RU172195U1 - Гетероструктура полупроводникового лазера - Google Patents
Гетероструктура полупроводникового лазера Download PDFInfo
- Publication number
- RU172195U1 RU172195U1 RU2016146037U RU2016146037U RU172195U1 RU 172195 U1 RU172195 U1 RU 172195U1 RU 2016146037 U RU2016146037 U RU 2016146037U RU 2016146037 U RU2016146037 U RU 2016146037U RU 172195 U1 RU172195 U1 RU 172195U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- waveguide
- layer
- doped
- quantum well
- type
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 10
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления полупроводниковых инжекционных лазеров ближнего инфракрасного диапазона. Сущность полезной модели заключается в том, что гетероструктура полупроводникового лазера состоит из последовательно расположенных на подложке InP первого эмиттерного слоя, выполненного из InAlAs, волноводного слоя, выполненного из AlInGaAs и содержащего квантовые ямы, выполненные из InGaAs, второго эмиттерного слоя, выполненного из InAlAs, перед каждой квантовой ямой в нелегированном волноводном слое со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью n-типа, дополнительно расположен дельта-легированный слой n-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для дырок, а после квантовой ямы со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью p-типа, дополнительно расположен дельта-легированный слой p-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для электронов. Технический результат: обеспечение возможности подавления паразитной рекомбинации носителей заряда и увеличения поверхностной плотности носителей заряда в квантовой яме. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Полезная модель относится оптоэлектронной технике и может быть использована для изготовления полупроводниковых инжекционных лазеров ближнего инфракрасного диапазона.
Лазерная промышленность является критически важной для многих областей производства. К отраслям, наиболее нуждающимся в лазерных технологиях, относят следующие: медицина, военно-промышленный комплекс, телекоммуникации, авиакосмическая сфера, металлургия [http://www.photonics-expo.ni/ru/news/index.php?id4=1968].
Из всех типов лазерных излучателей полупроводниковые лазеры считаются наиболее современными и перспективными устройствами для генерации лазерного излучения [Тенденции развития рынка лазерных технологий для решения задач лазерной обработки материалов. / В.С. Казакевич С.И. Яресько, Самарский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физического института им. П.Н. Лебедева РАН. - Самара, 2014]. Отметим следующие их преимущества: накачка происходит электрическим током (то есть происходит прямое преобразование электрической энергии в лазерное излучение), компактность готовых устройств, высокие значения теоретического и практического коэффициента полезного действия, возможность плавной подстройки длины волны (зависимость ширины запрещенной зоны от температуры, давления, магнитного потока), широкий диапазон длин волн генерации, малоинерционность (малые времена релаксации, высокие частоты работы лазеров), совместимость полупроводниковых лазеров с интегральными схемами, устройствами интегральной и волоконной оптики.
Для работы любого лазера необходимо обеспечить выполнение двух основных условий. Во-первых, это необходимость создания состояния инверсной заселенности энергетических уровней, то есть необходимо обеспечить, чтобы на более высоком уровне находилось больше электронов, чем на низком. В состояние теплового равновесия ситуация с распределением электронов по уровням прямо противоположная. Во-вторых, каждому лазеру необходим оптический резонатор, или система зеркал, которая запирает электромагнитное излучение в рабочем объеме и обеспечивает механизм вынужденной рекомбинации электронов при их переходах из зоны проводимости в валентную зону. При вынужденной рекомбинации генерируется фотон, имеющий ту же частоту, частоту, направление распространения и фазу, что и фотон, индуцирующий рекомбинацию. При спонтанной рекомбинации, наоборот, генерируются фотоны, имеющие произвольные направления движения и фазы.
В настоящее время самым распространенным типом полупроводникового лазера является лазер на квантовой яме в виде двойной гетероструктуры, для которой активная область представляет собой тонкий слой узкозонного полупроводника "зажатого" между двумя широкозонными. При достаточно малой толщине активной области она начинает вести себя как квантовая яма и квантование энергетического спектра в ней существенно меняет свойства лазеров. К широкозонным областям присоединяются металлические контакты, через которые электроны могут непрерывно поступать в рабочую область.
