JP2000058550A - 半導体素子のキャリヤの寿命を調節する方法及び手段 - Google Patents
半導体素子のキャリヤの寿命を調節する方法及び手段Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】粒子照射によって、半導体素子におけるキャリ
ヤの寿命を調整すること 【解決手段】少なくとも２つの欠陥領域(１０，１１，
１２，１３)が半導体素子(１)に生成される。この方法
において、少なくともほぼ同じ初期のエネルギーを有す
る粒子からなる粒子のビーム(Ｐ)は、半導体素子(１)に
到達する前に、マスク(２３，２３’)を通過することに
よって、粒子(ａ，ｂ，ｃ，ｄ)が異なるエネルギー値を
有する、即ち少なくとも２つのエネルギー値のグループ
は区別できるように作用される。それによって、単一の
粒子照射操作で、その配列及びウェート付けが任意に選
択できる任意の数の欠陥領域（１０，１１，１２，１
３）を生成することが可能である。
ヤの寿命を調整すること 【解決手段】少なくとも２つの欠陥領域(１０，１１，
１２，１３)が半導体素子(１)に生成される。この方法
において、少なくともほぼ同じ初期のエネルギーを有す
る粒子からなる粒子のビーム(Ｐ)は、半導体素子(１)に
到達する前に、マスク(２３，２３’)を通過することに
よって、粒子(ａ，ｂ，ｃ，ｄ)が異なるエネルギー値を
有する、即ち少なくとも２つのエネルギー値のグループ
は区別できるように作用される。それによって、単一の
粒子照射操作で、その配列及びウェート付けが任意に選
択できる任意の数の欠陥領域（１０，１１，１２，１
３）を生成することが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーエレクトロ
ニクスの分野に関する。本発明は、請求項１のプリアン
ブルによる半導体素子のキャリヤの寿命を調節する方法
に関し、請求項７のプリアンブルによる方法を具現化す
るための手段に関する。
ニクスの分野に関する。本発明は、請求項１のプリアン
ブルによる半導体素子のキャリヤの寿命を調節する方法
に関し、請求項７のプリアンブルによる方法を具現化す
るための手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のダイナミックレスポンス
は、そのキャリヤの寿命によって本質的に影響される。
キャリヤの寿命を調節することによって、例えば、オン
状態のパワー損失を制御し、オフ状態の振る舞いを最適
化し、且つターンオフ特性を改善することが可能であ
る。キャリヤの寿命は、半導体素子に欠陥を生成するこ
とによって調節される。このような欠陥は、電子を照射
すること、重い金属、特にパラジュームや金をドーピン
グすること、或いは活発な重い粒子又はイオン、例えば
プロトンやヘリュームの核を照射することの３つの方法
で基本的に作られる。
は、そのキャリヤの寿命によって本質的に影響される。
キャリヤの寿命を調節することによって、例えば、オン
状態のパワー損失を制御し、オフ状態の振る舞いを最適
化し、且つターンオフ特性を改善することが可能であ
る。キャリヤの寿命は、半導体素子に欠陥を生成するこ
とによって調節される。このような欠陥は、電子を照射
すること、重い金属、特にパラジュームや金をドーピン
グすること、或いは活発な重い粒子又はイオン、例えば
プロトンやヘリュームの核を照射することの３つの方法
で基本的に作られる。
【０００３】電子照射は、半導体基板の大きさ全体をと
おして欠陥を生成する。逆に、ドーピングや粒子の照射
の場合は、半導体素子は、限定された領域のみ、すなわ
ち、実質的に影響されないままになっている素子の残り
の部分に欠陥を与える。これは、キャリヤの寿命の更に
制御された調節を可能にする。しかし、ドーピング法
は、比較的高価であるので、今は、粒子照射が寿命を調
節するための技術として確立されている。
おして欠陥を生成する。逆に、ドーピングや粒子の照射
の場合は、半導体素子は、限定された領域のみ、すなわ
ち、実質的に影響されないままになっている素子の残り
の部分に欠陥を与える。これは、キャリヤの寿命の更に
制御された調節を可能にする。しかし、ドーピング法
は、比較的高価であるので、今は、粒子照射が寿命を調
節するための技術として確立されている。
【０００４】この粒子照射の間、粒子のビームは半導体
の表面に向けられるので、それらの粒子は、半導体材料
へ入り込み、そこで欠陥を生成する。粒子の軌道に沿っ
て欠陥の密度は、最初小さく、最大深さに到達する前に
短く、急激に増加する。したがって、欠陥の最大は、こ
の領域に横たわる。対応する粒子の“平均的な”侵入深
さは、この場合、それらのエネルギーと侵入される材料
の構成物に依存する。粒子のエネルギーを選ぶことによ
って、予めそれらの侵入深さを定めることができ、した
