JP2000068532A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードに段差を設けることにより、ワイヤル
ープと溝との干渉を防止した半導体装置を得る。 【解決手段】 発光素子３をアイランド２２上に固定
し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２５とす
る。発光素子２の上部に反射面２７を形成し、信号光６
を反射面２７で反射して封止体２５の他の側面２５ｂか
ら出射するように構成する。リード端子２３の先端に第
２の高さｔ２を持つ部分３１を設け、第２の高さｔ２を
持つ部分３１と電極パッド３０とをボンディングワイヤ
２４で接続する。第２の高さｔ２は第１の高さｔ１とア
イランド２１、２２との中間に位置する。
ープと溝との干渉を防止した半導体装置を得る。 【解決手段】 発光素子３をアイランド２２上に固定
し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２５とす
る。発光素子２の上部に反射面２７を形成し、信号光６
を反射面２７で反射して封止体２５の他の側面２５ｂか
ら出射するように構成する。リード端子２３の先端に第
２の高さｔ２を持つ部分３１を設け、第２の高さｔ２を
持つ部分３１と電極パッド３０とをボンディングワイヤ
２４で接続する。第２の高さｔ２は第１の高さｔ１とア
イランド２１、２２との中間に位置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子と受光素
子とを、またはそれらを個別に樹脂封止した半導体装置
に関するものであり、特に装置の薄形化に関するもので
ある。
子とを、またはそれらを個別に樹脂封止した半導体装置
に関するものであり、特に装置の薄形化に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
【０００３】ＩｒＤＡ規格によるデータ通信を利用する
ためには、接続すべき両方の機器に、赤外線信号を発す
る発光素子と、赤外線信号を受ける受光素子とを備える
必要がある。発光素子と受光素子とは、それぞれ別個の
パッケージとして電子機器に組み込まれる場合もある
し、両者が１つのパッケージに収納されたモジュールと
して供給される場合もある。
ためには、接続すべき両方の機器に、赤外線信号を発す
る発光素子と、赤外線信号を受ける受光素子とを備える
必要がある。発光素子と受光素子とは、それぞれ別個の
パッケージとして電子機器に組み込まれる場合もある
し、両者が１つのパッケージに収納されたモジュールと
して供給される場合もある。
【０００４】図３に、発光素子と受光素子とを１つのパ
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
【０００５】半導体チップで提供された受光素子２のホ
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電子機器における軽薄
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図３の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図３の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
【０００７】一方、図４に示すようにリードを折り曲げ
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、アイランド上に半導体チップを固着し、前
記半導体チップの電極パッドとリード端子とをワイヤ接
続し、前記リード端子の一部を含めて前記半導体チップ
を樹脂封止し、該封止体の側面から前記リード端子を外
部に導出した半導体装置であって、前記半導体チップの
上方の前記封止体に所定の深さの溝を有し、前記リード
端子が前記アイランドの位置に対して第１の高さで前記
封止体の側面から外部に導出され、前記封止体の内部に
延在するリード端子が、前記アイランドの位置と前記第
１の高さとの中間に位置する第２の高さで延在する部分
を有し、前記ワイヤが前記第２の高さで延在する部分に
接続されていることを特徴とするものである。
みて成され、アイランド上に半導体チップを固着し、前
記半導体チップの電極パッドとリード端子とをワイヤ接
続し、前記リード端子の一部を含めて前記半導体チップ
を樹脂封止し、該封止体の側面から前記リード端子を外
部に導出した半導体装置であって、前記半導体チップの
上方の前記封止体に所定の深さの溝を有し、前記リード
端子が前記アイランドの位置に対して第１の高さで前記
封止体の側面から外部に導出され、前記封止体の内部に
延在するリード端子が、前記アイランドの位置と前記第
