JP2000067666A - 透明導電膜形成方法 - Google Patents
透明導電膜形成方法Info
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- JP2000067666A JP2000067666A JP10236035A JP23603598A JP2000067666A JP 2000067666 A JP2000067666 A JP 2000067666A JP 10236035 A JP10236035 A JP 10236035A JP 23603598 A JP23603598 A JP 23603598A JP 2000067666 A JP2000067666 A JP 2000067666A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低抵抗で抵抗安定性に優れる透明導電膜を簡便
な方法で得られる透明導電膜形成方法の提供。 【解決手段】酸化インジウムと酸化錫とを含む透明導電
膜の形成方法において、塗布液を塗布する工程１、非酸
化性雰囲気下で３００℃以上に加熱する工程２、再度、
塗布液を塗布する工程３、再度、３００℃以上に加熱す
る工程４とをこの順で行う透明導電膜形成方法。
な方法で得られる透明導電膜形成方法の提供。 【解決手段】酸化インジウムと酸化錫とを含む透明導電
膜の形成方法において、塗布液を塗布する工程１、非酸
化性雰囲気下で３００℃以上に加熱する工程２、再度、
塗布液を塗布する工程３、再度、３００℃以上に加熱す
る工程４とをこの順で行う透明導電膜形成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜形成方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜（アンチモンドープ酸化錫
膜、錫ドープ酸化インジウム膜など）は、表示素子や面
上発熱体などに広汎に応用されている。これらの多くは
ＣＶＤ法、スパッタリング法などの乾式成膜法で製造さ
れている。
膜、錫ドープ酸化インジウム膜など）は、表示素子や面
上発熱体などに広汎に応用されている。これらの多くは
ＣＶＤ法、スパッタリング法などの乾式成膜法で製造さ
れている。
【０００３】しかし、これらの方法は設備コストがかか
り、また生産性にも問題があり、より簡便な方法とし
て、インジウム塩等の溶液を塗布し、熱分解させて被膜
を得る方法が数多く提案されている。
り、また生産性にも問題があり、より簡便な方法とし
て、インジウム塩等の溶液を塗布し、熱分解させて被膜
を得る方法が数多く提案されている。
【０００４】しかし、熱分解法で得られる透明導電膜
は、乾式法による被膜と比較して導電性は低い（１×１
０-3〜１×１０-2Ω・ｃｍ）膜しか得られなかった。こ
の理由は、熱分解法では、焼成時に前駆体液成分の分
解、揮散が伴い、これらの抜けた穴が被膜に空隙として
残りやすく、緻密化が進行しないからと考えられてい
る。また、これらの空隙は導電性を阻害しているだけで
なく、被膜の比表面積が大きくなるために、空気中の酸
素などの吸着による易動度の低下などを引き起こすおそ
れがあった。
は、乾式法による被膜と比較して導電性は低い（１×１
０-3〜１×１０-2Ω・ｃｍ）膜しか得られなかった。こ
の理由は、熱分解法では、焼成時に前駆体液成分の分
解、揮散が伴い、これらの抜けた穴が被膜に空隙として
残りやすく、緻密化が進行しないからと考えられてい
る。また、これらの空隙は導電性を阻害しているだけで
なく、被膜の比表面積が大きくなるために、空気中の酸
素などの吸着による易動度の低下などを引き起こすおそ
れがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決すべくなされたものであり、低抵抗で抵抗安定性
に優れる透明導電膜を簡便な方法で得られる透明導電膜
形成方法の提供を目的とする。
を解決すべくなされたものであり、低抵抗で抵抗安定性
に優れる透明導電膜を簡便な方法で得られる透明導電膜
形成方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化インジウ
ムと酸化錫とを含む透明導電膜の形成方法において、透
