JP2000049126A - 半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法 - Google Patents
半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法Info
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- JP2000049126A JP2000049126A JP10214173A JP21417398A JP2000049126A JP 2000049126 A JP2000049126 A JP 2000049126A JP 10214173 A JP10214173 A JP 10214173A JP 21417398 A JP21417398 A JP 21417398A JP 2000049126 A JP2000049126 A JP 2000049126A
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】研磨後に電解アノード水を用いて水研磨を行う
ことによって研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤に
起因する金属汚染を、ウェーハ面をエッチングすること
なく効率よく除去することができるようにした半導体シ
リコン単結晶ウェーハの研磨方法を提供する。 【解決手段】半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研
磨剤を用いた研磨を行った後、電解アノード水を用いた
水研磨を行うことによって当該ウェーハ表面から金属不
純物を除去するようにした。
ことによって研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤に
起因する金属汚染を、ウェーハ面をエッチングすること
なく効率よく除去することができるようにした半導体シ
リコン単結晶ウェーハの研磨方法を提供する。 【解決手段】半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研
磨剤を用いた研磨を行った後、電解アノード水を用いた
水研磨を行うことによって当該ウェーハ表面から金属不
純物を除去するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体シリコン単
結晶ウェーハ（以下、単にウェーハということがある）
の研磨方法に関するものであり、研磨剤を用いた研磨後
の水研磨を行う研磨方法に関する。
結晶ウェーハ（以下、単にウェーハということがある）
の研磨方法に関するものであり、研磨剤を用いた研磨後
の水研磨を行う研磨方法に関する。
【０００２】
【関連技術】半導体シリコン単結晶ウェーハは、一般的
には、シリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程、該スライス工程によ
って得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにそ
の外周部を面取りする面取り工程、この面取りされたウ
ェーハを平面化するラッピング工程、面取り及びラッピ
ングされたウェーハに残留する加工歪みを除去するエッ
チング工程、このエッチングされたウェーハ表面を鏡面
化する研磨工程及び研磨されたウェーハを洗浄してこれ
に付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を経て製造
される。
には、シリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程、該スライス工程によ
って得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにそ
の外周部を面取りする面取り工程、この面取りされたウ
ェーハを平面化するラッピング工程、面取り及びラッピ
ングされたウェーハに残留する加工歪みを除去するエッ
チング工程、このエッチングされたウェーハ表面を鏡面
化する研磨工程及び研磨されたウェーハを洗浄してこれ
に付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を経て製造
される。