１の高さとの中間に位置する第２の高さで延在する部分
を有し、前記ワイヤが前記第２の高さで延在する部分に
接続されていることを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１（Ａ）は本発明の構造を示す平面図、
図２（Ａ）は図１のＡＡ線断面図、図２（Ｂ）は図１の
ＢＢ線断面図を示している。
を、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１（Ａ）は本発明の構造を示す平面図、
図２（Ａ）は図１のＡＡ線断面図、図２（Ｂ）は図１の
ＢＢ線断面図を示している。
【００１０】これらの図中、２１は受光素子２を搭載す
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
【００１１】受光素子２は、半導体チップとして提供さ
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面には電極パッド３０が形
成され、ボンディングワイヤ２４によって電極パッドと
リード２３とが接続されている。
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面には電極パッド３０が形
成され、ボンディングワイヤ２４によって電極パッドと
リード２３とが接続されている。
【００１２】発光素子３は、半導体チップとして提供さ
れた、例えば波長８７０ｎｍの赤外光を発光するＬＥＤ
チップである。ＬＥＤはチップの全体で発光し、全方位
に光が発散する素子である。そのため、チップを固着す
るアイランド２２を円錐形の「お椀」のような形状に加
工し、アイランド２２の中心部に固着した発光素子３か
らの光信号６をアイランド２２の傾斜した側壁２２ａで
反射させて、光を一方向に集めるような構造としてい
る。前記アイランド２２はアノードまたはカソードの一
方の端子となり、チップ表面に形成した電極パッド３０
が他方の端子となる。他方の端子となる電極パッド３０
は、ボンディングワイヤ２４により所定のリード端子２
３に接続されている。
れた、例えば波長８７０ｎｍの赤外光を発光するＬＥＤ
チップである。ＬＥＤはチップの全体で発光し、全方位
に光が発散する素子である。そのため、チップを固着す
るアイランド２２を円錐形の「お椀」のような形状に加
工し、アイランド２２の中心部に固着した発光素子３か
らの光信号６をアイランド２２の傾斜した側壁２２ａで
反射させて、光を一方向に集めるような構造としてい
る。前記アイランド２２はアノードまたはカソードの一
方の端子となり、チップ表面に形成した電極パッド３０
が他方の端子となる。他方の端子となる電極パッド３０
は、ボンディングワイヤ２４により所定のリード端子２
３に接続されている。
【００１３】各アイランド２１、２２に固着された発光
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて少
なくとも赤外光に対して透明な樹脂でトランスファーモ
ールドされる。樹脂は封止体２５を構成し、封止体２５
の一表面にはアイランド２１、２２の裏面が封止体２５
表面と同一平面を成して露出する。
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて少
なくとも赤外光に対して透明な樹脂でトランスファーモ
ールドされる。樹脂は封止体２５を構成し、封止体２５
の一表面にはアイランド２１、２２の裏面が封止体２５
表面と同一平面を成して露出する。
【００１４】リード端子２３は封止体２５の一方の側面
２５ａの中間近傍から、アイランド２１、２２に対して
第１の高さ（図２（Ａ）：ｔ１）で外部に導出され、表
面実装用途に適するように、Ｚ字型に折り曲げられてい
る。封止体２５の内部に延在するリード端子２３は、前
記第１の高さｔ１を維持しながら各アイランド２１、２
２の近傍まで延在する。リード端子２３の一部はアイラ
ンド２１、２２に連続するアイランドリード２３ａ、２
３ｂであり、これらはアイランド２１、２２と第１の高
さｔ１との差を作るための曲げ加工が施されている。該
曲げ加工が施された部分は封止体２５の内部に封止され
る。
２５ａの中間近傍から、アイランド２１、２２に対して
第１の高さ（図２（Ａ）：ｔ１）で外部に導出され、表
面実装用途に適するように、Ｚ字型に折り曲げられてい
る。封止体２５の内部に延在するリード端子２３は、前
記第１の高さｔ１を維持しながら各アイランド２１、２
２の近傍まで延在する。リード端子２３の一部はアイラ
ンド２１、２２に連続するアイランドリード２３ａ、２
３ｂであり、これらはアイランド２１、２２と第１の高
さｔ１との差を作るための曲げ加工が施されている。該
曲げ加工が施された部分は封止体２５の内部に封止され
る。
【００１５】また、一部のリード２３ｃについては、封
