JP2000068694A - 電子部品の実装方法、および圧着装置 - Google Patents

電子部品の実装方法、および圧着装置

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JP2000068694A
JP2000068694A JP10239277A JP23927798A JP2000068694A JP 2000068694 A JP2000068694 A JP 2000068694A JP 10239277 A JP10239277 A JP 10239277A JP 23927798 A JP23927798 A JP 23927798A JP 2000068694 A JP2000068694 A JP 2000068694A
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stage
electronic component
mounting
sucked
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Chiaki Imaeda
千明 今枝
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子部品を実装すべき基板に反りなどの変形
があっても、電子部品を高い位置精度で基板上に実装す
ることのできる電子部品の実装方法、および圧着装置を
実現すること。 【解決手段】 ＩＣ５０の実装方法およびそれに用いる
圧着装置では、異方性導電膜ＡＣＦを用いてフレキシブ
ル基板２９上にＩＣ５０を実装する際に、ステージ１０
３によってフレキシブル基板２９の下面側を吸着してフ
レキシブル基板２９の反りを矯正した状態で、フレキシ
ブル基板２９上への異方性導電膜ＡＣＦの配置、ＩＣ５
０の位置合わせ、および圧着ヘッドＴ２を用いてのＩＣ
５０の仮圧着および本圧着を行う。従って、フレキシブ
ル基板２９に反りがあっても、ＩＣ５０をフレキシブル
基板２９に高い位置精度で実装することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板などへの
電子部品の実装などに適用される電子部品の実装方法、
およびこの実装方法の実施に適した圧着装置に関するも
のである。さらに詳しくは、電子部品を実装する際の基
板の支持技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置（以下、ＩＣという。）など
の電子部品を回路基板などに実装するにあたって、近
年、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔ
ｉｖｅｆｉｌｍ／異方性導電膜）を用いる実装方法が採
用されつつある。（以下、ＡＣＦと言う。）このＡＣＦ
を用いた実装方法は、ファインピッチへの対応が可能で
あるとともに、多接点を一括して電気的に接続できると
いう利点がある。このようなＡＣＦを用いてＩＣを回路
基板上に実装するには、図９に示すように、ステージ１
０８上において、回路基板２０上に配置したＩＣ５０を
圧着ヘッドＴ２によって加熱しながら回路基板２０に向
けて押圧する。その際に、ＩＣ５０と回路基板２０との
間にＡＣＦを挟んでおけば、ＡＣＦに含まれる樹脂分Ｒ
が溶融するとともに、ＡＣＦに含まれる導電粒子ＤがＩ
Ｃ５０の電極５１と回路基板２０の配線パターン２０１
との間で押し潰され、ＩＣ５０の電極５１と回路基板２
０の配線パターン２０１とが導電粒子Ｄを介して電気的
に接続する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線パ
ターン２０１のファインピッチ化に急速に進行する中に
あって、従来の実装方法では、回路基板２０の反りや歪
などについては十分な配慮がなされていない。このた
め、図１０（Ａ）に示すように、回路基板２０が反って
いる場合に、この状態のままＩＣ５０を回路基板２０上
でいくら高い精度で位置合わせしても、圧着ヘッドＴ２
によってＩＣ５０を加熱圧着したときに、図１０（Ｂ）
に示すように、回路基板２０が平坦に変形するので、Ｉ
