装置においては、各受光部と垂直転送部との
間、及び垂直転送部の一部を覆う上側電極層を形成し、
上側電極層の下で各受光部とそれに対応する垂直転送部
との間にはチャネルを形成すると共に、対応しない反対
側の垂直転送部との間にはチャネル阻止層を形成し、上
側電極層に読み出し信号を印加することにより、各受光
部から対応する垂直転送部へ信号電荷を読み出すことを
特徴とする。
固体撮像装置においては、各受光部と垂直転送部との
間、及び垂直転送部の一部を覆う上側電極層を形成し、
上側電極層の下で各受光部とそれに対応する垂直転送部
との間にはチャネルを形成すると共に、対応しない反対
側の垂直転送部との間にはチャネル阻止層を形成し、上
側電極層に読み出し信号を印加することにより、各受光
部から対応する垂直転送部へ信号電荷を読み出すことを
特徴とする。
【００２０】本発明に係るインターライン転送型固体撮
像装置においては、一定期間、露光した後、全受光部を
遮光状態にしてからの信号読み出しを、次のようにして
いる。
像装置においては、一定期間、露光した後、全受光部を
遮光状態にしてからの信号読み出しを、次のようにして
いる。
【００２１】第１フィールドに対応する奇数行目（また
は、偶数行目）受光部の信号電荷を垂直転送部へ読み出
した直後に、空になった奇数行目（または、偶数行目）
受光部へ偶数行目（または、奇数行目）受光部の信号電
荷の半分程度を移動させる。これにより、偶数行目（ま
たは、奇数行目）受光部の信号電荷蓄積容量は見かけ
上、２倍に増大する。したがって、この後、第１フィー
ルドに対応する垂直転送部内の信号読み出しを時間をか
けて行い、その後に、偶数行目（または、奇数行目）受
光部信号電荷を垂直転送部へ読み出した場合、特に、縦
型オーバーフロードレイン構造で、埋め込みフォトダイ
オード型の場合、熱放出効果により、偶数行目（また
は、奇数行目）受光部の飽和信号量が低下しても、容量
が奇数行目（または、偶数行目）受光部の飽和信号量よ
り２倍の余裕があるため、現実に問題となることは無
い。
は、偶数行目）受光部の信号電荷を垂直転送部へ読み出
した直後に、空になった奇数行目（または、偶数行目）
受光部へ偶数行目（または、奇数行目）受光部の信号電
荷の半分程度を移動させる。これにより、偶数行目（ま
たは、奇数行目）受光部の信号電荷蓄積容量は見かけ
上、２倍に増大する。したがって、この後、第１フィー
ルドに対応する垂直転送部内の信号読み出しを時間をか
けて行い、その後に、偶数行目（または、奇数行目）受
光部信号電荷を垂直転送部へ読み出した場合、特に、縦
型オーバーフロードレイン構造で、埋め込みフォトダイ
オード型の場合、熱放出効果により、偶数行目（また
は、奇数行目）受光部の飽和信号量が低下しても、容量
が奇数行目（または、偶数行目）受光部の飽和信号量よ
り２倍の余裕があるため、現実に問題となることは無
い。
【００２２】また、本発明では、偶数行目（または、奇
数行目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数行目
（または、偶数行目）の受光部との間にチャネルを形成
すると共に、下側電極層の下で、奇数行目及び偶数行目
の受光部と垂直転送部との間はチャネル阻止層を形成し
ているため、下側電極層に読み出し信号を印加すれば、
空になった奇数行目（または、偶数行目）受光部へ偶数
行目（または、奇数行目）受光部の信号電荷の半分程度
を移動させることが可能となる。
数行目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数行目
（または、偶数行目）の受光部との間にチャネルを形成
すると共に、下側電極層の下で、奇数行目及び偶数行目
の受光部と垂直転送部との間はチャネル阻止層を形成し
ているため、下側電極層に読み出し信号を印加すれば、
空になった奇数行目（または、偶数行目）受光部へ偶数
行目（または、奇数行目）受光部の信号電荷の半分程度
を移動させることが可能となる。
【００２３】更に、本発明では、上側電極層の下で、各
受光部とそれに対応する垂直転送部との間にはチャネル
を形成すると共に、対応しない反対側の垂直転送部との
間にはチャネル阻止層を形成しているため、上側電極層
に読み出し信号を印加すれば、奇数行目受光部と偶数行
目受光部とに分配された偶数行目（または、奇数行目）
受光部信号電荷は、それぞれの受光部から対応する垂直
転送部へ読み出され、更に、垂直転送部内で対応する信
号電荷同士が加算され、第２フィールドに対応する信号
電荷が得られる。
受光部とそれに対応する垂直転送部との間にはチャネル