止体２５の内部において曲げ加工が施されており、第１
の高さｔ１とアイランド２１、２２の高さとの間に位置
する第２の高さｔ２で延在させている。
止体２５の内部において曲げ加工が施されており、第１
の高さｔ１とアイランド２１、２２の高さとの間に位置
する第２の高さｔ２で延在させている。
【００１６】受光素子２のホトダイオード部分ＰＤの上
部には、封止体２５の樹脂を所定の深さに凹ませて凹部
２６を形成し、凹部２６の側壁によって反射面２７を構
成している。この反射面２７は、封止体２５をトランス
ファーモールドする際に、金型に凹部２６に対応する雄
型部分を形成しておくことによって形成するか、あるい
は完成後に封止体２５の表面を削ることで形成される。
そして、反射面２７は、封止体２５の他の側面２５ｂか
ら導入させた光信号６を、反射させて受光素子２のホト
ダイオード部分ＰＤに到達させる役割を果たす。
部には、封止体２５の樹脂を所定の深さに凹ませて凹部
２６を形成し、凹部２６の側壁によって反射面２７を構
成している。この反射面２７は、封止体２５をトランス
ファーモールドする際に、金型に凹部２６に対応する雄
型部分を形成しておくことによって形成するか、あるい
は完成後に封止体２５の表面を削ることで形成される。
そして、反射面２７は、封止体２５の他の側面２５ｂか
ら導入させた光信号６を、反射させて受光素子２のホト
ダイオード部分ＰＤに到達させる役割を果たす。
【００１７】尚、反射面２７は、その境界における材料
の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、封止
体２５の全体が梨地加工されているのに対して、反射面
２７はそれより表面荒さが小さい鏡面加工としている。
また、反射率を向上するために反射面２７の表面を遮光
性の金属被膜などで覆っても良い。
の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、封止
体２５の全体が梨地加工されているのに対して、反射面
２７はそれより表面荒さが小さい鏡面加工としている。
また、反射率を向上するために反射面２７の表面を遮光
性の金属被膜などで覆っても良い。
【００１８】一方、受光素子２と同様に、発光素子３側
にもその上方に凹部２６と反射面２７を形成する。発光
素子３から発光された信号光６を反射面２７で反射し、
封止体２５の他の側壁２５ｂから外部に出射する機能を
有する。
にもその上方に凹部２６と反射面２７を形成する。発光
素子３から発光された信号光６を反射面２７で反射し、
封止体２５の他の側壁２５ｂから外部に出射する機能を
有する。
【００１９】この様に、凹部２６で形成した反射面２７
で光信号６を封止体２５の他の側面２５ｂから出入射さ
せることで、封止体２５全体の高さを低く抑えることが
可能である。尚、他の側面２５ｂに光信号６の集光を行
うレンズ体を樹脂で一体化成形しても良い。
で光信号６を封止体２５の他の側面２５ｂから出入射さ
せることで、封止体２５全体の高さを低く抑えることが
可能である。尚、他の側面２５ｂに光信号６の集光を行
うレンズ体を樹脂で一体化成形しても良い。
【００２０】上述の半導体装置において、反射面２７で
反射させることからいくつかの制約があることが明らか
である。制約の一つは、凹部２６の位置と深さである。
反射面２７が、ある設計された反射角度を維持した上
で、平面視（図１のように観測して）でホトダイオード
部ＰＤまたは発光素子３の全表面を覆う事が必要だから
である。当然、凹部２６の最深部２６ａはホトダイオー
ドＰＤまたは発光素子３より一側面２５ａ側にシフトし
ている必要がある。制約のもう一つは、リード端子２３
の配置である。封止体２５の他の側面２５ｂ側から光信
号６を入射／出射させることから、各半導体チップの電
気的接続を行う為のリード端子２３は、封止体２５の一
側面２５ａ側に集中して配置するのが簡便である。ま
た、半導体チップの電極パッド３０も一側面２５ａ側に
配置すると、ワイヤ２４のループ長さを短縮できて簡便
である。
反射させることからいくつかの制約があることが明らか
である。制約の一つは、凹部２６の位置と深さである。
反射面２７が、ある設計された反射角度を維持した上
で、平面視（図１のように観測して）でホトダイオード
部ＰＤまたは発光素子３の全表面を覆う事が必要だから
である。当然、凹部２６の最深部２６ａはホトダイオー
ドＰＤまたは発光素子３より一側面２５ａ側にシフトし
ている必要がある。制約のもう一つは、リード端子２３
の配置である。封止体２５の他の側面２５ｂ側から光信
号６を入射／出射させることから、各半導体チップの電
気的接続を行う為のリード端子２３は、封止体２５の一
側面２５ａ側に集中して配置するのが簡便である。ま
た、半導体チップの電極パッド３０も一側面２５ａ側に
配置すると、ワイヤ２４のループ長さを短縮できて簡便
である。
