JP2000048344A - 磁気ディスク用基板 - Google Patents
磁気ディスク用基板Info
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- film
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/25—Metals
- C03C2217/27—Mixtures of metals, alloys
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミニウム又はその合金から高硬度
の結晶化ガラスにめっき基板を代えた磁気ディスク用基
板を提供し、小型化、携行動作中の衝撃に耐えることが
でき、基板に可能な限り近づきつつあるヘッドを有する
近時のノート型、あるいはモバイル型のコンピューター
に使用しても基板にヘッドの当たりキズ（ヘッドスナッ
プ）を残さない磁気ディスク用基板を提供する。 【解決手段】 研削上がり（ラップ上がり）でその粗
さが触針接触式の粗さ計でRa＝0.05〜0.5μｍの結晶化
ガラス上に、膜厚８μｍ以上〜20μｍ以下のニッケルリ
ン皮膜が形成され、該ニッケルリン皮膜が研磨加工によ
り研磨取り量３μｍ以上で、かつ残りめっき膜厚が５μ
ｍ以上とされた磁気ディスク用基板。
の結晶化ガラスにめっき基板を代えた磁気ディスク用基
板を提供し、小型化、携行動作中の衝撃に耐えることが
でき、基板に可能な限り近づきつつあるヘッドを有する
近時のノート型、あるいはモバイル型のコンピューター
に使用しても基板にヘッドの当たりキズ（ヘッドスナッ
プ）を残さない磁気ディスク用基板を提供する。 【解決手段】 研削上がり（ラップ上がり）でその粗
さが触針接触式の粗さ計でRa＝0.05〜0.5μｍの結晶化
ガラス上に、膜厚８μｍ以上〜20μｍ以下のニッケルリ
ン皮膜が形成され、該ニッケルリン皮膜が研磨加工によ
り研磨取り量３μｍ以上で、かつ残りめっき膜厚が５μ
ｍ以上とされた磁気ディスク用基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＭＲヘッド等を使用
するような高容量タイプでかつ高品質の結晶化ガラスか
らなる磁気ディスク用基板に関する。
するような高容量タイプでかつ高品質の結晶化ガラスか
らなる磁気ディスク用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピューターの磁気記録媒体用の磁気
ディスク用基板は通常、アルミニウム合金の圧延コイル
を打ち抜いて円盤状のブランクを得、それを研削加工し
て基板の傷、うねり等を除去してサブストレートを得、
次いでニッケルリンめっきを施し、仕上げ研磨加工する
ことにより得られる。これら磁気ディスク用基板はその
後、磁性体として鉄、クロム、ニッケル、モリブデン、
コバルト、タングステン等の合金をスパッタして磁性膜
を形成し、ヘッドとの潤滑性を持たせるためにカーボン
等をスパッタしてスパッタリングメディアを得る工程を
経るた後、スピンモーター上に固定し、磁気記録の読み
取りをするためのヘッドを装着することにより使用され
る。
ディスク用基板は通常、アルミニウム合金の圧延コイル
を打ち抜いて円盤状のブランクを得、それを研削加工し
て基板の傷、うねり等を除去してサブストレートを得、
次いでニッケルリンめっきを施し、仕上げ研磨加工する
ことにより得られる。これら磁気ディスク用基板はその
後、磁性体として鉄、クロム、ニッケル、モリブデン、
コバルト、タングステン等の合金をスパッタして磁性膜
を形成し、ヘッドとの潤滑性を持たせるためにカーボン
等をスパッタしてスパッタリングメディアを得る工程を
経るた後、スピンモーター上に固定し、磁気記録の読み
