JP2000039853A

JP2000039853A - プラズマアドレス液晶表示装置の製造方法および構造体の製造方法

Info

Publication number: JP2000039853A
Application number: JP20700598A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Ishichi; 弘樹石地; Noriaki Nakamura; 憲明中村
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-07-22
Filing date: 1998-07-22
Publication date: 2000-02-08

Abstract

(57)【要約】【課題】製造歩留まりに優れ、製造コストが低く、且
つ表示品位の良好なプラズマアドレス液晶表示装置の製
造方法を提供する。【解決手段】複数の隔壁を有する放電セル基板と、中
間基板と、対向基板とを有し、放電セル基板と中間基板
とによって複数の放電チャネルが規定され、対向基板と
中間基板との間に液晶層が挟持されているプラズマアド
レス液晶表示装置の製造方法は、放電セル基板と中間基
板とを複数の隔壁を介在させて接合する工程の後に、中
間基板を薄くする工程を包含している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマアドレス液
晶表示装置の製造方法および極薄誘電体基板と空洞とを
有する構造体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、アクティブマトリクス型液晶表示
装置が、パーソナルコンピュータや薄型テレビ等の表示
装置として、広く利用されている。しかしながら、現在
主流のアクティブマトリクス型液晶表示装置は薄膜トラ
ンジスタ等のスイッチング素子を多数形成する必要があ
り、特に大面積の表示装置に適用した場合に、歩留まり
が低下するという問題がある。

【０００３】スイッチング素子の代わりに放電プラズマ
スイッチを用いたアドレス方式が、例えば、特開平１−
２１７３９６号公報に開示されている。この方式を利用
したプラズマアドレス液晶表示装置は、大型の薄型表示
装置として注目されている。

【０００４】図７（Ａ）は従来のプラズマアドレス液晶
表示装置２００の構造を示す模式的な分解図であり、図
７（Ｂ）はその断面図である。このプラズマアドレス液
晶表示装置２００は放電セル２００ａと表示セル２００
ｂと両者の間に介在する厚さ５０μｍのガラスシートか
らなる中間基板３０’とによって構成された、フラット
パネル構造を有する。

【０００５】放電セル２００ａは、放電セル基板１０を
用いて構成されている。放電セル基板１０は、以下のよ
うに構成される。第１ガラス基板１２の中間基板３０’
側の表面上には、行方向に沿って陽極Ａと陰極Ｋとが間
隔を開けて交互に平行に形成されている。さらに各陽極
Ａ上には、これに沿って行方向に隔壁１４が形成されて
いる。陽極Ａおよび陰極Ｋは、スクリーン印刷法を用い
て第１ガラス基板１２上にパターン形成し、焼成するこ
とによって形成することが出来る。また、スクリーン印
刷法等を用いて、陽極Ａ上に隔壁１４が形成される。こ
うして放電セル基板１０が形成される。隔壁１４の頂部
は中間基板３０’に当接しておりスペーサとしての役割
を果たすとともに、放電チャネル１６を規定している。

【０００６】さらに、放電セル基板１０はガラスフリッ
ト等からなるシール材１８を用いて中間基板３０’に接
合されている。これにより、放電セル基板１０と中間基
板３０’との間の空隙は気密封止される。この空隙は隔
壁１４によって分割あるいは区画された放電チャネル１
６を規定し、一対の陽極Ａとこれらの間の陰極Ｋとを有
する各放電チャネル１６が、行走査単位となる。即ち、
個々の放電チャネル１６は第１ガラス基板１２上に平行
に形成された一対の陽極電極Ａと、これらの間に形成さ
れた一本の陰極Ｋと、各陽極Ａの幅寸法より狭い幅寸法
を有し各陽極Ａに整合して形成されている隔壁１４とに
よって構成されている。また、放電チャネル１６は、放
電チャネルはガラス基板上に形成された隔壁と、各隔壁
間に形成された一本の陽極と一本の陰極とによって構成
されてもよい。気密な放電チャネル１６内部には、例え
ばヘリウム、ネオン、アルゴン、これらの混合ガス等の
イオン化可能なガス（プラズマガス）が封入されてい
る。

【０００７】一方、表示セル２００ｂは、対向基板２０
を用いて構成される。第２ガラス基板２２の液晶側表面
上には、ＩＴＯ膜などの透明導電膜をパターン形成する
ことにより、複数本の信号電極Ｄが列方向に沿って互い
に平行に形成されている。対向基板２０は、さらにカラ
ーフィルタ（不図示）を有していてもよい。対向基板２
０はスペーサ２８を用いて所定の間隙を介し、中間基板
３０’に接着されている。間隙内には液晶材料が充填封
入され、液晶層２６が形成される。このようにして、プ
ラズマアドレス液晶表示装置２００が完成される。ま
た、放電セル基板１０の外側には、バックライト（不図
示）が設けられている。さらに必要に応じて、中間基板
３０’の液晶層２６側の表面に各絵素に対応するように
電極を形成してもよい。