Ｃ５０の電極５１と回路基板２０の配線パターン２０１
との間で位置ずれが発生するという問題点がある。
【０００４】そこで、本発明の課題は、電子部品を実装
すべき基板に反りなどの変形があっても、電子部品を高
い位置精度で基板上に実装することのできる電子部品の
実装方法、および圧着装置を実現することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、ステージ上に載置した基板の部品実装
領域に電子部品を実装する方法において、前記ステージ
として、前記基板の前記実装領域を含む領域を基板下面
側から吸着可能なステージを用いることを特徴とする。
【０００６】本発明において、基板上に電子部品を実装
する際にステージによって基板の部品実装領域を含む領
域を基板下面側から吸着すると、ステージ側への吸着に
よって基板の反りが矯正される。それ故、基板が平坦な
状態で電子部品の実装を行うことができるので、基板に
反りなどの変形があっても、電子部品を高い位置精度で
基板上に実装することができる。
【０００７】本発明は、基板上に電子部品を圧着により
実装するのに適している。すなわち、本発明では、たと
えば、前記基板上に前記電子部品を実装する際には、前
記ステージによって基板下面側を吸着した状態で前記基
板上の前記部品実装領域に対する前記電子部品の位置合
わせを行い、しかる後に、圧着ヘッドを用いて前記電子
部品を前記基板に圧着する。
【０００８】また、ＡＣＦを用いて前記基板上に前記電
子部品を実装する際には、前記基板上の前記部品実装領
域にＡＣＦを配置した後、前記ステージによって基板下
面側を吸着した状態で前記基板上の前記部品実装領域に
対する前記電子部品の位置合わせを前記ＡＣＦ上で行
い、しかる後に、圧着ヘッドを用いて前記電子部品を前
記基板に加熱圧着する。
【０００９】このように構成すると、ステージによる吸
着によって平坦な状態にある基板に対して電子部品を位
置合わせできる。従って、圧着ヘッドによって電子部品
を基板に向けて押圧したときに、反っていた基板が圧着
ヘッドに押圧されて平坦になっても、電子部品を基板に
位置合わせするときと、圧着ヘッドによって圧着すると
きとでは、基板は同一の状態（平坦な状態）にある。そ
れ故、基板に対して電子部品を高い精度で位置合わせし
た状態がそのまま圧着後も維持される。よって、電子部
品を回路基板に高い位置精度で実装することができる。
【００１０】本発明において、ＡＣＦを用いて前記基板
上に前記電子部品を実装する場合には、前記基板上の前
記部品実装領域に前記ＡＣＦを配置する際にも前記ステ
ージによって基板下面側を吸着することが好ましい。
【００１１】さらには、前記圧着ヘッドによって前記電
子部品を圧着する際にも前記ステージによって基板下面
側を吸着することが好ましい。
【００１２】本発明では、前記電子部品の前記部品実装
領域に対する位置合わせから実装終了までの間、同一の
前記ステージによって基板下面側を吸着し続けることが
好ましい。すなわち、基板を移動させずに各工程を行う
場合、あるいは基板を移動させながら各工程を行う場合
でも、基板を同一のステージ上において基板下面側を吸
着した状態にしておくことが好ましい。
【００１３】このような実装方法を実施するには、電子
部品を実装すべき基板を載置するステージと、該ステー
ジ上において前記基板の部品実装領域上に配置した電子
部品を圧着する圧着ヘッドとを有する圧着装置におい
て、前記ステージは、前記基板を載置する基板載置面に
当該基板を基板下面側から吸着する吸着面を形成してお
くことが好ましい。
【００１４】また、圧着ヘッドによって電子部品を加熱
圧着する場合には、前記ステージの前記基板載置面を当
該ステージの内部から加熱する加熱装置を設けておくこ
とが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】添付図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。
【００１６】図１は、液晶表示装置の外観を示す斜視図
であり、図２は、その分解斜視図である。なお、図１お