【０００３】研磨後のウェーハは研磨時に使用した研磨
剤（スラリーといわれる）中の金属不純物、例えば、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等によって汚染され、これらの金属不純
物は洗浄によっても除去することが困難であるという問
題が発生していた。
剤（スラリーといわれる）中の金属不純物、例えば、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等によって汚染され、これらの金属不純
物は洗浄によっても除去することが困難であるという問
題が発生していた。
【０００４】そこで、洗浄工程における洗浄能力を向上
させるために洗浄液の液組成を変更するなどの試みがな
されたが、洗浄能力の向上に伴ないエッチング能力もア
ップすることが多く逆に面荒れが発生してしまう不都合
があり、いまだ充分な金属不純物除去を達成した洗浄液
は出現していない。
させるために洗浄液の液組成を変更するなどの試みがな
されたが、洗浄能力の向上に伴ないエッチング能力もア
ップすることが多く逆に面荒れが発生してしまう不都合
があり、いまだ充分な金属不純物除去を達成した洗浄液
は出現していない。
【０００５】研磨後の洗浄に用いられている薬液の廃液
処理も、使用量の増加に伴い、問題となり、洗浄工程で
の薬液の使用量低減も望まれている。
処理も、使用量の増加に伴い、問題となり、洗浄工程で
の薬液の使用量低減も望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した関
連技術の問題点に鑑みなされたもので、研磨後に電解ア
ノード水を用いて水研磨を行うことによって研磨剤を用
いた研磨時に発生した研磨剤に起因する金属汚染を、ウ
ェーハ面をエッチングすることなく効率よく除去するこ
とができるようにした半導体シリコン単結晶ウェーハの
研磨方法を提供することを目的とする。
連技術の問題点に鑑みなされたもので、研磨後に電解ア
ノード水を用いて水研磨を行うことによって研磨剤を用
いた研磨時に発生した研磨剤に起因する金属汚染を、ウ
ェーハ面をエッチングすることなく効率よく除去するこ
とができるようにした半導体シリコン単結晶ウェーハの
研磨方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法
は、半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研磨剤を用
いた研磨を行った後、電解アノード水を用いた水研磨を
行うことによって当該ウェーハ表面から金属不純物を除
去することを特徴とする。
に、本発明の半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法
は、半導体シリコン単結晶ウェーハに対して研磨剤を用
いた研磨を行った後、電解アノード水を用いた水研磨を
行うことによって当該ウェーハ表面から金属不純物を除
去することを特徴とする。
【０００８】本発明による電解アノード水を用いた水研
磨は、研磨剤を用いた所定の研磨後に行えば金属不純物
除去の効果が得られるが、シリコン単結晶ウェーハの鏡
面研磨のように複数段の研磨を行う場合には最終段の仕
上げ研磨後に行うことが好ましい。
磨は、研磨剤を用いた所定の研磨後に行えば金属不純物
除去の効果が得られるが、シリコン単結晶ウェーハの鏡
面研磨のように複数段の研磨を行う場合には最終段の仕
上げ研磨後に行うことが好ましい。
【０００９】本発明において用いられる電解アノード水
としては、純水（又は超純水）を電気分解して得られる
電解アノード水が好適に用いられるが、純水（又は超純
水）に電解質を添加した電解質溶液を電気分解して得ら
れる電解アノード水もｐＨが５〜７の範囲のものであれ
ば使用できる。
としては、純水（又は超純水）を電気分解して得られる
電解アノード水が好適に用いられるが、純水（又は超純
水）に電解質を添加した電解質溶液を電気分解して得ら
れる電解アノード水もｐＨが５〜７の範囲のものであれ
ば使用できる。
【００１０】ｐＨが５未満では水研磨時に研磨レートが
大きくなり表面状態（マイクロラフネス）が悪化する懸
念があり、ｐＨが７を越えると金属不純物除去の効果が
得られなくなってしまう。なお、添加される電解質とし
ては、特別な限定はないが、例えばＮａＣｌ，ＮＨ4Ｃ
ｌ等をあげることができる。