【０００８】なお、中間基板３０’は、液晶層２６と放
電チャネル１６とを絶縁する層として機能し、ガラス、
雲母、プラスチック（樹脂材料を含む）等の誘電体材料
により形成され、それ自身がキャパシタとして機能す
る。従って、液晶層２６と放電チャネル１６との容量結
合を十分に確保し、且つ電荷の２次元的な拡散を抑制す
るために、中間基板３０’には５０μｍの極薄ガラスが
用いられている。

【０００９】図８はプラズマアドレス液晶表示装置に用
いられる駆動回路の一例を示している。この駆動回路は
信号回路５０と走査回路５２と制御回路５４とから構成
されている。信号回路５０には、列方向に沿って配列さ
れた信号電極Ｄ１ないしＤｍがバッファを介して接続さ
れている。一方、走査回路５２には、行方向に沿って配
列された陰極Ｋ１ないしＫｎが同じくバッファを介して
接続されている。陽極Ａ１ないしＡｎは共通に接地され
ている。陰極は走査回路５２により線順次走査されると
ともに、信号回路５０はこれに同期して各信号電極にア
ナログ画像信号を供給する。制御回路５４は信号回路５
０と走査回路５２の同期制御を行うものである。各陰極
に沿って放電チャネルが形成され行走査単位となる。一
方、各信号電極は列駆動単位となる。両単位の交差部に
画素６０が規定される。

【００１０】陰極Ｋに走査電圧が印加され、放電チャネ
ルが活性化するとその内部は略全体的にアノード電位に
なる。一方、プラズマ放電が終了すると放電チャネルは
浮遊電位となる。放電チャネルを介して個々の画素６０
のサンプリングキャパシタにアナログ信号を書き込みサ
ンプリングホールドを行うものである。アナログ画像信
号のレベルによって画素６０の階調的な点灯あるいは消
灯が制御できる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図９に、上述した放電
セル２００ａの製造工程のフローの従来例を示す。陽極
Ａおよび陰極Ｋを第１ガラス基板１２上に形成し（工程
（ａ））、陽極Ａ上に隔壁１４を設けることにより放電
セル基板１０を完成させる（工程（ｂ））。その後、放
電セル基板１０と中間基板３０’である５０μｍ厚のガ
ラスシートとを接合するが（工程（ｄ））、その前に５
０μｍ厚のガラスシートの汚れを落とすために洗浄す
る。この後、工程（ｄ）において５０μｍ厚のガラスシ
ートの接合と同時に取り付けられたチップ管を介して、
放電ガスを封入する（工程（ｅ））。

【００１２】しかしながら、上記従来の製造方法には、
以下に示すような課題があった。

【００１３】１．５０μｍ厚のガラスシート（中間基板
３０’）自身の製造コストが高い。

【００１４】２．隔壁の形成された放電セル基板と５０
μｍのガラスシート３０’とを接合する工程（ｄ）にお
いて５０μｍ厚のガラスシート３０’が割れ易く取り扱
いが難しいため、放電セル製造の歩留まりが低い。

【００１５】３．５０μｍ厚のガラスシート３０’は割
れ易いため、洗浄する際に超音波洗浄やブラシ洗浄など
の、洗浄効果は高いがガラスシートに与える応力の大き
い洗浄方法を用いることは困難である。従って、工程
（ｃ）において、異物あるいは汚れなどの除去が十分で
ない場合がある。そのため、工程（ｄ）で隔壁が形成さ
れた放電セル基板１０と５０μｍ厚のガラスシート３
０’とを貼り合わせた際に、除去できなかった異物が局
所的に応力を与えることが原因で、５０μｍ厚のガラス
シート３０’が割れる事があり、放電セル製造歩留まり
が低下される。

【００１６】４．上記３．の課題に関連して、清浄であ
るべき放電チャンネル内部が５０μｍ厚のガラスシート
３０’の汚れが原因で汚染されている場合、放電特性の
劣化を来す事になる。

【００１７】５．上記３．の課題に関連して、表示セル
を製造する工程では、透明導電膜からなる信号電極が形
成された対向基板２０と５０μｍ厚のガラスシート３
０’との間隙に除去できなかった異物が入ると表示品位
を低下させてしまう。また、この間隙内に充填される液
晶材料が、５０μｍのガラスシート３０’の汚れが原因
で汚染されてしまうことがあり、表示装置の表示特性を
劣化させうる。

