JP2000068424A - 半導体パッケージ用ステムの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ用ステムの製造方法Info
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- JP2000068424A JP2000068424A JP10231810A JP23181098A JP2000068424A JP 2000068424 A JP2000068424 A JP 2000068424A JP 10231810 A JP10231810 A JP 10231810A JP 23181098 A JP23181098 A JP 23181098A JP 2000068424 A JP2000068424 A JP 2000068424A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートシンクの取付精度を高めることができ
るとともに、製造コストを削減することができる半導体
パッケージ用ステムの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ6を取り付けるためのヒー
トシンク3をアイレット本体2に立設した半導体パッケ
ージ用ステム1の製造方法であって、鉄材から成るアイ
レット本体2を準備し、銅材3aの下面にこの銅材3a
よりも薄い鉄材3bを積層・固定したブロック状のヒー
トシンク3を準備し、ヒートシンク3をその鉄材3bを
介してアイレット本体2の上面の所定位置に抵抗溶接し
た。
るとともに、製造コストを削減することができる半導体
パッケージ用ステムの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ6を取り付けるためのヒー
トシンク3をアイレット本体2に立設した半導体パッケ
ージ用ステム1の製造方法であって、鉄材から成るアイ
レット本体2を準備し、銅材3aの下面にこの銅材3a
よりも薄い鉄材3bを積層・固定したブロック状のヒー
トシンク3を準備し、ヒートシンク3をその鉄材3bを
介してアイレット本体2の上面の所定位置に抵抗溶接し
た。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーダイオー
ドなどの半導体チップを収容する半導体パッケージ用ス
テムの製造方法に関する。
ドなどの半導体チップを収容する半導体パッケージ用ス
テムの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種のステムとして、例えば図
5に示すものが知られている。このステム51は、レー
ザーダイオードのパッケージ用のものであり、鉄材から
成る厚い円板状のアイレット本体52と、その上面の所
定位置に固定された、銅材から成るブロック状のヒート
シンク53で構成されている。ヒートシンク53は、銀
ろう54を介してアイレット本体52にろう付けされて
いる。
5に示すものが知られている。このステム51は、レー
ザーダイオードのパッケージ用のものであり、鉄材から
成る厚い円板状のアイレット本体52と、その上面の所
定位置に固定された、銅材から成るブロック状のヒート
シンク53で構成されている。ヒートシンク53は、銀
ろう54を介してアイレット本体52にろう付けされて
いる。
【0003】レーザーダイオード(図示せず)は、ヒー
トシンク53の中央側の側面53aに取り付けられる。
また、アイレット本体52には、複数のリード装着孔5
5が上下方向に貫通して形成されていて、これらのリー
ド装着孔55に、リード(図示せず)がガラス封着され
るとともに、アイレット本体52の上面には、ヒートシ
ンク53およびレーザーダイオードを被うように、レン
ズ付きのキャップ(いずれも図示せず)が溶接される。
以上の構成により、リードを介して印加されることによ
り発生したレーザーダイオードからのレーザー光が、レ
ンズを介して外部に出射されるとともに、レーザーダイ
オードで発生した熱は、銅材から成るヒートシンク53
に吸収され、アイレット本体52を介して外部へ発散さ
れる。
トシンク53の中央側の側面53aに取り付けられる。
また、アイレット本体52には、複数のリード装着孔5
5が上下方向に貫通して形成されていて、これらのリー
ド装着孔55に、リード(図示せず)がガラス封着され
るとともに、アイレット本体52の上面には、ヒートシ
ンク53およびレーザーダイオードを被うように、レン
ズ付きのキャップ(いずれも図示せず)が溶接される。
以上の構成により、リードを介して印加されることによ
り発生したレーザーダイオードからのレーザー光が、レ