がって欠陥領域の位置を正確に調節することができる。
粒子のビームにおける全ての粒子は同じエネルギーを持
っているので、１回の粒子の照射動作は、単一の欠陥領
域を生成する。
の表面に向けられるので、それらの粒子は、半導体材料
へ入り込み、そこで欠陥を生成する。粒子の軌道に沿っ
て欠陥の密度は、最初小さく、最大深さに到達する前に
短く、急激に増加する。したがって、欠陥の最大は、こ
の領域に横たわる。対応する粒子の“平均的な”侵入深
さは、この場合、それらのエネルギーと侵入される材料
の構成物に依存する。粒子のエネルギーを選ぶことによ
って、予めそれらの侵入深さを定めることができ、した
がって欠陥領域の位置を正確に調節することができる。
粒子のビームにおける全ての粒子は同じエネルギーを持
っているので、１回の粒子の照射動作は、単一の欠陥領
域を生成する。
【０００５】しかし、多くの利用のためには、一回の粒
子の照射動作は、最適なターンオフ特性を得るには十分
ではない。もし、比較的鋭い方法で部分的に限定された
単一の欠陥領域が存在するならば、ターンオフプロセス
における電流値は、急激に変化し、過電圧が誘導され、
そしてその電圧値は発振をはじめる。しかし、電子照射
を粒子照射と単に組み合わせることが改善を導くことが
判っている。
子の照射動作は、最適なターンオフ特性を得るには十分
ではない。もし、比較的鋭い方法で部分的に限定された
単一の欠陥領域が存在するならば、ターンオフプロセス
における電流値は、急激に変化し、過電圧が誘導され、
そしてその電圧値は発振をはじめる。しかし、電子照射
を粒子照射と単に組み合わせることが改善を導くことが
判っている。
【０００６】もし、欠陥領域がいろいろな侵入深さにあ
るならば、ＧＴＯ(Gate Turn Off)サイリスタのターン
オフプロセスが、改善されることが、"Solid State Ele
ctronics" Vol. 36, No. 2, pp. 133-141 に開示されて
いる。その目的のために、ＧＴＯは、数回粒子の照射が
行なわれる。これらのそれぞれの照射操作は、異なるエ
ネルギーの値によって達成される。この方法によって、
実際に良好な結果が得られる。しかし、多重照射は費用
がかかり、生産時間を増加する。
るならば、ＧＴＯ(Gate Turn Off)サイリスタのターン
オフプロセスが、改善されることが、"Solid State Ele
ctronics" Vol. 36, No. 2, pp. 133-141 に開示されて
いる。その目的のために、ＧＴＯは、数回粒子の照射が
行なわれる。これらのそれぞれの照射操作は、異なるエ
ネルギーの値によって達成される。この方法によって、
実際に良好な結果が得られる。しかし、多重照射は費用
がかかり、生産時間を増加する。
【０００７】
【発明の概要】したがって、本発明の目的は、上述の欠
点を除くことができる、半導体素子のキャリヤの寿命を
調節するための新規な方法、及び前述の形式の方法を具
現化する手段を提供することである。
点を除くことができる、半導体素子のキャリヤの寿命を
調節するための新規な方法、及び前述の形式の方法を具
現化する手段を提供することである。
【０００８】この目的は、請求項１の特徴を有する方
法、及び請求項７の特徴を有する方法を具現化するため
の手段によって達成される。本方法の他の有利な変形及
び有利な変更は、従属請求項において示されている。
法、及び請求項７の特徴を有する方法を具現化するため
の手段によって達成される。本方法の他の有利な変形及
び有利な変更は、従属請求項において示されている。
【０００９】本発明による方法において、半導体素子
は、異なる運動エネルギーを有する粒子から成る粒子ビ
ームによって照射される。これによって、単一の粒子照
射操作で、半導体素子に任意の数の欠陥領域を生成する
ことができ、その分布およびウェート付けも任意に選ぶ
ことができる。
は、異なる運動エネルギーを有する粒子から成る粒子ビ
ームによって照射される。これによって、単一の粒子照
射操作で、半導体素子に任意の数の欠陥領域を生成する
ことができ、その分布およびウェート付けも任意に選ぶ
ことができる。
【００１０】この目的のために、粒子のビームが半導体
素子に達する前に、全ての粒子が照射源を離れるとき、
それらは、少なくともほぼ同じ初期のエネルギーを有
し、その後、それらの粒子は異なるエネルギー値を有
し、すなわち、少なくとも２つのエネルギー値のグルー
プは、区別することができ、一つのエネルギーグループ
に関連する粒子は、少なくとも同じエネルギーを有する
ように作用される。この場合、グループの数は生成され
るべき欠陥領域の数と互いに関連する。
素子に達する前に、全ての粒子が照射源を離れるとき、
それらは、少なくともほぼ同じ初期のエネルギーを有
し、その後、それらの粒子は異なるエネルギー値を有