【００１８】６．中間基板３０’であるガラスシートの
厚さはプラズマアドレス表示装置の駆動電圧に大きく関
与するが、工業的に入手できる約６０００ｃｍ²のガラ
スシートの厚さは現在５０μｍが下限であり、それより
薄いガラスシートの入手は困難である。従って、プラズ
マアドレス表示装置の駆動電圧を低減する事が難しい。

【００１９】７．現在入手できる５０μｍのガラスシー
ト３０’にはガラスの採板方向（製造時のガラス流れ方
向）に平行にミクロン単位の凹凸からなる筋が形成され
る。この筋の為にプラズマアドレス表示装置を駆動させ
た時の液晶層にかかる電圧が不均一となり、バンディン
グと呼ばれる帯状の表示むらが発生し、表示品位を低下
させている。

【００２０】これらの課題を解決する方法として、特開
平９−２１３２１５号公報には、ガラス基板をエッチン
グすることにより、プラズマ発生空間即ち放電チャンネ
ルを形成する方法が開示されている。プラズマ発生空間
凹部の最深部、即ち中間基板３に相当する部分の厚さを
５０μｍにする方法が開示されている。

【００２１】しかしながら、特開平９−２１３２１５号
公報に記載されるような、ガラス基板をエッチングして
放電チャンネルを形成した後、反対の面を研磨あるいは
エッチングによりプラズマ発生空間凹部の最深部即ち中
間基板３に相当する部分の厚みを５０μｍにする方法で
は、次のような問題がある。すなわち、片面に凹凸があ
る基板の機械的研磨面には均一な力がかけられない。凹
部の対向側の研磨面では研磨が進行しがたく、凸部の対
向側の研磨面では研磨が進行しやすい。このことによ
り、研磨面にはチャネルの形状に沿った形状の凹凸が発
生する。また、一様な厚みのガラス基板に比べて、凹凸
を有するガラス基板は、基板が湾曲した場合に凹部に曲
げの力が加わるので破損しやすい。従って、この方法に
は以下の課題があり、表示品位及び製造歩留まりの低下
を招く。

【００２２】１．研磨面にチャネルに沿った形の凹凸が
発生し、均一な基板表面が得られない。

【００２３】２．凹部の最深部が割れるおそれがあり、
取り扱いが困難である。

【００２４】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、厚さが十分に薄く、かつ均一な表面を有
し、清浄で取り扱いが容易な中間基板を有するプラズマ
アドレス液晶表示装置、およびこれに類似する構造を有
する構造体の製造方法を提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決する為の手段】本発明による、複数の隔壁
を有する放電セル基板と中間基板と対向基板とを有し、
該放電セル基板と該中間基板とによって複数の放電チャ
ネルが規定され、該対向基板と該中間基板との間に液晶
層が挟持されているプラズマアドレス液晶表示装置の製
造方法は、該放電セル基板と該中間基板とを該複数の隔
壁を介在させて接合する工程と、該接合する工程の後に
該中間基板を薄くする工程とを包含しており、そのこと
によって上記目的を達成する。

【００２６】前記中間基板を薄くする工程は、化学的に
研磨する工程を含んでいてもよい。

【００２７】前記中間基板を薄くする工程は、前記中間
基板の厚さを５０μｍ以下まで薄膜化する工程であるこ
とが望ましく、さらに３０μｍ以下まで薄膜化する工程
であることが望ましい。

【００２８】前記中間基板の表面の面積は約６０００ｃ
ｍ²以上であってもよい。

【００２９】前記中間基板を薄くする工程の後に、前記
放電チャネルにプラズマガスを封入する工程をさらに有
するようにしてもよい。

【００３０】前記接合する工程と前記中間基板を薄くす
る工程との間に、前記放電チャネルにプラズマガスを封
入する工程をさらに有するようにしてもよい。

【００３１】あるいは、本発明による、複数の隔壁を有
する第１の基板と、透明誘電体からなる第２の基板とを
有し、該第１の基板と該第２の基板とによって複数の空
洞が形成されている構造体の製造方法は、該第１の基板
と該第２の基板とを該隔壁を介して接合する工程と、該
接合する工程の後に該第２の基板を薄くする工程とを包
含しており、そのことによって上記目的が達成される。

