JP2000042765A - ステージの移動制御装置及び方法並びにこれを用いたレーザアニール装置及び方法 - Google Patents

ステージの移動制御装置及び方法並びにこれを用いたレーザアニール装置及び方法

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JP2000042765A
JP2000042765A JP10214120A JP21412098A JP2000042765A JP 2000042765 A JP2000042765 A JP 2000042765A JP 10214120 A JP10214120 A JP 10214120A JP 21412098 A JP21412098 A JP 21412098A JP 2000042765 A JP2000042765 A JP 2000042765A
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chamber
laser
annealing
laser beam
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Yasumasa Suga
恭正 菅
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理対象物を載置するステージの移動(位置
又は速度)を正確に制御し得るステージ移動制御装置及
びこれを用いたレーザアニール装置の提供。 【解決手段】 レーザアニール装置1のステージ移動制
御装置は、熱処理チャンバ3と、このチャンバ内で熱処
理する処理対象物2を載置するステージ15と、一端1
7側がステージ15に取付けられ他端側がチャンバ3か
ら突出した駆動用支軸19と、駆動用支軸を介してステ
ージを移動させるべく駆動用支軸の突出端に連結した駆
動機構20と、ステージの移動方向Xに向くようにステ
ージに設けた反射鏡40と、チャンバの壁部に形成した
レーザ光透過窓39と、レーザ光透過窓を介してチャン
バ内に入射するレーザ光Bを出射し、反射鏡からの反射
光を受光して、ステージの移動を計測するレーザ測長器
本体37と、レーザ測長器本体による計測結果に基づい
て、駆動機構を制御する制御手段45とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理チャンバ内
で熱処理される処理対象物が載置されるステージの移動
制御装置及び方法、並びにこれを用いたレーザアニール
装置及び方法に係る。
【0002】この明細書において、「アニール」とは、
広く、物質を熱的に安定な状態にする処理をいい、多結
晶体などの安定化処理のみでなく、アモルファス物質の
多結晶化処理等も含む。また、「熱処理」とは、「アニ
ール」と実際上同義である。
【0003】
【従来の技術】いわゆるTFT型の液晶表示装置におい
て水素化アモルファスシリコンa−Si:H(以下では
「アモルファスシリコン」という)薄膜の少なくとも一
部を多結晶化してなる多結晶シリコンを用いること、及
びアモルファスシリコンの多結晶化などのためにエキシ
マレーザを照射するようにしたレーザアニール装置は知
られている。
【0004】この種の従来のレーザアニール装置では、
熱処理されるべきアモルファスシリコン膜を有するガラ
ス基板を熱処理チャンバ内でステージ上に載置し、基板
上にアニール用レーザ光を照射している。また、駆動用
支軸の一端をステージに取付けると共に駆動用支軸の他
端側をチャンバから突出させてリニアモータに連結し、
このリニアモータにより駆動用支軸を介してステージを
直線的に移動させて、アニール用レーザビームを基板上
で走査している。なお、このレーザアニール装置では、
チャンバの壁部と駆動用支軸との間にはベローズが設け
られて、チャンバ内から摺接部をなくして、高温のチャ
ンバ内がクリーンな環境に保たれるようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の従来のレーザアニール装置では、リニアモータによる
ステージの移動制御は、駆動軸の突出端の位置を検出し
て行うものであった。従って、駆動用支軸の長さ、形状
などが熱的または機械的な原因で変動すると、その変動
がそのままステージの位置制御ないし移動制御を不正確
にすることになる。一方、レーザアニール装置では、駆
動用支軸の一端側は熱処理チャンバ内の熱に常時されさ
れるので、駆動用支軸等が温度変動で伸縮したり歪んだ
りするのは避け難かった。その結果、レーザアニールの
ためのステージの位置制御、移動制御が正確に行われな
い虞があった。
【0006】本発明は、前記諸点に鑑みなされたもので
あって、その目的とするところは、処理対象物が載置さ
れるステージの移動(位置又は速度)を正確に制御し得
るステージの移動制御装置及び方法並びにこれを用いた
