JP2000068611A - 選択ド―プされた障壁を有する多量子井戸レ―ザ - Google Patents
選択ド―プされた障壁を有する多量子井戸レ―ザInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、選択ドープされた障壁を有する多
量子井戸レーザを提供する。 【解決手段】 ＭＱＷレーザは活性領域を含み、その中
で複数の障壁のそれぞれはアンドープ障壁層により、隣
接する量子井戸層から分離されたドープされた障壁層を
含む。好ましい実施例において、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐ ＳＣＨ ＭＱＷレーザの各障壁は、一対のアンドー
プＩｎＧａＡｓＰ障壁層の間にはさまれたｐ形（たとえ
ばＢｅ、Ｍｇ又はＣ）デルタドープＩｎＧａＡｓＰ層を
含み、デルタドープ層の適切なドーピング濃度及び厚さ
で、８２Ｋもの高いＴo を有するＭＱＷレーザを示し
た。
量子井戸レーザを提供する。 【解決手段】 ＭＱＷレーザは活性領域を含み、その中
で複数の障壁のそれぞれはアンドープ障壁層により、隣
接する量子井戸層から分離されたドープされた障壁層を
含む。好ましい実施例において、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐ ＳＣＨ ＭＱＷレーザの各障壁は、一対のアンドー
プＩｎＧａＡｓＰ障壁層の間にはさまれたｐ形（たとえ
ばＢｅ、Ｍｇ又はＣ）デルタドープＩｎＧａＡｓＰ層を
含み、デルタドープ層の適切なドーピング濃度及び厚さ
で、８２Ｋもの高いＴo を有するＭＱＷレーザを示し
た。
Description
【０００１】
【本発明の分野】本発明は一般に半導体レーザ、より具
体的には多量子井戸（ＭＱＷ）レーザに係る。
体的には多量子井戸（ＭＱＷ）レーザに係る。
【０００２】
【本発明の背景】半導体レーザダイオードは多くの異な
る光波通信システムに用途を見い出す。レーザ特性の温
度依存性を減らすことは、そのようなシステムを考える
上で重要である。たとえば、家庭へのファイバ及びルー
プ光回路網中のファイバでは、レーザは低価格で冷却し
ないこと、すなわち熱電子（ＴＥ）冷却なしで、動作す
ることが必要である。冷却しないレーザには、いくつか
の利点がある。すなわち、寸法が小さく、パッケージ封
入の価格が低く、ＴＥ冷却それ自身に伴う信頼性の問題
が除かれる。
る光波通信システムに用途を見い出す。レーザ特性の温
度依存性を減らすことは、そのようなシステムを考える
上で重要である。たとえば、家庭へのファイバ及びルー
プ光回路網中のファイバでは、レーザは低価格で冷却し
ないこと、すなわち熱電子（ＴＥ）冷却なしで、動作す
ることが必要である。冷却しないレーザには、いくつか
の利点がある。すなわち、寸法が小さく、パッケージ封
入の価格が低く、ＴＥ冷却それ自身に伴う信頼性の問題
が除かれる。
【０００３】特に関心が持たれているのは、非冷却ＭＱ
Ｗレーザで、それは典型的な場合、より大きな禁制帯障
壁層によってはさまれた多くの比較的禁制帯幅の小さな
量子井戸層により形成される。順方向バイアス下で、電
子及び正孔が量子井戸中に注入され、そこでそれらは実
効的禁制帯エネルギーの中心波長特性で発光再結合す
る。中心波長特性は量子井戸材料、井戸の厚さ及び他の
要因によって決る。障壁は一部、井戸中に注入されたキ
ャリヤを閉じ込める働きをする。しばしばＭＱＷレーザ
には分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）が組込まれ、そ
れは一部レーザモードの光閉じ込めをする。ＳＣＨレー
ザにおいて、活性領域は一対の内部クラッド層（時には
導波路層とよばれる）により囲まれ、内部クラッド層は
一対の外部クラッド層により囲まれる。
Ｗレーザで、それは典型的な場合、より大きな禁制帯障
壁層によってはさまれた多くの比較的禁制帯幅の小さな
量子井戸層により形成される。順方向バイアス下で、電
子及び正孔が量子井戸中に注入され、そこでそれらは実
効的禁制帯エネルギーの中心波長特性で発光再結合す
る。中心波長特性は量子井戸材料、井戸の厚さ及び他の
要因によって決る。障壁は一部、井戸中に注入されたキ
ャリヤを閉じ込める働きをする。しばしばＭＱＷレーザ
には分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）が組込まれ、そ
れは一部レーザモードの光閉じ込めをする。ＳＣＨレー
ザにおいて、活性領域は一対の内部クラッド層（時には
導波路層とよばれる）により囲まれ、内部クラッド層は
一対の外部クラッド層により囲まれる。
【０００４】すべてのレーザダイオードの閾値電流密度
は、温度の上昇とともに増加する。閾値電流密度と温度
との間の経験的な関係は、式（１）により与えられる。 Ｊ＝Ｊoｅｘｐ｛Ｔ／Ｔo｝ （１） ここで、Ｊo 及びＴo は数学的構成要素で、Ｔo はしば
しばレーザの特性温度とよばれる。指数関数的な関係の
ため、Ｔo の小さな変化により、閾値電流密度にはるか
に大きなシフトが生じる。しかし、一般に、Ｔo を増す
ことが望ましい。Ｔo に影響を及ぼすいくつかのパラメ
ータが知られている。すなわち、導波路材料組成、歪エ
ネルギー及びドーパント濃度である。それぞれ、エス．
セキ（Ｓ．Ｓｅｋｉ）ら、アイ・イー・イー・イー・フ
ォトン・テクノロジー・レター（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏ
ｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌｅｔｔ．）第７巻、第８号、８
３９−８４１頁（１９９５）、ピー．ジェイ．エー．チ
ジス（Ｐ．Ｊ．Ａ．Ｔｈｉｊｓ）ら、アイ・イー・イー
・イー・ジャーナル・カンタム・エレクトロニクス（Ｉ
ＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．）第
３０巻、第２号、４７７−４９９頁（１９９４）及びジ