Наиболее важной на сегодняшний день целью исследований и разработок в области полупроводниковых лазерных излучателей является снижение плотности порогового тока и достижение температурной стабильности работы таких структур. Одним из основных факторов, определяющих величину и температурную зависимость плотности порогового тока, является паразитная рекомбинация носителей заряда в волноводной области инжекционного лазера. В работе [Лукашин В.М. Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале: дисс. канд. тех. наук: 05.27.01 - Лукашин Владимир Михайлович. - Фрязино, 2015 - 66 с.] использование подобных дельта-легированных донорными и акцепторными примесями слоев было предложено для увеличения удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале приборов.
В работе [Полупроводниковый лазер с ассиметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность. / А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян, Академический университет.- Санкт-Петербург, 2010.] для увеличения температурной стабильности предложен способ создания потенциальных барьеров вблизи квантовой ямы путем добавления полупроводниковых слоев с отличным от материала волновода химически составом и энергией запрещенной зоны и гетероструктура полупроводникового лазера с ассиметричными барьерными слоями.
Основным недостатком этих решений является сложность практической реализации таких барьеров, поскольку в распоряжении специалистов по эпитаксии имеется ограниченный набор материалов, которые они могут использовать в конкретной установке, поэтому на практике реализовать гетероструктуру с высокоэффективными барьерными слоями для носителей зарядов весьма сложно.
Задачей полезной модели является улучшение характеристик работы инжекционных лазеров: понижение плотности порогового тока и повышение температурной стабильности работы лазера.
Технический результат заключается в упрощении подавления паразитной рекомбинации носителей заряда в волноводной области структуры и увеличения поверхностной плотности носителей заряда в квантовой яме.
Технический результат достигается тем, что в гетероструктуре полупроводникового лазера, состоящей из последовательно расположенных на подложке первого эмиттерного слоя, волноводного слоя, содержащего квантовые ямы, второго эмиттерного слоя, согласно полезной модели, перед каждой квантовой ямой в нелегированном волноводном слое со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью n-типа, дополнительно расположен дельта-легированный слой n-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для дырок, а после квантовой ямы со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью p-типа дополнительно расположен дельта-легированный слой p-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для электронов.
При этом эммитерные слои выполнены из InAlAs, первый эммитерный слой выполнен на подложке InP. Волноводный слой выполнен из AlInGaAs с с квантовыми ямами, выполненными из InGaAs, и расстояние между дельта-легированным слоем и квантовой ямой составляет 10-30 нм.
На фиг. 1 показано схематическое изображение зонной диаграммы полупроводникового лазера согласно настоящему изобретению.
Лазерная гетероструктура образована двумя эммитерными эпитаксиальными слоями, между которыми расположен эпитаксиальный волноводный слой. Эммитерные слои и волноводный слой выполнены на индиевой подложке из соединений AIIIBV группы таблицы Менделеева и их твердых растворов, например, из InAlAs и AlInGaAs соответственно. В волноводном слое выполнены квантовые ямы, образованные слоем, выполненным на индиевой подложке из соединений АIIIВV группы таблицы Менделеева и их твердых растворов, например, из InGaAs. В волноводном слое в непосредственной близости от квантовых ям дополнительно расположен дельта-легированный слой n- и p-типа, выполняющий роль дополнительных потенциальных барьеров для дырок и электронов. Дельта-легированный слой n-типа расположен перед квантовой ямой в нелегированном волноводном слое со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью n-типа, а дельта-легированный слой p-типа расположен после квантовой ямы со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью p-типа. Расстояние от дельта-легированного слоя до квантовой ямы составляет 10-30 нм.
Предложенная гетероструктура реализована методом молекулярно-пучковой эпитаксии. При дельта-легировании сначала закрывают потоки элементов третьей группы, и эпитаксиальная поверхность остается под воздействием потоков элементов пятой группы. Затем открывается поток легирующей примеси, в качестве которой используется кремний или углерод. Поверхность выдерживают под потоком легирующей примеси и потоком элементов пятой группы, обычно от одной до нескольких минут. Затем поток легирующей примеси закрывают и открывают поток элементов третьей группы.