大きくなり表面状態（マイクロラフネス）が悪化する懸
念があり、ｐＨが７を越えると金属不純物除去の効果が
得られなくなってしまう。なお、添加される電解質とし
ては、特別な限定はないが、例えばＮａＣｌ，ＮＨ4Ｃ
ｌ等をあげることができる。
【００１１】上記電解アノード水を用いた水研磨を、研
磨終了後に研磨剤の供給を止め、電解アノード水の供給
に切り替えることによって行うのが好適である。
磨終了後に研磨剤の供給を止め、電解アノード水の供給
に切り替えることによって行うのが好適である。
【００１２】上記した電解アノード水を用いた水研磨は
３０秒〜２分程度行うのが好ましい。この水研磨時間が
３０秒に満たないと、充分な効果が得られず、２分を越
えると、研磨の生産性が低下するとともに、研磨布によ
る機械的研磨のダメージが増加してしまう。
３０秒〜２分程度行うのが好ましい。この水研磨時間が
３０秒に満たないと、充分な効果が得られず、２分を越
えると、研磨の生産性が低下するとともに、研磨布によ
る機械的研磨のダメージが増加してしまう。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態をあげ
るが、以下の説明は例示的に示されるもので限定的に解
釈すべきものでないことはいうまでもない。
るが、以下の説明は例示的に示されるもので限定的に解
釈すべきものでないことはいうまでもない。
【００１４】電気化学的処理や物理的処理など、水に何
等かのエネルギーを与えて活性化させた機能水が知られ
ているが、水を電気分解すると得られる電解イオン水は
この機能水の一種としてあげられている。この電解イオ
ン水は電解アノード水（陽極水）と電解カソード水（陰
極水）に大別される（例えば、「シリコンの科学」ＵＣ
Ｓ半導体基盤技術研究会編、３７７〜３８４頁、株式会
社リアライズ社１９９６年６月２８日発行、「クリーン
テクノロジー」１９９６年３月号、５３〜５７頁「電解
イオン水の開発と応用」酒井重男著）。
等かのエネルギーを与えて活性化させた機能水が知られ
ているが、水を電気分解すると得られる電解イオン水は
この機能水の一種としてあげられている。この電解イオ
ン水は電解アノード水（陽極水）と電解カソード水（陰
極水）に大別される（例えば、「シリコンの科学」ＵＣ
Ｓ半導体基盤技術研究会編、３７７〜３８４頁、株式会
社リアライズ社１９９６年６月２８日発行、「クリーン
テクノロジー」１９９６年３月号、５３〜５７頁「電解
イオン水の開発と応用」酒井重男著）。
【００１５】純水（又は超純水）を電気分解すると、
【００１６】
【化１】 Ｈ2Ｏ→1/2Ｏ2＋２Ｈ+＋２ｅ- ・・・・・（１）
【００１７】陽極では、式（１）の電解反応により、酸
素（及びオゾンと水素イオン）が生成し、電解アノード
水（純水電解による）が得られる。
素（及びオゾンと水素イオン）が生成し、電解アノード
水（純水電解による）が得られる。
【００１８】また、純水（又は超純水）に電解質（例え
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解すると、
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解すると、
【００１９】
【化２】
【００２０】陽極では、式（１）（２）の電解反応によ
り酸素ガスと水素イオン、塩素ガスが生成する。生成し
た塩素ガスは水に溶解し、式（３）にしたがって、塩酸
と次亜塩素酸となる。
り酸素ガスと水素イオン、塩素ガスが生成する。生成し
た塩素ガスは水に溶解し、式（３）にしたがって、塩酸
と次亜塩素酸となる。
【００２１】純水電解による電解アノード水は、中性領
域で＋０．７Ｖ〜＋１．２Ｖの高い酸化還元電位（高い
酸化性）を示し、電解質添加電解による電解アノード水
は、ｐＨが０〜７の領域で＋０．７Ｖ〜＋１．４Ｖの高
い酸化還元電位（高い酸化力）を示す。
域で＋０．７Ｖ〜＋１．２Ｖの高い酸化還元電位（高い
酸化性）を示し、電解質添加電解による電解アノード水
は、ｐＨが０〜７の領域で＋０．７Ｖ〜＋１．４Ｖの高
い酸化還元電位（高い酸化力）を示す。
【００２２】純水電解による電解アノード水の高い酸化
還元電位は、酸素の他に高い酸化力を示すオゾンを含む
ためであり、電解質添加電解による電解アノード水の高
い酸化還元電位は、オゾンの他にＣｌＯX -が生成される
からである。電解アノード水の酸化還元電位は、純水電