ー．エル．ベレンキー（Ｇ．Ｌ．Ｂｅｌｅｎｋｙ）ら、
アイ・イー・イー・イー・フォトン・テクノロジー・レ
ターズ（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌ
ｅｔｔ．）第９巻、第１２号１５５８−１５６０頁（１
９９７）を参照のこと。これらすべてが、ここに参照文
献として含まれる。
は、温度の上昇とともに増加する。閾値電流密度と温度
との間の経験的な関係は、式（１）により与えられる。 Ｊ＝Ｊoｅｘｐ｛Ｔ／Ｔo｝ （１） ここで、Ｊo 及びＴo は数学的構成要素で、Ｔo はしば
しばレーザの特性温度とよばれる。指数関数的な関係の
ため、Ｔo の小さな変化により、閾値電流密度にはるか
に大きなシフトが生じる。しかし、一般に、Ｔo を増す
ことが望ましい。Ｔo に影響を及ぼすいくつかのパラメ
ータが知られている。すなわち、導波路材料組成、歪エ
ネルギー及びドーパント濃度である。それぞれ、エス．
セキ（Ｓ．Ｓｅｋｉ）ら、アイ・イー・イー・イー・フ
ォトン・テクノロジー・レター（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏ
ｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌｅｔｔ．）第７巻、第８号、８
３９−８４１頁（１９９５）、ピー．ジェイ．エー．チ
ジス（Ｐ．Ｊ．Ａ．Ｔｈｉｊｓ）ら、アイ・イー・イー
・イー・ジャーナル・カンタム・エレクトロニクス（Ｉ
ＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．）第
３０巻、第２号、４７７−４９９頁（１９９４）及びジ
ー．エル．ベレンキー（Ｇ．Ｌ．Ｂｅｌｅｎｋｙ）ら、
アイ・イー・イー・イー・フォトン・テクノロジー・レ
ターズ（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌ
ｅｔｔ．）第９巻、第１２号１５５８−１５６０頁（１
９９７）を参照のこと。これらすべてが、ここに参照文
献として含まれる。
【０００５】最近、ベレンキー（Ｂｅｌｅｎｋｙ）らは
上述の文献中で、歪んだＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＭＱ
Ｗレーザの全ＭＱＷ活性領域に、Ｚｎを添加することに
より、レーザ閾値の温度依存性がわずかに改善されるこ
とを報告した。ＺｎはＩｎＧａＡｓＰ中で強いｐ形伝導
形を示すが、それはＩｎＧａＡｓＰ中よりＩｎＰ中では
るかに低い溶解度をもつ。この事実は重要である。なぜ
なら、１．３μｍないし１．５５μｍレーザの中心波長
で動作するＭＱＷレーザは、外部クラッド層材料として
ＩｎＰを、内部クラッド（導波路）、障壁及び量子井戸
材料として、ＩｎＧａＡｓＰを用いるからである。Ｉｎ
Ｐクラッド層中に置かれたＺｎは、デバイスの活性領域
によって、悪影響を受ける傾向がある。更に、量子井戸
層は導波路又は（量子井戸層の禁制帯が導波路又は障壁
層のそれより小さいように）障壁層より高いＧａ及びＡ
ｓ含有量を必要とするから、Ｚｎはそれらの中で特に析
出する。（一般に、Ｚｎの溶解度はＧａ及びＡｓ含有量
が増すと増加する。）そのため、ＺｎドープＭＱＷレー
ザのＭＱＷ活性領域及びｐ形クラッド層中で、異常な格
子間拡散がしばしば観測される。量子井戸中にＺｎ（又
は何らかのｐ形ドーパント）が存在すると、閾値電流密
度が本質的に増加し、（増加した内部損を通して）微分
量子効率が減少する。そのような望ましくないデバイス
特性（たとえば内部損、閾値電流密度、量子効率及び寿
命の減少）を避けるために、正孔分布全体の精密な制御
が必要である。ドーパント分布は中でも、これらのパラ
メータの制御のために最も重要である。なぜなら、吸収
損は基本的に正孔濃度に依存するからである。（たとえ
ば、シー．エッチ．ヘンリー（Ｃ．Ｈ．Ｈｅｎｒｙ）
ら、アイ・イー・イー・イー・ジャーナル・カンタム・
エレクトロニクス（ＩＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒ．）第１９巻、第６号、９４７−９５２頁
（１９８３）を参照のこと。これは参照文献としてここ
に含まれる。）
上述の文献中で、歪んだＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＭＱ
Ｗレーザの全ＭＱＷ活性領域に、Ｚｎを添加することに
より、レーザ閾値の温度依存性がわずかに改善されるこ
とを報告した。ＺｎはＩｎＧａＡｓＰ中で強いｐ形伝導
形を示すが、それはＩｎＧａＡｓＰ中よりＩｎＰ中では
るかに低い溶解度をもつ。この事実は重要である。なぜ
なら、１．３μｍないし１．５５μｍレーザの中心波長
で動作するＭＱＷレーザは、外部クラッド層材料として
ＩｎＰを、内部クラッド（導波路）、障壁及び量子井戸
材料として、ＩｎＧａＡｓＰを用いるからである。Ｉｎ
Ｐクラッド層中に置かれたＺｎは、デバイスの活性領域
によって、悪影響を受ける傾向がある。更に、量子井戸
層は導波路又は（量子井戸層の禁制帯が導波路又は障壁
層のそれより小さいように）障壁層より高いＧａ及びＡ
ｓ含有量を必要とするから、Ｚｎはそれらの中で特に析
出する。（一般に、Ｚｎの溶解度はＧａ及びＡｓ含有量
が増すと増加する。）そのため、ＺｎドープＭＱＷレー
ザのＭＱＷ活性領域及びｐ形クラッド層中で、異常な格
子間拡散がしばしば観測される。量子井戸中にＺｎ（又
は何らかのｐ形ドーパント）が存在すると、閾値電流密
度が本質的に増加し、（増加した内部損を通して）微分
量子効率が減少する。そのような望ましくないデバイス
特性（たとえば内部損、閾値電流密度、量子効率及び寿
命の減少）を避けるために、正孔分布全体の精密な制御
が必要である。ドーパント分布は中でも、これらのパラ
メータの制御のために最も重要である。なぜなら、吸収
損は基本的に正孔濃度に依存するからである。（たとえ
ば、シー．エッチ．ヘンリー（Ｃ．Ｈ．Ｈｅｎｒｙ）
ら、アイ・イー・イー・イー・ジャーナル・カンタム・