ンズを介して外部に出射されるとともに、レーザーダイ
オードで発生した熱は、銅材から成るヒートシンク53
に吸収され、アイレット本体52を介して外部へ発散さ
れる。
【0004】また、従来の他のステムとして、例えば特
開平6−291224号公報に開示されたものも知られ
ている。図6に示すように、このステム61は、所定の
厚さの鉄材62a−銅材62b−鉄材62cから成る3
層のクラッド板62(同図(a))を、所定形状の金型
でプレス成形して打ち抜くことによって、アイレット本
体63と、その上面に突出するヒートシンク64とを一
体的に形成したものである(同図(b)(c)参照)。
他の構成および動作は、図5のステム51と同様であ
る。
開平6−291224号公報に開示されたものも知られ
ている。図6に示すように、このステム61は、所定の
厚さの鉄材62a−銅材62b−鉄材62cから成る3
層のクラッド板62(同図(a))を、所定形状の金型
でプレス成形して打ち抜くことによって、アイレット本
体63と、その上面に突出するヒートシンク64とを一
体的に形成したものである(同図(b)(c)参照)。
他の構成および動作は、図5のステム51と同様であ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のステムのうち、図5に示したものは、ヒートシンク5
3をアイレット本体52に取り付けるのに、銀ろう54
を用いているため、材料コストが高いという欠点があ
る。また、アイレット本体52に対する銀ろう54およ
びヒートシンク53の位置決め精度に限界があるため、
ヒートシンク53の取付精度、ひいてはこれに取り付け
られるレーザーダイオードの取付精度を十分に確保する
ことができない。
のステムのうち、図5に示したものは、ヒートシンク5
3をアイレット本体52に取り付けるのに、銀ろう54
を用いているため、材料コストが高いという欠点があ
る。また、アイレット本体52に対する銀ろう54およ
びヒートシンク53の位置決め精度に限界があるため、
ヒートシンク53の取付精度、ひいてはこれに取り付け
られるレーザーダイオードの取付精度を十分に確保する
ことができない。
【0006】また、図6のステム61は、ヒートシンク
64を形成すべく、フラットなクラッド板62の一方の
面側だけを盛り上げるような特殊なプレス成形が必要に
なるとともに、そのための金型も高価になる。しかも、
矩形のクラッド板62から円板形のアイレット本体63
を残すように打ち抜くので、材料の歩留まりも悪く、以
上の結果、製造コストが増大してしまう。
64を形成すべく、フラットなクラッド板62の一方の
面側だけを盛り上げるような特殊なプレス成形が必要に
なるとともに、そのための金型も高価になる。しかも、
矩形のクラッド板62から円板形のアイレット本体63
を残すように打ち抜くので、材料の歩留まりも悪く、以
上の結果、製造コストが増大してしまう。
【0007】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、ヒートシンクの取付精度を高め
ることができるとともに、製造コストを削減することが
できる半導体パッケージ用ステムの製造方法を提供する
ことを目的とする。
になされたものであり、ヒートシンクの取付精度を高め
ることができるとともに、製造コストを削減することが
できる半導体パッケージ用ステムの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、半導体チップを取り付けるためのヒート
シンクをアイレット本体に立設した半導体パッケージ用
ステムの製造方法であって、鉄材から成るアイレット本
体を準備し、銅材の下面にこの銅材よりも薄い鉄材を積
層・固定したブロック状のヒートシンクを準備し、ヒー
トシンクをその鉄材を介してアイレット本体の上面の所
定位置に抵抗溶接したことを特徴とする。
め、本発明は、半導体チップを取り付けるためのヒート
シンクをアイレット本体に立設した半導体パッケージ用
ステムの製造方法であって、鉄材から成るアイレット本
体を準備し、銅材の下面にこの銅材よりも薄い鉄材を積
層・固定したブロック状のヒートシンクを準備し、ヒー
トシンクをその鉄材を介してアイレット本体の上面の所
定位置に抵抗溶接したことを特徴とする。
【0009】この半導体パッケージ用ステムの製造方法
によれば、ヒートシンクは、銅材および鉄材を上下に積
層・固定したもので構成され、鉄材を介してアイレット
本体に抵抗溶接される。この場合、アイレット本体およ
びヒートシンクの溶接部がともに鉄材で構成されている
ので、抵抗溶接に必要な電気抵抗が確保されることで、