よび図２において、配線パターンおよび端子などについ
てはその一部のみを示し、それらの詳細は図３および図
４に示す。
【００１７】図１および図２において、携帯電話などの
電子機器に搭載されている液晶表示装置の液晶パネル１
０は、透明ガラスなどによって形成された第１の基板１
と、同じく透明ガラスなどによって形成された第２の基
板２とを有している。これらの基板の一方にはシール剤
３が印刷等によって形成され、このシール剤３を挟んで
第１の基板１と第２の基板２とが接着固定されている。
第１の基板１と第２の基板２との間の間隙のうち、シー
ル剤３で区画形成された液晶封入領域４１内には液晶４
０が封入されている。第１の基板１の外側表面には偏光
板４ａが粘着剤などによって貼られ、第２の基板２の外
側表面にも偏光板４ｂが粘着剤などで貼られている。液
晶パネル１０を反射型として構成する際には、第２の基
板２に貼られている偏光板４ｂの外側に、あるいは偏光
板４ｂの代わりに反射板（図示せず。）が貼られる。
【００１８】本形態において、第２の基板２は第１の基
板１よりも大きいので、第２の基板２に第１の基板１を
重ねた状態で、第２の基板２はその一部が第１の基板１
の下端縁から張り出す。この張り出し部分には液晶封入
領域４１に隣接するようにＩＣ実装領域９が形成され、
ここに駆動用ＩＣ１３がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）実装されている。
【００１９】また、ＩＣ実装領域９よりさらに下端縁の
側では、ＩＣ実装領域９に隣接するように複数の入力端
子１２が第２の基板２の縁に沿って形成され、これらの
入力端子１２には、図１に示すように、フレキシブル基
板２９の各端子が接続される。
【００２０】ここで、フレキシブル基板２９には、携帯
電話などといった電子機器を構成するための回路部品
（ＩＣ５０のみを図示し、配線パターンの図示を省略す
る。）が搭載されている。
【００２１】図３および図４はそれぞれ、第１の基板１
および第２の基板２に形成した透明電極の配置パターン
を示す平面図である。
【００２２】図３において、第１の基板１の内側表面に
は、シール剤３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成さ
れた液晶封入領域４１の内側で横方向に延びる複数のス
トライプ状電極６ａと、液晶封入領域４１の外側でスト
ライプ状電極６ａを各端子に配線接続するための配線部
６ｂとからなる電極パターン６を有している。この電極
パターン６は、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）などで形成されている。
【００２３】図４において、第２の基板２の内側表面に
は、シール剤３（一点鎖線Ｌで示す領域）で区画形成さ
れた液晶封入領域４１の内側で縦方向に延びる複数のス
トライプ状電極７ａと、液晶封入領域４１の外側でスト
ライプ状電極７ａをＩＣ実装領域９に配線接続するため
の配線部７ｂとからなる電極パターン７を有している。
この電極パターン７もＩＴＯ膜などで形成されている。
第１の基板１および第２の基板２の双方には、表面全体
に配向膜（図示せず。）が形成され、液晶４０をＳＴＮ
（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式
で用いるようになっている。
【００２４】このように構成した第１の基板１と第２の
基板２とを図１に示すように貼り合わせた状態で、第１
の基板１のストライプ状電極６ａと第２の基板２のスト
ライプ状電極７ａとは互いに交差し、各交差部分に画素
が構成される。また、第１の基板１と第２の基板２とを
貼り合わせた状態で、第１の基板１の端子６ｃと第２の
基板２の端子７ｃとが対向する。従って、第１の基板１
の内側表面、または第２の基板２の内側表面に、ギャッ
プ材および導電粒子を含むシール剤３を塗布して第１の
基板１と第２の基板２とを貼り合わせれば、第１の基板
１の各端子６ｃと、第２の基板２の各端子７ｃとは、シ
ール剤３に含まれる導電粒子を介して導通することにな
る。ここで、導電粒子は、弾性変形可能なプラスチック