を形成すると共に、対応しない反対側の垂直転送部との
間にはチャネル阻止層を形成しているため、上側電極層
に読み出し信号を印加すれば、奇数行目受光部と偶数行
目受光部とに分配された偶数行目（または、奇数行目）
受光部信号電荷は、それぞれの受光部から対応する垂直
転送部へ読み出され、更に、垂直転送部内で対応する信
号電荷同士が加算され、第２フィールドに対応する信号
電荷が得られる。
【００２４】以上、本発明により、飽和信号量の低下を
招くことなく、インターライン転送型固体撮像装置に光
学的シャッタを組み合わせ、高解像度の画像信号を得る
ことが可能となるものである。
招くことなく、インターライン転送型固体撮像装置に光
学的シャッタを組み合わせ、高解像度の画像信号を得る
ことが可能となるものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。
の形態を説明する。
【００２６】図１は、本発明によるインターライン転送
型固体撮像装置の例を２画素での動作で示した図であ
る。ここで、（ａ）〜（ｆ）で時間経過を示しており、
１ａは奇数番目の受光部、１ｂは偶数番目の受光部、２
は垂直転送部である。
型固体撮像装置の例を２画素での動作で示した図であ
る。ここで、（ａ）〜（ｆ）で時間経過を示しており、
１ａは奇数番目の受光部、１ｂは偶数番目の受光部、２
は垂直転送部である。
【００２７】光学的シャッタで必要な露光が完了後、シ
ャッタを閉じた直後の状態を（ａ）とし、これ以降、
（ｆ）までの間、シャッタは閉じた状態を保つとする。
（ａ）では、全受光部に信号電荷（黒丸で示す）が蓄積
している。次いで、（ｂ）では、奇数番目の受光部１ａ
の信号電荷を全て垂直転送部２へ読み出す。更に、
（ｃ）では、本発明の特徴である、偶数番目受光部１ｂ
から奇数番目受光部１ａへの一部信号電荷の移動が行わ
れる。
ャッタを閉じた直後の状態を（ａ）とし、これ以降、
（ｆ）までの間、シャッタは閉じた状態を保つとする。
（ａ）では、全受光部に信号電荷（黒丸で示す）が蓄積
している。次いで、（ｂ）では、奇数番目の受光部１ａ
の信号電荷を全て垂直転送部２へ読み出す。更に、
（ｃ）では、本発明の特徴である、偶数番目受光部１ｂ
から奇数番目受光部１ａへの一部信号電荷の移動が行わ
れる。
【００２８】その後、（ｄ）では、垂直転送部２に読み
出された信号電荷を順次読み出し、奇数番目の受光部１
ａに対応する第１フィールドの画像信号を得る。次い
で、（ｅ）では、奇数番目受光部１ａと偶数番目受光部
１ｂとに分配された偶数番目受光部信号電荷は、共に、
垂直転送部２へ読み出され、引き続き垂直転送部内で対
応する信号電荷同士が加算される。最後に、（ｆ）で
は、垂直転送部に読み出し加算された、偶数番目の受光
部１ｂに対応する信号電荷を順次読み出し、第２フィー
ルドの画像信号を得る。
出された信号電荷を順次読み出し、奇数番目の受光部１
ａに対応する第１フィールドの画像信号を得る。次い
で、（ｅ）では、奇数番目受光部１ａと偶数番目受光部
１ｂとに分配された偶数番目受光部信号電荷は、共に、
垂直転送部２へ読み出され、引き続き垂直転送部内で対
応する信号電荷同士が加算される。最後に、（ｆ）で
は、垂直転送部に読み出し加算された、偶数番目の受光
部１ｂに対応する信号電荷を順次読み出し、第２フィー
ルドの画像信号を得る。
【００２９】図２は、図１に模式的に示した画素部を、
平面パターン例で示した図である。ここで、破線は下側
電極、実線は上側電極を示し、また、斜線ハッチング部
５はチャネル阻止領域、ドット部３及び４は表面チャネ
ル領域を示す。また、１ａ、１ｂ、２は、それぞれ、奇
数番目受光部、偶数番目受光部、垂直転送部を表してお
り、図１の同じ記号と対応している。画素部は、全体が
低濃度Ｐ層の上に形成されている。受光部１ａ、１ｂ
（ＰＤ）には、一般に埋め込み型フォトダイオード構造
が採用され、表面は高濃度のＰ＋層であり、その下層に
信号電荷（電子）の蓄積層となるＮ層が、低濃度Ｐ層の
上に形成されている。また、垂直転送部２（ＶＣＣＤ）
は、通常埋め込みチャネル型であり、上記低濃度Ｐ層の
上の表面Ｎ層により形成されている。下側電極には、ク
ロックφＶ２、φＶ４が印加され、上側電極には、クロ
ックφＶ１、φＶ３が印加される。図２では、図６に比
べ、奇数番目受光部１ａと、偶数番目受光部１ｂとの間
に表面チャネル領域３が形成されている点が異なる。
平面パターン例で示した図である。ここで、破線は下側
電極、実線は上側電極を示し、また、斜線ハッチング部
５はチャネル阻止領域、ドット部３及び４は表面チャネ
ル領域を示す。また、１ａ、１ｂ、２は、それぞれ、奇