取りをするためのヘッドを装着することにより使用され
る。
【０００３】近年のコンピューターの小型化で、磁気記
録媒体も携行されることの多いノート型、あるいはモバ
イル型のコンピューターに使用されることが多くなって
きている。その結果、磁気記録媒体に装置の動作中に衝
撃が与えられるケースが増してきている。高密度記録を
具現するため磁気ヘッドは基板に可能な限り近づいて配
置され、磁気記録媒体の動作中、情報を読み書きするも
のであるが、このとき急激な衝撃が装置に与えられる
と、ヘッドが基板に当たり、基板にヘッドの当たりキズ
（ヘッドスナップ）を残す。ヘッドスナップができた基
板は記録再生が不可能になるため、極端な場合は装置自
体の故障原因になっていた。通常、アルミニウム合金上
に形成されたニッケルリン皮膜は200〜300℃の熱処理を
行うことで硬度が上昇するが、めっき下地のアルミニウ
ム合金の耐衝撃性は低く、ヘッドの衝突による基板の凹
みであるヘッドスナップが生じやすく故障の原因となり
やすいという問題があった。このようなことから、近年
になって、アルミニウム合金から高硬度の結晶化ガラス
にめっき基板を代え、その上に無電解ニッケルリンめっ
きした基板の開発が行われるようになってきた。ガラス
基板においては、アルミニウム基板のような下地めっき
を施さず、直接磁性膜を付けることが行われているが、
記憶容量の高密度化を計るため、アルミニウム基板と同
様にニッケルリンめっきを施し、その上に磁性膜を付与
する方法が検討されている。
録媒体も携行されることの多いノート型、あるいはモバ
イル型のコンピューターに使用されることが多くなって
きている。その結果、磁気記録媒体に装置の動作中に衝
撃が与えられるケースが増してきている。高密度記録を
具現するため磁気ヘッドは基板に可能な限り近づいて配
置され、磁気記録媒体の動作中、情報を読み書きするも
のであるが、このとき急激な衝撃が装置に与えられる
と、ヘッドが基板に当たり、基板にヘッドの当たりキズ
（ヘッドスナップ）を残す。ヘッドスナップができた基
板は記録再生が不可能になるため、極端な場合は装置自
体の故障原因になっていた。通常、アルミニウム合金上
に形成されたニッケルリン皮膜は200〜300℃の熱処理を
行うことで硬度が上昇するが、めっき下地のアルミニウ
ム合金の耐衝撃性は低く、ヘッドの衝突による基板の凹
みであるヘッドスナップが生じやすく故障の原因となり
やすいという問題があった。このようなことから、近年
になって、アルミニウム合金から高硬度の結晶化ガラス
にめっき基板を代え、その上に無電解ニッケルリンめっ
きした基板の開発が行われるようになってきた。ガラス
基板においては、アルミニウム基板のような下地めっき
を施さず、直接磁性膜を付けることが行われているが、
記憶容量の高密度化を計るため、アルミニウム基板と同
様にニッケルリンめっきを施し、その上に磁性膜を付与
する方法が検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般的に非金属や酸化
物、あるいはプラスチック上に無電解めっきを行う場合
は、例えば特開昭53-19932号公報、特開昭48-85614号公
報等に示されるように、表面にＳｎを吸着させ、さらに
Ｓｎの上に水素過電圧が低く、触媒活性な金属（Ｐｄ，
Ｐｔ，Ａｕ等）の膜を形成させる等のめっき前処理、よ
り具体的には脱脂、エッチング、感受性化、活性化、増
感化工程等の前処理が施された表面の上にニッケルリン
めっきを形成させる方法をとる。めっきを形成させた基
板は、公知のアルミナ等の研磨粒子を用いて研磨するこ
とにより磁気ディスク用基板を得、これら鏡面とされた
基板はその表面に磁性膜をスパッタして磁気記録媒体と
して用いる。しかし、ガラス基板上に無電解ニッケルリ
