JP2000058458A - Iii族窒化物半導体の成膜方法およびその装置 - Google Patents

Iii族窒化物半導体の成膜方法およびその装置

Info

Publication number
JP2000058458A
JP2000058458A JP22489098A JP22489098A JP2000058458A JP 2000058458 A JP2000058458 A JP 2000058458A JP 22489098 A JP22489098 A JP 22489098A JP 22489098 A JP22489098 A JP 22489098A JP 2000058458 A JP2000058458 A JP 2000058458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrate
supply pipe
introduction
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22489098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3472976B2 (ja
Inventor
Hiroyuki Ota
啓之 太田
Atsushi Watanabe
温 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP22489098A priority Critical patent/JP3472976B2/ja
Publication of JP2000058458A publication Critical patent/JP2000058458A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3472976B2 publication Critical patent/JP3472976B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機金属化学気相成長法(MOCVD法)におい
て、原料ガスの流量を増大させることなく、所定の混晶
比を有した均質なIII族窒化物半導体を得るための成膜
方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 アンモニアガスと有機ガリウムガスとを
予め混合して基板の方向へ導き、導かれた混合ガスに対
して基板の近傍でさらに有機アルミニウムガスを混合し
て基板上に供給することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属化学気相
成長法(MOCVD法)を用いたIII族窒化物半導体の製造方
法に関するもので、特に混晶のAlGaNの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】GaN系半導体は、近年、短波長半導体素
子用、特に短波長半導体レーザ用材料として精力的に研
究開発が行われている。この半導体レーザやLEDなど
の発光効率を向上させる手法としてダブルヘテロ構造
(以下DH構造)や分離閉じこめヘテロ構造(以下SC
H構造)などを用いる。これらの構造は、基本的にバン
ドギャップ値の異なった材料同士を積層して作製する。
【0003】III族窒化物半導体において、例えばAlNと
GaNの固溶体であるAlxGa1-xNなどのいわゆる混晶系を用
いると、xの値に応じたバンドギャップ値をGaNの3.4eV
からAlNの6.2eVまでの値の間で調製することができる。
III族窒化物半導体エピタキシャル膜の作製方法のう
ち、最も良好な膜質が得られるのは有機金属化学気相成
長法(以下MOCVD法)であって、上記のAlGaN等の混晶の
エピタキシャル膜の作製方法として良く知られている。
【0004】MOCVD法におけるIII−V族化合物の成膜で
は、III族の有機化合物(MO)とV族の水素化物を原
料ガスとして反応管内に導入して、これを加熱した基板
上に接触させて原料ガスの熱分解生成物と原料ガスとを
相互に反応させることによって基板上にIII−V族化合
物エピタキシャル膜を成長させるものである。MOCVD装
置は反応管構造によって、ガス流を上下方向に導く縦型
炉と、ガス流を水平方向に導く横型炉とに大別される。
【0005】図1に示すように、縦型炉によるMOCVD装
置は、原料ガスを導入管1から反応管2に導入し、サセ
プタ3上に配置された基板4に上方よりこれを接触せし
めてエピタキシャル成長を行うものである。サセプタ3
を回転させることで基板上のエピタキシャル膜の均質性
を向上させ得る。また、反応した残滓ガスと未反応の原
料ガスは反応管2の下部から排出するようになってい
る。この縦型炉は構造が比較的単純であり、装置が小型