【００３２】前記第２の基板を薄くする工程は、化学的
に研磨する工程を含んでいてもよい。

【００３３】以下に作用を説明する。

【００３４】本発明のプラズマアドレス液晶表示装置の
製造方法は、中間基板と放電セル基板とを接合する工程
の後に、中間基板を所望の厚さまで薄くする工程を包含
している。従って、上記接合工程においては、所望の厚
さよりも厚い中間基板を用いることができる。このこと
により、なるべく薄いことが望まれる中間基板の、接合
工程での取り扱いが容易になるとともに、中間基板の破
損を低減することができる。また、接合工程前の中間基
板の洗浄工程において、洗浄効果の高い超音波洗浄やブ
ラシを用いた洗浄を適用できるので、より清浄な中間基
板が得られる。

【００３５】さらに、本発明の一つの局面では、中間基
板は化学的研磨によって薄くされるので、より薄く、且
つ凹凸のない平滑な基板表面を有する中間基板を得るこ
とができる。

【００３６】また、本発明によれば、現在工業的に入手
可能な限界の厚さである５０μｍの極薄ガラス板を用い
ずとも、同等のサイズの中間基板を形成することが可能
であり、さらに、３０μｍ厚の中間期板を形成すること
ができる。このような中間基板の電気容量は大きくなる
ので、同電荷の場合、液晶表示装置の駆動電圧を低減す
ることが可能になる。また、約６０００ｃｍ²以上の面
積を有する極薄中間基板を得ることも可能になるので、
プラズマアドレス液晶表示装置のパネルサイズの大型化
（例えば対角４２インチ）を図ることができる。

【００３７】本発明の一つの局面では、中間基板を薄く
する工程の後に、放電チャネルにプラズマガスを封入す
る工程を行うため、中間基板を薄くする工程において放
電チャネル内と外界とでは圧力差が生じておらず、中間
基板が破損する可能性を低減することができる。

【００３８】本発明の一つの局面では、中間基板とプラ
ズマ基板とを接合する工程と中間基板を薄くする工程と
の間に、放電チャネルにプラズマガスを封入する工程を
設ける。これにより、中間基板を薄くする工程で用いら
れる端子保護のための樹脂等が、プラズマガス封入工程
で必要とされる高温処理を経験せずにすむので、樹脂が
炭化して、これらが悪影響を及ぼす可能性を低くでき
る。

【００３９】また、本発明のプラズマアドレス液晶表示
装置の製造方法は、同様の構造を有する構造体に対して
も適用されうる。特に、光学系の装置において、透過率
または駆動電圧の点で非常に薄い透明誘電体をセル上に
設ける必要がある場合、本発明の製造方法は好適に適用
され得る。

【００４０】

【発明の実施の形態】（実施形態１）図１に本実施形態
の製造方法によって作製された、プラズマアドレス液晶
表示装置１００の完成図を示す。図１（Ａ）は分解図で
あり、図１（Ｂ）は断面図である。図１と図７とを比較
して解るように、本実施形態の製造方法により完成され
るプラズマアドレス液晶表示装置１００は、中間基板３
０を除いて、従来の液晶表示装置２００と同様の構造を
有している。従って、中間基板３０以外の構造について
は、上述の従来技術の説明が適用される。以下に、図１
を参照しながら、図２に示す工程フローに従って、本実
施形態の製造方法を説明する。

【００４１】第１ガラス基板１２上に陽極Ａおよび陰極
Ｋを、スクリーン印刷法あるいはサンドブラストを用い
てパターン形成し、これを焼成することによって形成す
る（工程（ａ））。これらの電極は、従来と同様に陽極
Ａと陰極Ｋとが行方向に平行に間隔を開けて交互に形成
している。さらに、各陽極Ａ上には、これに沿って行方
向に隔壁１４をスクリーン印刷あるいはサンドブラスト
などの従来の方法を用いて形成する（工程（ｂ））。こ
の工程において、放電セル基板１０が完成される。ただ
し、陽極Ａ、陰極Ｋ、および隔壁１４の配置はこれらに
限られず、従来の様々な構造を有する放電セル基板と同
様であってよいことはいうまでもない。例えば、第１ガ
ラス基板１２上に隔壁１４を設けて放電チャネル１６を
規定し、各隔壁間に一本の陽極Ａと一本の陰極Ｋとを行
方向に平行に間隔を開けて設けるようにしてもよい。