し、すなわち、少なくとも２つのエネルギー値のグルー
プは、区別することができ、一つのエネルギーグループ
に関連する粒子は、少なくとも同じエネルギーを有する
ように作用される。この場合、グループの数は生成され
るべき欠陥領域の数と互いに関連する。
【００１１】粒子のビームは、粒子のビームの少なくと
も一部がマスクを通過するように、少なくとも１つのマ
スクの助けによって比較的真っ直ぐに進むように作用さ
れる。マスクの特定の形状によって、特に材料の選択及
び構造によって、任意の割合を有する所望の粒子数のエ
ネルギーグループ、したがって、半導体素子の欠陥領域
の所望の軸分布が得られる。特に、２つ、３つ、４つ、
或いはそれ以上の欠陥領域が生成される。更に、個々の
欠陥領域は互いに分離されるか、互いに部分的に重ねる
こともできる。
も一部がマスクを通過するように、少なくとも１つのマ
スクの助けによって比較的真っ直ぐに進むように作用さ
れる。マスクの特定の形状によって、特に材料の選択及
び構造によって、任意の割合を有する所望の粒子数のエ
ネルギーグループ、したがって、半導体素子の欠陥領域
の所望の軸分布が得られる。特に、２つ、３つ、４つ、
或いはそれ以上の欠陥領域が生成される。更に、個々の
欠陥領域は互いに分離されるか、互いに部分的に重ねる
こともできる。
【００１２】もし、複数のマスクがビームの通路に配置
されるならば、欠陥領域の複雑な分布及び形状が単純な
形のマスク形式によって得ることができる。
されるならば、欠陥領域の複雑な分布及び形状が単純な
形のマスク形式によって得ることができる。
【００１３】粒子のビームは、それがマスクを通過する
とき、一般に散乱され、発生する粒子の各々のエネルギ
ーグループは、散乱によって影響されるバンド幅を有す
るエネルギーバンドを規定する。したがって、得られる
欠陥領域は、多重照射の場合より広がる。この欠陥のプ
ロフィールの広がりは、半導体素子の振る舞い、特に、
そのターンオフ特性に好ましい影響を持つ。
とき、一般に散乱され、発生する粒子の各々のエネルギ
ーグループは、散乱によって影響されるバンド幅を有す
るエネルギーバンドを規定する。したがって、得られる
欠陥領域は、多重照射の場合より広がる。この欠陥のプ
ロフィールの広がりは、半導体素子の振る舞い、特に、
そのターンオフ特性に好ましい影響を持つ。
【００１４】マスクとターゲット間に適当な距離をあけ
て、ターゲット、又はイオンビーム、及びマスクを走査
することによって、横方向に一様な照射が得られる。も
し、マスクが照射の間半導体素子に対して静止し、半導
体素子を部分的に覆っていれば、横の欠陥領域分布も得
られる。本発明による方法は、全ての既知の半導体素子
におけるキャリヤの寿命を調節するために用いられる。
特に、半導体ダイオードの製造に適している。
て、ターゲット、又はイオンビーム、及びマスクを走査
することによって、横方向に一様な照射が得られる。も
し、マスクが照射の間半導体素子に対して静止し、半導
体素子を部分的に覆っていれば、横の欠陥領域分布も得
られる。本発明による方法は、全ての既知の半導体素子
におけるキャリヤの寿命を調節するために用いられる。
特に、半導体ダイオードの製造に適している。
【００１５】
【発明の実施の形態】図面をとおして、同じ参照番号は
同じ部分或いは対応する部分を示している。図１乃至図
３は、本発明による方法の第１の実施形態を示す。半導
体素子１は、粒子のビームＰで照射される。ここで示さ
れた照射は、それが、例えばパワー半導体ダイオードに
対して実行されるならば、アノード側で行なわれてい
る。しかし、照射の方向は、本発明では本質的でない
が、照射されるべき特別な半導体素子に依存する。ここ
に示されているように、もし、粒子のビームＰが半導体
素子１より小さな面積を有しているならば、その全表面
が粒子の爆撃に連続的に曝されるように、照射の間、半
導体素子１は移動される。
同じ部分或いは対応する部分を示している。図１乃至図
３は、本発明による方法の第１の実施形態を示す。半導
体素子１は、粒子のビームＰで照射される。ここで示さ
れた照射は、それが、例えばパワー半導体ダイオードに
対して実行されるならば、アノード側で行なわれてい
る。しかし、照射の方向は、本発明では本質的でない
が、照射されるべき特別な半導体素子に依存する。ここ
に示されているように、もし、粒子のビームＰが半導体
素子１より小さな面積を有しているならば、その全表面
が粒子の爆撃に連続的に曝されるように、照射の間、半
導体素子１は移動される。
【００１６】マスク２は、粒子ビームＰの通路に配置さ
れる。ここに示されるように、マスクはビーム通路の全
域を覆っている。他の実施形態においては、マスクは半
導体素子上で部分的にだけ作用する。マスク２と半導体
素子１の表面間の距離は、絶対的に本質的なパラメータ