明基体上に、熱分解で酸化インジウムとなるインジウム
化合物と、熱分解で酸化錫となる錫化合物とを含む塗布
液を塗布する工程１と、３００℃以上に加熱して被膜を
形成する工程２と、再度、熱分解で酸化インジウムとな
るインジウム化合物と、熱分解で酸化錫となる錫化合物
とを含む塗布液を塗布する工程３と、再度、３００℃以
上に加熱する工程４と、をこの順で行うことを特徴とす
る透明導電膜形成方法を提供する。
ムと酸化錫とを含む透明導電膜の形成方法において、透
明基体上に、熱分解で酸化インジウムとなるインジウム
化合物と、熱分解で酸化錫となる錫化合物とを含む塗布
液を塗布する工程１と、３００℃以上に加熱して被膜を
形成する工程２と、再度、熱分解で酸化インジウムとな
るインジウム化合物と、熱分解で酸化錫となる錫化合物
とを含む塗布液を塗布する工程３と、再度、３００℃以
上に加熱する工程４と、をこの順で行うことを特徴とす
る透明導電膜形成方法を提供する。
【０００７】熱分解で酸化インジウムとなるインジウム
化合物（以下、酸化インジウム前駆体という）として
は、硝酸インジウム、硫酸インジウム、塩化インジウム
等の、無機塩、有機酸塩、アルコキシドなどが使用でき
る。入手のしやすさ、価格、各種溶媒への溶解性等を考
慮すると硝酸インジウム、塩化インジウム等の無機塩が
好ましい。
化合物（以下、酸化インジウム前駆体という）として
は、硝酸インジウム、硫酸インジウム、塩化インジウム
等の、無機塩、有機酸塩、アルコキシドなどが使用でき
る。入手のしやすさ、価格、各種溶媒への溶解性等を考
慮すると硝酸インジウム、塩化インジウム等の無機塩が
好ましい。
【０００８】また、熱分解で酸化錫となる錫化合物（以
下、酸化錫前駆体という）としては、酢酸塩、蓚酸塩等
の短炭素鎖の有機酸塩や、塩化錫、硫酸錫等が使用でき
る。溶解性や反応性の観点から蓚酸塩、酢酸塩が好まし
い。
下、酸化錫前駆体という）としては、酢酸塩、蓚酸塩等
の短炭素鎖の有機酸塩や、塩化錫、硫酸錫等が使用でき
る。溶解性や反応性の観点から蓚酸塩、酢酸塩が好まし
い。
【０００９】本発明における塗布液には、錯化剤を添加
することができる。錯化剤としては、アセチルアセトン
等のβジケトン類、オキソブタン酸エステル等のβケト
エステル類、トリエタノールアミン等のアミノエタノー
ル類、エチレングリコール等の多価アルコール類、蓚酸
等の多塩基酸、等が挙げられる。錯化剤は単独で使用し
てもよく、複数種を混合して使用してもよい。
することができる。錯化剤としては、アセチルアセトン
等のβジケトン類、オキソブタン酸エステル等のβケト
エステル類、トリエタノールアミン等のアミノエタノー
ル類、エチレングリコール等の多価アルコール類、蓚酸
等の多塩基酸、等が挙げられる。錯化剤は単独で使用し
てもよく、複数種を混合して使用してもよい。
【００１０】錯化剤による錯体化の反応は、アルコール
などの溶媒中で、酸化インジウム前駆体および酸化錫前
駆体化合物と、錯化剤とを混合し、必要に応じて加熱す
る等して行う。
などの溶媒中で、酸化インジウム前駆体および酸化錫前
駆体化合物と、錯化剤とを混合し、必要に応じて加熱す
る等して行う。
【００１１】なお、あらかじめ錯体化されているアセチ
ルアセトンインジウムやアセチルアセトン錫等を入手し
て原料に用いてもよい。
ルアセトンインジウムやアセチルアセトン錫等を入手し
て原料に用いてもよい。
【００１２】工程１において塗布液を透明基体に塗布し
た後、必要に応じて５０〜１５０℃で乾燥させる。
た後、必要に応じて５０〜１５０℃で乾燥させる。
【００１３】本発明においては、工程２における加熱
を、非酸化性雰囲気下で行うことが重要である。工程２
までで形成される被膜（以下、下層膜という）は、比較
的空隙が多く、導電性が比較的劣るだけでなく、大気中
に保管すると抵抗が上昇する。
を、非酸化性雰囲気下で行うことが重要である。工程２
までで形成される被膜（以下、下層膜という）は、比較
的空隙が多く、導電性が比較的劣るだけでなく、大気中
に保管すると抵抗が上昇する。
【００１４】非酸化性雰囲気での加熱を行うことによ
り、膜粒界部に存在するＣＨ、ＯＨといった残基が効率
よく取除かれ、次工程３で塗布液を塗布した際に下層膜
の粒界部へ工程３での塗布液の浸透がおこりやすくな