ビーズの表面にめっきを施したもので、その粒径は約
６．６μｍである。これに対して、ギャップ材の粒径は
約５．６μｍである。それ故、第１の基板１と第２の基
板２とを重ねた状態でその間隙を狭めるような力を加え
ながらシール剤３を溶融、硬化させると、導電粒子は、
第１の基板１と第２の基板２との間で押し潰された状態
で第１の基板１の端子６ｃと第２の基板２の端子７とを
導通させる。従って、駆動用ＩＣ１３にフレキシブル基
板２９を介して信号および電源を供給すると、駆動用Ｉ
Ｃ１３は、希望する適宜のストライプ状電極６ａ、７ａ
に電圧を印加することによって各画素における液晶４０
の配向状態を制御し、液晶パネル１０に希望の像を表示
する。
【００２５】［実施の形態１］このようにして表示を行
うための画像信号などは、図１に示すフレキシブル基板
２９の側から供給される。このフレキシブル基板２９に
対してＩＣ５０を実装するにあたって、本形態では、図
５、図６および図７を参照して以下に説明する圧着装置
および圧着方法（実装方法）を用いる。
【００２６】図５（Ａ）〜（Ｇ）は、本形態に係る圧着
方法を示す工程断面図である 図６および図７はそれぞ
れ、本形態の圧着装置１００のステージ１０３の斜視
図、およびその断面図である。
【００２７】まず、図５（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、
本形態の圧着装置１００には、フレキシブル基板２９を
載置するステージ１０３と、このステージ１０３上でフ
レキシブル基板２９のＩＣ実装領域２９０に異方性導電
膜ＡＣＦを配置するための転着ヘッドＴ１および切断ツ
ールＣＴとが構成されている。また、図５（Ｅ）に示す
ように、圧着装置１００には、フレキシブル基板２９上
に異方性導電膜ＡＣＦを介して配置したＩＣ５０を加熱
しながらフレキシブル基板２９に向けて押圧する圧着ヘ
ッドＴ２が構成されている。
【００２８】図６および図７に示すように、本形態の圧
着装置１００において、ステージ１０３の基板載置面１
０６には多数の孔１０７を備える吸着面１０８が形成さ
れている。これらの孔１０７はステージ１０３の内部に
形成された吸引経路１０９に連通している。従って、ス
テージ１０３の外部から吸引経路１０９内を吸引する
と、多数の孔１０７によって、フレキシブル基板２９の
下面側が吸引、吸着されることになる。本形態におい
て、ステージ１０３がフレキシブル基板２９の下面を吸
引する範囲は、少なくともＩＣ領域２９０が含まれてい
ればよい。そこで、本形態では、フレキシブル基板２９
において、ＩＣ領域２９０の４隅に対応する位置に付さ
れているアライメントマークＭで区画された領域を吸
引、吸着するように、ステージ１０３の基板載置面１０
６に吸着面１０８が形成されている。
【００２９】このように構成した圧着装置１００におい
て、本形態では、同一のステージ１０３にフレキシブル
基板２９を載置して以下に説明する各工程を行う。この
場合に、ステージ１０３およびフレキシブル基板２９が
移動せずに、各工程に対応するツール（転着ヘッドＴ
１、切断ツールＣＴ、圧着ヘッドＴ２）がステージ１０
３の上に移動するタイプの装置構成、各工程に対応する
ツール（転着ヘッドＴ１、切断ツールＣＴ、圧着ヘッド
Ｔ２）がそれぞれのエリアに配置され、これらのエリア
にフレキシブル基板２９が移動するタイプの装置構成が
ある。これらの装置構成のうち、フレキシブル基板２９
の方が移動するタイプの装置構成であれば、ステージ１
０３がフレキシブル基板２９の搬送ユニットとして用い
られる。
【００３０】このような圧着装置１００を用いての圧着
方法（実装方法）を説明する。
【００３１】図５（Ａ）、図６および図７に示すフレキ
シブル基板２９には、各種電子部品を配線接続するため
の配線パターン２９１（図７参照／図５および図６では
省略してある。）が形成されている。この配線パターン
２９１上にＩＣ５０を実装するには、まず、ステージ１
０３の基板載置面１０６にフレキシブル基板２９を載置
する。次に、吸引ポンプ（図示せず。）を作動させ、吸
引経路１０９内を吸引する。その結果、ステージ１０３