При малых энергиях локализации электронов в квантовой яме, например менее 3 kТ, наблюдается высокая концентрация электронов и дырок в волноводной области известных из уровня техники лазера. Плотность тока, вызванная паразитной рекомбинацией (на фиг. 1 показано стрелками) вне квантовой ямы, сравнима или выше плотности тока излучательной рекомбинации в квантовой яме. Это приводит к увеличению плотности порогового тока в таких структурах и снижает ее характеристическую температуру в связи с более сильной зависимостью концентрации носителей заряда в объемном материале волновода по сравнению с температурной зависимостью в квантово-размерной активной области. Созданные путем добавления в конструкцию лазера дельта-легированных слоев n- и p-типа потенциальные барьеры для электронов в зоне проводимости и для дырок в валентной зоне достаточно высоки для того, чтобы существенно сократить термические выбросы и туннелирование электронов в волноводную область структуры. В результате воздействия потенциальных барьеров проникновение электронов в волновод со стороны обкладки волновода p-типа и дырок в волновод со стороны обкладки волновода n-типа ограничено, в связи с чем, область электронно-дырочной рекомбинации ограничивается активной областью, образованной квантовой ямой и участком между ней и расположенным в непосредственной близости от нее дельта-легированным слоем. Электроны при приложении прямого смещения перемещаются в направлении слева-направо, некоторые из них не попадают в квантовую яму или покидают ее ввиду обладания ими высокой энергией. Потенциальный барьер не дает возможности таким электронам проникнуть далее в волноводную область структуры, с большой долей вероятности эти электроны попадают обратно в квантовую яму, где рекомбинируют с излучением света. Аналогично справедливо и для дырок. Предложенный подход не требует использования дополнительных материалов, отличных от выбранного состава волноводного слоя, а вставка дельта-легированных слоев происходит непосредственно в волноводные слои. Это упрощает практическую реализацию потенциальных барьеров для носителей заряда.
Также предложенные дельта-легированные слои n- и p-типа, поскольку имеют малые толщину, практически не влияют на внутренние потери и фактор оптического ограничения световой волны лазерной гетероструктуры.
Claims (7)
1. Гетероструктура полупроводникового лазера, состоящая из последовательно расположенных на подложке первого эмиттерного слоя, волноводного слоя, содержащего квантовые ямы, второго эмиттерного слоя, отличающаяся тем, что
перед каждой квантовой ямой в нелегированном волноводном слое со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью n-типа, дополнительно расположен дельта-легированный слой n-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для дырок, а после квантовой ямы со стороны обкладки волновода из материала, легированного примесью р-типа, дополнительно расположен дельта-легированный слой р-типа, создающий дополнительный потенциальный барьер для электронов.
2. Гетероструктура полупроводникового лазера по п. 1, отличающаяся тем, что первый эммитерный слой выполнен на подложке InP из InAlAs.
3. Гетероструктура полупроводникового лазера по п. 1, отличающаяся тем, что второй эммитерный слой выполнен из InAlAs.
4. Гетероструктура полупроводникового лазера по п. 1, отличающаяся тем, что волноводный слой выполнен из AlInGaAs.
5. Гетероструктура полупроводникового лазера по п. 1, отличающаяся тем, что слой с квантовыми ямами выполнен из InGaAs.