数番目受光部、偶数番目受光部、垂直転送部を表してお
り、図１の同じ記号と対応している。画素部は、全体が
低濃度Ｐ層の上に形成されている。受光部１ａ、１ｂ
（ＰＤ）には、一般に埋め込み型フォトダイオード構造
が採用され、表面は高濃度のＰ＋層であり、その下層に
信号電荷（電子）の蓄積層となるＮ層が、低濃度Ｐ層の
上に形成されている。また、垂直転送部２（ＶＣＣＤ）
は、通常埋め込みチャネル型であり、上記低濃度Ｐ層の
上の表面Ｎ層により形成されている。下側電極には、ク
ロックφＶ２、φＶ４が印加され、上側電極には、クロ
ックφＶ１、φＶ３が印加される。図２では、図６に比
べ、奇数番目受光部１ａと、偶数番目受光部１ｂとの間
に表面チャネル領域３が形成されている点が異なる。
【００３０】図２の動作を、図３にタイミングチャート
で示す。露光期間が終わり、光学的シャッタが閉じた時
点をｔ0 とする。期間ｔ1 では、垂直転送部を高速で駆
動し、垂直転送部内の不要電荷を排出する。時刻ｔ2 で
は、奇数番目受光部の信号電荷を垂直転送部へ読み出
す。これは、図１の（ｂ）に相当する。次いで、時刻ｔ
2 の直後の時刻ｔ3 で、空になった奇数番目受光部へ、
偶数番目受光部の信号電荷量の約１／２を移す。これ
は、図１の（ｃ）に相当する。その後の、期間ｔ4で
は、垂直転送部を通常駆動し、垂直転送部の信号電荷を
読み出して、奇数番目の受光部に対応する第１フィール
ドの信号を得る。これは、図１の（ｄ）に相当する。そ
の後、時刻ｔ5 で、奇数番目受光部の信号電荷を垂直転
送部へ読み出し、垂直転送部内で１／２ビット転送した
後、更に引き続き、時刻ｔ6 で偶数番目受光部の信号電
荷を垂直転送部へ読み出し、前記奇数番目受光部の信号
電荷と加算する。これにより、元々の偶数番目受光部の
全信号電荷が復元される。これは、図１の（ｅ）に相当
する。最後に、期間ｔ7 で、垂直転送部を通常駆動し、
垂直転送部の信号電荷を読み出して、偶数番目の受光部
に対応する第２フィールドの信号を得る。これは、図１
の（ｆ）に相当する。
で示す。露光期間が終わり、光学的シャッタが閉じた時
点をｔ0 とする。期間ｔ1 では、垂直転送部を高速で駆
動し、垂直転送部内の不要電荷を排出する。時刻ｔ2 で
は、奇数番目受光部の信号電荷を垂直転送部へ読み出
す。これは、図１の（ｂ）に相当する。次いで、時刻ｔ
2 の直後の時刻ｔ3 で、空になった奇数番目受光部へ、
偶数番目受光部の信号電荷量の約１／２を移す。これ
は、図１の（ｃ）に相当する。その後の、期間ｔ4で
は、垂直転送部を通常駆動し、垂直転送部の信号電荷を
読み出して、奇数番目の受光部に対応する第１フィール
ドの信号を得る。これは、図１の（ｄ）に相当する。そ
の後、時刻ｔ5 で、奇数番目受光部の信号電荷を垂直転
送部へ読み出し、垂直転送部内で１／２ビット転送した
後、更に引き続き、時刻ｔ6 で偶数番目受光部の信号電
荷を垂直転送部へ読み出し、前記奇数番目受光部の信号
電荷と加算する。これにより、元々の偶数番目受光部の
全信号電荷が復元される。これは、図１の（ｅ）に相当
する。最後に、期間ｔ7 で、垂直転送部を通常駆動し、
垂直転送部の信号電荷を読み出して、偶数番目の受光部
に対応する第２フィールドの信号を得る。これは、図１
の（ｆ）に相当する。
【００３１】図３に示すように、光学的シャッタが閉じ
る時点ｔ0 を起点として、信号電荷蓄積層１２に蓄積可
能な量Ｑｓａｔを考える。この時、受光部では信号電荷
の発生は無いから、Ｑｓａｔは熱放出効果により減少し
続ける。奇数番目受光部の信号電荷量は、図９に示した
従来の場合と同じになるが、偶数番目受光部の信号電荷
量は、２つの受光部で分配する時刻ｔ3 以降は、従来の
２倍となる。したがって、Ｑｓａｔの関係は図４のよう
になる。したがって、図３のタイミングの場合、奇数番
目受光部に対応する第１フィールドのＱｓａｔは、ｔ2
−ｔ0 ＝Ｔa よりＱa となるが、偶数番目受光部に対応
する第２フィールドのＱｓａｔは、ｔ3−ｔ0 ＝Ｔb よ
り得られるＱb と、ｔ6 −ｔ0 ＝Ｔc より得られる２Ｑ
c との低い方で制約される。
る時点ｔ0 を起点として、信号電荷蓄積層１２に蓄積可
能な量Ｑｓａｔを考える。この時、受光部では信号電荷
の発生は無いから、Ｑｓａｔは熱放出効果により減少し
続ける。奇数番目受光部の信号電荷量は、図９に示した
従来の場合と同じになるが、偶数番目受光部の信号電荷
量は、２つの受光部で分配する時刻ｔ3 以降は、従来の
２倍となる。したがって、Ｑｓａｔの関係は図４のよう
になる。したがって、図３のタイミングの場合、奇数番
目受光部に対応する第１フィールドのＱｓａｔは、ｔ2