ヒートシンクをアイレット本体に強固に固定することが
できる。したがって、従来のろう付けやプレス成形の場
合と比較して、ヒートシンクを安価に形成することがで
きる。
によれば、ヒートシンクは、銅材および鉄材を上下に積
層・固定したもので構成され、鉄材を介してアイレット
本体に抵抗溶接される。この場合、アイレット本体およ
びヒートシンクの溶接部がともに鉄材で構成されている
ので、抵抗溶接に必要な電気抵抗が確保されることで、
ヒートシンクをアイレット本体に強固に固定することが
できる。したがって、従来のろう付けやプレス成形の場
合と比較して、ヒートシンクを安価に形成することがで
きる。
【0010】また、ヒートシンクの鉄材以外の主要部分
が、熱伝導性の高い銅材で構成されるので、半導体チッ
プで発生した熱を吸収・発散するというヒートシンク本
来の機能は、十分に保持される。さらに、ヒートシンク
をアイレット本体に直接、位置決めでき、両者の間に従
来のような銀ろうは介在しないので、ヒートシンクの取
付精度を高めることができる。
が、熱伝導性の高い銅材で構成されるので、半導体チッ
プで発生した熱を吸収・発散するというヒートシンク本
来の機能は、十分に保持される。さらに、ヒートシンク
をアイレット本体に直接、位置決めでき、両者の間に従
来のような銀ろうは介在しないので、ヒートシンクの取
付精度を高めることができる。
【0011】この場合、それぞれ所定厚さの銅材および
鉄材を積層したクラッド板を準備し、このクラッド板を
所定寸法に切断することによって、ブロック状のヒート
シンクを形成することが好ましい。
鉄材を積層したクラッド板を準備し、このクラッド板を
所定寸法に切断することによって、ブロック状のヒート
シンクを形成することが好ましい。
【0012】この製造方法によれば、あらかじめ準備し
た所定厚さの銅材および鉄材から成るクラッド板を所定
寸法に切断するだけで、ブロック状のヒートシンクを容
易に形成することができる。また、材料の無駄が生じな
いので、ヒートシンクひいてはステムの製造コストを、
より一層、削減することができる。
た所定厚さの銅材および鉄材から成るクラッド板を所定
寸法に切断するだけで、ブロック状のヒートシンクを容
易に形成することができる。また、材料の無駄が生じな
いので、ヒートシンクひいてはステムの製造コストを、
より一層、削減することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の好ましい実施形態を詳細に説明する。図1〜図3
は、本発明を適用して製造したレーザーダイオードのパ
ッケージ用ステム(以下、単に「ステム」という)、お
よびその製造方法を示している。図1および図3に示す
ように、このステム1は、アイレット本体2と、その上
面に固定されたヒートシンク3で構成されている。
明の好ましい実施形態を詳細に説明する。図1〜図3
は、本発明を適用して製造したレーザーダイオードのパ
ッケージ用ステム(以下、単に「ステム」という)、お
よびその製造方法を示している。図1および図3に示す
ように、このステム1は、アイレット本体2と、その上
面に固定されたヒートシンク3で構成されている。
【0014】アイレット本体2は、鉄(Fe)系の材料
(以下「鉄材」という)で構成された厚い円板状のもの
であり、例えば径Deは5.6mm、厚さTeは1.2
mmである。アイレット本体2の所定位置には、複数の
リード装着孔4が上下方向に貫通して形成されている。
なお、アイレット本体2の外周面の互いに対向する位置
には、ヒートシンク3を位置決めするための一対の切欠
きが形成されているが、図面では省略されている。
(以下「鉄材」という)で構成された厚い円板状のもの
であり、例えば径Deは5.6mm、厚さTeは1.2
mmである。アイレット本体2の所定位置には、複数の
リード装着孔4が上下方向に貫通して形成されている。
なお、アイレット本体2の外周面の互いに対向する位置
には、ヒートシンク3を位置決めするための一対の切欠
きが形成されているが、図面では省略されている。
【0015】ヒートシンク3は、銅(Cu)系の材料
(以下「銅材3a」という)の下面に、銅材3aよりも
薄い鉄材3bを積層したブロック状のクラッド材で構成
されている。ヒートシンク3の寸法は例えば、銅材3a
および鉄材3bの厚さThc、Thfがそれぞれ1.3
mm、0.1mmで、全体の厚さTh、縦および横の寸
法Dh、Whがそれぞれ1.4mm、1.5mmおよび
2.0mmである。
(以下「銅材3a」という)の下面に、銅材3aよりも
薄い鉄材3bを積層したブロック状のクラッド材で構成
されている。ヒートシンク3の寸法は例えば、銅材3a
および鉄材3bの厚さThc、Thfがそれぞれ1.3