の吸着面１０８に形成されている多数の孔１０７によっ
て、フレキシブル基板２９の下面側が吸引、吸着され
る。
【００３２】このような状態にした後、ＩＣ実装領域２
９０を覆うように、セパレータＳＰに積層された異方性
導電膜ＡＣＦを配置する。次に、図５（Ｂ）に示すよう
に、セパレータＳＰに積層された異方性導電膜ＡＣＦを
転着ヘッドＴ１を用いて、圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温
度５０℃〜８０℃の条件でフレキシブル基板２９の側に
熱圧着する。次に、図５（Ｃ）に示すように、たとえ
ば、高温の切断ツールＣＴをセパレータＳＰの側からフ
レキシブル基板２９の方に押し当てて、異方性導電膜Ａ
ＣＦを残したい領域２９０の輪郭に沿って溶断する。次
に、セパレータＳＰを斜め上方に引き上げるようにし
て、セパレータＳＰを引き剥がし、図５（Ｄ）に示すよ
うに、フレキシブル基板２９のＩＣ実装領域２９０に異
方性導電膜ＡＣＦを貼り付けた状態で残す（転着工
程）。
【００３３】このようにして異方性導電膜ＡＣＦをフレ
キシブル基板２９上に配置する際も、フレキシブル基板
２９の下面側は、ステージ１０３の吸着面１０８に形成
されている多数の孔１０７によって吸引、吸着された状
態にある（図７参照）。
【００３４】次に、図７に示すように、フレキシブル基
板２９の下面側をステージ１０３の吸着面１０８に形成
されている多数の孔１０７によって吸引、吸着した状態
で、図５（Ｅ）に示すように、フレキシブル基板２９の
異方性導電膜ＡＣＦの上からＩＣ５０を位置合わせす
る。
【００３５】次に、図７に示すように、フレキシブル基
板２９の下面側をステージ１０３の吸着面１０８に形成
されている多数の孔１０７によって吸引、吸着した状態
で、図５（Ｆ）に示すように、圧着ヘッドＴ２によって
ＩＣ５０を加熱しながらフレキシブル基板２９の方に押
圧する。このとき行う加熱圧着条件は、圧着時の時間が
短いなど、あくまで仮圧着用の穏やか条件である（仮圧
着工程）。
【００３６】次に、図７に示すように、フレキシブル基
板２９の下面側をステージ１０３の吸着面１０８に形成
されている多数の孔１０７によって吸引、吸着した状態
で、図５（Ｇ）に示すように、圧着ヘッドＴ２によって
ＩＣ５０を加熱しながらフレキシブル基板２９の方に再
度、押圧する（本圧着工程）。このとき行う加熱圧着条
件は、圧力が２０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度が１９０℃、時
間が１０秒と本圧着用の厳しい条件であり、この本圧着
を行った後は、ＩＣ５０の電極５１とフレキシブル基板
２９の配線パターン２９とは、十分な接着強度をもって
電気的に接続する。
【００３７】その結果、図７に示すように、ＩＣ５０と
フレキシブル基板２９との間では異方性導電膜ＡＣＦに
含まれる樹脂分Ｒが圧着ヘッドＴ２からの熱によって溶
融するとともに、異方性導電膜ＡＣＦに含まれる導電粒
子ＤがＩＣ５０の電極５１とフレキシブル基板２９の配
線パターン２９１との間で押し潰され、ＩＣ５０の電極
５１とフレキシブル基板２９の配線パターン２９１とが
導電粒子Ｄを介して電気的に接続する。従って、ＩＣ５
０をフレキシブル基板２９上に圧着できる。
【００３８】このように、本形態に係るＩＣ５０の実装
方法では、フレキシブル基板２９の下面側を同一のステ
ージ１０３上において吸着した状態にして各工程を行
う。すなわち、異方性導電膜ＡＣＦを用いてフレキシブ
ル基板２９上にＩＣ５０を実装する際に、ステージ１０
３によってフレキシブル基板２９の下面側を吸着した状
態でフレキシブル基板２９上に異方性導電膜ＡＣＦを配
置した後、ステージ１０３によってフレキシブル基板２
９の下面側を吸着した状態でフレキシブル基板２９に対
するＩＣ５０の位置合わせを異方性導電膜ＡＣＦ上で行
い、しかる後に、圧着ヘッドＴ２を用いてＩＣ５０をフ
レキシブル基板２９に仮圧着および本圧着する際にもス
テージ１０３によってフレキシブル基板２９の下面側を
吸着する。従って、ＩＣ５０の実装工程の間、フレキシ
ブル基板２９はステージ１０３によって吸着されている