エレクトロニクス（ＩＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒ．）第１９巻、第６号、９４７−９５２頁
（１９８３）を参照のこと。これは参照文献としてここ
に含まれる。）
【０００６】
【本発明の要約】本発明の一視点に従うと、ＭＱＷレー
ザは活性領域を含み、その中で多数の障壁のそれぞれ
は、少なくとも１つのドープされた障壁層を含み、それ
はアンドープ障壁層により、隣接した量子井戸層から分
離される。好ましい実施例において、ＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ ＳＣＨ ＭＱＷレーザの各障壁は、一対のアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ障壁層の間にはさまれたｐ形（た
とえばＢｅ、Ｍｇ又はＣ）デルタドープＩｎＧａＡｓＰ
障壁層を含む。Ｂｅデルタドープ障壁層の適当なドーピ
ング濃度及び厚さで、８２Ｋもの高いＴo を有するＭＱ
Ｗレーザを示した。
ザは活性領域を含み、その中で多数の障壁のそれぞれ
は、少なくとも１つのドープされた障壁層を含み、それ
はアンドープ障壁層により、隣接した量子井戸層から分
離される。好ましい実施例において、ＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ ＳＣＨ ＭＱＷレーザの各障壁は、一対のアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ障壁層の間にはさまれたｐ形（た
とえばＢｅ、Ｍｇ又はＣ）デルタドープＩｎＧａＡｓＰ
障壁層を含む。Ｂｅデルタドープ障壁層の適当なドーピ
ング濃度及び厚さで、８２Ｋもの高いＴo を有するＭＱ
Ｗレーザを示した。
【０００７】
【本発明の詳細な説明】図１を参照すると、ＳＣＨ Ｍ
ＱＷレーザは一対の内部クラッド半導体領域（２０、２
２）の間にはさまれた半導体活性領域（１０）を含み、
内部クラッド半導体領域は一対の外部クラッド半導体領
域（３０、３２）によって区切られている。外部クラッ
ド領域（３０）はたとえば半導体基板（４０）として描
かれている支持部上に配置されている。しかし、支持部
はたとえば上にエピタキシャルバッファ層を成長させた
基板のような他の構造を含む。
ＱＷレーザは一対の内部クラッド半導体領域（２０、２
２）の間にはさまれた半導体活性領域（１０）を含み、
内部クラッド半導体領域は一対の外部クラッド半導体領
域（３０、３２）によって区切られている。外部クラッ
ド領域（３０）はたとえば半導体基板（４０）として描
かれている支持部上に配置されている。しかし、支持部
はたとえば上にエピタキシャルバッファ層を成長させた
基板のような他の構造を含む。
【０００８】活性領域は内部クラッド（２０、２２）間
に積層された多数のＮ回くり返しユニット（１２）を含
む。当業者には良く知られるように、各くり返しユニッ
トは、障壁領域（１２．５）に隣接した量子井戸（Ｑ
Ｗ）領域を含む。知られているように、各量子井戸領域
（１２．１）はそれに隣接した障壁領域より小さな禁制
帯を有し、そのため注入されたキャリヤは、領域（１
２．１）の量子井戸内に閉じ込められる。
に積層された多数のＮ回くり返しユニット（１２）を含
む。当業者には良く知られるように、各くり返しユニッ
トは、障壁領域（１２．５）に隣接した量子井戸（Ｑ
Ｗ）領域を含む。知られているように、各量子井戸領域
（１２．１）はそれに隣接した障壁領域より小さな禁制
帯を有し、そのため注入されたキャリヤは、領域（１
２．１）の量子井戸内に閉じ込められる。
【０００９】レーザに電気的接触を作り、活性領域にポ
ンピングエネルギーを供給するため、基板（４０）の底
部上に金属接触（６０）が形成され、外部クラッド領域
（３２）上に接触構造（９０）が形成されている。構造
（９０）は比較的高い導電性の接触促進半導体層（５
０）、電気的絶縁層（たとえば酸化物又は窒化物）及び
金属接触層（８０）を含む。ストライプ状レーザ技術で
よく知られているように、絶縁層（７０）中に細長い開
孔が形成され、それは外部クラッド領域（３２）の下の
部分を露出し、開孔を満し、レーザの最上部に電気的接
触を作るよう、層（７０）上に金属接触層（８０）を堆
積させる。接触（６０）及び（８０）間に順方向バイア
ス電圧を印加し、レーザ閾値を越えて電流を流した時、
活性領域は多量子井戸の実効禁制帯エネルギーによって
決る中心波長で、放射の刺激放出を生じる。多量子井戸
の実効禁制帯エネルギーは、量子井戸層の材料、厚さ及
び他の要因の関数である。
ンピングエネルギーを供給するため、基板（４０）の底
部上に金属接触（６０）が形成され、外部クラッド領域
（３２）上に接触構造（９０）が形成されている。構造
（９０）は比較的高い導電性の接触促進半導体層（５
０）、電気的絶縁層（たとえば酸化物又は窒化物）及び
金属接触層（８０）を含む。ストライプ状レーザ技術で
よく知られているように、絶縁層（７０）中に細長い開
孔が形成され、それは外部クラッド領域（３２）の下の
部分を露出し、開孔を満し、レーザの最上部に電気的接
触を作るよう、層（７０）上に金属接触層（８０）を堆
積させる。接触（６０）及び（８０）間に順方向バイア
ス電圧を印加し、レーザ閾値を越えて電流を流した時、
活性領域は多量子井戸の実効禁制帯エネルギーによって
決る中心波長で、放射の刺激放出を生じる。多量子井戸
の実効禁制帯エネルギーは、量子井戸層の材料、厚さ及
び他の要因の関数である。
【００１０】デバイスを作製するのに用いる具体的な半
導体材料は、一部所望の動作波長に依存する。ＩＩＩ−
Ｖ族半導体は典型的である。従って、たとえば約０．８
−０．９μｍで動作させるためには、ＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ層が用いられ、一方１．３μｍ又は１．５５μｍ
で動作させるためには、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ層が適