であるという利点を有している。一方で、導入管1の直
下に流体の滞留点(よどみ点)5を形成すること、及び
ガスの流れが熱対流と逆方向となることなどから、実験
用の小型炉から量産用の大型装置への拡大設計が難し
い。
【0006】図2に示すように、横型炉によるMOCVD装
置は、基板4の表面と原料ガスの流れ方向が平行であっ
て、縦型炉の如くガス流の方向が大きく変化することが
ない。この横型炉の場合であってもサセプタ3によって
基板を回転させることでエピタキシャル膜の均質性の向
上が図られる。横型炉は、装置の設置面積が大きくなる
といった欠点を有しているが、ガス流の形が単純である
ために実験機から実用機への拡大設計が比較的容易であ
って、化合物半導体製造用の量産エピタキシャル炉とし
て広く使用されている。
【0007】MOCVD法で用いられるIII族窒化物半導体の
原料として一般的に用いられているのは、III族元素を
含むトリメチルガリウム(以下TMG)、トリメチルアル
ミニウム(以下TMA)、トリメチルインジウム(以下TM
I)などの有機金属と、V族元素を含むアンモニア(以
下NH3)などである。2種以上のIII族元素原料を所定の
割合でV族元素原料と反応せしめ、基板上に堆積させる
ことで混晶のエピタキシャル膜を作製することが出来
る。
【0008】AlxGa1-xN等の混晶系を用いた半導体レー
ザ等の発光素子の光学特性は、材料の混晶比x及び材料
内部の均質性によって決定される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】窒化物半導体をMOCVD
法で成膜する際に問題となるのが、III族原料のアルキ
ル化合物(ここではTMG、TMA)とV族原料のNH3との間
で起こる寄生反応である。寄生反応とは、反応炉内で混
合された原料が基板に到達する前に反応を開始、進行し
てしまう現象である。AlGaAs系では原料間に寄生反応が
ほとんど生じない。このAlGaAs系の場合、成膜されたエ
ピタキシャル膜固相中のAl混晶比(AlAsの割合:AlxGa
1-xAsのx)は、気相中のTMAの割合{TMA/(TMA+TMG)}
とほぼ等しく、成膜された固相中の混晶比はガスの成分
比によって制御され得る。一方、AlGaN系の場合、顕著
な寄生反応を生じるため歩留まりが大幅に低下し、AlN
混晶比(AlxGa1-xNとしたときのx)に再現性が得られ
なかったり、膜内部でx値が変動して均質性に劣る、と
いった問題が生じる。AlGaN系で寄生反応が激しく生ず
る原因は、III族原料のアルキル化合物が比較的強いル
イス酸である一方、NH3が強いルイス塩基であることに
よる。室温程度の気相中であってもこれらの分子同士が
出会うと両者は結合し、(CH3)3-M:NH3(但し、M:Al or
Ga)の形のアダクトと呼ばれる室温で固体の白色の化合
物を形成する。溶融温度は、(CH3)3-Al:NH3で約56.7
℃、(CH3)3-Ga:NH3で約30℃ある。
【0010】図2に示すように、従来型のAlGaAs系成膜
用のMOCVD装置でAlGaN系の成膜を行うとする。AlGaAs系
同様に反応炉6の上流の配管7に原料ガスであるTMGま
たはTMA及びNH3を導入して、配管7内でこれら原料ガス
が混合されると、配管7の内部にアダクトが堆積して配
管壁に付着して配管7を梗塞してしまう。従って、これ
ら原料ガスは反応炉6内のある程度温度の高いところ、
例えば前述のアダクトの溶解温度以上の場所で混合され
る。
【0011】ところで、TMGから形成されるGaを含むア
ダクトは最終的に分解されてもGaNとは成り得ないが、T
MAから形成されるAlを含むアダクトは分解されて最終的
にAlNに成り得る。すなわち、気相中で形成されたアダ
クト(CH3)3Al:NH3は、反応炉中を進むに従って加熱され
て、温度が約70℃程度に達したところでCH4を排出して
[(CH3)2AlNH2]なるアミド種を形成する。さらに[(CH
3)2AlNH23なる環状のトリマー化合物となる。この環
状化合物が加熱を受けると、さらにCH4が順次排出さ
れ、最終的にAlNを形成する。一方、Gaの場合、これに
対応する(CH3)3Ga:NH 3や[(CH3)2GaNH23といった化合
物は、Alの場合に比べてはるかに結合力が弱く、加熱し
ても最終的にGaNに到達しにくい。
【0012】TMAが反応炉入り口部分でNH3と混合された
ならば、気相中で固体のAlNを生成してしまい、この反
応が顕著である場合には多量のTMAを反応管内に導入し
ても基板上にAlN結晶膜は成長せず、反応炉壁面や下流
に配される配管及びフィルタなどに堆積してしまう。こ
こでAlNの生成反応は気相反応であるから、反応物質
(ここではTMA分子とNH3分子)の空間密度(両者の密度
の積)を反応因子とする。故に、反応管内を減圧した、
いわゆる減圧CVDを用いることで反応を抑制することが