ので、図８（Ａ）に示すように、フレキシブル基板２９
に反りがあっても、図８（Ｂ）に示すように、ステージ
１０３による吸着（矢印Ｖで示す。）によってフレキシ
ブル基板２９の反りが矯正される。従って、図８（Ｃ）
に示すように、ステージ１０３による吸着によって平坦
な状態にあるフレキシブル基板２９に対してＩＣ５０を
位置合わせを行い、かつ、図８（Ｄ）に示すように、ス
テージ１０３による吸着によって平坦な状態にあるフレ
キシブル基板２９に対して圧着ヘッドＴ２によって圧着
を行う。それ故、本形態によれば、フレキシブル基板２
９にＩＣ５０を位置合わせするときも、フレキシブル基
板２９に対してＩＣ５０を圧着ヘッドＴ２によって圧着
するときも、フレキシブル基板２９は同一の状態（平坦
な状態）にあるので、フレキシブル基板２９に対してＩ
Ｃ５０を高い精度で位置合わせした状態がそのまま圧着
後も維持される。よって、フレキシブル基板２９の反り
があっても、ＩＣ５０をフレキシブル基板２９に高い位
置精度で実装することができる。
【００３９】［実施の形態２］図１に示すように、液晶
パネル１０に用いた第２の基板２には駆動用ＩＣ１３が
ＣＯＧ実装されているが、この駆動用ＩＣ１３を異方性
導電膜ＡＣＦを介して第２の基板２の上に実装する場合
にも、実施の形態１において図５、図６、図７、図８を
参照して説明した圧着装置１００および圧着方法を用い
ることができる。
【００４０】すなわち、図５、図６、図７、図８におい
て、フレキシブル基板２０に代えて、液晶パネル１０を
ステージ１０３上に載置し、液晶パネル１０の下面側
（第２の基板２）をステージ１０３の吸着面１０８に形
成されている多数の孔１０７によって吸引、吸着した状
態で、駆動用ＩＣ１３を実装を行う。このようにして、
駆動用ＩＣ１３を実装すると、駆動用ＩＣ１３の実装工
程の間、液晶パネル１０の第２の基板２はステージ１０
３によって吸着されているので、第２の基板２に反りが
あっても、ステージ１０３による吸着によって第２の基
板２の反りが矯正された状態で実装工程を行うことがで
きる。それ故、本形態によれば、第２の基板２に駆動用
ＩＣ１３を位置合わせするときも、第２の基板２に対し
て駆動用ＩＣ１３を圧着ヘッドＴ２によって圧着すると
きも、第２の基板２は同一の状態（平坦な状態）にある
ので、第２の基板２に対して駆動用ＩＣ１３を高い精度
で位置合わせした状態がそのまま圧着後も維持される。
よって、第２の基板２に反りがあっても、駆動用ＩＣ１
３を第２の基板２に高い位置精度で実装することができ
る。
【００４１】なお、本形態は、厚さが０．５５ｍｍ〜
０．４ｍｍと薄いガラス板からなる第２の基板２を用い
て液晶パネル１０が構成されている例であったが、液晶
パネル１０を構成する第１の基板１および第２の基板２
をそれぞれプラスチックフィルムによって形成する場合
があり、このような場合にも、本形態を適用すれば、第
２の基板２に反りがあっても駆動用ＩＣ１３を第２の基
板２に高い位置精度で実装することができる。
【００４２】［実施の形態３］本発明は、液晶パネル１
０の製造工程に限らず、ガラス−エポキシ基板やセラミ
ックス基板などといった回路基板にフェイスダウンボン
ディングタイプのＩＣを実装したマルチチップモジュー
ルなどの半導体装置の製造工程において、回路基板にＩ
Ｃを異方性導電膜ＡＣＦを介して実装する際にも適用で
きる。この場合にも、図５、図６、図７、図８におい
て、フレキシブル基板２０に代えて、回路基板をステー
ジ１０３上に載置し、回路基板の下面側をステージ１０
３の吸着面１０８に形成されている多数の孔１０７によ
って吸引、吸着した状態で、ＩＣを実装を行う。このよ
うにして、ＩＣを実装すると、ＩＣの実装工程の間、回
路基板はステージ１０３によって吸着されているので、
回路基板に反りがあっても、ステージ１０３による吸着
によって回路基板の反りが矯正された状態でＩＣの実装
工程を行うことができる。それ故、本形態によれば、回
路基板にＩＣを位置合わせするときも、回路基板に対し
てＩＣを圧着ヘッドＴ２によって圧着するときも、回路
基板は同一の状態（平坦な状態）にあるので、回路基板
に対してＩＣを高い精度で位置合わせした状態がそのま