6. Гетероструктура полупроводникового лазера по п. 1, отличающаяся тем, что расстояние между дельта-легированным слоем и квантовой ямой составляет 10-30 нм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016146037U RU172195U1 (ru) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | Гетероструктура полупроводникового лазера |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016146037U RU172195U1 (ru) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | Гетероструктура полупроводникового лазера |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU172195U1 true RU172195U1 (ru) | 2017-06-30 |
Family
ID=59310229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016146037U RU172195U1 (ru) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | Гетероструктура полупроводникового лазера |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU172195U1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2646951C1 (ru) * | 2016-12-20 | 2018-03-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Гетероструктура мощного полупроводникового лазера спектрального диапазона 1400-1600 нм |
| RU181198U1 (ru) * | 2017-12-27 | 2018-07-05 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Гетероструктура квантово-каскадного лазера |
| WO2019038202A1 (de) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender halbleiterkörper und verfahren zu dessen herstellung |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
| JP2000068611A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-03-03 | Lucent Technol Inc | 選択ド―プされた障壁を有する多量子井戸レ―ザ |
| RU2205468C1 (ru) * | 2002-07-09 | 2003-05-27 | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН | Способ изготовления светоизлучающей структуры на квантовых точках и светоизлучающая структура |
| RU2257640C1 (ru) * | 2004-04-28 | 2005-07-27 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура |
-
2016
- 2016-11-23 RU RU2016146037U patent/RU172195U1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
| JP2000068611A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-03-03 | Lucent Technol Inc | 選択ド―プされた障壁を有する多量子井戸レ―ザ |
| RU2205468C1 (ru) * | 2002-07-09 | 2003-05-27 | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН | Способ изготовления светоизлучающей структуры на квантовых точках и светоизлучающая структура |
| RU2257640C1 (ru) * | 2004-04-28 | 2005-07-27 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ключков А.Н., Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP, Диссертация на соикание ученой степени кандидата физико-математических наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, 2015. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2646951C1 (ru) * | 2016-12-20 | 2018-03-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Гетероструктура мощного полупроводникового лазера спектрального диапазона 1400-1600 нм |
| WO2019038202A1 (de) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender halbleiterkörper und verfahren zu dessen herstellung |
| RU181198U1 (ru) * | 2017-12-27 | 2018-07-05 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Гетероструктура квантово-каскадного лазера |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7705415B1 (en) | Optical and electronic devices based on nano-plasma | |
| Sato et al. | Light confinement and high current density in UVB laser diode structure using Al composition-graded p-AlGaN cladding layer | |
| Zheng et al. | Digital alloy InAlAs avalanche photodiodes | |
| RU172195U1 (ru) | Гетероструктура полупроводникового лазера | |
| JP5923121B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| Sun et al. | Monte Carlo simulation of InAlAs/InAlGaAs tandem avalanche photodiodes | |
| von den Driesch et al. | Epitaxy of Si-Ge-Sn-based heterostructures for CMOS-integratable light emitters | |
| JP2013236012A (ja) | アバランシェフォトダイオード及びその製造方法 | |
| JP2017033981A (ja) | 量子カスケードレーザ | |
| Jamal-Eddine et al. | Low voltage drop tunnel junctions grown monolithically by MOCVD | |
| Haddadi et al. | Type-II InAs/GaSb/AlSb superlattice-based heterojunction phototransistors: back to the future | |
| Lee et al. | Analysis of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes with the multiplication width variation | |
| Jones et al. | AlInAsSb separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes for mid-infrared detection | |
| Cai et al. | Enhanced front-illuminated pipin GaN/AlGaN ultraviolet avalanche photodiodes | |
| Dolginov et al. | Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution | |
| Cao | Research progress in terahertz quantum cascade lasers | |
| Li et al. | Avalanche noise characteristics of thin GaAs structures with distributed carrier generation [APDs] | |
| Vinokurov et al. | A study of epitaxially stacked tunnel-junction semiconductor lasers grown by MOCVD | |
| RU2557359C2 (ru) | Лазер-тиристор | |
| Marmalyuk et al. | Laser diodes with several emitting regions (λ= 800–1100 nm) on the basis of epitaxially integrated heterostructures | |
| Dou et al. | Optically pumped GeSn-edge-emitting laser with emission at 3 μm for Si photonics | |
| US9601895B2 (en) | Ultra fast semiconductor laser | |
| US20040259284A1 (en) | Method of increasing the luminescent bandwidth of photoelectric semiconductor device by separate confinement heterostructure | |
| Lasaosa et al. | Traveling-wave photodetectors with high power-bandwidth and gain-bandwidth product performance | |
| Li et al. | Investigation of InGaAs/GaAs quantum well lasers with slightly doped tunnel junction |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB9K | Licence granted or registered (utility model) |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20180207 Effective date: 20180207 |