切であろう。
導体材料は、一部所望の動作波長に依存する。ＩＩＩ−
Ｖ族半導体は典型的である。従って、たとえば約０．８
−０．９μｍで動作させるためには、ＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ層が用いられ、一方１．３μｍ又は１．５５μｍ
で動作させるためには、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ層が適
切であろう。
【００１１】上述のストライプ形状はもちろん単に本発
明の原理を実施するために使用できる各種の利得誘導構
造の例である。更に、好ましい形態は当業者には周知の
多くの屈折率誘導構造（たとえば埋め込みヘテロ構造）
の範囲内で見い出せる可能性が大きい。これらの中で、
被覆メサ埋め込みヘテロ構造（ＣＭＢＨ）は、特に関心
がもたれる。
明の原理を実施するために使用できる各種の利得誘導構
造の例である。更に、好ましい形態は当業者には周知の
多くの屈折率誘導構造（たとえば埋め込みヘテロ構造）
の範囲内で見い出せる可能性が大きい。これらの中で、
被覆メサ埋め込みヘテロ構造（ＣＭＢＨ）は、特に関心
がもたれる。
【００１２】加えて、レーザには光空胴共振器が設けら
れ、その中には活性領域、すなわち刺激放射を保持する
ための光帰還手段が配置される。たとえば、この帰還は
一対の平行なへき開結晶面、分布帰還（ＤＦＢ）回折格
子、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）又はそれらの組合せ
によって得られる。
れ、その中には活性領域、すなわち刺激放射を保持する
ための光帰還手段が配置される。たとえば、この帰還は
一対の平行なへき開結晶面、分布帰還（ＤＦＢ）回折格
子、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）又はそれらの組合せ
によって得られる。
【００１３】本発明の一実施例に従うと、ＭＱＷレーザ
の活性領域は、各障壁領域（１２．５）が多数の障壁層
を含むように修正される。多くの障壁領域のそれぞれの
中で、１つの障壁層（１２．３）はドープされ、一方他
の２つのスペーサ、障壁層（１２．２）及び（１２．
４）はアンドープで、隣接した量子井戸領域（１２．
１）から、ドープされた障壁層（１２．３）を分離す
る。図２Ｂに示されるように、ドープされた障壁層（１
２．３）は薄いデルタドープ層が好ましい。他方、スペ
ーサ障壁層は一部ドーパント原子が量子井戸中に拡散す
るのを本質的に防止する働きをする。図２Ａは図１のレ
ーザの各種の層の禁制帯を概略的に示し、一方図２Ｂ及
び２Ｃはそれぞれ対応するｐ形及びｎ形ドーパントの分
布を示す。
の活性領域は、各障壁領域（１２．５）が多数の障壁層
を含むように修正される。多くの障壁領域のそれぞれの
中で、１つの障壁層（１２．３）はドープされ、一方他
の２つのスペーサ、障壁層（１２．２）及び（１２．
４）はアンドープで、隣接した量子井戸領域（１２．
１）から、ドープされた障壁層（１２．３）を分離す
る。図２Ｂに示されるように、ドープされた障壁層（１
２．３）は薄いデルタドープ層が好ましい。他方、スペ
ーサ障壁層は一部ドーパント原子が量子井戸中に拡散す
るのを本質的に防止する働きをする。図２Ａは図１のレ
ーザの各種の層の禁制帯を概略的に示し、一方図２Ｂ及
び２Ｃはそれぞれ対応するｐ形及びｎ形ドーパントの分
布を示す。
【００１４】ここで用いるように、アンドープという用
語は、具体的な半導体層又は領域が、意図的にはドープ
されていないことを意味する。すなわち、そのような領
域又は層のいずれのドーピングも、比較的低濃度で、典
型的な場合、デバイスの層を成長させるために用いたチ
ャンバ内の残留又はバックグランドドーピングから生じ
る。
語は、具体的な半導体層又は領域が、意図的にはドープ
されていないことを意味する。すなわち、そのような領
域又は層のいずれのドーピングも、比較的低濃度で、典
型的な場合、デバイスの層を成長させるために用いたチ
ャンバ内の残留又はバックグランドドーピングから生じ
る。
【００１５】障壁層の厚さ、ドープ障壁層に用いられる
物質及びドーパント物質のピーク濃度は、著しく損失を
増すことなく、Ｔo が所望のように増加するように選択
される。様々な取り引きも起る。従って、障壁材料中の
ドーパント物質の拡散度（あるいは拡散長と等価）は、
ドーパント原子が量子井戸中に拡散する可能性を減らす
よう、小さくすべきである。たとえば、本発明に従うＩ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＭＱＷレーザ中で、一般的にＺｎ
は適切なドーパントではなく、一方Ｂｅ、Ｍｇ及びＣは
適切である。同じ理由により、スペーサ障壁層の厚さ
は、ドーパント物質の拡散長より小さくないことが好ま
しく、拡散長の条件が満たされる限り、各ドープ障壁層
の厚さは、その障壁領域の全厚の一部でよい（たとえ
ば、層（１２．３）はたとえば領域（１２．５）の厚さ
の半分より小さい）。事実、障壁層（１２．３）を障壁
領域の全厚の５分の１に作ることは、用いるドーパント
濃度に対して適していることがわかった。
物質及びドーパント物質のピーク濃度は、著しく損失を
増すことなく、Ｔo が所望のように増加するように選択
される。様々な取り引きも起る。従って、障壁材料中の
ドーパント物質の拡散度（あるいは拡散長と等価）は、
ドーパント原子が量子井戸中に拡散する可能性を減らす
よう、小さくすべきである。たとえば、本発明に従うＩ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＭＱＷレーザ中で、一般的にＺｎ
は適切なドーパントではなく、一方Ｂｅ、Ｍｇ及びＣは
適切である。同じ理由により、スペーサ障壁層の厚さ
は、ドーパント物質の拡散長より小さくないことが好ま
しく、拡散長の条件が満たされる限り、各ドープ障壁層
の厚さは、その障壁領域の全厚の一部でよい（たとえ