解、電解質添加電解ともに３０００分程度の時間内では
変化が少なく安定している。
還元電位は、酸素の他に高い酸化力を示すオゾンを含む
ためであり、電解質添加電解による電解アノード水の高
い酸化還元電位は、オゾンの他にＣｌＯX -が生成される
からである。電解アノード水の酸化還元電位は、純水電
解、電解質添加電解ともに３０００分程度の時間内では
変化が少なく安定している。
【００２３】これに対し、純水（又は超純水）を電気分
解した場合、
解した場合、
【００２４】
【化３】 ２Ｈ2Ｏ＋２ｅ-→1/2Ｈ2＋２ＯＨ- ・・・・・（４）
【００２５】陰極では、式（４）の電解反応により、水
素ガスと水酸イオンが生成し、電解カソード水（純水電
解による）が得られる。
素ガスと水酸イオンが生成し、電解カソード水（純水電
解による）が得られる。
【００２６】また、純水（又は超純水）に電解質（例え
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解した場
合、
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解した場
合、
【００２７】
【化４】 ２Ｈ2Ｏ＋２ｅ-→1/2Ｈ2＋２ＯＨ- ・・・・・（４） Ｎａ+＋ｅ-→Ｎａ ・・・・・・・・・・・・（５） Ｎａ＋Ｈ2Ｏ→ＮａＯＨ＋1/2Ｈ2 ・・・・・（６）
【００２８】陰極では、式（４）（５）の電解反応によ
り水素ガスと水酸イオン、Ｎａが生成する。生成したＮ
ａは、水と反応し、式（６）にしたがって、ＮａＯＨと
なる。
り水素ガスと水酸イオン、Ｎａが生成する。生成したＮ
ａは、水と反応し、式（６）にしたがって、ＮａＯＨと
なる。
【００２９】純水電解による電解カソード水は、中性領
域で−０．３Ｖ〜−０．７Ｖの負の大きい酸化還元電位
（高い還元性）を示し、電解質添加電解による電解カソ
ード水は、ｐＨ７〜１４の領域で−０．３Ｖ〜−１．１
Ｖの負の大きい酸化還元電位（高い還元性）を示す。電
解カソード水が高い還元性を示すのは、溶存水素を含む
ためである。
域で−０．３Ｖ〜−０．７Ｖの負の大きい酸化還元電位
（高い還元性）を示し、電解質添加電解による電解カソ
ード水は、ｐＨ７〜１４の領域で−０．３Ｖ〜−１．１
Ｖの負の大きい酸化還元電位（高い還元性）を示す。電
解カソード水が高い還元性を示すのは、溶存水素を含む
ためである。
【００３０】電解カソード水の酸化還元電位は、純水電
解、電解質添加電解ともに、大気解放状態では５００分
程度、大気遮断状態では１５００分程度で０に戻る傾向
がある。したがって、電解カソード水は生成後早めに使
用する必要がある。
解、電解質添加電解ともに、大気解放状態では５００分
程度、大気遮断状態では１５００分程度で０に戻る傾向
がある。したがって、電解カソード水は生成後早めに使
用する必要がある。
【００３１】従来、研磨剤を用いた研磨を行った後に水
のみを供給して研磨を行う水研磨が行われることがあっ
たが、水研磨は、ウェーハ表面の微小な表面粗さの改善
のために行われていた。本発明者は電解アノード水を水
研磨に適用すると、通常の水研磨で得られるウェーハ表
面の表面粗さの改善効果の他に金属不純物除去の効果が
あることを確認して本発明を完成させた。
のみを供給して研磨を行う水研磨が行われることがあっ
たが、水研磨は、ウェーハ表面の微小な表面粗さの改善
のために行われていた。本発明者は電解アノード水を水
研磨に適用すると、通常の水研磨で得られるウェーハ表
面の表面粗さの改善効果の他に金属不純物除去の効果が
あることを確認して本発明を完成させた。
【００３２】図２は本発明方法の実施に好適に用いられ
る研磨装置を示す側面図である。図２において、研磨装
置１０は、回転定盤１２とウェーハホルダー１３と研磨
剤又はアノード水供給装置１４からなっている。回転定
盤１２は回転定盤本体１５を有し、その上面には研磨パ
ッド１６が貼付してある。回転定盤１２は回転軸１７に
より所定の回転速度で回転される。
る研磨装置を示す側面図である。図２において、研磨装
置１０は、回転定盤１２とウェーハホルダー１３と研磨
剤又はアノード水供給装置１４からなっている。回転定
盤１２は回転定盤本体１５を有し、その上面には研磨パ
ッド１６が貼付してある。回転定盤１２は回転軸１７に
より所定の回転速度で回転される。
【００３３】ウェーハホルダー１３は真空吸着等により