できる。
【0013】一般的に、有機金属原料はメチル基(CH
3-)等に大量の炭素を含んでいる。成膜された膜中に炭
素が不純物として取り込まれると、発光特性、電気特性
などの素子の諸特性は劣化してしまう。通常、炭素は、
V族原料であるV族水素化物から供給される原子状水素
によってメチル基等の炭素源をCH4として外部へ排出す
るため、成膜された膜中には取り込まれない。故に、減
圧(たとえば76Torr:1/10気圧)CVDでは大量のV族水
素化物を導入しなければ炭素の取り込みが増加してしま
うのである。さらに、AlGaN系の成膜ではV族原料には
熱分解性の低いNH3を使用しているため、さらに大量のN
H3を導入する必要がある。一方で、NH3分圧を高くする
と前述の寄生反応を助長してしまうのである。
【0014】図3に示すように、寄生反応の影響を低減
する方法として反応管内のガス流路を仕切板にて2つに
仕切り、成膜を行う基板近傍で原料ガスが混合されるよ
うにした上で、さらに、(1)基本的な膜質を維持すべく
運転圧力を常圧とする一方で、反応炉6に流すガスの流
速を大として、混合開始位置から基板位置までガスが到
達する時間を短縮する、若しくは、(2)寄生反応の影響
を減ずるべく、反応炉を減圧運転し、炭素の取り込みに
よる膜質の悪化をNH3を大量に導入することで補う、と
いった手法が取られる。しかしながら、(1)では、ガス
流速を上げるためにガス消費量が多くなる。また、ガス
流路の断面積を小さくしてもよいが、量産化のために装
置を大型化することが困難となってしまう。(2)では、N
H3流量を増やしてもNH3分圧は、反応炉内の圧力以上に
上げることができないため、減圧下では炭素の膜中への
取り込みを十分に減ずることは不可能である。
【0015】本発明は、前述した点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、寄生反応の影響を減じ、原料ガ
スの流量を増大させることなく、所定の混晶比を有した
均質なIII族窒化物混晶を成膜する成膜装置及びその方
法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明によるIII族窒化
物半導体膜を気相成長法によって成膜する方法は、アン
モニアガスと有機ガリウムガスとを予め混合して基板の
方向へ導き、導かれた混合ガスに対して前記基板の近傍
でさらに有機アルミニウムガスを混合して前記基板上に
供給することを特徴とする。
【0017】また、本発明によるIII族窒化物半導体膜
を気相成長法によって基板上に形成するIII族窒化物半
導体の成膜装置は、前記基板を収容できる反応室と、前
記反応室内においてガス排出端が前記基板の上方近傍に
おいて開口している第1ガス供給管と、前記反応室内に
おいてガス排出端が前記基板の上方近傍であって且つ前
記第1ガス供給管よりも下方において開口している第2
ガス供給管と、前記第1ガス供給管のガス導入端に前記
反応室の外から有機アルミニウムガスを供給する第1導
入管と、前記第2ガス供給管のガス導入端に前記反応室
の外から有機ガリウムガスとアンモニアガスとを供給す
る導入手段と、からなることを特徴とする。
【0018】
【作用】TMGはNH3と混合されてアダクトを生じるが、少
なくとも30℃以上の凝固温度以上の雰囲気温度下にある
ため固体状のアダクトは内壁等に固着せず、管路を梗塞
することがない。またTMGは、AlN固相核が高濃度に存在
する領域を通過せずに基板へ到達するため、Gaを効率よ
く基板上へ成膜することができる。
【0019】なお、本発明は有機AlとしてTEA(トリエ
チルアルミニウム)を、また有機GaとしてTEG(トリエ
チルガリウム)を用いることもできる。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、寄生反応の成膜への影
響を減じ、原料ガスの流量を増大させることなく、所定
の混晶比を有した均質なIII族窒化物混晶を成膜するこ
とができる。
【0021】
【実施の態様】図4に示すように、原料ガスが流れる矩
形断面を有する石英ガラス製のフローチャネル8は、そ
の内部を2つの流路、すなわち上方の第1ガス供給管9
及び下方の第2ガス供給管10に分割されている。III族
原料であるTMA及びTMGは搬送ガス(以下キャリアガス)
によって希釈されて搬送されて、第1ガス供給管9と接
続される第1ガス導入管11及び/または第2ガス供給管
10と接続されている第2ガス導入管12よりフローチャネ
ル8内に導入される。III族原料であるNH3は第2ガス供
給管10と接続されている第3ガス導入管13からフローチ
ャネル8内に導入される。サファイア基板4は、グラフ
ァイト製のサセプタ3上に設置されており、サセプタ3
は円筒形断面を有する石英製反応管外筒14の外部に設置