り、結果、空隙が少ない緻密な膜が得られる。非酸化性
雰囲気とは、酸化性ガス（酸素、二酸化窒素、二酸化炭
素など）を含まない雰囲気であり、例えば、窒素、不活
性ガス（アルゴンなど）、水素およびアンモニアからな
る群から選ばれる１種以上のガス雰囲気や、真空中を意
味する。
り、膜粒界部に存在するＣＨ、ＯＨといった残基が効率
よく取除かれ、次工程３で塗布液を塗布した際に下層膜
の粒界部へ工程３での塗布液の浸透がおこりやすくな
り、結果、空隙が少ない緻密な膜が得られる。非酸化性
雰囲気とは、酸化性ガス（酸素、二酸化窒素、二酸化炭
素など）を含まない雰囲気であり、例えば、窒素、不活
性ガス（アルゴンなど）、水素およびアンモニアからな
る群から選ばれる１種以上のガス雰囲気や、真空中を意
味する。
【００１５】特に、工程２における加熱において、非酸
化性雰囲気下での加熱の前に、酸化性雰囲気下での加熱
を行うことが好ましい。酸化性雰囲気下での加熱をも行
うことで、被膜中の有機成分が残りにくくなり、最終的
に得られる被膜がより緻密になる等の良好な結果が得ら
れる。良好な結果が得られることから、工程４における
加熱も、非酸化性雰囲気下で行うことが好ましい。特
に、工程４における加熱においても、非酸化性雰囲気下
での加熱の前に、酸化性雰囲気下での加熱を行うことが
好ましい。
化性雰囲気下での加熱の前に、酸化性雰囲気下での加熱
を行うことが好ましい。酸化性雰囲気下での加熱をも行
うことで、被膜中の有機成分が残りにくくなり、最終的
に得られる被膜がより緻密になる等の良好な結果が得ら
れる。良好な結果が得られることから、工程４における
加熱も、非酸化性雰囲気下で行うことが好ましい。特
に、工程４における加熱においても、非酸化性雰囲気下
での加熱の前に、酸化性雰囲気下での加熱を行うことが
好ましい。
【００１６】工程２および工程４の加熱における非酸化
性雰囲気は、水素を２体積％以上含む不活性ガス雰囲気
下であることが好ましい。水素を２体積％以上含む不活
性ガス雰囲気下で加熱処理を行うと、被膜中の有機成分
や水酸基が効率よく除去される。工程２および工程４に
おける加熱温度は、塗布液中の有機分などを分解させる
ため３００℃以上必要であり、基体が変質しない程度の
温度以下に加熱される。好ましくは３００〜５５０℃で
ある。工程２と工程３との間では、冷却工程が入ること
が好ましい。冷却工程では、工程３で塗布液を塗布でき
るまでに冷却されればよく、室温付近まで冷却されるこ
とが好ましい。
性雰囲気は、水素を２体積％以上含む不活性ガス雰囲気
下であることが好ましい。水素を２体積％以上含む不活
性ガス雰囲気下で加熱処理を行うと、被膜中の有機成分
や水酸基が効率よく除去される。工程２および工程４に
おける加熱温度は、塗布液中の有機分などを分解させる
ため３００℃以上必要であり、基体が変質しない程度の
温度以下に加熱される。好ましくは３００〜５５０℃で
ある。工程２と工程３との間では、冷却工程が入ること
が好ましい。冷却工程では、工程３で塗布液を塗布でき
るまでに冷却されればよく、室温付近まで冷却されるこ
とが好ましい。
【００１７】工程３で用いる塗布液は、工程１で用いた
塗布液を用いてもよいし、異なる組成あるいは濃度の塗
布液を用いることができる。工程３において塗布液を塗
布した後、必要に応じて５０〜１５０℃で乾燥させる。
塗布液を用いてもよいし、異なる組成あるいは濃度の塗
布液を用いることができる。工程３において塗布液を塗
布した後、必要に応じて５０〜１５０℃で乾燥させる。
【００１８】工程４における加熱処理で、下層膜の上に
透明導電膜（以下、上層膜という）が形成される。
透明導電膜（以下、上層膜という）が形成される。
【００１９】本発明においては、下層膜の空隙に上層膜
の塗布液が浸透し、加熱によって下層膜の空隙部が効率
よく埋められることとなり、結果としてより緻密で導電
性も高くまた抵抗の安定性にも優れた被膜が得られる。
の塗布液が浸透し、加熱によって下層膜の空隙部が効率
よく埋められることとなり、結果としてより緻密で導電
性も高くまた抵抗の安定性にも優れた被膜が得られる。
【００２０】本発明で得られる被膜の総被膜厚（下層膜
と上層膜の総膜厚）は、特に限定されないが、３０ｎｍ
以上とすることが好ましい。３０ｎｍ未満では多層化の
効果が発現されにくい。一方、被膜の総被膜厚が厚くな