その下面にウェーハＷを保持し、回転シャフト１８によ
り回転されると同時に所定の荷重で研磨パッド１６にウ
ェーハＷを押しつける。研磨剤又は電解アノード水供給
装置１４は研磨剤又は電解アノード水供給タンク（不図
示）より所定の流量で研磨剤又は電解アノード水１９を
研磨パッド１６上に供給し、この研磨剤又は電解アノー
ド水１９がウェーハＷと研磨パッド１６の間に供給され
ることによりウェーハＷが研磨又は水研磨される。
その下面にウェーハＷを保持し、回転シャフト１８によ
り回転されると同時に所定の荷重で研磨パッド１６にウ
ェーハＷを押しつける。研磨剤又は電解アノード水供給
装置１４は研磨剤又は電解アノード水供給タンク（不図
示）より所定の流量で研磨剤又は電解アノード水１９を
研磨パッド１６上に供給し、この研磨剤又は電解アノー
ド水１９がウェーハＷと研磨パッド１６の間に供給され
ることによりウェーハＷが研磨又は水研磨される。
【００３４】図３は図２に示した研磨装置１０の回転定
盤１２上面への研磨剤及び電解アノード水供給装置１４
の供給機構を示す概略説明図である。図３において、該
供給装置１４は研磨剤供給管１４ａ及び電解アノード水
供給管１４ｂを有している。該研磨剤供給管１４ａと該
電解アノード水供給管１４ｂの先端部分は互いに合流し
て共用供給管１４ｃとなっている。Ｖ１は研磨剤供給管
１４ａからの研磨剤の供給のオンオフを行うバルブであ
る。Ｖ２は電解アノード水供給管１４ｂからの電解アノ
ード水の供給のオンオフを行うバルブである。
盤１２上面への研磨剤及び電解アノード水供給装置１４
の供給機構を示す概略説明図である。図３において、該
供給装置１４は研磨剤供給管１４ａ及び電解アノード水
供給管１４ｂを有している。該研磨剤供給管１４ａと該
電解アノード水供給管１４ｂの先端部分は互いに合流し
て共用供給管１４ｃとなっている。Ｖ１は研磨剤供給管
１４ａからの研磨剤の供給のオンオフを行うバルブであ
る。Ｖ２は電解アノード水供給管１４ｂからの電解アノ
ード水の供給のオンオフを行うバルブである。
【００３５】図３の構成により、バルブＶ１を開、バル
ブＶ２を閉とすれば、研磨剤供給管１４ａ及び共用供給
管１４ｃを介して研磨剤が回転定盤１２の上面に供給さ
れる。次に、バルブＶ１を閉、バルブＶ２を開とすれ
ば、電解アノード水供給管１４ｂ及び共用供給管１４ｃ
を介して電解アノード水が回転定盤１２の上面に供給さ
れる。したがって、バルブＶ１及びＶ２の操作によって
研磨剤及び電解アノード水の供給切替を自在に行うこと
ができる。
ブＶ２を閉とすれば、研磨剤供給管１４ａ及び共用供給
管１４ｃを介して研磨剤が回転定盤１２の上面に供給さ
れる。次に、バルブＶ１を閉、バルブＶ２を開とすれ
ば、電解アノード水供給管１４ｂ及び共用供給管１４ｃ
を介して電解アノード水が回転定盤１２の上面に供給さ
れる。したがって、バルブＶ１及びＶ２の操作によって
研磨剤及び電解アノード水の供給切替を自在に行うこと
ができる。
【００３６】図３に示した研磨剤及び電解アノード水の
供給機構では、研磨剤と電解アノード水とは最終的に共
用供給管１４ｃを介して回転定盤１２の上面に供給され
る。この構成の場合には、電解アノード水研磨時に研磨
剤混入に起因する汚染の可能性が存在することは否定で
きない。
供給機構では、研磨剤と電解アノード水とは最終的に共
用供給管１４ｃを介して回転定盤１２の上面に供給され
る。この構成の場合には、電解アノード水研磨時に研磨
剤混入に起因する汚染の可能性が存在することは否定で
きない。
【００３７】研磨剤混入による汚染を完全に防止する場
合には、図４に示したように研磨剤は研磨剤供給管１４
ａによって、そして電解アノード水は電解アノード水供
給管１４ｂによってそれぞれ別個に供給し、供給管の共
用部分を解消すればよい。図４の構成の場合、バルブＶ
１を開、バルブＶ２を閉とすれば研磨剤が供給され、そ
の反対にバルブＶ１を閉、バルブＶ２を開とすれば電解
アノード水が供給され、同様に研磨剤及び電解アノード
水の供給切替を自在に行うことができる。
合には、図４に示したように研磨剤は研磨剤供給管１４
ａによって、そして電解アノード水は電解アノード水供
給管１４ｂによってそれぞれ別個に供給し、供給管の共
用部分を解消すればよい。図４の構成の場合、バルブＶ
１を開、バルブＶ２を閉とすれば研磨剤が供給され、そ
の反対にバルブＶ１を閉、バルブＶ２を開とすれば電解
アノード水が供給され、同様に研磨剤及び電解アノード