ではない。しかしながら、この距離を選択、すなわち変
えることによって、照射密度を選ぶことが可能である。
何故ならば、粒子ビームは、一般に、マスクからの距離
を増大するにしたがってだんだん広がるからである。
れる。ここに示されるように、マスクはビーム通路の全
域を覆っている。他の実施形態においては、マスクは半
導体素子上で部分的にだけ作用する。マスク２と半導体
素子１の表面間の距離は、絶対的に本質的なパラメータ
ではない。しかしながら、この距離を選択、すなわち変
えることによって、照射密度を選ぶことが可能である。
何故ならば、粒子ビームは、一般に、マスクからの距離
を増大するにしたがってだんだん広がるからである。
【００１７】マスクとして、金属又はプラスッチクを用
いるのが好ましいが、マスク２は、非常に広範囲の材料
からつくることができる。好適な材料の例としてシリコ
ン、アルミニウム、ニッケル、及びプラチナを挙げるこ
とができる。マスクの厚みは、得られるべきブレーキ効
果に依存し、一般的には１０μｍから３００μｍの範囲
の値である。非常に広いいろいろなマスク形状を用いる
ことができる。図２に示されたマスク２は、ホール(孔)
２０のあるホールアレイを有する。この実施形態では、
実際には多くの数があることを示すために、４つのホー
ルだけを示している。ホール２０と固体表面２１との比
は、この例では、得られるべき欠陥のプロフィールの関
数として選ばれる。それは、通常１：１から１：２０の
間にあり、好ましくは、少なくともおよそ１：６であ
る。ホール２０の大きさも得られるべき結果に基づいて
適応され、一般的には０．５〜１ｍｍ2の値である。
いるのが好ましいが、マスク２は、非常に広範囲の材料
からつくることができる。好適な材料の例としてシリコ
ン、アルミニウム、ニッケル、及びプラチナを挙げるこ
とができる。マスクの厚みは、得られるべきブレーキ効
果に依存し、一般的には１０μｍから３００μｍの範囲
の値である。非常に広いいろいろなマスク形状を用いる
ことができる。図２に示されたマスク２は、ホール(孔)
２０のあるホールアレイを有する。この実施形態では、
実際には多くの数があることを示すために、４つのホー
ルだけを示している。ホール２０と固体表面２１との比
は、この例では、得られるべき欠陥のプロフィールの関
数として選ばれる。それは、通常１：１から１：２０の
間にあり、好ましくは、少なくともおよそ１：６であ
る。ホール２０の大きさも得られるべき結果に基づいて
適応され、一般的には０．５〜１ｍｍ2の値である。
【００１８】図１に示されるように、粒子ビームＰは、
それが半導体素子１に到達する前にマスクを通過する。
マスク２に到達する前には、全ての粒子は、少なくとも
ほぼ同じ初期エネルギーＥ0を有している。マスクの固
体表面を通過する第１の粒子ａは、ブレーキがかけられ
る。マスク２を離れるそれらの運動エネルギーＥ1は、
初期エネルギーＥ0より小さい。しかし、ホール２０を
通過する第２の粒子ｂは影響を受けることなく、初期エ
ネルギーＥ0を有している。
それが半導体素子１に到達する前にマスクを通過する。
マスク２に到達する前には、全ての粒子は、少なくとも
ほぼ同じ初期エネルギーＥ0を有している。マスクの固
体表面を通過する第１の粒子ａは、ブレーキがかけられ
る。マスク２を離れるそれらの運動エネルギーＥ1は、
初期エネルギーＥ0より小さい。しかし、ホール２０を
通過する第２の粒子ｂは影響を受けることなく、初期エ
ネルギーＥ0を有している。
【００１９】粒子が半導体素子１に到達すると、高いエ
ネルギーを有している第２の粒子ｂは、低いエネルギー
を有する粒子より深く侵入する。第１の粒子ａは、第１
の欠陥領域１０を生成し、第２の粒子ｂは、第２の欠陥
領域１１を生成する。この場合、第１の欠陥領域１０
は、第２の欠陥領域より照射側の面に近い。これは図１
及び図３から判るであろう。図３によれば、この場合、
およそ７０μｍの侵入深さにある第１のピークは、第１
の欠陥領域１０に相当する。このピークは、約３００μ
ｍの侵入深さにある第２の欠陥領域１１のピークより実
質的に大きい。何故ならば、マスク形状のため、妨げら
れずに通過することができた粒子より多くの粒子がブレ
ーキをかけられたからである。図３に示されるように、
もし、全半導体の厚みが３５０μｍであると仮定する
と、この第２の欠陥領域１１は、カソード側の面の近く
に横たわる。この配置は、特に半導体ダイオードの場合
有利である。
ネルギーを有している第２の粒子ｂは、低いエネルギー
を有する粒子より深く侵入する。第１の粒子ａは、第１
の欠陥領域１０を生成し、第２の粒子ｂは、第２の欠陥
領域１１を生成する。この場合、第１の欠陥領域１０
は、第２の欠陥領域より照射側の面に近い。これは図１
及び図３から判るであろう。図３によれば、この場合、
およそ７０μｍの侵入深さにある第１のピークは、第１