ば、層（１２．３）はたとえば領域（１２．５）の厚さ
の半分より小さい）。事実、障壁層（１２．３）を障壁
領域の全厚の５分の１に作ることは、用いるドーパント
濃度に対して適していることがわかった。
【００１６】加えて、ドープ障壁層のキャリヤ濃度は温
度感受性の所望の減少が、微分量子効率の望ましくない
減少又は閾値電流密度の増加とひきかえに得られるよう
な高さにすべきでない。ここで、約１×１０18cm-3のＢ
ｅピーク濃度が適切であることがわかった。しかし、一
般に、ドープ障壁層の厚さを増すことは、ピークドーパ
ント濃度を減すことを意味し、逆に各ドープ障壁層内の
全電荷は本質的に一定（所望のＴo の増加を与える値）
に保たれることを意味する。
度感受性の所望の減少が、微分量子効率の望ましくない
減少又は閾値電流密度の増加とひきかえに得られるよう
な高さにすべきでない。ここで、約１×１０18cm-3のＢ
ｅピーク濃度が適切であることがわかった。しかし、一
般に、ドープ障壁層の厚さを増すことは、ピークドーパ
ント濃度を減すことを意味し、逆に各ドープ障壁層内の
全電荷は本質的に一定（所望のＴo の増加を与える値）
に保たれることを意味する。
【００１７】ドープ障壁層中のドーパント原子の拡散長
は、いくつかの要因、たとえば成長条件（たとえば成長
速度、成長速度、Ｖ族元素（たとえばＡｓ、Ｐ）過剰
圧）、ドーパント障壁層中のピークドーパント濃度の良
く知られた関数である。たとえば、約４９０−５００℃
の温度及び約１−２μｍ／時間のＢｅドープＩｎＧａＡ
ｓＰ障壁層のＭＢＥ成長の場合、Ｂｅの拡散長は約１−
５×１０18cm-3のピークＢｅの濃度において、約４０Ａ
より小さいか等しい。
は、いくつかの要因、たとえば成長条件（たとえば成長
速度、成長速度、Ｖ族元素（たとえばＡｓ、Ｐ）過剰
圧）、ドーパント障壁層中のピークドーパント濃度の良
く知られた関数である。たとえば、約４９０−５００℃
の温度及び約１−２μｍ／時間のＢｅドープＩｎＧａＡ
ｓＰ障壁層のＭＢＥ成長の場合、Ｂｅの拡散長は約１−
５×１０18cm-3のピークＢｅの濃度において、約４０Ａ
より小さいか等しい。
【００１８】実施例 以下の例で、各種材料、ドーパント、濃度、寸法、動作
条件、プロセス工程及び他のパラメータを示すが、それ
らは例を示すだけであって、特にことわらない限り、本
発明の視野を制限することを意図したものではない。
条件、プロセス工程及び他のパラメータを示すが、それ
らは例を示すだけであって、特にことわらない限り、本
発明の視野を制限することを意図したものではない。
【００１９】比較のため、約１．３μｍの中心波長で動
作するよう設計された４つの異なる型のＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ ＳＣＨ ＭＱＷレーザを作製するために、Ｍ
ＢＥを用いた。試料（ａ）−アンドープ活性領域を有す
る従来の構造；試料（ｂ）−試料（ａ）と同様アンドー
プ活性領域を有するが、内部クラッド領域（２２）の一
部（２２．３）にＢｅをドーピングした構造；試料
（ｃ）−本発明の一実施例に従う構造で、デルタドープ
障壁層（１２．３）は約１．２×１０18cm-3のピーク濃
度にＢｅをドープした２０Ａ厚のＩｎＧａＡｓＰ層を含
む構造；試料（ｄ）−本発明の別の実施例に従う構造
で、デルタドープ障壁層（１２．３）は約５．０×１０
18cm-3のピーク濃度にＢｅをドープした２０Ａ厚のＩｎ
ＧａＡｓＰ層を含む構造。
作するよう設計された４つの異なる型のＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＰ ＳＣＨ ＭＱＷレーザを作製するために、Ｍ
ＢＥを用いた。試料（ａ）−アンドープ活性領域を有す
る従来の構造；試料（ｂ）−試料（ａ）と同様アンドー
プ活性領域を有するが、内部クラッド領域（２２）の一
部（２２．３）にＢｅをドーピングした構造；試料
（ｃ）−本発明の一実施例に従う構造で、デルタドープ
障壁層（１２．３）は約１．２×１０18cm-3のピーク濃
度にＢｅをドープした２０Ａ厚のＩｎＧａＡｓＰ層を含
む構造；試料（ｄ）−本発明の別の実施例に従う構造
で、デルタドープ障壁層（１２．３）は約５．０×１０
18cm-3のピーク濃度にＢｅをドープした２０Ａ厚のＩｎ
ＧａＡｓＰ層を含む構造。
【００２０】試料（ｃ）及び（ｄ）の構造は、以下の表
に示されている。それらの違いは、障壁層（１２．３）
中のＢｅの濃度のみである。試料（ａ）及び（ｂ）の構
造は試料（ｃ）及び（ｄ）と同様であるが、活性領域が
アンドープであることが異なり、試料（ｂ）と試料
（ａ）は前者が約１．２×１０18cm-3にＢｅをドープし
たＩｎＧａＡｓＰ内部クラッド領域の部分（２２．３）
をもつことが異なる。この部分はＩｎＰ外部クラッド領
域から、約３００Ａ（ほぼ空乏幅）延びる。測定によ
り、試料（ａ）及び（ｂ）は本質的に同一の温度感受性
をもち、内部クラッドのみをｐドープすることは、これ
らの従来のＭＱＷレーザ中では、Ｔo に著しい影響を与
えないことが示された。すべての場合、Ｓi がｎ形ドー
パントであった。
に示されている。それらの違いは、障壁層（１２．３）
中のＢｅの濃度のみである。試料（ａ）及び（ｂ）の構
造は試料（ｃ）及び（ｄ）と同様であるが、活性領域が
アンドープであることが異なり、試料（ｂ）と試料
（ａ）は前者が約１．２×１０18cm-3にＢｅをドープし
たＩｎＧａＡｓＰ内部クラッド領域の部分（２２．３）
をもつことが異なる。この部分はＩｎＰ外部クラッド領
域から、約３００Ａ（ほぼ空乏幅）延びる。測定によ
り、試料（ａ）及び（ｂ）は本質的に同一の温度感受性
をもち、内部クラッドのみをｐドープすることは、これ
らの従来のＭＱＷレーザ中では、Ｔo に著しい影響を与
えないことが示された。すべての場合、Ｓi がｎ形ドー
パントであった。
【００２１】表から、外部クラッド領域（３２）は４つ
のＩｎＰ層から成り、内部クラッド領域（２２）は４つ
のＩｎＧａＡｓＰ層から成ることが、明らかであろう。
それらに対し、外部クラッド及び内部クラッド領域（３