りすぎると透過率の低下を招くため、実用上は１０００
ｎｍ以下、特に５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
と上層膜の総膜厚）は、特に限定されないが、３０ｎｍ
以上とすることが好ましい。３０ｎｍ未満では多層化の
効果が発現されにくい。一方、被膜の総被膜厚が厚くな
りすぎると透過率の低下を招くため、実用上は１０００
ｎｍ以下、特に５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００２１】本発明においては、工程２までで得られる
被膜厚を、工程４までで得られる総被膜厚の１／２以上
とすることが好ましい。上層膜が下層膜より厚くなる
と、上層膜からの分解、揮散成分が多くなり、結果とし
て上層膜中に空隙が増えることとなり前記の作用効果が
発現されにくい。
被膜厚を、工程４までで得られる総被膜厚の１／２以上
とすることが好ましい。上層膜が下層膜より厚くなる
と、上層膜からの分解、揮散成分が多くなり、結果とし
て上層膜中に空隙が増えることとなり前記の作用効果が
発現されにくい。
【００２２】工程１および工程３における塗布方法とし
ては、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコ
ート法、フローコート法、ダイコート法、ロールコート
法、転写印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。工
程１および工程３において用いる塗布液における、酸化
インジウム前駆体と酸化錫前駆体との混合割合は、Ｉｎ
／Ｓｎ（原子比）が９５／５〜８０／２０であることが
好ましい。
ては、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコ
ート法、フローコート法、ダイコート法、ロールコート
法、転写印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。工
程１および工程３において用いる塗布液における、酸化
インジウム前駆体と酸化錫前駆体との混合割合は、Ｉｎ
／Ｓｎ（原子比）が９５／５〜８０／２０であることが
好ましい。
【００２３】工程１および工程３において用いる塗布液
の濃度は、酸化インジウム前駆体と酸化錫前駆体をそれ
ぞれ酸化物換算（すなわち、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 換
算）して、塗布液の全重量に対して、Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎ
Ｏ2 との総和が１〜３０重量％であることが好ましい。
の濃度は、酸化インジウム前駆体と酸化錫前駆体をそれ
ぞれ酸化物換算（すなわち、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 換
算）して、塗布液の全重量に対して、Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎ
Ｏ2 との総和が１〜３０重量％であることが好ましい。
【００２４】本発明において用いられる透明基体として
は、耐熱性のある材料で構成されていれば特に限定され
ず、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラ
スなどのガラス基板などが挙げられる。
は、耐熱性のある材料で構成されていれば特に限定され
ず、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラ
スなどのガラス基板などが挙げられる。
【００２５】
【実施例】以下に本発明の詳細を実施例を挙げて説明す
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。膜厚は触針式によって測定し、比抵抗はシート抵抗
を測定（三菱化学（株）製表面抵抗測定器「ロレスタ」
により測定）し、該シート抵抗値と膜厚とから算出し
た。
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。膜厚は触針式によって測定し、比抵抗はシート抵抗