【００４２】この後、放電セル基板１０の隔壁１４の上
に中間基板３０を設け、放電セル基板１０と中間基板３
０とを接合して放電セル１００ａを作製するが、本実施
形態においては中間基板３０のために、従来のように５
０μｍの極薄ガラスシートを用意するのではなく、１０
０μｍ〜１１００μｍのガラスシートを用意する。用意
するガラスシートは、表示の均一性を考慮して一枚のシ
ートの中での板厚偏差が±５μｍ以内のガラスを選択す
る事が望ましい。板厚偏差が±５μｍを超えるガラスの
場合は、機械的研磨を施して板厚偏差を±５μｍ以内に
抑えてから用いることが望ましい（工程（ｃ））。工程
（ｃ）は、用意するガラスシートの状態に依存して、任
意に省略されてよい。

【００４３】ここで、本実施形態において約１００μｍ
〜約１１００μｍ厚のガラスシートを用いる理由を説明
する。一般にガラス基板の価格、割れ歩留まり、及び化
学研磨後の板厚ばらつきは図６に示す関係にある。ガラ
スシートの価格は、一般に用いられる約１００μｍ〜約
７００μｍ厚の範囲外のものは量産効果が出なくなるた
め高くなる（図６（Ａ））。割れ歩留まりについては、
板厚が３００μｍより薄くなると急に割れ易くなり悪く
なる（図６（Ｂ））。また、板厚が厚くなると、その後
のガラスシートを化学研磨する工程（図２の工程
（ｇ））に要する時間が長くなり、ガラスシートの表面
上での位置に関するエッチングレートの違いや研磨前の
板厚のばらつきが顕著に現れるため、化学研磨後の板厚
ばらつきは大きくなる（図６（Ｃ））。これらの条件を
考慮した結果、約１００μｍ〜約１１００μｍの厚さの
ガラスシートを選択した。さらに図６から理解されるよ
うに、ガラスシートは３００〜７００μｍの板厚がより
好ましく、本実施形態では３００μｍのものを用意し
た。また、第１ガラス基板１２と中間基板３０とは熱膨
張の点から、同じ材質のガラスを用いることが望まし
い。ただし、上記に説明した条件は普遍的な条件ではな
いため、所望の場合、他の範囲の厚さのガラスシートを
用いてもよいことはいうまでもない。

【００４４】再び図２を参照して、上記理由から選択さ
れた３００μｍ厚のガラス板を洗浄する（工程
（ｄ））。３００μｍ厚のガラスシートは比較的強度が
高いので、超音波洗浄、ブラシを用いた洗浄等の、５０
μｍ厚のガラスシートには適用が困難であった洗浄効果
の高い洗浄方法を適用することが可能である。従って、
従来に比べてより清浄な中間基板を得ることができる。

【００４５】清浄にされた３００μｍ厚のガラスシート
を隔壁１４を介在させて放電セル基板１０と接合する
（工程（ｅ））。隔壁１４の頂部は中間基板３０に当接
しておりスペーサとしての役割を果たすとともに、放電
チャネル１６を規定している。放電セル基板１０と中間
基板３０とは、ガラスフリット等のシール材１８を用い
て接合されている。これにより、放電セル基板１０と中
間基板３０との間の空隙は気密封止される。この工程に
おいて、本実施形態では中間基板３０として３００μｍ
厚の比較的割れにくく扱いやすいガラスシートを用いて
いるので、５０μｍ厚のガラスシートを用いた場合と比
較して、製造の歩留まりを向上させることができる。

【００４６】その後、化学的研磨処理を行うための前準
備として、端子部等の保護を行う（工程（ｆ））。具体
的には、第１ガラス基板１２の外側面をフィルムシート
４０などで覆うことによって保護し（図３（Ａ））、陽
極Ａ及び陰極Ｋの端子取り出し部をワックスや樹脂４２
などで覆うことによって保護する（図３（Ｂ））。これ
らの工程は、従来の方法を用いて行うことができる。図
４（Ａ）に、ここまでの工程により形成された放電セル
１００ｂの断面図を示す。

【００４７】その後、中間基板３０の液晶層２６側表面
を化学的に研磨する事により５０μｍの厚さにまで薄く
する（工程（ｇ））。なお、走査回路の駆動電圧（放電
電圧）を低減させる目的から、中間基板３０は化学的研
磨により３０μｍの厚さにしてもよい。具体的には、フ
ッ酸、バッファードフッ酸などからなる水溶液にｐＨ調
整剤や粘度調整剤などを加えた化学的研磨液に浸して、
中間基板３０の、後に液晶が封入される片面のみを化学
的に研磨する。化学的研磨を行っている間は、化学反応
の生じているガラス表面と化学的研磨液との接触部分付
近の研磨液を十分に攪拌し、ガラス表面での不均一な化
学研磨の進行を防止した。また、ガラス基板を揺動（振
動）させ、研磨液を更新するように攪拌することによ
り、ガラス表面への反応生成物の付着を抑制した。この
ように一定の流速でエッチング溶液（化学的研磨液）を
ガラス研磨面に接触させ、ガラスを溶解させながら反応
生成物を除去することにより、ガラス表面の凹凸の発生
を防止し、初期の平滑な表面形状を保ったまま板厚を薄
くした。上述の化学的研磨方法には、例えば特開平９−
１３２４３１号公報に開示される従来の方法を適用して
よい。なお、本実施形態においては、中間基板３０はガ
ラスからなるために上述のような化学的研磨方法を適用
したが、中間基板３０の材質如何によっては、他の化学
的研磨方法を用いてもよいことはいうまでもない。例え
ば中間基板３０はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）やＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）等のポリマーフ
ィルム、あるいはアクリル系やエポキシ系の樹脂からな
っていてもよい。また、第１ガラス基板１２も中間基板
の材質に合わせてガラス以外の材質（例えば、ＰＥＴ）
からなっていてもよい。