の欠陥領域１０に相当する。このピークは、約３００μ
ｍの侵入深さにある第２の欠陥領域１１のピークより実
質的に大きい。何故ならば、マスク形状のため、妨げら
れずに通過することができた粒子より多くの粒子がブレ
ーキをかけられたからである。図３に示されるように、
もし、全半導体の厚みが３５０μｍであると仮定する
と、この第２の欠陥領域１１は、カソード側の面の近く
に横たわる。この配置は、特に半導体ダイオードの場合
有利である。
【００２０】図４乃至図６は、本発明による方法の第２
の実施形態を示す。単一の粒子照射の操作後に、４つの
ピーク、即ち欠陥領域１０，１１，１２，１３を有する
半導体素子が作られる。欠陥領域を増加することは、タ
ーンオフの振る舞いを改善することが知られている。
の実施形態を示す。単一の粒子照射の操作後に、４つの
ピーク、即ち欠陥領域１０，１１，１２，１３を有する
半導体素子が作られる。欠陥領域を増加することは、タ
ーンオフの振る舞いを改善することが知られている。
【００２１】使用されたマスク２’が図４及び図５に示
されている。このマスクはいろいろな材料、即ち第１の
材料、例えばシリコンのベース２２からなり、そこに他
の材料、例えばプラチナの１以上の層２３，２３'が設
けられている。しかし、この例では、ホールはない。こ
の場合、図４は、マスク２'の概略構造を示すのみで、
図５によるマスク２'の断面とは対応しない。
されている。このマスクはいろいろな材料、即ち第１の
材料、例えばシリコンのベース２２からなり、そこに他
の材料、例えばプラチナの１以上の層２３，２３'が設
けられている。しかし、この例では、ホールはない。こ
の場合、図４は、マスク２'の概略構造を示すのみで、
図５によるマスク２'の断面とは対応しない。
【００２２】したがって、粒子のビームＰの粒子は、厚
み及び材料の構成に基づいて互いに異なっているいろい
ろな伝送領域を通過する。ここに示された配列は、４つ
の伝送領域を有しているので、マスクを２'を離れた
後、粒子のビームＰは、４つの異なったエネルギー値の
粒子ａ，ｂ，ｃ，ｄを有しており、半導体素子に４つの
欠陥領域１０-１３を生成する。
み及び材料の構成に基づいて互いに異なっているいろい
ろな伝送領域を通過する。ここに示された配列は、４つ
の伝送領域を有しているので、マスクを２'を離れた
後、粒子のビームＰは、４つの異なったエネルギー値の
粒子ａ，ｂ，ｃ，ｄを有しており、半導体素子に４つの
欠陥領域１０-１３を生成する。
【００２３】図７は、本発明による方法を具現化するた
めの第３の装置を示す。この場合、多くのマスク２、正
確には２つであって、一方が他方の後ろに配列されてい
る。これらのマスクは、ここに示されるように同じ物で
あってもよく、それらの伝送領域は、ビーム通路におい
て互いにオフセットされて配列される。これは、単一
の、比較的簡単なマスクを作ることができるという利点
を有する。しかし、互いに異なった形状のマスクを配列
することもできる。さらに、半導体素子１に対して固定
した位置に配置される第３のマスク２”がある。したが
って、この例では、マスクは、半導体素子１に直接設け
られている。この第３のマスク２”は、欠陥プロフィー
ルの横方向の変化を可能にする。
めの第３の装置を示す。この場合、多くのマスク２、正
確には２つであって、一方が他方の後ろに配列されてい
る。これらのマスクは、ここに示されるように同じ物で
あってもよく、それらの伝送領域は、ビーム通路におい
て互いにオフセットされて配列される。これは、単一
の、比較的簡単なマスクを作ることができるという利点
を有する。しかし、互いに異なった形状のマスクを配列
することもできる。さらに、半導体素子１に対して固定
した位置に配置される第３のマスク２”がある。したが
って、この例では、マスクは、半導体素子１に直接設け
られている。この第３のマスク２”は、欠陥プロフィー
ルの横方向の変化を可能にする。
【図１】第１のマスクを有する粒子照射の概要を示す。
【図２】図１に用いられるマスクを示す。
【図３】図１による照射で生成された欠陥のプロフィー
ルを示す。
ルを示す。
【図４】第２のマスクを用いた粒子照射の概要を示す。
【図５】図４に用いられるマスクを示す。
【図６】図４による照射で生成された欠陥のプロフィー
ルを示す。
ルを示す。
【図７】本方法の第３の変形による粒子照射の概要を示
す。
す。
１ 半導体素子 １０ 第１の欠陥領域 １１ 第２の欠陥領域 １２ 第３の欠陥領域 １３ 第４の欠陥領域 ２，２’、２” マスク ２０ ホール ２１ 固体面 ２２ ベース ２３，２３' 層 Ｐ 粒子ビーム ａ，ｂ，ｃ，ｃ 粒子、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パヴェル ハスドラ チェッコ セセタ−16000 プラハ ６ ブーベネスカ 53 (72)発明者 ヤン ヴォーベッキー チェッコ セセタ−16000 プラハ ６ クラーヌ ６