されたRFコイル(図示せず)によって高周波加熱され
る。原料であるTMG、TMA、NH3は基板上で加熱され、AlG
aNの結晶膜が基板上に堆積される。また、反応管外筒14
の内壁及びフローチャネル外壁への汚れの付着を防ぐた
め、反応管外筒14とフローチャネル8との間にはカウン
タフローとして第4ガス導入管15より水素ガスを流す。
キャリアガス、NH3等すべてのガスはMFC(マスフローコ
ントローラ)により、それらの流量が厳密に制御され
る。反応炉下流には排気用ポンプ及び圧力制御弁(共に
図示せず)が接続されており、反応炉内へのガス流量に
よらず反応炉及びフローチャネルの内部の圧力を一定に
維持している。
【0022】表1に示すように、ガス導入管に流すガス
種について以下の3種類の比較実験を行った。
【0023】
【表1】 ガス導入管 条件 条件 条件 第1 H2 TMA、TMG、H2 TMA、H2 第2 TMA、TMG、H2 H2 TMG、H2 第3 NH3 、H2 NH3 、H2 NH3 、H2 第4 H2 H2 H2 ここで、TMAの導入量を7μmol/min(1分間当たりのモ
ル流量)、TMG導入量を37μmol/min、NH3流量を5 SLM
(Standard Liter per Minute:標準状態換算の体積流
量)、キャリアガスとして第1及び第2ガス供給管9、
10に導入する水素ガスの流量を各々7 SLM及び10 SLM、
カウンターフローとして流す水素ガスを8 SLMに固定し
て行った。また反応管外筒14内の圧力は300Torrの圧力
に維持された。この条件でのAlの気相比{TMA/(TMA+TM
G)}は0.16であり、寄生反応が生じなければ、この比の
AlGaN混晶が成膜されるはずである。また、基板は回転
させず、基板の温度は1050℃、成膜時間は1時間に固定
した。第1及び第2ガス供給管9及び10の長さは、第2
ガス供給管10内で第2及び第3ガス導入管12、13から導
入されるガスが確実に混合される十分な長さである。つ
まり、第2及び第3ガス導入管12、13から、NH3ガス及
びTMGガスが第2ガス供給管10に導入されて、この中を
流れながら混合され、第2ガス供給管10の開口端での混
合ガスの濃度分布が略均一になるような長さである。ガ
ス流速等から検討してこの長さを20cmとした。また、第
2ガス供給管10内にはガス混合用の撹拌機を取り付けて
も良い。さらに、第2及び第3ガス導入管12、13と第2
ガス供給管10との接続部分、すなわち第2ガス供給管10
のガス導入端及びその近傍の温度は常に室温以上、30℃
以上に維持した。
【0024】条件では、TMA、TMGの混合ガスを第2ガ
ス導入管12から第2ガス供給管10に導入し、これに第3
ガス導入管13から導入されるNH3と第2ガス供給管10の
入り口部分で混合した。成膜装置中心線上のガス流の方
向に沿ってAl混晶比と膜厚の変化を測定したところ(こ
こで、Al混晶比xは、X線の(0002)反射ピーク位置から
ベガード則を用いて算出、また膜厚はSEM(走査型電
子顕微鏡)により測定した。以下、測定方法は同
じ。)、膜厚の成長速度は極めて遅く、寄生反応も激し
く、生成した膜中にほとんどAlが取り込まれなかった。
【0025】条件では、TMA、TMGの混合ガスを第1ガ
ス導入管11から第1ガス供給管9に導入し、基板の直前
で第3ガス導入管から第2ガス供給管10を通って供給さ
れるNH3と混合した。成膜装置中心線上のガス流の方向
に沿ったAl混晶比と膜厚の変化を測定したところ、上流
側では膜厚が薄く、Al混晶比はAlの気相比よりも大き
く、一方、下流側では逆に、膜厚が厚く、Al混晶比はAl
の気相比よりも小さかった。供給されている全III族原
料のうち8割以上がGa(TMG)であるから、たとえTMAが
寄生反応で失われたとしても、TMGからの成膜は確保さ
れるはずである。
【0026】そこで、条件におけるガス供給条件から
TMAの供給のみを除外した成膜実験(この場合、2元のG
aNが成膜されることとなる)を行ったところ、条件の
実験で得られた膜の最高膜厚と同程度の厚さに均一に成
膜された。つまり、条件では、TMAの引き起こした寄
生反応の影響で、成膜された基板の上流側でTMGからの
析出が減少していると考えられる。この理由は、III族
原料であるTMGとTMAが共に上部流路から拡散するからで
ある。第1ガス供給管9から下方に拡散するTMAは、比
較的低温の領域16においてNH3と寄生反応を生じ、気相
中にTMAとNH3の重合体を形成する。下流に向かって温度
が上昇するに従って、この重合体からCH4を排出し、最
終的には極めて微細なAlNの固相核をガス流中に形成す
る。一方、TMGとNH3も重合体を形成し得るが、結合力は
Alの場合と比べて小さいため、高温領域に近づくと分解
し、気相中ではGaNの固相核を形成するまでには至らず