０）及び（２０）はそれぞれ単一のＩｎＰ及びＩｎＧａ
ＡｓＰ層から成る。本発明はクラッド層のこの具体的な
構成に限られていないが、それは現在好ましい設計であ
る。
のＩｎＰ層から成り、内部クラッド領域（２２）は４つ
のＩｎＧａＡｓＰ層から成ることが、明らかであろう。
それらに対し、外部クラッド及び内部クラッド領域（３
０）及び（２０）はそれぞれ単一のＩｎＰ及びＩｎＧａ
ＡｓＰ層から成る。本発明はクラッド層のこの具体的な
構成に限られていないが、それは現在好ましい設計であ
る。
【００２２】
【表１】
【００２３】図２Ｂに概略的に示され、表中で詳細に示
されるように、試料（ｃ）及び（ｄ）はたとえば各障壁
領域（１２．５）の中心に配置された薄いＢｅドープ障
壁層（１２．３）を含んだ。ドープされた障壁層は、薄
いアンドープスペーサ層により、隣接したＱＷから分離
された。スペーサ障壁が本質的にＢｅの量子井戸中に拡
散するのを防止するために存在する限り、ドープされた
障壁層は障壁領域内に、非対称に配置してよい。
されるように、試料（ｃ）及び（ｄ）はたとえば各障壁
領域（１２．５）の中心に配置された薄いＢｅドープ障
壁層（１２．３）を含んだ。ドープされた障壁層は、薄
いアンドープスペーサ層により、隣接したＱＷから分離
された。スペーサ障壁が本質的にＢｅの量子井戸中に拡
散するのを防止するために存在する限り、ドープされた
障壁層は障壁領域内に、非対称に配置してよい。
【００２４】図３は４つのレーザ試料の温度の関数とし
て、閾値電流密度を示す。δドープ構造のＱＷ中の対応
する正孔シート密度は、試料（ｃ）２．４×１０11cm-2
及び試料（ｄ）１×１０12cm-2であった。それに対し、
試料（ａ）のように、アンドープ活性領域を有する従来
のＭＱＷレーザは、典型的な場合、１×１０10cm-2程度
の正孔シート密度を有する。試料（ｂ）のように、内部
クラッド領域（２２）中にアンドープ活性領域及びｐド
ープ層（２２．３）を有するものは、ゼロバイアス条件
下で、２−５×１０11cm-2の範囲の密度を有する。これ
らのデバイスの特性温度は、それぞれ試料（ａ）−６１
Ｋ；試料（ｂ）−６１Ｋ；試料（ｃ）−７７Ｋ及び試料
（ｄ）−８２Ｋであった。データは、障壁層のみの中の
ドーパント濃度を制御することにより、閾値電流密度の
温度に伴う変化は改善できることを示している。定量的
には、本発明により１６−２１ＫＴo が改善されること
を示した。
て、閾値電流密度を示す。δドープ構造のＱＷ中の対応
する正孔シート密度は、試料（ｃ）２．４×１０11cm-2
及び試料（ｄ）１×１０12cm-2であった。それに対し、
試料（ａ）のように、アンドープ活性領域を有する従来
のＭＱＷレーザは、典型的な場合、１×１０10cm-2程度
の正孔シート密度を有する。試料（ｂ）のように、内部
クラッド領域（２２）中にアンドープ活性領域及びｐド
ープ層（２２．３）を有するものは、ゼロバイアス条件
下で、２−５×１０11cm-2の範囲の密度を有する。これ
らのデバイスの特性温度は、それぞれ試料（ａ）−６１
Ｋ；試料（ｂ）−６１Ｋ；試料（ｃ）−７７Ｋ及び試料
（ｄ）−８２Ｋであった。データは、障壁層のみの中の
ドーパント濃度を制御することにより、閾値電流密度の
温度に伴う変化は改善できることを示している。定量的
には、本発明により１６−２１ＫＴo が改善されること
を示した。
【００２５】レーザへの入力（駆動）パワーの主要な割
合が、ちょうど次式で与えられる必要なパワー閾値を得
るために消費される（すなわち、それが光出力パワーＰ
ｏｕｔを増さない）限り、閾値電流密度の温度依存性を
制御することは重要である。 Ｐth＝Ｉth 2Ｒf （２） ここで、Ｉthは閾値電流で、Ｒf はレーザダイオード順
方向抵抗である。それ以上の入力パワーは、内部損α
i 、ミラー損及び不均一な内部量子効率ηi によって消
費される。もう１つの重要な考えは、傾斜効率が、Ｔo
を改善するためにする設計変更によって、著しく悪影響
を受けないことである。微分量子効率に直接比例する傾
斜効率は、Ｐout／（Ｐin−Ｐth） で定義され、レーザ
閾値を越える入力パワーを表わす指標である。
合が、ちょうど次式で与えられる必要なパワー閾値を得
るために消費される（すなわち、それが光出力パワーＰ
ｏｕｔを増さない）限り、閾値電流密度の温度依存性を
制御することは重要である。 Ｐth＝Ｉth 2Ｒf （２） ここで、Ｉthは閾値電流で、Ｒf はレーザダイオード順
方向抵抗である。それ以上の入力パワーは、内部損α
i 、ミラー損及び不均一な内部量子効率ηi によって消
費される。もう１つの重要な考えは、傾斜効率が、Ｔo
を改善するためにする設計変更によって、著しく悪影響
を受けないことである。微分量子効率に直接比例する傾
斜効率は、Ｐout／（Ｐin−Ｐth） で定義され、レーザ
閾値を越える入力パワーを表わす指標である。
【００２６】温度に対する閾値パワー密度の相対的増加
が、４つの異なるレーザ構造に対し、図４に示されてい
る。本発明に従う試料（ｃ）及び（ｄ）は、温度の増加
に伴う規格化された閾値パワーの増加ΔＰthが、明らか
に小さいことを示している。 ΔＰth＝［Ｐth（Ｔ）−Ｐth（１５℃）］／Ｐth（１５℃） （３） である。従って、図４はＭＱＷレーザ構造の温度依存性
改善に対するＢｅデルタドープ障壁層の重要性を示して
いる。
が、４つの異なるレーザ構造に対し、図４に示されてい
る。本発明に従う試料（ｃ）及び（ｄ）は、温度の増加
に伴う規格化された閾値パワーの増加ΔＰthが、明らか
に小さいことを示している。 ΔＰth＝［Ｐth（Ｔ）−Ｐth（１５℃）］／Ｐth（１５℃） （３） である。従って、図４はＭＱＷレーザ構造の温度依存性
改善に対するＢｅデルタドープ障壁層の重要性を示して
いる。
【００２７】同様に重要なことは、我々のデータはＢｅ
濃度に依存して、微分量子効率ηdはデルタドープ領域
の存在によって悪影響を受けず、その温度依存性も悪影
響を受けないことである。このデータは、効率はドーピ