レーザアニール装置及び方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によるステージの
移動制御装置は、前記した目的を達成すべく、熱処理チ
ャンバと、このチャンバ内において熱処理されるべき処
理対象物が載置されるステージと、一端側がステージに
取付けられ他端側がチャンバから突出した駆動用支軸
と、駆動用支軸を介してステージをチャンバ内で移動さ
せるべく駆動用支軸の突出端に連結された駆動機構と、
ステージの移動方向に反射面が向くようにステージに設
けられた反射鏡と、反射鏡に向き合うように熱処理チャ
ンバの壁部に形成されたレーザ光透過窓と、チャンバの
外部に配置されており、レーザ光透過窓を介してチャン
バ内に入射するレーザ光を発すると共に、反射鏡からの
反射レーザ光を前記窓を介して受光して、ステージの移
動(位置又は速度)を計測するレーザ測長器本体と、レ
ーザ測長器本体による計測結果に基づいて、駆動機構に
よる駆動を制御する制御手段とを有する。
【0008】本発明のステージ移動制御装置では、「ス
テージの移動方向に反射面が向くようにステージに設け
られた反射鏡と、反射鏡に向き合うように熱処理チャン
バの壁部に形成されたレーザ光透過窓と、チャンバの外
部に配置されており、レーザ光透過窓を介してチャンバ
内に入射するレーザ光を発すると共に、反射鏡からの反
射レーザ光を前記窓を介して受光して、ステージの移動
(位置又は速度)を計測するレーザ測長器本体」が設け
られているので、レーザ測長器本体によってステージの
位置を直接計測し得るから、熱的または機械的な原因で
駆動用支軸の長さや形状が変動しても、該変動に影響さ
れることなくステージの移動(位置又は速度、従って移
動量)を測定ないし計測し得る。また、レーザ測長器本
体はチャンバの外に配置されるから、計測に際して、高
温で且つクリーンに保たれるべき熱処理チャンバ内の熱
処理環境を乱す虞も少ない。しかも、本発明の移動制御
装置では、「レーザ測長器本体による計測結果に基づい
て、駆動機構による駆動を制御する制御手段」が設けら
れているので、制御手段がステージ自体の移動量情報に
基づいてステージの移動制御を行い得るから、熱的また
は機械的な原因で駆動用支軸の長さ等が変動しても、該
変動にかかわらずステージを、従って該ステージに載置
された処理対象物を、正確に移動制御し得る。
【0009】ステージは、処理対象物を該ステージに対
して相対移動ないし位置ズレのないように支持し得、且
つ駆動用支軸によって移動され得るものであれば、その
構造はどのようなものでもよい。駆動用支軸及び駆動機
構は少なくとも一組あればよく、ステージが、単一の駆
動用支軸によって片持ち梁状に支持されていても、駆動
用支軸及び駆動機構を二組設けて、ステージを両持ち状
に支持するようにしてもよい。また、ステージを両持ち
状に支持する場合、一方は、支持・案内を与えるような
従動(被動)支軸及び従動(被動)機構にしてもよい。
更に、ステージの一方の側または両側に複数組の駆動用
支軸及び駆動機構を並設してもよい。駆動用支軸及び駆
動機構はステージを所定の経路に沿って移動させ得るも
のであればどのようなものでもよいが、ステージは実際
上直線状経路に沿って移動されることが好ましく、この
場合、駆動機構は例えばリニアモータまたは回転式のモ
ータからなる。前者の場合、駆動用支軸は直線状に移動
される可動子に取り付けられる。一方、駆動機構が回転
式のモータからなる場合、駆動用支軸は、例えば、リー
ドスクリュ構造部を有し静置ナット部と協働して軸線方
向に移動制御される。なお、以上において、駆動用支軸
自体が、並設された複数本のロッドないし支軸素体から
なっていてもよい。
【0010】この明細書において、「反射鏡」とは、測
長器本体からのレーザ光を反射し得るものであればよ
く、単一または複数の平面鏡でも、装置において他の機
能を果たすべき部材の表面を研磨してなる反射性表面で
も、該表面に一層又は複数層からなる反射性コーティン
グを施してなるものでもよい(以下では、「平面鏡」と
いう)。単一の平面鏡を用いる場合、鏡面の向き即ち鏡
面に垂直な方向がステージの移動方向と平行になるよう
にする。反射鏡は、ステージのどの部分に設けてもよい
が、好ましくは、測長器本体と反射鏡とを結ぶレーザ光
の光路が処理対象物上を横切ることのない位置に設けら
れる。
【0011】反射鏡は、該反射鏡の温度が実際上一定に
保たれ得るように、断熱・冷却機構を介してステージに
設けられるのが好ましい。この場合、反射鏡が熱処理チ
ャンバ内の熱で歪んで測長値が変動する虞がない。な
お、この断熱・冷却機構は、例えば、インバーのような
熱膨張が小さい合金製で、冷却水のような冷媒流を通す
通路を内部に備えた断熱・冷却部材からなるが、熱処理
チャンバ内の熱処理の環境に影響を与えることなく反射
鏡を実際上一定温度に保ちその変形やステージに対する
位置ズレを最小限にし得る限り、他のどのような断熱手
段や冷却手段でもよい。