mm、0.1mmで、全体の厚さTh、縦および横の寸
法Dh、Whがそれぞれ1.4mm、1.5mmおよび
2.0mmである。
【0016】このヒートシンク3は、図2に示すよう
に、上記厚さThc、Thfの銅材3aおよび鉄材3b
を積層したクラッド板5をあらかじめ準備し、このクラ
ッド板5を切断することによって、上記縦および横寸法
Dh、Whを有するブロック状に形成されている。以上
の構成のヒートシンク3は、図1に示すように、その鉄
材3bを介してアイレット本体2の上面に抵抗溶接する
ことによって、アイレット本体2の所定位置に固定され
ている。
に、上記厚さThc、Thfの銅材3aおよび鉄材3b
を積層したクラッド板5をあらかじめ準備し、このクラ
ッド板5を切断することによって、上記縦および横寸法
Dh、Whを有するブロック状に形成されている。以上
の構成のヒートシンク3は、図1に示すように、その鉄
材3bを介してアイレット本体2の上面に抵抗溶接する
ことによって、アイレット本体2の所定位置に固定され
ている。
【0017】図4に示すように、以上のようにして製造
されたステム1には、ヒートシンク3の中央側の側面3
cに、赤色レーザーダイオードなどのレーザーダイオー
ド6(半導体チップ)が取り付けられる。また、アイレ
ット本体2の各リード装着孔4に、リード7がガラス8
により封着される。さらに、アイレット本体2の上面に
は、レンズ9を上面中央に取り付けたキャップ10が、
ヒートシンク3およびレーザーダイオード6を被うよう
に接合される。
されたステム1には、ヒートシンク3の中央側の側面3
cに、赤色レーザーダイオードなどのレーザーダイオー
ド6(半導体チップ)が取り付けられる。また、アイレ
ット本体2の各リード装着孔4に、リード7がガラス8
により封着される。さらに、アイレット本体2の上面に
は、レンズ9を上面中央に取り付けたキャップ10が、
ヒートシンク3およびレーザーダイオード6を被うよう
に接合される。
【0018】以上の構成により、リード7を介して印加
されることにより発生したレーザーダイオード6からの
レーザー光が、レンズ9を介して外部に出射されるとと
もに、レーザーダイオード6で発生した熱は、ヒートシ
ンク3に吸収され、アイレット本体2を介して外部へ発
散される。
されることにより発生したレーザーダイオード6からの
レーザー光が、レンズ9を介して外部に出射されるとと
もに、レーザーダイオード6で発生した熱は、ヒートシ
ンク3に吸収され、アイレット本体2を介して外部へ発
散される。
【0019】以上のように、本実施形態によれば、ヒー
トシンク3は、銅材3aおよび鉄材3bを積層したクラ
ッド材で構成され、鉄材3bを介してアイレット本体2
に抵抗溶接される。この場合、アイレット本体2および
ヒートシンク3の溶接部がともに鉄材で構成されている
ので、抵抗溶接に必要な電気抵抗が確保されることで、
ヒートシンク3をアイレット本体2に強固に固定するこ
とができる。したがって、従来のろう付けの場合の銀ろ
うやプレス成形の場合の金型は不要となり、ヒートシン
ク3を安価に形成することができる。また、あらかじめ
準備したクラッド板5を所定寸法に切断するだけで、ブ
ロック状のヒートシンク3を容易に形成できるととも
に、材料の無駄が生じないので、ヒートシンク3ひいて
はステム1の製造コストをより一層、削減することがで
きる。
トシンク3は、銅材3aおよび鉄材3bを積層したクラ
ッド材で構成され、鉄材3bを介してアイレット本体2
に抵抗溶接される。この場合、アイレット本体2および
ヒートシンク3の溶接部がともに鉄材で構成されている
ので、抵抗溶接に必要な電気抵抗が確保されることで、
ヒートシンク3をアイレット本体2に強固に固定するこ
とができる。したがって、従来のろう付けの場合の銀ろ
うやプレス成形の場合の金型は不要となり、ヒートシン
ク3を安価に形成することができる。また、あらかじめ
準備したクラッド板5を所定寸法に切断するだけで、ブ
ロック状のヒートシンク3を容易に形成できるととも
に、材料の無駄が生じないので、ヒートシンク3ひいて
はステム1の製造コストをより一層、削減することがで
きる。
【0020】さらに、ヒートシンク3の鉄材3b以外の
主要部分が、熱伝導性の高い銅材3aで構成されるの
で、レーザーダイオード6で発生した熱を吸収・発散す
るというヒートシンク3本来の機能は、十分に保持され
る。また、ヒートシンク3をアイレット本体2に直接、
位置決めでき、両者の間に従来のような銀ろうは介在し
ないので、ヒートシンク3の取付精度を高めることがで
きる。
主要部分が、熱伝導性の高い銅材3aで構成されるの
で、レーザーダイオード6で発生した熱を吸収・発散す