に非平衡状態にある。しかしながら、AlNを主成分とし
た固相核の表面にはAlNだけでなく、非平衡状態にあるT
MGとNH3の重合体もGaNを析出しうる。故に、TMG、TMAを
ともに基板から遠い側から供給した場合、低温領域16を
通過しなければ基板に到達できず、AlNのみならず、GaN
も気相中に析出してしまい、半導体膜は基板上に成膜さ
れない。なお、基板は1000℃近傍の高温まで加熱されて
おり、基板上のガス流には大きな温度勾配が生じてい
る。大きな温度勾配を持つガス中にある微粒子には、高
温領域からこれを排出しようとする力(Soret効果)が
働くため、寄生反応によって生じた微粒子は、水冷され
ている反応管外筒の内壁や排気配管壁面に付着してしま
い、基板上にはほとんど堆積しないのである。さらに、
上流側ではIII族元素の原料の供給量が低下する故、結
合力の弱いGaNは析出よりも蒸発が優勢となり、結合力
の強いAlNのみが成膜されてAl混晶比が高くなったもの
と考えられる。
【0027】条件は、条件の結果に鑑みてなされた
ものであって、TMAのみを第1ガス導入管から第1ガス
供給管9に、TMGを第2ガス導入管から第2ガス供給管1
0に供給した。TMGは反応炉入り口部分でNH3と混合され
るため、(CH3)3-M:NH3の形のアダクトを形成し得るが、
該部分の温度はアダクトの溶融点である室温以上、すな
わち30℃以上に保たれているため、流路内壁へアダクト
が堆積しない。第1ガス供給管9を流れるTMAは低温領
域16で第2ガス供給管10から導入されるNH3と接触し、
アダクトを形成する寄生反応を生じて、さらにこれが分
解されて微細な固相核を生じるが、TMGは固相核の存在
する低温領域16を通ることなく基板に到達することがで
きるため気相中ではGaNを析出しない。成膜装置中心線
上のガス流の方向に沿ったAl混晶比と膜厚の変化を測定
したところ、約2インチの範囲に渡りほぼ一定の混晶比
と膜厚が得られた。混晶比は前述のAlの気相比0.16で、
膜全体に亘り均一であった。条件の実験で得られた膜
の最高膜厚と同程度の厚さに均一に成膜された。
【0028】本発明の他の実施例として、図5に示すよ
うに、第2ガス導入管12及び第3ガス導入管13が反応管
外筒14の外部で共通導入管17の一端に接続される。共通
導入管17の他端は、第2ガス供給管12に接続している。
ここで第2ガス導入管12にTMGを、第3ガス導入管13にN
H3を導入する。第2ガス導入管12及び第3ガス供給管13
の接続部には、これを取り囲むように図示しないヒータ
を有した加熱室18が設けられており、加熱室18内の温度
は共通導入管内の混合ガス温度を室温以上、すなわち30
℃以上に加熱するように設定される。加熱されたガスは
室温以下、すなわち30℃以下となることなく第2供給管
に導かれるため、生成したアダクトの管壁への付着が防
止されるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 半導体成膜装置を概念的に表した断面図であ
る。
【図2】 半導体成膜装置を概念的に表した断面図であ
る。
【図3】 半導体成膜装置を概念的に表した断面図であ
る。
【図4】 本発明の半導体成膜装置の断面図である。
【図5】 本発明の半導体成膜装置の断面図である。
【主要部分の符号の説明】
1 導入管 2 反応管 3 サセプタ 4 基板 5 滞留点 6 反応炉 7 配管 8 フローチャネル 9 第1ガス供給管 10 第2ガス供給管 11 第1ガス導入管 12 第2ガス導入管 13 第3ガス導入管 14 反応管外筒 15 第4ガス導入管 16 低温領域 17 共通導入管 18 加熱室
フロントページの続き Fターム(参考) 4K030 AA11 AA13 AA17 BA02 BA08 BA38 BA55 CA05 EA01 EA06 KA25 LA01 LA12 LA18 5F041 CA40 CA65 5F045 AA04 AB17 AC08 AC09 AC12 AD14 AE29 AF09 BB04 CA12 DA57 DP04 DQ06 DQ11 EB02 EB03 EC02 EC05 EC09 EE02 EE05 EE12 EF14 EK03 EM09 GB13

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 III族窒化物半導体膜を気相成長法によ
    って成膜する方法であって、アンモニアガスと有機ガリ
    ウムガスとを予め混合して基板の方向へ導き、導かれた
    混合ガスに対して前記基板の近傍でさらに有機アルミニ
    ウムガスを混合して前記基板上に供給することを特徴と
    するIII族窒化物半導体の成膜方法。
  2. 【請求項2】 前記有機アルミニウムガスは、TMA(ト
    リメチルアルミニウム)若しくはTEA(トリエチルアル