【0012】レーザ測長器本体の「レーザ光」は、処理
対象物に対するアニーリングを熱的に乱すことなく短い
時間間隔でステージの移動を計測し得るものである限
り、可視光でも、紫外または赤外光でもよく、また、連
続発振されるものでも、パルス発振されるものでもよ
い。なお、ステージの「移動を計測する」とは、各時点
におけるステージの位置又は速度を計測することによ
り、初期位置(又は任意の特定の位置)からのステージ
の移動量(移動距離)を検出し得ることをいう。
【0013】レーザ測長器本体は、ステージの位置、直
接的には該ステージに設けた反射鏡までの距離を該距離
の変動に起因する反射鏡からの反射光と参照光との干渉
縞の変化等として計測するタイプの測長器であっても、
ステージ上の反射鏡の移動速度を計測してこの移動速度
から移動距離を求めるタイプのものであっても、両方の
機能を有するものでもよい。反射鏡の速度を計測して移
動距離を求める場合、反射レーザ光の波長変化を検出し
て反射鏡の速度を計測するレーザドップラ法を利用した
レーザ測長器本体が用いられ得る。
【0014】処理チャンバの壁部に形成されるレーザ光
透過窓は、使用波長域のレーザ光の透過を可能にする限
り、どのようなものでもよいが、計測に際して、静止状
態のチャンバの壁部における基準ないし参照用の反射光
を与えるように、入射レーザ光の一部を反射するものが
好ましく、例えば、プリズムや多層膜が用いられ得る。
この場合、熱や振動がレーザ光透過窓の反射(面)に影
響を与えるのを避けるべく、断熱・冷却手段や防振手段
をレーザ光透過窓とチャンバの壁部との間に設けてもよ
い。なお、熱処理チャンバの外部のレーザ光の光路にビ
ームスプリッタを設けると共にレーザ光透過窓とは別個
に反射鏡を設けて、ビームスプリッタで分岐されたビー
ムを反射鏡で反射させて参照光を与えるようにしてもよ
い。
【0015】制御手段は、レーザ測長器本体による計測
結果のみに基づいて、リニアモータのような駆動機構の
駆動・制御を行ってもよいが、その代わりに、エンコー
ダのような位置(または移動量)検出手段で駆動用支軸
の突出端側の位置(または移動量)を検出し該検出結果
に基づいて駆動機構の駆動・制御を行うと共に、レーザ
測長器本体によるステージ位置の計測結果に基づいて更
に補正制御することにより駆動機構の駆動・制御を行う
ようにしてもよい。
【0016】本発明のレーザアニール装置は、前記した
目的を達成すべく、上述のような移動制御装置に加え
て、処理対象物にレーザ光を照射して処理対象物をアニ
ールすべく、アニール用のレーザ光源と、ステージに載
置されて移動される処理対象物に対して、アニール用レ
ーザ光源からのアニール用レーザ光が照射されるよう
に、チャンバの壁部に形成されたアニール用レーザ光透
過窓と、ステージ上の処理対象物を加熱する加熱手段と
を有する。
【0017】本発明のレーザアニール装置では、「アニ
ール用のレーザ光源と、ステージに載置されて移動され
る処理対象物に対して、アニール用レーザ光源からのア
ニール用レーザ光が照射されるように、チャンバの壁部
に形成されたアニール用レーザ光透過窓と、ステージ上
の処理対象物を加熱する加熱手段」が設けられているか
ら、前述のような正確なステージ移動制御に基づいて、
処理対象物に対して、アニール用レーザ光の走査を正確
に行い得る。処理対象物がアモルファスシリコン膜を有
するガラス基板などからなる場合、このアニール用の光
源は、例えば、エキシマレーザ発振器に加えて、該発振
器からのレーザ光をアニール用のレーザ光透過窓を介し
てチャンバ内の基板上の膜に線状に照射すべくビームを
均一化し且つ線状化するホモジナイザを含む光学系を有
する。なお、レーザアニール装置によって熱処理(アニ
ール)される処理対象物は、ガラス基板自体であって
も、絶縁体、半導体、もしくは金属等どのような材料か
らなる基板でも、非板状体等どのような形状のものでも
よい。
【0018】本発明を方法の観点で見れば、本発明は、
「熱処理チャンバ内で処理対象物が載置されるステージ
に反射鏡を設け、チャンバの壁部に形成したレーザ光透
過窓を介してチャンバ内にレーザ光を入射し、反射鏡か
らの反射レーザ光を受光して、ステージの移動(位置又
は速度、従って移動量)を計測し、ステージに連結され
た一端からレーザ光の進行方向に平行に延在してチャン
バ外に突出した駆動用支軸の突出端を、前記計測の結果
に基づいて、駆動・制御して、ステージの移動を制御す
るようにしたステージの移動制御方法」、及び「この移
動制御方法によって処理対象物の移動制御を行いつつ、
チャンバの壁部に形成したアニール用レーザ光透過窓を
介してアニール用レーザ光を処理対象物に照射するよう
にしたレーザアニール方法」を提供するものである。
【0019】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態とし
て、アモルファスシリコン膜を表面に形成したガラス基