Claims (11)
- 【請求項１】粒子照射によって半導体素子のキャリヤの
寿命を調節するための方法であって、 少なくとも２つの欠陥領域（１０、１１，１２，１３）
が半導体素子（１）に生成され、 少なくともほぼ同じ初期エネルギーを有する粒子（ａ，
ｂ，ｃ，ｄ）から成る粒子のビーム（Ｐ）は、これらの
粒子（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）が少なくとも２つの区別できる
エネルギー値のグループである異なるエネルギー値を実
質的に有するように、半導体素子（１）に到達する前
に、少なくとも１つの手段（２）によって作用されるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２】前記粒子ビームの少なくとも１部が、半導
体素子（１）に到達する前に、少なくとも１つのマスク
を通過することを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】前記半導体素子（１）がマスクに対して移
動されることを特徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】単一の粒子照射の操作が行なわれることを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】全体の粒子のビームが少なくとも１つのマ
スクを通過することを特徴とする請求項２に記載の方
法。 - 【請求項６】前記粒子ビーム（Ｐ）は、前記半導体素子
（１）に対して固定した位置に配置されている少なくと
も１つのマスク（２）を通過することを特徴とする請求
項１に記載の方法。 - 【請求項７】請求項１に記載された方法を実現するため
に粒子のビーム（Ｐ）に作用する手段であって、該手段
は、マスクを通過する前記粒子のビーム（Ｐ）の粒子
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）にブレーキをかけるマスク（２）で
あることを特徴とする手段。 - 【請求項８】前記マスク（２）は、マスクを通過する粒
子（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）に互いに異なるブレーキ効果を及
ぼす少なくとも２つの領域（２０，２１）に区分されて
いることを特徴とする請求項７に記載の手段。 - 【請求項９】前記領域（２０，２１）は、異なる厚さを
有することを特徴とする請求項８に記載の手段。 - 【請求項１０】前記マスク（２）は、ホール（２０）を
有していることを特徴とする請求項８に記載の手段。 - 【請求項１１】前記手段は、金属及び/又はプラスチッ
クから作られていることを特徴とする請求項７に記載の
手段。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19835528A DE19835528A1 (de) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | Verfahren zur Einstellung der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement |
| DE19835528:9 | 1998-08-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058550A true JP2000058550A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=7876647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11221844A Pending JP2000058550A (ja) | 1998-08-06 | 1999-08-05 | 半導体素子のキャリヤの寿命を調節する方法及び手段 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6159830A (ja) |
| EP (1) | EP0978868A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000058550A (ja) |
| CN (1) | CN1244725A (ja) |
| DE (1) | DE19835528A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262764A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法とそれに用いるアブソーバ |