−ｔ0 ＝Ｔa よりＱa となるが、偶数番目受光部に対応
する第２フィールドのＱｓａｔは、ｔ3−ｔ0 ＝Ｔb よ
り得られるＱb と、ｔ6 −ｔ0 ＝Ｔc より得られる２Ｑ
c との低い方で制約される。
【００３２】前記（式１）及び（式２）の説明で述べた
ように、一般には、Ｑ（ｔ）／Ｑ0≒０〜０．３程度と
なるから、Ｔc ≫Ｔa ≒Ｔb であっても、２Ｑc ＞Ｑb
≒Ｑa となる。即ち、偶数番目受光部の飽和信号量は奇
数番目受光部の飽和信号量より大きくなり、従来見られ
た飽和信号量の低下は起こらない。
ように、一般には、Ｑ（ｔ）／Ｑ0≒０〜０．３程度と
なるから、Ｔc ≫Ｔa ≒Ｔb であっても、２Ｑc ＞Ｑb
≒Ｑa となる。即ち、偶数番目受光部の飽和信号量は奇
数番目受光部の飽和信号量より大きくなり、従来見られ
た飽和信号量の低下は起こらない。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のインター
ライン転送型固体撮像装置によれば、光学的シャッタを
組み合わせ、高解像度のスチル画像信号を得る方法にお
いて、第１フィールドの飽和信号に比べ第２フィールド
での飽和信号の低下を引き起こすことがないものであ
る。すなわち、本発明により、飽和信号量の低下を招く
ことなく、インターライン転送型固体撮像装置に光学的
シャッタを組み合わせ、高解像度の画像信号を得ること
が可能となるものである。また、その方法は、従来の受
光部の構造において、チャネル阻止層の形状を一部変更
することと、読み出しタイミングを一部変更するのみで
可能であり、実現は極めて容易である。以上により、本
発明の実用上の効果は絶大である。
ライン転送型固体撮像装置によれば、光学的シャッタを
組み合わせ、高解像度のスチル画像信号を得る方法にお
いて、第１フィールドの飽和信号に比べ第２フィールド
での飽和信号の低下を引き起こすことがないものであ
る。すなわち、本発明により、飽和信号量の低下を招く
ことなく、インターライン転送型固体撮像装置に光学的
シャッタを組み合わせ、高解像度の画像信号を得ること
が可能となるものである。また、その方法は、従来の受
光部の構造において、チャネル阻止層の形状を一部変更
することと、読み出しタイミングを一部変更するのみで
可能であり、実現は極めて容易である。以上により、本
発明の実用上の効果は絶大である。
【図１】（ａ）乃至（ｆ）は、本発明によるインターラ
イン転送型固体撮像装置の一実施形態を、２画素分の動
作により摸式的に示した図である。
イン転送型固体撮像装置の一実施形態を、２画素分の動
作により摸式的に示した図である。
【図２】図１に模式的に示した画素部を平面パターン例
で示した図である。
で示した図である。
【図３】図１に示す本発明のインターライン転送型固体
撮像装置の動作タイミングを示すタイミングチャートで
ある。
撮像装置の動作タイミングを示すタイミングチャートで
ある。
【図４】図１に示す本発明のインターライン転送型固体
撮像装置において、受光部における飽和信号量の、熱放
出により低下する関係を示す図である。
撮像装置において、受光部における飽和信号量の、熱放
出により低下する関係を示す図である。
【図５】（ａ）乃至（ｅ）は、従来のインターライン転
送型固体撮像装置の例を、２画素分の動作により摸式的
に示した図である。
送型固体撮像装置の例を、２画素分の動作により摸式的
に示した図である。
【図６】図５に模式的に示した画素部を平面パターン例
で示した図である。
で示した図である。
【図７】図５に示す従来のインターライン転送型固体撮
像装置の動作タイミングを示すタイミングチャートであ
る。
像装置の動作タイミングを示すタイミングチャートであ
る。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、埋め込み型フォトダイオ
ードで縦型オーバーフロードレイン構造の、断面図及び
ポテンシャル分布図である。
ードで縦型オーバーフロードレイン構造の、断面図及び
ポテンシャル分布図である。
【図９】図５に示す従来のインターライン転送型固体撮
像装置において、受光部における飽和信号量の、熱放出
により低下する関係を示す図である。
像装置において、受光部における飽和信号量の、熱放出
により低下する関係を示す図である。
１ａ 奇数番目受光部 １ｂ 偶数番目受光部 ２ 垂直転送部 ３ 奇数番目受光部と偶数番目受光部との間
の表面チャネル領域 ４ 受光部と垂直転送部との間の表面チャネ
ル領域 ５ チャネル阻止領域
の表面チャネル領域 ４ 受光部と垂直転送部との間の表面チャネ