【００４８】その後、フィルムシート４０及びワックス
や樹脂４２などの保護材を取り外す（工程（ｈ））。こ
の工程（ｈ）後の放電セルの断面を図４（Ｂ）に示す。
工程（ｇ）において薄くされた中間基板３０は、５０μ
ｍ（場合によっては３０μｍ）の厚さであり、且つ従来
の中間基板に見られた表面上の微細な凹凸が低減されて
いるため、より均一な基板表面を有している。また、工
業的側面から実現が困難であった、約６０００ｃｍ²以
上、厚さ３０μｍ以下の中間基板が実現され得る。従っ
て、本実施形態の方法によって形成される放電セルは、
プラズマアドレス液晶表示装置に対して好適に用いられ
る。このような中間基板を用いて、対角４２インチのプ
ラズマアドレス液晶パネルを得ることができた。また、
液晶表示装置のパネルのサイズがさらに大型化した場合
にも、本実施形態の製造方法は好適に適用され得る。

【００４９】その後、放電チャネル１６内にイオン化可
能なガス（プラズマガス）を、放電チャネル１６に取り
付けたチップ管（不図示）を介して封入することによっ
て放電セル１００ａが完成する（工程（ｉ）及び
（ｊ））。これらの工程は、従来の方法を用いて行うこ
とができる。気密な放電チャネル１６内には、例えばヘ
リウム、ネオン、アルゴンこれらの混合ガス等のイオン
化可能なガスが封入される。

【００５０】最後に、中間基板３０の化学的に研磨した
面（すなわち、放電セル基板１０と接合された面と反対
側の面）上に、第２ガラス基板２２上に透明電極Ｄやカ
ラーフィルター（不図示）等を形成して作製した対向基
板２０を、スペーサ５を介して接合する（工程
（ｋ））。さらに、中間基板３０と対向基板２０との間
隙に液晶材料を封入し、液晶層２６を設けることによ
り、プラズマアドレス表示装置１００が完成する。ただ
し、必要に応じて、中間基板３０の液晶層２６側の表面
に各絵素に対応するように電極（不図示）を形成してい
てもよい。また、従来と同様に、透明電極Ｄおよび中間
基板３０の液晶層２６側の表面上に配向膜（不図示）を
設けてもよいことはいうまでもない。これら表示セル１
００ｂを作製する工程は、従来と同様の工程を用いて行
うことができる。

【００５１】本実施形態の製造方法によって完成された
プラズマアドレス液晶表示装置１００は、例えば図８に
示す従来の駆動方式を用いて駆動される。プラズマアド
レス液晶表示装置１００は、その中間基板３０の厚さが
５０μｍ以下であり、その表面が清浄であり、且つ、均
一であるため、従来に比べて表示品位を向上させ、且
つ、より低い駆動電圧で動作することが可能である。

【００５２】上述したように、本実施形態では中間基板
３０を化学的研磨によって薄くする工程（工程（ｇ））
の後に、チップ管の取り付け工程及び放電ガス封入工程
（工程（ｉ）及び（ｊ））を行う。なぜなら、放電ガス
（プラズマガス）封入後、放電チャネル１６内の圧力は
大気圧よりも小さくされるため、中間基板３０を境にプ
ラズマチャネル１６内と外界との間には圧力差が生じて
おり、僅かな衝撃で中間基板３０が破損する場合がある
からである。本実施形態のように化学的研磨の後に放電
ガスを封入するようにすれば、放電チャネル内１６を大
気圧に保ったまま中間基板３０の化学的研磨を行うこと
が出来る。従って、化学的研磨工程において、プラズマ
チャネル１６内の圧力と外気圧との気圧差に起因する中
間基板３０の破損を低下させることができる。