| JP2019040671A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 住重アテックス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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| DE102004009087B4 (de) * | 2004-02-25 | 2009-04-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Einstellen der Durchbruchspannung eines Thyristors |
| EP2234144B1 (en) * | 2009-03-25 | 2018-08-22 | ABB Schweiz AG | Method for manufacturing a power semiconductor device |
| EP2515328B1 (en) * | 2009-12-15 | 2016-05-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP6052392B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2016-12-27 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体ウエハの順電圧ばらつき低減方法 |
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| GB2050802B (en) * | 1979-06-12 | 1983-03-02 | Imp Group Ltd | Feeding tobacco webs |
| JP2628602B2 (ja) * | 1988-08-25 | 1997-07-09 | 富士通株式会社 | イオンビーム照射装置 |
| DE4224686C2 (de) * | 1992-07-25 | 1994-07-14 | Daimler Benz Ag | Verfahren zur Implantation von Ionen in einen Festkörper |
| US5384477A (en) * | 1993-03-09 | 1995-01-24 | National Semiconductor Corporation | CMOS latchup suppression by localized minority carrier lifetime reduction |
| JP3488599B2 (ja) * | 1996-10-17 | 2004-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-08-06 DE DE19835528A patent/DE19835528A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-07-14 EP EP99810632A patent/EP0978868A1/de not_active Withdrawn
- 1999-07-30 US US09/363,645 patent/US6159830A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-05 JP JP11221844A patent/JP2000058550A/ja active Pending
- 1999-08-06 CN CN99117612A patent/CN1244725A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262764A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法とそれに用いるアブソーバ |
| JP2019040671A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 住重アテックス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19835528A1 (de) | 2000-02-10 |
| CN1244725A (zh) | 2000-02-16 |
| US6159830A (en) | 2000-12-12 |
| EP0978868A1 (de) | 2000-02-09 |
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