ンめっきを施す場合、アルミニウム基板よりもめっきの
密着性が劣るため、表面粗度をRa＝0.05〜0.5μｍにし
て密着強度を上げる方法が採られることがある。しか
し、この表面粗度を持つ基板にニッケルリンめっきを施
した後、通常の１〜３μｍの研磨を行っただけでは表面
の粗さを完全に取りきれず、研磨ピットを発生させる要
因となっていた。また、研磨でめっき残り膜厚が５μｍ
以下になると、めっきの形成初期にガラスの表面でめっ
きの付きが悪かった点がめっき膜中で空孔となっている
部分に到達し、研磨ピットを生じ、上記同様に磁気記録
媒体用の基板として用いることができなかった。
物、あるいはプラスチック上に無電解めっきを行う場合
は、例えば特開昭53-19932号公報、特開昭48-85614号公
報等に示されるように、表面にＳｎを吸着させ、さらに
Ｓｎの上に水素過電圧が低く、触媒活性な金属（Ｐｄ，
Ｐｔ，Ａｕ等）の膜を形成させる等のめっき前処理、よ
り具体的には脱脂、エッチング、感受性化、活性化、増
感化工程等の前処理が施された表面の上にニッケルリン
めっきを形成させる方法をとる。めっきを形成させた基
板は、公知のアルミナ等の研磨粒子を用いて研磨するこ
とにより磁気ディスク用基板を得、これら鏡面とされた
基板はその表面に磁性膜をスパッタして磁気記録媒体と
して用いる。しかし、ガラス基板上に無電解ニッケルリ
ンめっきを施す場合、アルミニウム基板よりもめっきの
密着性が劣るため、表面粗度をRa＝0.05〜0.5μｍにし
て密着強度を上げる方法が採られることがある。しか
し、この表面粗度を持つ基板にニッケルリンめっきを施
した後、通常の１〜３μｍの研磨を行っただけでは表面
の粗さを完全に取りきれず、研磨ピットを発生させる要
因となっていた。また、研磨でめっき残り膜厚が５μｍ
以下になると、めっきの形成初期にガラスの表面でめっ
きの付きが悪かった点がめっき膜中で空孔となっている
部分に到達し、研磨ピットを生じ、上記同様に磁気記録
媒体用の基板として用いることができなかった。
【０００５】本発明は、これら現状に鑑み、アルミニウ
ムから高硬度の結晶化ガラスにめっき基板を代えた磁気
ディスク用基板を提供し、小型化、携行動作中の衝撃に
耐えることができ、基板に可能な限り近づきつつあるヘ
ッドを有する近時のノート型、あるいはモバイル型のコ
ンピューターに使用しても基板にヘッドの当たりキズ
（ヘッドスナップ）を残さない磁気ディスク用基板を提
供することを目的とする。
ムから高硬度の結晶化ガラスにめっき基板を代えた磁気
ディスク用基板を提供し、小型化、携行動作中の衝撃に
耐えることができ、基板に可能な限り近づきつつあるヘ
ッドを有する近時のノート型、あるいはモバイル型のコ
ンピューターに使用しても基板にヘッドの当たりキズ
（ヘッドスナップ）を残さない磁気ディスク用基板を提
供することを目的とする。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明に係る磁気ディ
スク用基板は、研削上がり（ラップ上がり）でその粗さ
が触針接触式の粗さ計でRa＝0.05〜0.5μｍの結晶化ガ
ラス上に、膜厚８μｍ以上〜20μｍ以下のニッケルリン
皮膜が形成され、該ニッケルリン皮膜が研磨加工により
研磨取り量３μｍ以上で、かつ残りめっき膜厚が５μｍ
以上とされ、これにより前記課題を解決したものであ
る。
スク用基板は、研削上がり（ラップ上がり）でその粗さ
が触針接触式の粗さ計でRa＝0.05〜0.5μｍの結晶化ガ
ラス上に、膜厚８μｍ以上〜20μｍ以下のニッケルリン
皮膜が形成され、該ニッケルリン皮膜が研磨加工により
研磨取り量３μｍ以上で、かつ残りめっき膜厚が５μｍ
以上とされ、これにより前記課題を解決したものであ
る。
【０００７】
【発明の実施の態用】本発明において用いる結晶化ガラ