水の供給切替を自在に行うことができる。
【００３８】なお、図示例では、同一の研磨装置１０を
用いて研磨剤研磨及び水研磨を行う場合を説明したが、
研磨剤研磨を研磨装置１０を用いて行い、その後別の研
磨装置によって水研磨を行う構成を採用することも勿論
可能である。
用いて研磨剤研磨及び水研磨を行う場合を説明したが、
研磨剤研磨を研磨装置１０を用いて行い、その後別の研
磨装置によって水研磨を行う構成を採用することも勿論
可能である。
【００３９】
【実施例】以下に、本発明の実施例をあげてさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り種
々の変形が可能であることは勿論である。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り種
々の変形が可能であることは勿論である。
【００４０】実施例１ 試料ウェーハ：チョクラルスキー（ＣＺ）法で製造した
ｐ型、結晶方位＜１００＞、３００ｍｍφ、シリコンウ
ェーハ５０枚。 試料ウェーハの製造工程：スライス→面取り→ラップ→
エッチング→粗研磨。
ｐ型、結晶方位＜１００＞、３００ｍｍφ、シリコンウ
ェーハ５０枚。 試料ウェーハの製造工程：スライス→面取り→ラップ→
エッチング→粗研磨。
【００４１】研磨実験フロー：仕上げ研磨→電解アノー
ド水研磨（１分）→純水リンス（３分）→スピン乾燥。
ド水研磨（１分）→純水リンス（３分）→スピン乾燥。
【００４２】・仕上げ研磨 研磨機：枚葉式研磨機 研磨剤：コロイダルシリカ 研磨圧：１００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：９０秒
【００４３】・電解アノード水の生成 電解イオン水発生装置：オルガノ製３槽式を用いて純水
を電気分解して電解アノード水を生成した。
を電気分解して電解アノード水を生成した。
【００４４】金属不純物測定：フッ酸蒸気で気相分解→
回収液（純水）で液滴回収→ＩＣＰ−ＭＳで分析。
回収液（純水）で液滴回収→ＩＣＰ−ＭＳで分析。
【００４５】上記した研磨条件によって、図２に示した
装置を用い、仕上げ研磨の際には研磨剤又はアノード水
供給装置１４から研磨剤を研磨パッド１６上に供給し、
試料ウェーハ（５０枚）を研磨した後、電解アノード水
研磨にあたっては研磨剤を電解アノード水に切り替えて
供給装置１４から研磨パッド１６上に供給し、当該試料
ウェーハを水研磨した。水研磨した試料ウェーハ面の金
属不純物量を上記した測定方法で測定しその結果を図１
に示した。
装置を用い、仕上げ研磨の際には研磨剤又はアノード水
供給装置１４から研磨剤を研磨パッド１６上に供給し、
試料ウェーハ（５０枚）を研磨した後、電解アノード水
研磨にあたっては研磨剤を電解アノード水に切り替えて
供給装置１４から研磨パッド１６上に供給し、当該試料
ウェーハを水研磨した。水研磨した試料ウェーハ面の金
属不純物量を上記した測定方法で測定しその結果を図１
に示した。
【００４６】比較例１ 電解アノード水研磨を実施しなかった以外は実施例１と
同様に試料ウェーハ（５０枚）の研磨を行ない、乾燥後
のウェーハ表面の金属不純物量を測定し、その結果を図
１に示した。
同様に試料ウェーハ（５０枚）の研磨を行ない、乾燥後
のウェーハ表面の金属不純物量を測定し、その結果を図
１に示した。
【００４７】図１の結果から明らかなごとく、本発明方
法による電解アノード水研磨を行ったウェーハ（実施例
１）の金属不純物量は、従来と同様の研磨を行なったウ
ェーハ（比較例１）の金属不純物量に比較して低減して
いることが確認できた。
法による電解アノード水研磨を行ったウェーハ（実施例
１）の金属不純物量は、従来と同様の研磨を行なったウ
ェーハ（比較例１）の金属不純物量に比較して低減して
いることが確認できた。
【００４８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、仕上げ
研磨後に電解アノード水を用いて水研磨を行うことによ
って、研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤に起因す
る金属不純物を、ウェーハ面をエッチングすることなく
効率よく除去できるという効果が達成される。
研磨後に電解アノード水を用いて水研磨を行うことによ