を測定（三菱化学（株）製表面抵抗測定器「ロレスタ」
により測定）し、該シート抵抗値と膜厚とから算出し
た。
【００２６】（例１）硝酸インジウム３水和物１０ｇ、
蓚酸第一錫０．４ｇをエチレングリコール１４ｇが入っ
た１００ｃｃナス型フラスコに添加し、７５℃で３時間
加熱して淡黄色透明溶液を得た。この溶液にメタノール
を１７ｇ、ノルマルプロパノールを１７ｇ添加し、よく
攪拌して塗布液Ａとした。塗布液Ａを無アルカリガラス
基板にスピンコート法により塗布し（工程１）、６０℃
で１０分間乾燥させた後、大気中で３００℃、３０分加
熱し、続いて水素を３体積％含む窒素気流中で５００
℃、１５分の加熱を行ったのち室温まで冷却した（工程
２）。工程２で得られた下層膜の膜厚は５５ｎｍであっ
た。被膜表面を電子顕微鏡で観察すると、空隙の多い被
膜であった。
蓚酸第一錫０．４ｇをエチレングリコール１４ｇが入っ
た１００ｃｃナス型フラスコに添加し、７５℃で３時間
加熱して淡黄色透明溶液を得た。この溶液にメタノール
を１７ｇ、ノルマルプロパノールを１７ｇ添加し、よく
攪拌して塗布液Ａとした。塗布液Ａを無アルカリガラス
基板にスピンコート法により塗布し（工程１）、６０℃
で１０分間乾燥させた後、大気中で３００℃、３０分加
熱し、続いて水素を３体積％含む窒素気流中で５００
℃、１５分の加熱を行ったのち室温まで冷却した（工程
２）。工程２で得られた下層膜の膜厚は５５ｎｍであっ
た。被膜表面を電子顕微鏡で観察すると、空隙の多い被
膜であった。
【００２７】次に、純水、エタノールで表面を清浄にし
た下層膜上に、塗布液Ａをノルマルプロパノールで３倍
に希釈した液を工程１同様にスピンコート法によって塗
布した（工程３）。
た下層膜上に、塗布液Ａをノルマルプロパノールで３倍
に希釈した液を工程１同様にスピンコート法によって塗
布した（工程３）。
【００２８】６０℃で１０分間乾燥させた後、大気中で
３００℃、３０分、続いて水素を３体積％含む窒素気流
中で５００℃、１５分の加熱を行った（工程４）。下層
膜および上層膜の総膜厚は８０ｎｍであった。被膜表面
を電子顕微鏡で観察してみると、先ほどの空隙は効率よ
く埋められ、比較的平滑な表面を有していた。結果を表
１に示す。
３００℃、３０分、続いて水素を３体積％含む窒素気流
中で５００℃、１５分の加熱を行った（工程４）。下層
膜および上層膜の総膜厚は８０ｎｍであった。被膜表面
を電子顕微鏡で観察してみると、先ほどの空隙は効率よ
く埋められ、比較的平滑な表面を有していた。結果を表
１に示す。
【００２９】なお、表１中の抵抗安定性とは、２００℃
恒温槽中で１時間放置後の比抵抗の放置前の比抵抗に対
する比である。また、表１中の空隙率とは、膜厚と被膜
の絶対付着量（誘導結合プラズマ発光分析（ＩＣＰ法）
により測定）とから換算した膜中の空隙の割合を示した
ものである。空隙率が小さいほど緻密な被膜である。
恒温槽中で１時間放置後の比抵抗の放置前の比抵抗に対
する比である。また、表１中の空隙率とは、膜厚と被膜
の絶対付着量（誘導結合プラズマ発光分析（ＩＣＰ法）
により測定）とから換算した膜中の空隙の割合を示した
ものである。空隙率が小さいほど緻密な被膜である。
【００３０】（例２）例１の工程２における加熱を、大
気中で３００℃、３０分の後、真空中５００℃で３０分
とした以外は例１と同様にして行った。結果を表１に示
す。
気中で３００℃、３０分の後、真空中５００℃で３０分
とした以外は例１と同様にして行った。結果を表１に示
す。
【００３１】（例３）例１の工程３で用いた塗布液を、
希釈せずに工程１で用いた塗布液と同じ濃度で用いた以
外は例１と同様にして行った。得られた被膜の総膜厚は
１００ｎｍであった。結果を表１に示す。
希釈せずに工程１で用いた塗布液と同じ濃度で用いた以
外は例１と同様にして行った。得られた被膜の総膜厚は
１００ｎｍであった。結果を表１に示す。
【００３２】（例４）例１の工程２の加熱を、大気中で
３００℃、３０分の後、窒素中で３００℃、３０分とし
た以外は例１と同様にして行った。結果を表１に示す。
３００℃、３０分の後、窒素中で３００℃、３０分とし
た以外は例１と同様にして行った。結果を表１に示す。
【００３３】（例５）例１の工程２における大気中で３
００℃、３０分の加熱を行わなかった以外は例１と同様