ま圧着後も維持される。よって、回路基板に反りがあっ
てもＩＣを回路基板に高い位置精度で実装することがで
きる。
【００４３】［その他の実施の形態］上記形態では、基
板（フレキシブル基板２９、液晶パネル１０、回路基
板）の下面側をステージ１０３上において吸着した状態
で全ての工程を行ったが、圧着方式を利用する場合に
は、基板に反りがあっても、圧着時に基板が圧着ヘッド
Ｔ２によって押圧され、反りが矯正された状態になる。
従って、基板にＩＣ５０を位置合わせするときのみ基板
下面側をステージ１０３で吸引、吸着する形態であって
も、基板にＩＣ５０を位置合わせするときと、基板に対
してＩＣ５０を圧着するときとの間で、基板の状態が同
一（平坦状態）であるので、基板に対するＩＣ５０の位
置合わせ精度を向上することができる。
【００４４】また、上記形態のように、圧着ヘッドＴ２
によってＩＣを加熱しながら基板（フレキシブル基板２
９、液晶パネル１０、回路基板）に加熱圧着する方法を
採用する場合には、ステージ１０３の基板載置面１０８
を加熱するヒータなどの加熱装置をステージ１０３の内
部に設けてもよい。このように構成すると、圧着ヘッド
Ｔ２からＩＣを介しての加熱だけで異方性導電膜ＡＣＦ
を加熱溶融させる場合に比較して、ＩＣに加わる熱スト
レスを緩和することができる。
【００４５】さらに、上記形態では、異方性導電膜ＡＣ
Ｆを用いてＩＣを基板（フレキシブル基板２９、液晶パ
ネル１０、回路基板）に実装する例であったが、チップ
マウンタ等の機械によって各種電子部品を基板上に実装
する際に、基板下面側をステージ１０３で吸引、吸着す
れば、基板に反りなどがあっても、電子部品を高い位置
精度で基板上に実装することができる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る実装
方法および圧着装置では、基板上に電子部品を実装する
際にステージによって基板の部品実装領域を含む領域を
基板下面側から吸着するので、ステージ側への吸着によ
って基板の反りなどが矯正される。それ故、基板が平坦
な状態で電子部品の実装を行うことができるので、基板
に反りなどの変形があっても、電子部品を高い位置精度
で基板上に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置に用いた液晶パネルの
分解斜視図である。
【図３】図１に示す液晶パネルの第１の基板に形成した
透明電極の配置パターンを示す平面図である。
【図４】図１に示す液晶パネルの第２の基板に形成した
透明電極の配置パターンを示す平面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｇ）は、図１に示す液晶表示装置の
製造工程のうち、異方性導電膜を用いて基板にＩＣを圧
着する様子を示す工程断面図である。
【図６】本発明を適用した圧着装置のステージの斜視図
である。
【図７】本発明を適用した圧着装置のステージの断面図
である。
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係る実装方法の作
用を説明するための工程断面図である。
【図９】異方性導電膜を用いた従来の実装方法の説明図
である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は、従来の実装方法の問題点
を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】 １ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ シール剤 ４ａ、４ｂ 偏光板 ６、７ 電極パターン（薄膜パターン） ６ａ、７ａ ストライプ状電極 ９ ＩＣ実装領域 １０ 液晶パネル １３ 駆動用ＩＣ ２９ フレキシブル基板（基板） ４０ 液晶 ４１ 液晶封入領域 ５０ ＩＣ（電子部品） ５１ ＩＣの電極 １００ 圧着装置 １０３ ステージ １０６ 基板載置面 １０７ 孔 １０８ 吸着面 １０９ ステージ内の吸引経路 ２９０ ＩＣ実装領域（部品実装領域） ２９１ フレキシブル基板の配線パターン ＡＣＦ 異方性導電膜 Ｄ 異方性導電膜に含まれる導電粒子 Ｍ アライメントマーク Ｔ１ 転着ヘッド Ｔ２ 圧着ヘッド