【００２１】係る制約下において、電極パッド３０とリ
ード端子２３とをボンディングワイヤ２４で接続しよう
とすると、図２（Ａ）から明らかなようにワイヤ２４ａ
のループが凹部２６の最深部と干渉する場合があり得
る。特に発光素子３側においては、半導体チップのチッ
プサイズが比較的小さくしかも電極パッドがその中心付
近に配置されている場合が多いので、電極パッド３０が
凹部２６の最深部近傍に位置することが多く、前記干渉
が生じやすい。また、受光素子２側でも電極パッド３０
が凹部２６の最深部に近い位置に配置されている場合に
は同様の干渉が生じる場合がある。
ード端子２３とをボンディングワイヤ２４で接続しよう
とすると、図２（Ａ）から明らかなようにワイヤ２４ａ
のループが凹部２６の最深部と干渉する場合があり得
る。特に発光素子３側においては、半導体チップのチッ
プサイズが比較的小さくしかも電極パッドがその中心付
近に配置されている場合が多いので、電極パッド３０が
凹部２６の最深部近傍に位置することが多く、前記干渉
が生じやすい。また、受光素子２側でも電極パッド３０
が凹部２６の最深部に近い位置に配置されている場合に
は同様の干渉が生じる場合がある。
【００２２】本発明は、リード端子２３の先端部分に第
２の高さｔ２で延在する部分３１を形成し、第２の高さ
ｔ２で延在する部分にワイヤ２４を接続することによ
り、ワイヤループの高さを抑えてワイヤ２４と凹部２６
との干渉を回避している。他の干渉しない電極パッド３
０では図２（Ｂ）に示したように第１の高さｔ１を持つ
リード端子２３に接続している。むろん、全部のリード
端子２３に第２の高さｔ２を持たせる曲げ加工を施して
も良い。
２の高さｔ２で延在する部分３１を形成し、第２の高さ
ｔ２で延在する部分にワイヤ２４を接続することによ
り、ワイヤループの高さを抑えてワイヤ２４と凹部２６
との干渉を回避している。他の干渉しない電極パッド３
０では図２（Ｂ）に示したように第１の高さｔ１を持つ
リード端子２３に接続している。むろん、全部のリード
端子２３に第２の高さｔ２を持たせる曲げ加工を施して
も良い。
【００２３】以上に説明したとおり、本発明の半導体装
置は、光信号６の伝達経路を折り曲げることによって、
係る装置をプリント基板上に表面実装した時に、封止体
２５の側面２５ｂから光信号６を出入射することがで
き、これによってプリント基板全体の高さを低く抑える
ことができ、電子機器の薄形化を推進することができる
ものである。その際に、リード端子２３の先端の高さを
下げる曲げ加工を施すことによって凹部２６とワイヤ２
４との干渉を回避して、半導体装置全体の高さが増大す
ることを防止したものである。
置は、光信号６の伝達経路を折り曲げることによって、
係る装置をプリント基板上に表面実装した時に、封止体
２５の側面２５ｂから光信号６を出入射することがで
き、これによってプリント基板全体の高さを低く抑える
ことができ、電子機器の薄形化を推進することができる
ものである。その際に、リード端子２３の先端の高さを
下げる曲げ加工を施すことによって凹部２６とワイヤ２
４との干渉を回避して、半導体装置全体の高さが増大す
ることを防止したものである。
【００２４】尚、光半導体装置としては、受光素子２と
発光素子３の両方を封止した構造の他、どちらか一方を
封止した装置であっても良い。
発光素子３の両方を封止した構造の他、どちらか一方を
封止した装置であっても良い。
【００２５】
【発明の効果】以上、本発明によれば、凹部２６で反射
面２７を設けることにより、樹脂の側面２５ｂから光信
号６の出入斜を行える光半導体装置を実現できる利点を
有する。この装置は、封止体２５の全体の高さを小さく
できるので、プリント基板に実装したときに大幅な薄形
化を実現できるものである。
面２７を設けることにより、樹脂の側面２５ｂから光信
号６の出入斜を行える光半導体装置を実現できる利点を
有する。この装置は、封止体２５の全体の高さを小さく
できるので、プリント基板に実装したときに大幅な薄形
化を実現できるものである。
【００２６】更に、リード端子２３ｃの先端部分に第２
の高さｔ２で延在する部分３１を設けることにより、ワ
イヤループの高さを抑え、もってボンディングワイヤ２
４と凹部２６の最深部との干渉を回避できる利点を有す
る。また、干渉を防止することで装置全体の高さを薄形
化できる利点を有する。
の高さｔ２で延在する部分３１を設けることにより、ワ
イヤループの高さを抑え、もってボンディングワイヤ２
４と凹部２６の最深部との干渉を回避できる利点を有す
る。また、干渉を防止することで装置全体の高さを薄形
化できる利点を有する。
【図１】第１の実施の形態を説明する平面図である。
【図２】第１の実施の形態を説明する断面図である。
【図３】従来例を説明する斜視図である。