スは、ラップ上がりでその粗さが触針接触式の粗さ計で
Ra＝0.05〜0.5μｍのものとする。また、本発明ではニ
ッケルリン皮膜の膜厚を８μｍ以上〜20μｍ以下とし、
このニッケルリン皮膜の研磨加工を研磨取り量３μｍ以
上で、かつ残りめっき膜厚が５μｍ以上と特定する。ニ
ッケルリン皮膜の膜厚が８μｍ未満では研磨取り量が３
μｍより多くなると残りめっき膜厚が薄くなりピットの
発生が生じる。すなわち、研磨でめっき残り膜厚が５μ
ｍ以下になると研磨ピットを生じ易くなる。ニッケルリ
ン皮膜の膜厚が20μｍを越えると、それ以上は効果が変
わらず、コストアップとなる。
スは、ラップ上がりでその粗さが触針接触式の粗さ計で
Ra＝0.05〜0.5μｍのものとする。また、本発明ではニ
ッケルリン皮膜の膜厚を８μｍ以上〜20μｍ以下とし、
このニッケルリン皮膜の研磨加工を研磨取り量３μｍ以
上で、かつ残りめっき膜厚が５μｍ以上と特定する。ニ
ッケルリン皮膜の膜厚が８μｍ未満では研磨取り量が３
μｍより多くなると残りめっき膜厚が薄くなりピットの
発生が生じる。すなわち、研磨でめっき残り膜厚が５μ
ｍ以下になると研磨ピットを生じ易くなる。ニッケルリ
ン皮膜の膜厚が20μｍを越えると、それ以上は効果が変
わらず、コストアップとなる。
【０００８】以下、本発明をさらに詳しく説明する。中
空円板状とした結晶化ガラス表面にニッケルリンめっき
膜を形成する方法の一例を示せば、以下のような工程か
らなる前処理及びニッケルリンめっき、研磨加工を施
す。 １）まず、ガラスディスクを有機溶剤（エタノール、メ
タノール、イソプロピルアルコール）中で５分以上の超
音波脱脂を行う。 ２）ホウフッ酸（浴温：室温〜60℃、好ましくは室温〜
40℃、濃度：30ml/l〜500ml/l）あるいはフッ酸（浴
温：室温〜60℃、濃度：30ml/l〜500ml/l、好ましくは3
0ml/l〜100ml/l）、及びフッ化アンモニウム等のフッ化
化合物の水溶液中（浴温：室温〜80℃、好ましくは室温
〜40℃、濃度：40ml/l〜200ml/l）と硝酸（浴温：室温
〜60℃、好ましくは室温〜40℃、濃度：30ml/l〜500ml/
l）の混液を用い、１〜10分、好ましくは３〜５分エッ
チングを行う。 ３）塩化第一スズを濃度50g/l〜150g/l、好ましくは80
〜120g/lと38％塩酸を30ml/l〜120ml/l、好ましくは30
〜80ml/lの混液で、20℃〜40℃に保温された浴に20秒〜
100秒間ディスクを浸漬し、感受性化（センシタイジン
グ）を行う。 ４）温度50℃以上の温純水中で、ディスクを動かしなが
ら余分なスズを洗い流す。その時間は20秒〜90秒で、好
ましくは20秒〜40秒である。洗浄後の溶液にはディスク
より溶け出したスズが水酸化スズとして遊離し、ディス
クへの再付着とそれによるピットの発生を招くので、温
純水は新液の補給と洗浄済廃液の排液が行える方が好ま
しい。 ５）塩化パラジウムを0.1％と35％塩酸を10〜50ml/l含
む活性化処理液（浴温：室温〜50℃）中で２分〜10分の
活性化を行う。 ６）ホウフッ酸（浴温：室温〜80℃、好ましくは室温〜
40℃、濃度：30ml/l〜500ml/l）中に20秒〜80秒間浸漬
し、増感処理を行う。 ７）エタノール中でディスクを洗浄した後、70℃以上の
熱処理を５分〜100分行う。 ８）硫酸ニッケル六水和物を20〜50g/lと次亜燐酸ナト
リウム一水和物を20〜100g/l、錯化剤として硫酸アンモ
ニウムを２〜30g/lを含み、ｐＨ＝4.0〜5.2に調整した
無電解ニッケルリンめっき浴中で50分〜200分めっきし
てニッケルリン膜厚：８〜20μｍに成膜する。 ９）めっき後はピット、ノジュールによって粗さはラッ
プ品と変わらない。（Ra＝0.1〜0.5μｍ）そこで、磁気