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ステージ上に載置した基板の部品実装領
    域に電子部品を実装する方法において、 前記ステージとして、前記基板の前記部品実装領域を含
    む領域を基板下面側から吸着可能なステージを用いるこ
    とを特徴とする電子部品の実装方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記基板上に前記電
    子部品を実装する際には、前記ステージによって基板下
    面側を吸着した状態で前記基板上の前記部品実装領域に
    対する前記電子部品の位置合わせを行い、しかる後に、
    圧着ヘッドを用いて前記電子部品を前記基板に圧着する
    ことを特徴とする電子部品の実装方法。
  3. 【請求項３】 請求項１において、前記基板上に前記電
    子部品を実装する際には、前記基板上の前記部品実装領
    域に異方性導電材料を配置した後、前記ステージによっ
    て基板下面側を吸着した状態で前記基板上の前記部品実
    装領域に対する前記電子部品の位置合わせを前記異方性
    導電材料上で行い、しかる後に、圧着ヘッドを用いて前
    記電子部品を前記基板に加熱圧着することを特徴とする
    電子部品の実装方法。
  4. 【請求項４】 請求項３において、前記基板上の前記部
    品実装領域に前記異方性導電材料を配置する際にも前記
    ステージによって基板下面側を吸着することを特徴とす
    る電子部品の実装方法。
  5. 【請求項５】 請求項２ないし４のいずれかにおいて、
    前記圧着ヘッドによって前記電子部品を圧着する際にも
    前記ステージによって基板下面側を吸着することを特徴
    とする電子部品の実装方法。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
    前記電子部品の前記部品実装領域に対する位置合わせか
    ら実装終了までの間、同一の前記ステージによって基板
    下面側を吸着し続けることを特徴とする電子部品の実装
    方法。
  7. 【請求項７】 電子部品を実装すべき基板を載置するス
    テージと、該ステージ上において前記基板の部品実装領
    域上に配置した電子部品を圧着する圧着ヘッドとを有す
    る圧着装置において、 前記ステージは、前記基板を載置する基板載置面に当該
    基板を基板下面側から吸着する吸着面を備えていること
    を特徴とする圧着装置。
  8. 【請求項８】 請求項７において、前記ステージの前記
    基板載置面を当該ステージの内部から加熱する加熱装置
    を備えていることを特徴とする圧着装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7828860B2 (en) 2001-07-06 2010-11-09 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method of laminating fuel cell-use separator and film/electrode junction element and device therefor
JP2011035118A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Hitachi High-Technologies Corp Ｐｃｂ実装処理装置及びｐｃｂ実装処理方法
US7964955B2 (en) 2004-11-16 2011-06-21 Seiko Epson Corporation Electronic device package and electronic equipment

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