ル領域 ５ チャネル阻止領域
Claims (6)
- 【請求項１】 水平及び垂直方向に配列された複数の受
光部と、該受光部の各垂直列に隣接して配列された垂直
転送部とを有し、奇数行目（または、偶数行目）の受光
部からは第１フィールドに対応する画像信号を読み出
し、偶数行目（または、奇数行目）の受光部からは第２
フィールドに対応する画像信号を読み出す、インターラ
イン転送型固体撮像装置において、 次のステップで読み出し動作を行う、すなわち、 一定期間露光した後、全受光部を遮光状態にする、 奇数行目（または、偶数行目）の受光部から垂直転送
部へ信号電荷を読み出す、 偶数行目（または、奇数行目）の受光部から上下の１
方向に隣接する奇数行目（または、偶数行目）の受光部
へ信号電荷の一部を分配する、 垂直転送部内にある奇数行目（または、偶数行目）受
光部からの信号電荷を、転送動作により読み出す、 奇数行目及び偶数行目の受光部から垂直転送部へ信号
電荷を読み出し、により分配された信号電荷同士を垂
直転送部内で加算し、元の偶数行目（または、奇数行
目）の受光部信号電荷とする、 垂直転送部内にある偶数行目（または、奇数行目）受
光部からの信号電荷を、転送動作により読み出す、こと
を特徴とする、インターライン転送型固体撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のインターライン転送型
固体撮像装置において、受光部は、信号電荷蓄積層と基
板との間にポテンシャルバリア層が形成され、過剰にな
った信号電荷を基板へ排出する、縦型オーバーフロード
レイン構造であることを特徴とする、インターライン転
送型固体撮像装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載のインターライン転送型
固体撮像装置において、受光部は、信号電荷蓄積層の表
面に信号電荷蓄積層と逆の導電型で高濃度の表面電位固
定層が設けられて成ることを特徴とする、インターライ
ン転送型固体撮像装置。 - 【請求項４】 請求項１、２または３に記載のインター
ライン転送型固体撮像装置において、偶数行目（また
は、奇数行目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数
行目（または、偶数行目）の受光部との間に、信号電荷
転送チャネルを形成したことを特徴とするインターライ
ン転送型固体撮像装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のインターライン転送型
固体撮像装置において、偶数行目（または、奇数行目）
の受光部と上下の１方向に隣接する奇数行目（または、
偶数行目）の受光部との間に下側電極層を形成し、下側
電極層の一部は垂直転送部まで延在され、かつ垂直転送
部の一部を覆い、下側電極層の下には偶数行目（また
は、奇数行目）の受光部と上下の１方向に隣接する奇数
行目（または、偶数行目）の受光部との間にチャネルを
形成すると共に、下側電極層の下で奇数行目及び偶数行
目の受光部と垂直転送部との間はチャネル阻止層を形成
し、下側電極層に読み出し信号を印加することにより、
偶数行目（または、奇数行目）の受光部から上下の１方
向に隣接する奇数行目（または、偶数行目）の受光部へ
信号電荷の一部を分配することを特徴とするインターラ
イン転送型固体撮像装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載のインターライン転送型
固体撮像装置において、各受光部と垂直転送部との間、
及び垂直転送部の一部を覆う上側電極層を形成し、上側
電極層の下で各受光部とそれに対応する垂直転送部との
間にはチャネルを形成すると共に、対応しない反対側の
垂直転送部との間にはチャネル阻止層を形成し、上側電
極層に読み出し信号を印加することにより、各受光部か
ら対応する垂直転送部へ信号電荷を読み出すことを特徴
とするインターライン転送型固体撮像装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23986698A JP3557102B2 (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | インターライン転送型固体撮像装置 |
| TW088113744A TW457715B (en) | 1998-08-26 | 1999-08-11 | Solid imaging device |