板をアニーリングするためのレーザアニール装置につい
て、添付図面に示した好ましい一実施例に基づいて説明
する。
【0020】
【実施例】図1及び2のレーザアニール装置1は、図2
に示すように、処理対象物としてのガラス基板2を熱処
理する熱処理チャンバ3と、処理されるべき基板2(例
えば、300mm×400mm)を搬入する搬入(ロー
ド)チャンバ4と、処理済みの基板2を搬出する搬出
(アンロード)チャンバ5と、搬入チャンバ4及び搬出
チャンバ5の夫々と処理チャンバ3とをつなぐ搬送チャ
ンバ6とを有する。チャンバ3,4,5,6の間におけ
る基板2の搬送は、搬送ロボット6aによって行われ
る。また、処理チャンバ3、搬入チャンバ4及び搬出チ
ャンバ5の夫々と搬送チャンバ6との間には、基板2を
チャンバ間で移送する時を除いて各チャンバ3,4,5
内の雰囲気を相互に分離ないし隔離するゲートバルブ
7,8,9が設けられている。10,11,12は、チ
ャンバ3,4,5用の真空ポンプである。処理チャンバ
3内の室14には、Nガスのような不活性ガスが導入
されて不活性ガス雰囲気に保たれる。なお、処理チャン
バ3内の室14が、クリーンな不活性ガス雰囲気に保た
れ得る限り、ゲートバルブ7,8,9及び真空ポンプ1
1,12はなくてもよい。
【0021】基板2は、チャンバ3内において、ステー
ジとしてのトロリ15上に載置されている。トロリ15
は支持・駆動機構16によってチャンバ3内でX方向に
移動される。支持・駆動機構16は、一端17がトロリ
15に連結されてトロリ15を支持する駆動用支軸19
と、該支軸19を介してトロリ15をX方向に移動させ
る駆動機構としてのリニアモータ20とを有する。リニ
アモータ20は、駆動用支軸19の突出端に連結され可
動子を一体的に備えた可動支持部材18と、可動子と協
働するステータ部を備えると共に可動支持部材18のX
方向移動を案内する静置案内部材21とからなる。ベロ
ーズ13は、駆動用支軸19の貫通・延在したチャンバ
側壁部22と駆動用支軸19との間に設けられ、側壁部
22の孔23と駆動用支軸19との間をシールしてい
る。この支持・駆動機構16は、チャンバ3の室14内
に摺接部分がなく、高温になる室14内をクリーンに保
ち得る。
【0022】図1及び2に示したレーザアニール装置1
では、トロリ15の支持・駆動機構16が四組設けら
れ、トロリ15の両持ち支持構造を形成すべくX方向に
対向・配置されると共にY方向に並設されている。X方
向に対向して位置する支持・駆動機構16,16の駆動
用支軸19,19は、構造上は、連続的に繋がった一本
の軸からなっていてもよい(発明の構成としては、トロ
リ15を貫通する部分はトロリ15の一部とみなし得
る)。Y方向に並設された駆動機構16,16は、可動
支持部材18を共有しており、可動支持部材18を介し
て相互に連結されている。当然ながら、四組の支持・駆
動機構16は、実際上同期制御される。
【0023】なお、可動支持部材18は、Y方向に並設
した支持・駆動機構16,16毎に別々に設けてもよ
い。また、支持・駆動機構16をY方向に並設する代わ
りに、X方向の各側(図1及び2においてトロリ15の
右側及び左側の夫々)に、駆動機構16を一組づつ設け
るようにしてもよい(その場合駆動用支軸19をトロリ
15のY方向の中央部に設ける)。なお、支持・駆動機
構16を四組設ける代わりに、X方向に対向して位置す
る支持・駆動機構16,16のうちのいずれか一方を、
支持・案内機能を有する支持・従動(被動)機構にして
もよい。また、駆動軸19が自重及びトロリ15の荷重
によっては実際上変形されないようにその機械的強度を
高くし得る場合には、トロリ15を両持ち支持する代わ
りに、図1及び2においてトロリ15の右側または左側
に位置する支持・駆動機構を省いて、トロリ15を片持
ち状に支持するようにしてもよい。
【0024】トロリ15は、駆動用支軸19に固定され
たトロリ本体部(ステージ本体部)25と、トロリ本体
部25上に位置し抵抗加熱手段を埋設してなるヒータ部
26と、ヒータ部26から上向きに突出した複数のピン
状部からなる基板支持部27と、トロリ15の移動方向
Xに面する側においてトロリ本体部25から上方に延設
された剛性の側壁部28とを有する。なお、ヒータ部2
6は、レーザアニールの前に所望の温度(例えば400
−600℃程度)に基板2の表面を予備加熱し得る限
り、抵抗加熱の代わりにどのような他の加熱手段でもよ
く、また、加熱用抵抗体のような熱源はヒータ部26に
埋設される代わりに上面に形成されていても、トロリ本
体部25の上部以外の部分に設けられていてもよい。ま
た、基板支持部27は、トロリ15で基板2をX方向に
移動させる際基板2を相対移動や位置ズレなく所定位置
に保持し得る限り、どのような構造であってもよいが、
ヒータ部26による基板2の加熱が一様に行われ得且つ
温度変動があっても基板2に応力等が加えられたり残っ
たりする虞の少ない支持構造であることが好ましい。