【００５３】また、本実施形態の、放電セル基板上に陽
極と陰極と隔壁を形成する工程（工程（ａ）及び
（ｂ））と、３００μｍ厚のガラスシートを好適な状態
に加工する工程（工程（ｃ）及び（ｄ））とは、互いに
独立して実施しうる工程である。従って、これらの工程
を行う順序は任意であり、また、同時に行ってもよい。

【００５４】（実施形態２）本発明の別の実施形態の製
造工程のフローを図５に示す。図５に示す、工程（ａ）
〜（ｄ）は、実施形態１と同様に実施することができ
る。すなわち、第１ガラス基板１２上に陽極Ａと陰極Ｋ
とを印刷あるいはサンドブラストなどの従来方法で形成
し、さらに陽極Ａ上あるいはガラス基板１２上に隔壁１
４を印刷あるいはサンドブラストなどの従来方法で形成
する（工程（ａ）及び（ｂ））。これにより放電セル基
板１０が作製される。さらに、実施形態１と同様に１０
０〜１１００μｍ厚のガラスシートを機械研磨および洗
浄することにより好適な状態に加工する（工程（ｃ）及
び（ｄ））。実施形態１と同様に、工程（ｃ）は任意に
省略可能である。本実施形態においては３００μｍ厚の
ガラスシートを使用している。

【００５５】その後、超音波洗浄等によって清浄にされ
た３００μｍ厚のガラスシート（中間基板３０）と放電
セル基板１０とを隔壁１４を介在させて接合し、放電チ
ャネル１６を密封する（工程（ｅ））。ただし、本実施
形態では、この接合工程（ｅ）においてイオン化可能な
ガスを封入するためのチップ管も同時に取り付けられ
る。その後、放電チャネル１６にイオン化可能なガスを
封入する（工程（ｆ））。次に、実施形態１と同様に、
端子部の保護手法を適用して（工程（ｇ））、中間基板
３０の液晶側表面を化学的に研磨する事により５０μｍ
の厚さまで薄くする（工程（ｈ））。その後、端子部の
保護材を取り外す（工程（ｉ））。以後、実施形態１と
同様にして表示セル１００ｂを作製し、これを中間基板
３０と接合し（工程（ｊ））、液晶材料を注入して液晶
層２６を形成することにより、プラズマアドレス表示装
置が完成する。

【００５６】放電セル１００ａの作製過程では高温工程
を数回通り、接合工程（ｅ）では最高５００℃近くに達
する工程を通る。実施形態１では中間基板３０を化学的
研磨した後に、放電ガスの封入を行うためのチップ管の
取り付け工程が実施される。この工程では接合工程と同
じ高温処理を施すので、これ以前の化学的研磨工程のた
めの端子保護に用いた樹脂やワックス、あるいは化学研
磨の生成反応物が残留している場合に、これらが加熱さ
れて炭化することがある。炭化した残留物はパネルから
分離するため、中間基板３０の表面にダストとして付着
し、後の工程に悪影響を及ぼす場合がある。実施形態２
では化学的研磨工程前に放電ガスを封入するため、従来
の工程（図９）と同様に中間基板３０と放電セル基板１
０との接合工程（ｅ）において、チップ管を取り付ける
ことが出来る。したがって、実施形態１と比較して工程
が１つ減ると共に、端子保護用の樹脂やワックス等が高
温工程を経験することがないので、これらの残留物が後
の工程に悪影響を及ぼす可能性を低減することができ
る。

【００５７】ただし、実施形態１と実施形態２とは、所
望のガラスシートの強度や厚さや大きさ、放電チャネル
内の圧力、あるいは端子保護に用いる樹脂の残留程度な
どの条件を考慮して、それぞれプラズマアドレス液晶表
示装置の製造に適用されうる。

【００５８】上述の実施形態１及び２は、プラズマアド
レス液晶表示装置の製造において適用される製造方法に
ついて説明したが、その他の同様の構造を有する構造体
の製造にも適用され得ることはいうまでもない。すなわ
ち、少なくとも２つの基板を有し、これらの間にセルが
形成されている構造体の製造方法において、少なくとも
一方の基板が透明の誘電体からなる極薄の基板であるこ
とを要求する場合、本発明の製造方法を適用することが
できる。