にして行った。結果を表１に示す。
００℃、３０分の加熱を行わなかった以外は例１と同様
にして行った。結果を表１に示す。
【００３４】（例６）分留によって注意深く脱水したエ
チレングリコールモノエチルエーテル１２ｇに、インジ
ウムイソプロポキシド１０ｇ、錫テトラブトキシド０．
７ｇ、ジエタノールアミン６ｇを添加し、１３５℃で３
時間還流したのち、イソプロパノール１２ｇ、イソブタ
ノール１４ｇを添加して塗布液Ｂとした。
チレングリコールモノエチルエーテル１２ｇに、インジ
ウムイソプロポキシド１０ｇ、錫テトラブトキシド０．
７ｇ、ジエタノールアミン６ｇを添加し、１３５℃で３
時間還流したのち、イソプロパノール１２ｇ、イソブタ
ノール１４ｇを添加して塗布液Ｂとした。
【００３５】塗布液Ｂを用い、例１の工程１および工程
２と同様にして下層膜を形成した。選られた下層膜の膜
厚は６５ｎｍであった。
２と同様にして下層膜を形成した。選られた下層膜の膜
厚は６５ｎｍであった。
【００３６】次に、塗布液Ｂをイソブタノールで５倍に
希釈した液を用い、例１の工程３および工程４と同様に
して上層膜を形成した。得られた被膜の総膜厚は８５ｎ
ｍであった。結果を表１に示す。
希釈した液を用い、例１の工程３および工程４と同様に
して上層膜を形成した。得られた被膜の総膜厚は８５ｎ
ｍであった。結果を表１に示す。
【００３７】（例７（比較例））例１の工程１および工
程２だけを行い下層膜だけを形成した。結果を表１に示
す。
程２だけを行い下層膜だけを形成した。結果を表１に示
す。
【００３８】（例８（比較例））例１の工程１〜工程４
において、工程３だけを行わなかった。結果を表１に示
す。
において、工程３だけを行わなかった。結果を表１に示
す。
【００３９】（例９（比較例））塗布液Ａを用いて、一
回の成膜で膜厚が８０ｎｍとなるように塗布条件を変更
し、６０℃で１０分間乾燥させた後、大気中で３００
℃、３０分加熱し、続いて水素３体積％を含む窒素気流
中で５００℃、１５分の加熱を行った。結果を表１に示
す。
回の成膜で膜厚が８０ｎｍとなるように塗布条件を変更
し、６０℃で１０分間乾燥させた後、大気中で３００
℃、３０分加熱し、続いて水素３体積％を含む窒素気流
中で５００℃、１５分の加熱を行った。結果を表１に示
す。
【００４０】（例１０（比較例））工程２の加熱を、大
気中５００℃、３０分だけとした以外は例１と同様にし
て行った。結果を表１に示す。
気中５００℃、３０分だけとした以外は例１と同様にし
て行った。結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、低抵抗で抵抗安定性に
優れる透明導電膜を簡便な方法で安価に得ることができ
る。
優れる透明導電膜を簡便な方法で安価に得ることができ
る。
Claims (6)
- 【請求項１】酸化インジウムと酸化錫とを含む透明導電
膜の形成方法において、 透明基体上に、熱分解で酸化インジウムとなるインジウ
ム化合物と、熱分解で酸化錫となる錫化合物とを含む塗
布液を塗布する工程１と、 非酸化性雰囲気下で３００℃以上に加熱して被膜を形成
する工程２と、 再度、熱分解で酸化インジウムとなるインジウム化合物
と、熱分解で酸化錫となる錫化合物とを含む塗布液を塗
布する工程３と、 再度、３００℃以上に加熱する工程４と、をこの順で行
うことを特徴とする透明導電膜形成方法。 - 【請求項２】前記工程２における加熱において、非酸化
性雰囲気下での加熱の前に、酸化性雰囲気下での加熱を
行う請求項１記載の透明導電膜形成方法。 - 【請求項３】工程４における加熱を、非酸化性雰囲気下
で行う請求項１または２記載の透明導電膜形成方法。 - 【請求項４】前記工程４における加熱において、非酸化
性雰囲気下での加熱の前に、酸化性雰囲気下での加熱を
行う請求項３記載の透明導電膜形成方法。 - 【請求項５】前記非酸化性雰囲気が、水素を２体積％以
上含む不活性ガス雰囲気下である請求項１〜４いずれか
１項記載の透明導電膜形成方法。 - 【請求項６】工程２までで得られる被膜厚を、工程４ま
でで得られる総被膜厚の１／２以上とする１〜５いずれ
か１項記載の透明導電膜形成方法。
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