【0025】30は、基板2上のアモルファスシリコン
膜を多結晶化するためのレーザアニール用光学系であ
り、レーザアニール用光学系30は、処理チャンバ3の
頂壁29に形成されたアニール用レーザ光透過窓31を
介して、強度分布が均一化(ホモジナイズ)され線状等
の所定形状に整形されたホモジナイズ面H(例えば、X
方向の幅が数100μm−数mmで、Y方向の長さが数
100mm)を基板2上に形成するようにアニール用レ
ーザ光を照射すべく、エキシマレーザ発振器32及びビ
ームホモジナイザ33を有し、所望に応じて、アッテネ
ータなどの光学系34や偏向ミラー35などを含む。な
お、所望に応じて、アニーリングの状況を観察し得るよ
うに、基板2の表面状態を撮像し表示するCCDカメラ
及びビデオモニタなどが並設される。
【0026】なお、レーザ光源32としては、所望のア
ニーリング特性を与え得る限り、エキシマレーザ以外の
紫外光の発振器でもよい。また、熱処理対象物がアモル
ファスシリコン膜の代わりにガラス基板2の本体自体の
ような別の材料である場合、アニーリング用のレーザ光
源32は、熱処理対象物の材料及び該材料に加えられる
べきアニール処理の内容に応じて、紫外域のレーザ光源
の代わりに可視領域や赤外領域のレーザ光源でもよい。
更に、ヒータ部26によって予備加熱されX方向に移動
される基板2に対して、X方向に走査されつつ所望のア
ニール処理を行い得る限り、アニール用エネルギ源とし
ては、レーザ光以外を用いてもよい。
【0027】処理チャンバ3及び支持・駆動機構16の
静置案内部材21が載置された基台または床36上に
は、更に、測長用のレーザ光BをX方向に出射するレー
ザ測長器本体37が配設されている。レーザ測長器本体
37は、例えばHe−Neレーザ発振器のようなレーザ
光源部と、測長対象物からの反射光及び参照光に基づい
て、測長対象物までの距離を求める計測部とを有する。
【0028】38は、チャンバ3の外部において測長用
レーザ光Bの光路を取り囲む保護管であり、保護管38
は測長用レーザ光Bの光路内に該レーザ光の伝播を乱す
虞のある異物が入り込むのを防いで検出感度・精度を最
大限に維持するのに役立つが、場合によっては、なくて
もよい。なお、保護管38の長さ(測長器本体37から
チャンバ3の隣接壁部までの距離)は、例えば、数10
cm−1m程度であるが、これよりも長くても短くても
よい。
【0029】処理チャンバ3のX方向に向いた側壁22
には測長用レーザ光を部分的に反射する透過窓39が配
設されており、保護管38の一端は、測長用レーザ光透
過窓39の周囲において側壁22に接続され、他端はレ
ーザ測長器本体37のレーザ光出射口に接続されてい
る。測長用レーザ光透過窓39は、レーザ測長器本体3
7から出射された測長用レーザ光の一部を反射して基準
となる参照光を与えるべくレーザ測長器本体37に戻し
得る限り、その構造は問わないが、例えば、レーザ光の
一部を反射するために表面に一層または多層のコーティ
ングを施してなる多層膜でも、プリズム(例えば30°
及び60°の頂角を有する直角プリズムを二つ組合せて
なるもの)でもよい。なお、透過窓39は、チャンバ3
の熱及びトロリ15の移動に伴う振動等によって、位置
や向きが変動しないように配設されることが好ましい。
【0030】40は反射鏡であり、反射鏡40は、断熱
・冷却機構の本体部としての断熱・冷却部材41を介し
てトロリ15の側壁部28に取り付けられている。反射
鏡40は、断熱・冷却部材41の表面に形成された反射
面からなっていてもよく、この反射面は、部材41自体
の研磨表面でも、1層又は複数層のコーティングによっ
て形成されていてもよい。反射鏡40は、測長用レーザ
光透過窓39を介してX方向に入射された測長用レーザ
光を反射して窓39を介してレーザ測長器本体37に戻
す。反射鏡40は、温度変化や雰囲気ガスの対流など熱
的擾乱が少なく且つトロリ15の移動に伴う振動などの
機械的擾乱が少ないところであれば、X方向及びY方向
並びに鉛直方向Zにみて、トロリ15のどの部分に設け
てもよい。例えば、トロリ15のX方向に向いた側壁2
8に設ける代わりに、基板2のX方向中央位置とほぼ一
致するところに設けてもよい。
【0031】断熱・冷却部材41は、インバーのような
熱膨張率の低い合金等からなり入口42から出口43ま
での間において内部に冷却水が流通されるように構成さ
れている。断熱・冷却部材41は、流通冷却水と協働し
て、トロリ15のヒータ部26や基板2等の熱によって
反射鏡40の温度が上がるのを防ぐと共に、その熱膨張
の低さにより、ある程度の温度変化が生じても反射鏡4
0に加わる応力を最小限にして反射鏡40が歪むのを防
ぐ。なお、断熱・冷却部材41は、反射鏡40の反射面
をX方向に向いた状態に維持し得且つトロリ本体25の
側壁部に対する相対位置が温度変化によって変動するの
を最小限にし得る限り、どのような構造のものでもよい