【００５９】

【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
プラズマアドレス表示装置において、表示セルと放電セ
ルとの間に介在する共通の中間基板を、製造工程で扱い
易く割れにくい厚さの中間基板を放電セル基板と貼り合
わせた後にその液晶側表面を薄くすることによって形成
したので、共通の中間基板が製造工程途中で割れる事が
低減され、製造歩留まりが向上する。また、中間基板を
十分清浄にすることができるので、放電特性や表示特性
の劣化が防止される。本発明の製造方法では、高価な５
０μｍのガラスシートを使わないので製造コストが低減
され、厚さ制約を外したガラスを中間基板として選択で
きるので、採板方向に筋の無い均一な板厚を持つガラス
を用いて中間基板を形成出来る。これにより、帯状の表
示むらが無くなり表示の品位が向上する。さらに、現在
工業的に入手することが出来ない約６０００ｃｍ²以上
の面積を有する３０μｍ厚の均一で凹凸の低減された中
間基板を用いたプラズマアドレス液晶表示装置を製造す
ることが可能である。このような中間基板は、中間基板
に与える応力が比較的弱い化学的研磨方法を用いて研磨
することにより好適に得られる。これにより、液晶表示
装置の駆動電圧を低減することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法により完成されるプラズマア
ドレス表示装置の構造を示す模式図である。（Ａ）は分
解図、（Ｂ）は断面図である。

【図２】実施形態１の、プラズマアドレス液晶表示装置
の製造工程フロー図である。

【図３】本発明にかかる放電セルの作製手法に関する端
子等保護の模式的な斜視図である。（Ａ）はフィルムシ
ートによる端子等保護、（Ｂ）は樹脂による端子等保護
を示す。

【図４】実施形態１の製造工程途中でのプラズマアドレ
ス液晶表示装置の断面を示す図である。（Ａ）は端子部
等保護工程（図２の工程（ｆ））終了後、（Ｂ）は保護
材取り外し工程（図２の工程（ｈ））終了後の図であ
る。

【図５】実施形態２の、プラズマアドレス液晶表示装置
の製造工程フロー図である。

【図６】ガラス基板の価格、割れ歩留まり、および化学
研磨後の板厚分布と板厚との相関図である。

【図７】従来の製造方法により完成されるプラズマアド
レス表示装置の構造を示す模式図である。（Ａ）は分解
図、（Ｂ）は断面図である。

【図８】図１及び図７に示すプラズマアドレス表示装置
の駆動回路を示すブロック図である。

【図９】従来の、放電セルの製造工程フロー図である。

【符号の説明】１０放電セル基板１２第１ガラス基板１４隔壁１６放電チャネル１８シール材２０対向基板２２第２ガラス基板２６液晶層２８スペーサ３０中間基板４０フィルムシート４２樹脂Ａ陽極Ｋ陰極Ｄ信号電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H088 FA10 FA19 HA08 KA01 MA09 2H089 HA17 HA36 NA24 QA12 TA09 5C094 AA24 AA36 AA42 AA44 AA55 BA01 BA43 CA19 DA12 EB10 EC04 FB16 JA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の隔壁を有する放電セル基板と、中
間基板と、対向基板とを有し、該放電セル基板と該中間
基板とによって複数の放電チャネルが規定され、該対向
基板と該中間基板との間に液晶層が挟持されているプラ
ズマアドレス液晶表示装置の製造方法であって、該放電セル基板と該中間基板とを該複数の隔壁を介在さ
せて接合する工程と、該接合する工程の後に該中間基板を薄くする工程と、を
包含する、プラズマアドレス液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】前記中間基板を薄くする工程は、化学的
に研磨する工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】前記中間基板を薄くする工程は、前記中
間基板の厚さを５０μｍ以下まで薄膜化する工程であ
る、請求項１または２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項４】前記中間基板を薄くする工程は、前記中
間基板の厚さを３０μｍ以下まで薄膜化する工程であ
る、請求項１または２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】前記中間基板の表面の面積は約６０００
ｃｍ²以上である、請求項１から４のいずれかに記載の
製造方法。
【請求項６】前記中間基板を薄くする工程の後に、前
記放電チャネルにプラズマガスを封入する工程をさらに
有する、請求項１から５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】前記接合する工程と前記中間基板を薄く
する工程との間に、前記放電チャネルにプラズマガスを
封入する工程をさらに有する、請求項１から５のいずれ
かに記載の製造方法。
【請求項８】複数の隔壁を有する第１の基板と、透明
誘電体からなる第２の基板とを有し、該第１の基板と該
第２の基板とによって複数の空洞が形成されている構造
体の製造方法であって、該第１の基板と該第２の基板とを該隔壁を介して接合す
る工程と、該接合する工程の後に、該第２の基板を薄くする工程
と、を包含する、構造体の製造方法。
【請求項９】前記第２の基板を薄くする工程は、化学
的に研磨する工程を含む、請求項８に記載の製造方法。