ディスクの２次研磨に用いられる粗さまで平滑化するの
に、アルミナ、チタニア、シリカと粒径0.5〜2.0μｍの
砥粒を５〜30％含むスラリーを用いて、不織布の研磨布
を貼った回転型両面研磨機で加工圧30〜80g/cm2で４分
〜50分の加工を行い、３μｍ以上研磨し、５μｍ以上膜
を基板上に残すようにする。結果として、ピットの発生
がなく、密着性とヘッドスナップによる耐衝撃性に優れ
る結晶化ガラス上にニッケルリン膜が形成された磁気デ
ィスク基板が得られる。
空円板状とした結晶化ガラス表面にニッケルリンめっき
膜を形成する方法の一例を示せば、以下のような工程か
らなる前処理及びニッケルリンめっき、研磨加工を施
す。 １）まず、ガラスディスクを有機溶剤（エタノール、メ
タノール、イソプロピルアルコール）中で５分以上の超
音波脱脂を行う。 ２）ホウフッ酸（浴温：室温〜60℃、好ましくは室温〜
40℃、濃度：30ml/l〜500ml/l）あるいはフッ酸（浴
温：室温〜60℃、濃度：30ml/l〜500ml/l、好ましくは3
0ml/l〜100ml/l）、及びフッ化アンモニウム等のフッ化
化合物の水溶液中（浴温：室温〜80℃、好ましくは室温
〜40℃、濃度：40ml/l〜200ml/l）と硝酸（浴温：室温
〜60℃、好ましくは室温〜40℃、濃度：30ml/l〜500ml/
l）の混液を用い、１〜10分、好ましくは３〜５分エッ
チングを行う。 ３）塩化第一スズを濃度50g/l〜150g/l、好ましくは80
〜120g/lと38％塩酸を30ml/l〜120ml/l、好ましくは30
〜80ml/lの混液で、20℃〜40℃に保温された浴に20秒〜
100秒間ディスクを浸漬し、感受性化（センシタイジン
グ）を行う。 ４）温度50℃以上の温純水中で、ディスクを動かしなが
ら余分なスズを洗い流す。その時間は20秒〜90秒で、好
ましくは20秒〜40秒である。洗浄後の溶液にはディスク
より溶け出したスズが水酸化スズとして遊離し、ディス
クへの再付着とそれによるピットの発生を招くので、温
純水は新液の補給と洗浄済廃液の排液が行える方が好ま
しい。 ５）塩化パラジウムを0.1％と35％塩酸を10〜50ml/l含
む活性化処理液（浴温：室温〜50℃）中で２分〜10分の
活性化を行う。 ６）ホウフッ酸（浴温：室温〜80℃、好ましくは室温〜
40℃、濃度：30ml/l〜500ml/l）中に20秒〜80秒間浸漬
し、増感処理を行う。 ７）エタノール中でディスクを洗浄した後、70℃以上の
熱処理を５分〜100分行う。 ８）硫酸ニッケル六水和物を20〜50g/lと次亜燐酸ナト
リウム一水和物を20〜100g/l、錯化剤として硫酸アンモ
ニウムを２〜30g/lを含み、ｐＨ＝4.0〜5.2に調整した
無電解ニッケルリンめっき浴中で50分〜200分めっきし
てニッケルリン膜厚：８〜20μｍに成膜する。 ９）めっき後はピット、ノジュールによって粗さはラッ
プ品と変わらない。（Ra＝0.1〜0.5μｍ）そこで、磁気
ディスクの２次研磨に用いられる粗さまで平滑化するの
に、アルミナ、チタニア、シリカと粒径0.5〜2.0μｍの
砥粒を５〜30％含むスラリーを用いて、不織布の研磨布
を貼った回転型両面研磨機で加工圧30〜80g/cm2で４分
〜50分の加工を行い、３μｍ以上研磨し、５μｍ以上膜
を基板上に残すようにする。結果として、ピットの発生
がなく、密着性とヘッドスナップによる耐衝撃性に優れ
る結晶化ガラス上にニッケルリン膜が形成された磁気デ
ィスク基板が得られる。
【０００９】
【実施例】外径3.5インチ、厚さ約20μｍのドーナツ状
結晶化ガラス２次ラップ基板（Ra＝0.2μｍ）に対し、
１）エタノール中での超音波脱脂を10分、２）25℃ホウ
フッ酸中で５分間のエッチング、３）25℃塩化第一スズ