が、実際上、コンパクトで剛性があり熱膨張が少なく、
且つ反射鏡の温度を極力一定に保ち得るものであること
が好ましい。
【0032】レーザ測長器本体37の計測部は、例えば
レーザドップラ式の速度計測部分と、この速度計測部分
による計測速度を時間積分して移動距離(移動量)を求
める距離算出部分とを含む。なお、レーザ測長器本体3
7は、反射鏡40からの反射光及び参照光(部分反射窓
39からの反射光)の波長差の代わりに距離に依存する
干渉縞の変化を利用するタイプの測長器でもよい。この
例では、レーザ測長器44は、測長器本体37と、部分
反射性透過窓39と、反射鏡40とからなる。
【0033】制御手段としてのトロリ制御装置45は、
図3の(a)に示したように、トロリ15の時間tに依
存する目標位置データXs(t)を格納した記憶部を含
むトロリ位置設定データ送出部46と、該設定データX
s(t)とレーザ測長器本体37からの計測トロリ位置
(反射鏡位置)データXmとを比較して差データΔX
(=Xs(t)−Xm)を発する比較器47と、差デー
タに基づいてリニアモータ20を駆動するリニアモータ
駆動部48とを有する。従って、トロリ制御装置45
は、熱処理チャンバ3の室14内の温度変動に起因する
駆動用支軸19の伸縮や変形、あるいはトロリ15の荷
重や駆動用支軸19の自重などに起因する駆動用支軸1
9の変形等によって、熱処理チャンバ3外に位置する可
動支持部18のX方向移動量がトロリ15のX方向移動
量からずれても、該ズレに影響を受けることなくトロリ
ー15の位置(移動量)を直接検出して該トロリ15の
位置(移動量)を制御し得る。
【0034】なお、トロリ15の位置制御をレーザ測長
器本体37による測長データで直接行う代わりに、図3
の(b)に示したように、リニアモータ20に設けたリ
ニアエンコーダ49で可動支持部18の位置を検出して
可動支持部18の移動制御を行うと共に、該可動支持部
18の移動制御に対する補正制御のために、レーザ測長
器本体37による測長データを用いるようにしてもよ
い。この場合、エンコーダ49は、駆動用支軸19の長
さが一定に保たれているとみなして、可動支持部18に
ついての検出位置データに駆動用支軸19の長さを加え
た値を「みなしトロリ位置データXr」として出力す
る。この出力データXrは比較器50で設定データXs
(t)と比較されて、その差である「みなし差データΔ
Xr」に基づいてリニアモータ駆動部48によるリニア
モータ20の駆動制御が行われる。一方、例えば、比較
器50からのみなし差データΔXrがゼロ(所定の小さ
い値以下)になったら、比較器50からの起動信号によ
って比較器47による比較動作を行わせ、比較器47に
よってその時点でのズレΔXaを検出して、該ズレΔX
aを基準補正値として補正器51に設定する。その後
は、基準補正値ΔXaが更新されるまで該基準補正値Δ
Xaに基づいて、みなしトロリ位置データXrに基準補
正データΔXaを加算してなる補正位置データXa(=
Xr+ΔXa)を補正器51で求めて、該補正位置デー
タXaを比較器50に送って移動制御を行うようにして
もよい。この場合、基準補正値ΔXaの更新は、ΔXr
がゼロになる毎に行っても、所定の時間間隔で行って
も、一つの基板2のアニール処理の開始時又は前に行っ
ても、他の基準で行うようにしてもよい。なお、レーザ
測長器44による測長結果を補正用に用いる補正制御の
仕方は、図3の(b)に示したものとは異なるものでも
よい。
【0035】以上の如く構成されたレーザアニール装置
1の動作について、次に説明する。
【0036】熱処理されるべき基板2は、搬入チャンバ
4から搬送チャンバ6を介して熱処理チャンバ3内のト
ロリ15に搬送される。この搬送の際、ゲートバルブ
8,7による関連チャンバ4,6,3間の連通・遮断が
適宜行われ、また、真空ポンプ11,10及び図示しな
い不活性ガス導入手段による関連チャンバ4,6,3の
雰囲気制御が所望に応じて行われる。なお、搬送用ロボ
ット6aにより、基板2がトロリ15の基板支持部27
上に載置される際、トロリ15は、開放状態のゲート7
に臨むロード位置に、リニアモータ20及び駆動用支軸
19からなる支持・駆動機構16によって位置設定され
る。
【0037】基板2がトロリ15上の所定位置に載置さ
れると、ゲート7が閉じられて、所望ならば、チャンバ
3内の雰囲気が調整される。また、トロリ15が図1に
おいて想像線15aで示す初期位置に移動されると共
に、ヒータ部26による加熱が開始され(ヒータ部26
による加熱の開始は、例えば、基板2の載置前でもよ
い)、基板2がレーザアニール処理に適した温度(例え
ば、約400℃)に、予め加熱される。基板2の予備加
熱温度は、処理対象物によって異なり、この例の場合、
所望ならば、例えば400−600℃の範囲内の温度で
も、400℃より低い温度でもよい。一方、ヒータ部2
6による加熱と同時又はその前に、断熱・冷却部材41
を通る冷却水の循環が開始され、反射鏡40の温度上昇