    ミニウム)であって、前記有機ガリウムガスは、TMG
    (トリメチルガリウム)若しくはTEG(トリエチルガリ
    ウム)であることを特徴とする請求項1記載のIII族窒
    化物半導体の成膜方法。
  3. 【請求項3】 前記アンモニアガスと前記有機ガリウム
    ガスとの混合ガスの温度を30℃以上に維持することを
    特徴とする請求項2記載のIII族窒化物半導体の成膜方
    法。
  4. 【請求項4】 III族窒化物半導体膜を気相成長法によ
    って基板上に形成するIII族窒化物半導体の成膜装置で
    あって、 前記基板を収容できる反応室と、 前記反応室内においてガス排出端が前記基板の上方近傍
    において開口している第1ガス供給管と、 前記反応室内においてガス排出端が前記基板の上方近傍
    であって且つ前記第1ガス供給管よりも下方において開
    口している第2ガス供給管と、 前記第1ガス供給管のガス導入端に前記反応室の外から
    有機アルミニウムガスを供給する第1導入管と、 前記第2ガス供給管のガス導入端に前記反応室の外から
    有機ガリウムガスとアンモニアガスとを供給する導入手
    段と、からなることを特徴とするIII族窒化物半導体の
    成膜装置。
  5. 【請求項5】 前記導入手段は、有機ガリウムガス及び
    アンモニアガスを前記第2ガス供給管のガス導入端に供
    給する第2及び第3導入管からなることを特徴とする請
    求項4記載のIII族窒化物半導体の成膜装置。
  6. 【請求項6】 前記導入手段は、有機ガリウムガス及び
    アンモニアガスを各々導入する第2及び第3導入管に前
    記反応室の外で一端において連通結合されて他端におい
    て前記第2ガス供給管のガス導入端に連通結合した共通
    導入管と、前記第2及び第3導入管と前記共通導入管と
    の連通結合部を含む前記共通導入管を取り囲んでこれを
    加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項4記
    載のIII族窒化物半導体の成膜装置。
  7. 【請求項7】 前記基板、前記第1及び第2ガス供給管
    は、略水平方向に延在することを特徴とする請求項4な
    いし6記載のIII族窒化物半導体の成膜装置。
  8. 【請求項8】 前記第1ガス供給管は、前記第2ガス供
    給管上方にあって且つ前記第1及び第2ガス供給管は並
    置されていることを特徴とする請求項4ないし7記載の
    III族窒化物半導体の成膜装置。
  9. 【請求項9】 前記第2ガス供給管は、前記アンモニア
    ガスと前記有機ガリウムガスとを混合するのに十分な長
    さを有することを特徴とする請求項4ないし8記載のII
    I族窒化物半導体の成膜装置。
JP22489098A 1998-08-07 1998-08-07 Iii族窒化物半導体の成膜方法およびその装置 Expired - Lifetime JP3472976B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22489098A JP3472976B2 (ja) 1998-08-07 1998-08-07 Iii族窒化物半導体の成膜方法およびその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22489098A JP3472976B2 (ja) 1998-08-07 1998-08-07 Iii族窒化物半導体の成膜方法およびその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000058458A true JP2000058458A (ja) 2000-02-25
JP3472976B2 JP3472976B2 (ja) 2003-12-02

Family

ID=16820771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22489098A Expired - Lifetime JP3472976B2 (ja) 1998-08-07 1998-08-07 Iii族窒化物半導体の成膜方法およびその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3472976B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020001376A (ko) * 2000-06-28 2002-01-09 박종섭 반도체 소자의 알루미늄 산화막 형성 방법
JP2011124517A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Toshiba Corp 気相成長方法及び気相成長装置