ング分布とは独立に、同じ温度依存性をもつことをより
明らかに示した。従って、それはΔηi （Ｔ）、Δηd
（Ｔ）及びΔαi （Ｔ）は本発明のレーザと従来のＭＱ
Ｗレーザで同様であることを示唆している。加えて、本
発明の両方のレーザ及び従来のＭＱＷレーザについて、
約８２％のηi を測定した。
濃度に依存して、微分量子効率ηdはデルタドープ領域
の存在によって悪影響を受けず、その温度依存性も悪影
響を受けないことである。このデータは、効率はドーピ
ング分布とは独立に、同じ温度依存性をもつことをより
明らかに示した。従って、それはΔηi （Ｔ）、Δηd
（Ｔ）及びΔαi （Ｔ）は本発明のレーザと従来のＭＱ
Ｗレーザで同様であることを示唆している。加えて、本
発明の両方のレーザ及び従来のＭＱＷレーザについて、
約８２％のηi を測定した。
【００２８】また、この型のドープされた障壁は、更に
Ｒf を減少させることにより、パワー損を減少させ、従
ってレーザの変調速度も増すことが期待される。期待さ
れる速度の増加は、より高い微分利得により、それはド
ープされた障壁層中の適切なｐ形ドーピングによって増
加する。
Ｒf を減少させることにより、パワー損を減少させ、従
ってレーザの変調速度も増すことが期待される。期待さ
れる速度の増加は、より高い微分利得により、それはド
ープされた障壁層中の適切なｐ形ドーピングによって増
加する。
【００２９】加えて、厚さを変えることなく、ドープさ
れた障壁のピークキャリヤ濃度を、１．２×１０18cm-3
以下に減少させると、閾値電流密度を本質的に増加させ
ることなく、かつ微分量子効率を著しく劣化させること
なく、従来技術のＭＱＷレーザより良い温度感受性を示
すことが予想される。
れた障壁のピークキャリヤ濃度を、１．２×１０18cm-3
以下に減少させると、閾値電流密度を本質的に増加させ
ることなく、かつ微分量子効率を著しく劣化させること
なく、従来技術のＭＱＷレーザより良い温度感受性を示
すことが予想される。
【００３０】上述の構成は本発明の原理の応用を示すた
めに考えられる多くの可能な具体的実施例にすぎないこ
とを、理解する必要がある。当業者には、本発明の精神
及び視野を離れることなく、これらの原理に従って、多
くの他の様々な構造が考えられる。
めに考えられる多くの可能な具体的実施例にすぎないこ
とを、理解する必要がある。当業者には、本発明の精神
及び視野を離れることなく、これらの原理に従って、多
くの他の様々な構造が考えられる。
【００３１】具体的には、本発明の別の実施例は、各ド
ープ障壁層が、アンドープ障壁層により相互に、かつ隣
接した量子井戸層から分離された複数のドープされた障
壁層を、各障壁領域内に含むＭＱＷレーザを含む。先に
述べたように、本質的に量子井戸層に隣接したアンドー
プ障壁層の厚さは、障壁中のドーパント原子の拡散長よ
り大きくすべきである。
ープ障壁層が、アンドープ障壁層により相互に、かつ隣
接した量子井戸層から分離された複数のドープされた障
壁層を、各障壁領域内に含むＭＱＷレーザを含む。先に
述べたように、本質的に量子井戸層に隣接したアンドー
プ障壁層の厚さは、障壁中のドーパント原子の拡散長よ
り大きくすべきである。
【００３２】本発明の別の実施例は、活性領域構造が内
部クラッド層に隣接した量子井戸層で始まる（又は終
る）ＭＱＷレーザに係る。たとえば、図２Ａにおいて、
量子井戸層（１２．１ａ）及び（１２．１ｂ）はそれぞ
れクラッド領域（２２）及び（２０）に隣接する。それ
らの場合、薄いドープされた層（２２．１）及び（２
０．１）は、それぞれ内部クラッド領域（２２）及び
（２０）内に形成してよい。上述のような障壁領域で
は、これらのドープされた層は、それらの各量子井戸か
ら、内部クラッド領域のそれぞれアンドープ部分（２
２．２）及び（２０．２）により分離すべきである。こ
の目的のために、アンドープ部分の厚さは、クラッド領
域中で、ドーパント原子の拡散長より小さくすべきでは
ない。
部クラッド層に隣接した量子井戸層で始まる（又は終
る）ＭＱＷレーザに係る。たとえば、図２Ａにおいて、
量子井戸層（１２．１ａ）及び（１２．１ｂ）はそれぞ
れクラッド領域（２２）及び（２０）に隣接する。それ
らの場合、薄いドープされた層（２２．１）及び（２
０．１）は、それぞれ内部クラッド領域（２２）及び
（２０）内に形成してよい。上述のような障壁領域で
は、これらのドープされた層は、それらの各量子井戸か
ら、内部クラッド領域のそれぞれアンドープ部分（２
２．２）及び（２０．２）により分離すべきである。こ
の目的のために、アンドープ部分の厚さは、クラッド領
域中で、ドーパント原子の拡散長より小さくすべきでは
ない。
【図１】本発明の一実施例に従うＳＣＨ ＭＱＷレーザ
の層構造の概略図である。
の層構造の概略図である。
【図２Ａ】図１のレーザの層の禁制帯を示す図である。
【図２Ｂ】図１のｐ形ドーパント分布を示す図である。
【図２Ｃ】図１のｎ形ドーパント分布を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に従うＳＣＨ ＭＱＷレーザ
（曲線ｃ及びｄ）と従来のＳＣＨ ＭＱＷレーザ（曲線
ａ及びｂ）の広面積閾値電流密度Ｊthの温度依存性を比
較したグラフの図である。
（曲線ｃ及びｄ）と従来のＳＣＨ ＭＱＷレーザ（曲線
ａ及びｂ）の広面積閾値電流密度Ｊthの温度依存性を比
較したグラフの図である。
【図４】本発明の一実施例に従うＳＣＨ ＭＱＷレーザ
（曲線ｃ及びｄ）と従来のＳＣＨ ＭＱＷレーザ（曲線
ａ及びｂ）の規格化した閾値パワー密度ΔＰthの温度依
存性を比較したグラフの図である。
（曲線ｃ及びｄ）と従来のＳＣＨ ＭＱＷレーザ（曲線
ａ及びｂ）の規格化した閾値パワー密度ΔＰthの温度依
存性を比較したグラフの図である。
１０ 半導体活性領域 １２ くり返しユニット １２．１ 領域 １２．２ 障壁層 １２．３ 層、障壁層 １２．４ 障壁層 １２．５ 障壁領域、領域 ２０、２２ 内部クラッド領域、内部クラッド ２２．３ 内部クラッド領域の一部 ３０、３２ 外部クラッド領域 ４０ 基板 ５０ 接触促進半導体層 ６０ 金属接触、接触 ７０ 層、絶縁層 ８０ 金属接触層、接触 ９０ 構造