を防いでほぼ一定温度(例えば、約40−50℃)に維
持する。
【0038】次に、リニアモータ20の駆動が開始され
る。説明の簡単化のために、以下では、基板2が連続的
に移動されている間にアニール用レーザ光の照射が行わ
れる例について説明する。
【0039】支持・駆動機構16による基板2のX1方
向の移動についていえば、例えば、10−100ミリ秒
の間に、数10mm/秒(例えば約30mm/秒)程度
の速度になるようにトロリ15を加速し、その後基板2
を停止させる直前まで基板2を前記の一定速度でX1方
向に移動させ、最後に加速の際と同様に減速させるよう
な目標位置データXs(t)が、トロリ位置設定データ
送出部46に設定される(勿論、位置データの代わり
に、時間データと速度データとを設定しても、これらを
組合せても、また、反射鏡40と基板2の隣接端部との
距離などの種々のオフセット量をパラメータとして適宜
組込み、移動量のみを設定するようにしてもよい)。
【0040】トロリ位置設定データ送出部46から与え
られる設定位置データXs(t)に基づいてリニアモー
タ駆動部48を介してリニアモータ20が駆動される
と、支持・駆動機構16は、短時間のうちにトロリ15
を一定速度まで加速した後、該一定速度でX1方向に移
動させる。この移動開始後のトロリ15の移動制御は、
レーザ測長器本体37からのレーザ光Bを反射鏡40で
反射させて得た反射光に基づいて、トロリ制御装置45
によって行われる。なお、基板2の表面を撮像する前述
のCCDによって又は同様な検出器60をアニール用レ
ーザ光透過窓31の近傍に設けておいて、該検出器60
が基板2の前縁2aの通過を検出したらレーザ測長器本
体37を用いたトロリ制御装置45による移動制御を開
始させ、それ以前は、単にエンコーダ49のみを用いた
移動制御(図3の(b)の比較器50のみを用いた制
御)を行うようにしてもよい。
【0041】基板2を載せたトロリ15が、アニール用
レーザ光を基板2に照射すべき位置に達すると、制御装
置45からエキシマレーザ発振器32に発振起動信号E
が与えられ、エキシマレーザ発振器32からのアニール
用レーザパルスが線状のホモジナイズ面H(例えば、X
方向の幅が約0.6mmでY方向の長さが約200m
m)を形成するように基板2上に繰返し照射される。こ
の照射の間、基板2を載せたトロリ15は、熱的または
機械的環境変化による駆動用支軸19の伸縮や変形に影
響を受けることなく、且つチャンバ3内の高温・クリー
ン環境を乱すことなく、レーザ測長器本体37、部分透
過窓39及び反射鏡40からなる測長器44によって直
接的にその位置(移動量)が検出されつつ制御装置45
によって一定速度で移動制御される。また、反射鏡40
は、断熱・冷却部材41によって熱的に隔離されている
から、測長器による測長(位置検出)がアニールの際の
熱によって影響を受ける虞も少ない。このように、正確
な移動制御下でアニール用レーザビームの走査を行い得
るから、基板2の熱処理を正確に制御し得、所望のアニ
ール特性の基板2を得ることが可能になる。
【0042】基板2の所定範囲のアニールが完了する
と、搬入の逆動作によって基板2が搬出される。
【0043】なお、以上においては、基板2を載せたト
ロリ15が一定速度で移動される例について説明したけ
れども、基板2がアニール用レーザ光照射領域にある
間、トロリ15はX1方向に間欠的に移動制御されても
よい。間欠的な移動制御の条件は、レーザアニールされ
るべき材料やアニール用レーザ光の特性などによって所
望に応じて決めればよく、例えば、エキシマレーザ光を
用いて前述のようなホモジナイズ面Hを形成するパルス
ビームを照射する場合、10−100ミリ秒の間に数m
m/秒(例えば5mm/秒)程度になるようにトロリ1
5を加速し、次の10−100ミリ秒の間にトロリ15
を減速させて停止させ、100ミリ秒程度の間停止状態
に保って基板2の所定領域に所定ショット数のアニール
用レーザパルスの照射を行うことを繰返して、レーザア
ニールを行うようにしてもよい。
【0044】この場合にも、レーザ測長器本体37、部
分透過鏡39及び反射鏡40によるトロリ15までの測
長(トロリ15の反射鏡40の位置計測)は、チャンバ
3内の高温・クリーン環境を乱すことなく、且つ駆動用
支軸19の伸縮や変形などに影響を受けることなく、直
接的に行われ得るから、トロリ15及び該トロリ15上
の基板2の移動制御を正確に行い得る。従って、この正
確な移動制御下でアニール用レーザビームの走査を行い
得るから、基板2の熱処理を正確に制御し得、所望のア
ニール特性の基板2を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による好ましい一実施例のレーザアニー
ル装置の正面説明図(熱処理チャンバ及びベローズを断
面で示した)。
【図2】図1の装置の平面説明図(熱処理チャンバを断
面で示した)。