JP2012191236A (ja) * 2012-06-11 2012-10-04 Toshiba Corp 気相成長装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020001376A (ko) * 2000-06-28 2002-01-09 박종섭 반도체 소자의 알루미늄 산화막 형성 방법
JP2011124517A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Toshiba Corp 気相成長方法及び気相成長装置
US8815717B2 (en) 2009-12-14 2014-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition method and vapor deposition apparatus
JP2012191236A (ja) * 2012-06-11 2012-10-04 Toshiba Corp 気相成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3472976B2 (ja) 2003-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6569765B1 (en) Hybrid deposition system and methods
US6218280B1 (en) Method and apparatus for producing group-III nitrides
US20080050889A1 (en) Hotwall reactor and method for reducing particle formation in GaN MOCVD
TW518670B (en) A method for fabricating a III-V nitride film and an apparatus for fabricating the same
US9773667B2 (en) Apparatus and method for producing group III nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer
JPH09134878A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP3485285B2 (ja) 気相成長方法、及び気相成長装置
JP2004524690A (ja) ハイブリッド成長システムと方法
JP3472976B2 (ja) Iii族窒化物半導体の成膜方法およびその装置
JPH08316151A (ja) 半導体の製造方法
US11021789B2 (en) MOCVD system injector for fast growth of AlInGaBN material
JPH1174202A (ja) 窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体の気相成長装置並びに窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法
CN112239889B (zh) 减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法及卤化物气相外延生长系统
JPH11126754A (ja) 有機金属気相成長方法
JPS59170000A (ja) 結晶成長装置
KR20020037701A (ko) 3-5족 질화물막의 제조 방법 및 제조 장치
Chen et al. Parasitic reactions between alkyls and ammonia in OMVPE
JPS61179527A (ja) 化合物半導体単結晶膜の成長方法および装置
JP5071703B2 (ja) 半導体製造装置
JP2736417B2 (ja) 半導体素子の製法
JPH1126382A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法
McCrary et al. Low pressure MOCVD in a vertical reactor: growth and characterization of InGaAsP on (100) InP for 1.3 μm lasers
JPS6266621A (ja) 気相成長装置
JPH06244110A (ja) 気相成長装置
JPH11329976A (ja) Iii族窒化物結晶成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term