| US09/382,750 US6628332B1 (en) | 1998-08-26 | 1999-08-25 | Interline transfer type imaging device suitable for producing high resolution still images |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23986698A JP3557102B2 (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | インターライン転送型固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000069375A true JP2000069375A (ja) | 2000-03-03 |
| JP3557102B2 JP3557102B2 (ja) | 2004-08-25 |
Family
ID=17051058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23986698A Expired - Fee Related JP3557102B2 (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | インターライン転送型固体撮像装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6628332B1 (ja) |
| JP (1) | JP3557102B2 (ja) |
| TW (1) | TW457715B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6903770B1 (en) * | 1998-07-27 | 2005-06-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Digital camera which produces a single image based on two exposures |
| JP4484449B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2010-06-16 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| DE102006052059A1 (de) * | 2006-11-04 | 2008-05-08 | Leopold Kostal Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Betreiben eines photoelektrischen Sensorarrays |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR0149737B1 (ko) * | 1993-07-20 | 1998-10-15 | 사토 후미오 | 고체촬상장치 |
| JPH08331461A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JP3360512B2 (ja) * | 1996-01-09 | 2002-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその読み出し方法 |
| JPH10243296A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Nikon Corp | 撮像装置、および撮像装置の駆動方法 |
| JP4497688B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2010-07-07 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP23986698A patent/JP3557102B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-08-11 TW TW088113744A patent/TW457715B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-08-25 US US09/382,750 patent/US6628332B1/en not_active Expired - Fee Related
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