【図3】図1の装置におけるトロリの移動制御を説明す
るためのブロック図。
【符号の説明】
1 レーザ加工装置 2 基板(処理対象物) 3 熱処理チャンバ 14 室 15 トロリ(ステージ) 16 支持・駆動機構 17 駆動用支軸の一端(チャンバ内の端部) 18 可動支持部材 19 駆動用支軸 20 リニアモータ 21 静置案内部材 22 チャンバの側壁部 23 孔 25 トロリ本体部 26 ヒータ部 27 基板支持部 28 トロリの側壁部 29 チャンバの頂壁 30 レーザアニール用光学系 31 アニール用レーザ光透過窓 36 基台 37 レーザ測長器本体 38 保護管 39 測長用レーザ光(部分反射)透過窓 40 反射鏡 41 断熱・冷却部材 44 測長器 45 トロリ制御装置(制御手段) 46 トロリ位置設定データ送出部 47,50 比較器 48 リニアモータ駆動部 49 エンコーダ 51 補正器 X 移動方向 X1 移動の向き Xa 補正位置データ Xm 計測トロリ位置データ Xr みなしトロリ位置データ Xs(t) 目標(設定)位置データ ΔX 差データ ΔXa 基準補正値 ΔXr みなし差データ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01B 11/00 G01B 11/00 B G02B 7/198 G02F 1/136 500 G02F 1/136 500 G12B 5/00 T G12B 5/00 G02B 7/18 B Fターム(参考) 2F065 AA02 AA06 AA09 BB15 BB25 CC17 EE02 FF00 FF36 FF52 FF55 GG04 JJ03 JJ26 LL12 NN20 PP22 QQ14 UU07 2F078 CA01 CA08 CB12 CC11 CC14 2H043 AD10 AD21 2H092 JA05 JA24 KA04 KA05 MA22 MA30 MA35 NA27 PA01 PA07 4E068 AH01 CA14 CA15 CC01 CE04 CE09 CJ01 CJ09

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱処理チャンバと、 このチャンバ内において熱処理されるべき処理対象物が
    載置されるステージと、 一端側がステージに取付けられ他端側がチャンバから突
    出した駆動用支軸と、 駆動用支軸を介してステージをチャンバ内で移動させる
    べく駆動用支軸の突出端に連結された駆動機構と、 ステージの移動方向に反射面が向くようにステージに設
    けられた反射鏡と、 反射鏡に向き合うように熱処理チャンバの壁部に形成さ
    れたレーザ光透過窓と、 チャンバの外部に配置されており、レーザ光透過窓を介
    してチャンバ内に入射するレーザ光を発すると共に、反
    射鏡からの反射レーザ光を前記窓を介して受光して、ス
    テージの移動を計測するレーザ測長器本体と、 レーザ測長器本体による計測結果に基づいて、駆動機構
    による駆動を制御する制御手段とを有するステージの移
    動制御装置。
  2. 【請求項2】 反射鏡が断熱・冷却機構を介してステー
    ジに設けられている請求項1に記載の移動制御装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の移動制御装置を
    有し、処理対象物にレーザ光を照射してアニールするた
    めのレーザアニール装置であって、 アニール用のレーザ光源と、 ステージに載置されて移動される処理対象物に対して、
    アニール用レーザ光源からのアニール用レーザ光が照射
    されるように、チャンバの壁部に形成されたアニール用
    レーザ光透過窓と、 ステージ上の処理対象物を加熱する加熱手段とを有する
    レーザアニール装置。
  4. 【請求項4】 熱処理チャンバ内で処理対象物が載置さ
    れるステージに反射鏡を設け、チャンバの壁部に形成し
    たレーザ光透過窓を介してレーザ光をチャンバ内に入射
    し、反射鏡からの反射レーザ光を受光して、ステージの
    移動を計測し、 ステージに連結された一端からレーザ光の進行方向に平
    行に延在してチャンバ外に突出した駆動用支軸の突出端
    を、前記計測の結果に基づいて、駆動・制御して、ステ
    ージの移動を制御するようにしたステージの移動制御方
    法。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の移動制御方法によって
    ステージの移動制御を行いつつ、チャンバの壁部に形成
    したアニール用レーザ光透過窓を介してアニール用レー
    ザ光を処理対象物に照射するようにしたレーザアニール
    方法。
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