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス ネルソン バイラージオン アメリカ合衆国 07081 ニュージャーシ ィ，スプリングフィールド，ツリー トッ プ ドライヴ 161 (72)発明者 アルフレッド イー． チョー アメリカ合衆国 07901 ニュージャーシ ィ，サミット，ケネス コート 11
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の積層くり返し単位を含み、各単位
は相互に隣接した量子井戸層及び障壁領域を含み、前記
量子井戸層は適切なポンピングエネルギーが印加された
時、放射の刺激放出を生成できる半導体活性領域を含む
ＭＱＷレーザにおいて、 前記障壁領域は複数の障壁層を含み、前記障壁層の少な
くとも１つはドープ層で、少なくとも１つは前記量子井
戸層を前記ドープ障壁層から分離するよう配置されたア
ンドープ層であることを特徴とするＭＱＷレーザ。 - 【請求項２】 前記レーザは前記活性領域を区切る少な
くとも一対の半導体クラッド領域を更に含む請求項１記
載の発明。 - 【請求項３】 前記クラッド領域の少なくとも１つは、
前記量子井戸の１つに隣接し、前記クラッド領域の少な
くとも１つは、ドープされた層及び前記ドープ層から前
記量子井戸層を分離するアンドープ層を含む請求項２記
載の発明。 - 【請求項４】 複数の前記障壁層のそれぞれは、前記障
壁層を区切り、それを隣接した量子井戸層から分離する
一対のアンドープ障壁層を含む請求項１記載の発明。 - 【請求項５】 前記ドープ障壁層はｐ形ドーパントがド
ープされる請求項４記載の発明。 - 【請求項６】 前記ドーパントはＢｅ、Ｍｇ及びＣから
成るグループから選択される請求項５記載の発明。 - 【請求項７】 前記ドープされた障壁層は、Ｂｅがデル
タドープされる請求項４記載の発明。 - 【請求項８】 前記障壁層は、ＩｎＧａＡｓＰを含む請
求項７記載の発明。 - 【請求項９】 多量子井戸層は前記障壁層の禁制帯より
小さな禁制帯幅をもつＩｎＧａＡｓＰを含む請求項８記
載の発明。 - 【請求項１０】 複数の積層されたくり返し単位を含
み、各単位はＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層及び相互に隣接
したより広い禁制帯のＩｎＧａＡｓＰ障壁領域を含み、
前記量子井戸層のそれぞれは適切なポンピングエネルギ
ーが印加された時、放射の刺激放出を生成できる半導体
活性領域を含む半導体領域、 内部で前記活性領域がドープされた光空胴共振器が含ま
れ、 前記障壁領域のそれぞれは複数の障壁層を含み、複数の
前記障壁領域のそれぞれは、一対のアンドープ障壁層及
びそれらの間に配置されたｐ形デルタドープ障壁層を含
み、 前記活性領域を区切る一対のクラッド半導体領域及び前
記内部クラッド領域を区切る一対の外部クラッド半導体
領域が含まれるＳＣＨ ＭＱＷレーザ。 - 【請求項１１】 前記デルタドープ障壁はＢｅ、Ｍｇ及
びＣから成るグループから選択されたドーパントがドー
プされる請求項１０記載の発明。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/130567 | 1998-08-07 | ||
| US09/130,567 US6240114B1 (en) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | Multi-quantum well lasers with selectively doped barriers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068611A true JP2000068611A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=22445282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11225498A Pending JP2000068611A (ja) | 1998-08-07 | 1999-08-09 | 選択ド―プされた障壁を有する多量子井戸レ―ザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6240114B1 (ja) |
| EP (1) | EP0978912A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000068611A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008520090A (ja) * | 2004-11-11 | 2008-06-12 | エリクソン テレコムニカソンイス ソシエダット アノニマ | デルタドープ多層構造のドーパント較正法 |
| JP2011507304A (ja) * | 2007-12-28 | 2011-03-03 | アギア システムズ インコーポレーテッド | デルタドープされた活性領域を有する導波路装置 |
| RU172195U1 (ru) * | 2016-11-23 | 2017-06-30 | Общество с ограниченной ответственностью "Коннектор Оптикс" (ООО "Коннектор Оптикс") | Гетероструктура полупроводникового лазера |
| JP2018500762A (ja) * | 2015-01-05 | 2018-01-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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