るというヒートシンク3本来の機能は、十分に保持され
る。また、ヒートシンク3をアイレット本体2に直接、
位置決めでき、両者の間に従来のような銀ろうは介在し
ないので、ヒートシンク3の取付精度を高めることがで
きる。
【0021】なお、本発明は、説明した実施形態に限定
されることなく、種々の態様で実施することができる。
例えば、実施形態は、レーザーダイオードのパッケージ
用ステムの例であるが、本発明は、これに限らず、アイ
レット本体にヒートシンクを立設した他の半導体パッケ
ージ用ステムに広く適用することができる。また、実施
形態で示したアイレット本体やヒートシンクの寸法など
は、あくまで例示であり、任意に変更することができ
る。その他、本発明の趣旨の範囲内で、細部の構成を適
宜、変更することが可能である。
されることなく、種々の態様で実施することができる。
例えば、実施形態は、レーザーダイオードのパッケージ
用ステムの例であるが、本発明は、これに限らず、アイ
レット本体にヒートシンクを立設した他の半導体パッケ
ージ用ステムに広く適用することができる。また、実施
形態で示したアイレット本体やヒートシンクの寸法など
は、あくまで例示であり、任意に変更することができ
る。その他、本発明の趣旨の範囲内で、細部の構成を適
宜、変更することが可能である。
【0022】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の半導体パ
ッケージ用ステムの製造方法は、ヒートシンクの取付精
度を高めることができるとともに、製造コストを削減す
ることができるなどの効果を有する。
ッケージ用ステムの製造方法は、ヒートシンクの取付精
度を高めることができるとともに、製造コストを削減す
ることができるなどの効果を有する。
【図1】本発明によるステムの製造方法を示す斜視図で
ある。
ある。
【図2】図1のヒートシンクの素材となるクラッド板を
示す部分斜視図である。
示す部分斜視図である。
【図3】図1の製造方法により製造されたステムの斜視
図である。
図である。
【図4】図3のステムを用いてパッケージした半導体レ
ーザーの断面図である。
ーザーの断面図である。
【図5】従来のステムおよびその製造方法を示す斜視図
である。
である。
【図6】従来の別のステムおよびその製造方法を示す図
である。
である。
1 ステム 2 アイレット本体 3 ヒートシンク 3a 銅材 3b 鉄材 5 クラッド板 6 レーザーダイオード(半導体チップ)
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体チップを取り付けるためのヒート
シンクをアイレット本体に立設した半導体パッケージ用
ステムの製造方法であって、 鉄材から成る前記アイレット本体を準備し、 銅材の下面にこの銅材よりも薄い鉄材を積層・固定した
ブロック状の前記ヒートシンクを準備し、 当該ヒートシンクをその鉄材を介して前記アイレット本
体の上面の所定位置に抵抗溶接したことを特徴とする半
導体パッケージ用ステムの製造方法。 - 【請求項2】 それぞれ所定厚さの前記銅材および前記
鉄材を積層したクラッド板を準備し、このクラッド板を
所定寸法に切断することによって、ブロック状の前記ヒ
ートシンクを形成することを特徴とする、請求項1に記
載の半導体パッケージ用ステムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10231810A JP2000068424A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10231810A JP2000068424A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000068424A true JP2000068424A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16929385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10231810A Withdrawn JP2000068424A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000068424A (ja) |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10231810A patent/JP2000068424A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051101 |