溶液中で30秒間の感受性化、４）25℃塩化パラジウム中
で30秒の活性化、５）ホウフッ酸中での調整工程を行
い、12μｍの無電解めっきを施し、公知の１〜５μｍの
アルミナ粒子を用いて研磨した供試例を表１に示す。各
供試例はめっき形成厚さ、研磨量、残り膜厚を変えてピ
ット発生の有無につき検討した。表１において、試験例
１〜５が本発明例、試験例６〜１１が比較例である。な
お、表１中、◎はピットがない状態、×はピットが１個
以上ある状態を示す。
結晶化ガラス２次ラップ基板（Ra＝0.2μｍ）に対し、
１）エタノール中での超音波脱脂を10分、２）25℃ホウ
フッ酸中で５分間のエッチング、３）25℃塩化第一スズ
溶液中で30秒間の感受性化、４）25℃塩化パラジウム中
で30秒の活性化、５）ホウフッ酸中での調整工程を行
い、12μｍの無電解めっきを施し、公知の１〜５μｍの
アルミナ粒子を用いて研磨した供試例を表１に示す。各
供試例はめっき形成厚さ、研磨量、残り膜厚を変えてピ
ット発生の有無につき検討した。表１において、試験例
１〜５が本発明例、試験例６〜１１が比較例である。な
お、表１中、◎はピットがない状態、×はピットが１個
以上ある状態を示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１より、ニッケルリンめっき形成厚さが
５μｍの試験例６、研磨量が２μｍと少ない試験例８お
よび10、残り膜厚が少ない試験例６、７および11は、そ
れぞれピット発生が認められたのに対し、本発明範囲の
試験例ではいずれもピット発生が全く認められなかっ
た。
５μｍの試験例６、研磨量が２μｍと少ない試験例８お
よび10、残り膜厚が少ない試験例６、７および11は、そ
れぞれピット発生が認められたのに対し、本発明範囲の
試験例ではいずれもピット発生が全く認められなかっ
た。
【００１２】
【発明の効果】以上のような本発明は、高硬度の結晶化
ガラス基板を用いてその上に特定されたニッケルリン皮
膜が形成されてなるものであり、近時のヘッドと磁気デ
ィスク用基板とが近接して設置され、かつノート型ある
いはモバイル型コンピューターの普及に伴って需要がま
すます増大する磁気ディスク用基板として極めて好適で
ある。
ガラス基板を用いてその上に特定されたニッケルリン皮
膜が形成されてなるものであり、近時のヘッドと磁気デ
ィスク用基板とが近接して設置され、かつノート型ある
いはモバイル型コンピューターの普及に伴って需要がま
すます増大する磁気ディスク用基板として極めて好適で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多田 清志 大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和アル ミニウム株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 CB04 CB07 CB08 DA03 FA00
Claims (1)
- 【請求項１】 研削上がりでその粗さが触針接触式の粗
さ計でRa＝0.05〜0.5μｍの結晶化ガラス上に、膜厚８
μｍ以上〜20μｍ以下のニッケルリン皮膜が形成され、
該ニッケルリン皮膜が研磨加工により研磨取り量３μｍ
以上で、かつ残りめっき膜厚が５μｍとされた磁気ディ
スク用基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP10229276A JP2000048344A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 磁気ディスク用基板 |
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