【図４】従来例を説明する斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 瀬山 浩樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 国井 秀雄 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高田 清 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 落合 公 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA14 DA07 DA55 DA83 DB03 DC23 FF14 5F088 BA16 BB01 EA09 JA02 JA06 JA10 LA01
Claims (4)
- 【請求項１】 アイランド上に半導体チップを固着し、
前記半導体チップの電極パッドとリード端子とをワイヤ
接続し、前記リード端子の一部を含めて前記半導体チッ
プを樹脂封止し、該封止体の側面から前記リード端子を
外部に導出した半導体装置であって、 前記半導体チップの上方の前記封止体に所定の深さの凹
部を有し、 前記リード端子が前記アイランドの位置に対して第１の
高さで前記封止体の側面から外部に導出され、 前記封止体の内部に延在するリード端子が、前記アイラ
ンドの位置と前記第１の高さとの中間に位置する第２の
高さで延在する部分を有し、 前記ワイヤが前記第２の高さで延在する部分に接続され
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体チップが発光または受光用の
半導体チップであることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項３】 前記凹部の側壁が光学的な反射面を形成
することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記反射面で光信号を反射し前記封止体
の側面から光信号を伝達することを特徴とする請求項３
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24069998A JP4159147B2 (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24069998A JP4159147B2 (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068532A true JP2000068532A (ja) | 2000-03-03 |
| JP4159147B2 JP4159147B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=17063395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24069998A Expired - Fee Related JP4159147B2 (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4159147B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107462A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | Ｌｅｄパッケージ装置及びｌｅｄ表示装置 |
| US8987022B2 (en) | 2011-01-17 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device package and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP24069998A patent/JP4159147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8987022B2 (en) | 2011-01-17 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device package and method of manufacturing the same |
| JP2014107462A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | Ｌｅｄパッケージ装置及びｌｅｄ表示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4159147B2 (ja) | 2008-10-01 |
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