って、研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤に起因す
る金属不純物を、ウェーハ面をエッチングすることなく
効率よく除去できるという効果が達成される。
【図１】 実施例１と比較例１における研磨ウェーハの
金属不純物量を示すグラフである。
金属不純物量を示すグラフである。
【図２】 本発明方法の実施に好適に用いられる研磨装
置を示す側面図である。
置を示す側面図である。
【図３】 研磨剤及び電解アノード水供給機構の１例を
示す概略説明図である。
示す概略説明図である。
【図４】 研磨剤及び電解アノード水供給機構の他の例
を示す概略説明図である。
を示す概略説明図である。
１０：研磨装置、１２：回転装置、１３：ウェーハホル
ダー、１４：アノード水又は研磨剤供給装置、１５：回
転定盤本体、１６：研磨パッド、１７：回転軸、１８：
回転シャフト、１９：アノード水又は研磨剤、Ｖ１，Ｖ
２：バルブ、Ｗ：ウェーハ。
ダー、１４：アノード水又は研磨剤供給装置、１５：回
転定盤本体、１６：研磨パッド、１７：回転軸、１８：
回転シャフト、１９：アノード水又は研磨剤、Ｖ１，Ｖ
２：バルブ、Ｗ：ウェーハ。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体シリコン単結晶ウェーハに対して
研磨剤を用いた研磨を行った後、電解アノード水を用い
た水研磨を行うことによって当該ウェーハ表面から金属
不純物を除去することを特徴とする半導体シリコン単結
晶ウェーハの研磨方法。 - 【請求項２】 前記研磨が最終段の仕上げ研磨であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体シリコン単結晶ウ
ェーハの研磨方法。 - 【請求項３】 前記電解アノード水のｐＨが５〜７の範
囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導
体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法。 - 【請求項４】 前記電解アノード水を用いた水研磨を、
研磨終了後に研磨剤の供給を止め、電解アノード水の供
給に切り替えることによって行うことを特徴とする請求
項１〜３のいずれか１項に記載の半導体シリコン単結晶
ウェーハの研磨方法。 - 【請求項５】 前記電解アノード水を用いた水研磨を３
０秒〜２分行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か１項に記載の半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214173A JP2000049126A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214173A JP2000049126A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049126A true JP2000049126A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16651453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10214173A Pending JP2000049126A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007160496A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Shinshu Univ | ワーク研磨装置およびワーク研磨方法 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP10214173A patent/JP2000049126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007160496A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Shinshu Univ | ワーク研磨装置およびワーク研磨方法 |
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