JP2000038422A - 屈折率分布形成材料、光導波路及び光導波路形成方法 - Google Patents
屈折率分布形成材料、光導波路及び光導波路形成方法Info
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- JP2000038422A JP2000038422A JP20827498A JP20827498A JP2000038422A JP 2000038422 A JP2000038422 A JP 2000038422A JP 20827498 A JP20827498 A JP 20827498A JP 20827498 A JP20827498 A JP 20827498A JP 2000038422 A JP2000038422 A JP 2000038422A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 支持基板から剥離し難い光導波路を形成する
ことができる屈折率分布形成材料を提供する。 【解決手段】 架橋構造をとり得るブタジエン化合物
と、重合すると前記ブタジエン化合物よりも高い屈折率
を示す重合体となる単量体と、光照射により前記単量体
を重合させる光重合開始剤とを有する。ブタジエン化合
物の硬化物は、可撓性を有するため、ブタジエン硬化物
をバインダ樹脂として用いた導波路を支持基板上に形成
すると、熱履歴による剥離の生じにくい導波路を形成す
ることができる。
ことができる屈折率分布形成材料を提供する。 【解決手段】 架橋構造をとり得るブタジエン化合物
と、重合すると前記ブタジエン化合物よりも高い屈折率
を示す重合体となる単量体と、光照射により前記単量体
を重合させる光重合開始剤とを有する。ブタジエン化合
物の硬化物は、可撓性を有するため、ブタジエン硬化物
をバインダ樹脂として用いた導波路を支持基板上に形成
すると、熱履歴による剥離の生じにくい導波路を形成す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、屈折率分布形成材
料、光導波路及び光導波路形成方法に関し、特に光照射
により屈折率分布を付与して光導波路を形成する屈折率
分布形成材料、それを用いた光導波路及び光導波路形成
方法に関する。
料、光導波路及び光導波路形成方法に関し、特に光照射
により屈折率分布を付与して光導波路を形成する屈折率
分布形成材料、それを用いた光導波路及び光導波路形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】バインダ樹脂としてエポキシ樹脂を用い
た屈折率分布形成材料が、特開平９−１５７３５２号公
報に開示されている。この屈折率分布形成材料には、ビ
ニルまたはアクリル系単量体と光重合開始剤が含まれて
いる。屈折率分布材料中に光を伝搬させると、光の通過
した領域のビニルまたはアクリル系単量体が重合し、ビ
ニルまたはアクリル系重合体が形成される。その後、エ
ポキシ樹脂を硬化させると、硬化前に光の通過した領域
に、ビニルまたはアクリル系重合体の密度の高い領域が
形成される。ビニルまたはアクリル系重合体の密度の高
い領域は、その周囲よりも高い屈折率を示す。このた
め、この部分が光導波路として働く。
た屈折率分布形成材料が、特開平９−１５７３５２号公
報に開示されている。この屈折率分布形成材料には、ビ
ニルまたはアクリル系単量体と光重合開始剤が含まれて
いる。屈折率分布材料中に光を伝搬させると、光の通過
した領域のビニルまたはアクリル系単量体が重合し、ビ
ニルまたはアクリル系重合体が形成される。その後、エ
ポキシ樹脂を硬化させると、硬化前に光の通過した領域
に、ビニルまたはアクリル系重合体の密度の高い領域が
形成される。ビニルまたはアクリル系重合体の密度の高
い領域は、その周囲よりも高い屈折率を示す。このた
め、この部分が光導波路として働く。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】硬化したエポキシ樹脂
は柔軟性（可撓性）に乏しい。このため、支持基板上に
上述の光導波路を形成した場合、熱履歴を加えることに
より、光導波路を内包するエポキシ樹脂が支持基板から
剥離する場合がある。
は柔軟性（可撓性）に乏しい。このため、支持基板上に
上述の光導波路を形成した場合、熱履歴を加えることに
より、光導波路を内包するエポキシ樹脂が支持基板から
剥離する場合がある。
【０００４】本発明の目的は、支持基板から剥離し難い
光導波路を形成することができる屈折率分布形成材料を
提供することである。
光導波路を形成することができる屈折率分布形成材料を
提供することである。
【０００５】本発明の他の目的は、支持基板から剥離し
難い光導波路、及びその形成方法を提供することであ
る。
難い光導波路、及びその形成方法を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、架橋構造をとり得るブタジエン化合物と、重合する
と前記ブタジエン化合物よりも高い屈折率を示す重合体
となる単量体と、光照射により前記単量体を重合させる
光重合開始剤とを有する屈折率分布形成材料が提供され
る。
と、架橋構造をとり得るブタジエン化合物と、重合する
と前記ブタジエン化合物よりも高い屈折率を示す重合体
となる単量体と、光照射により前記単量体を重合させる
光重合開始剤とを有する屈折率分布形成材料が提供され
る。
【０００７】光照射された領域に、単量体が重合して生
成された重合体が多く分布する。この部分は、他の部分
よりも高い屈折率を有する。高屈折率領域は、光導波路
として機能する。また、ブタジエン化合物の硬化物は可
撓性を有する。このため、熱履歴による応力の発生を緩
和し、導波路の耐熱性を高めることができる。
成された重合体が多く分布する。この部分は、他の部分
よりも高い屈折率を有する。高屈折率領域は、光導波路
として機能する。また、ブタジエン化合物の硬化物は可
撓性を有する。このため、熱履歴による応力の発生を緩
和し、導波路の耐熱性を高めることができる。
【０００８】本発明の他の観点によると、ブタジエン化
合物を含むバインダ樹脂と、前記バインダ樹脂中に分散
された重合体であって、その分布密度がある経路に沿っ
て高くなり、分布密度の高くなっている部分の屈折率
が、他の部分の屈折率よりも高い前記重合体とを有する
光導波路が提供される。
合物を含むバインダ樹脂と、前記バインダ樹脂中に分散
された重合体であって、その分布密度がある経路に沿っ
て高くなり、分布密度の高くなっている部分の屈折率
が、他の部分の屈折率よりも高い前記重合体とを有する
光導波路が提供される。
【０００９】屈折率の高くなっている領域は導波路とし
て機能する。ブタジエン化合物の硬化物は可撓性を有す
る。このため、熱履歴による応力の発生を緩和し、耐熱
性の高い導波路を得ることができる。
て機能する。ブタジエン化合物の硬化物は可撓性を有す
る。このため、熱履歴による応力の発生を緩和し、耐熱
性の高い導波路を得ることができる。
【００１０】本発明の他の観点によると、支持基板上
に、光放射面を有する光学素子を、その光放射面が該支
持基板の表面上に配置されるように支持する工程と、架
橋構造をとり得るブタジエン化合物と、重合すると前記
ブタジエン化合物よりも高い屈折率を示す重合体となる
単量体と、光照射により前記単量体を重合させる光重合
開始剤とを含む屈折率分布形成材料を、前記光放射面に
接触するように、前記支持基板の上に保持する工程と、
前記光放射面から光を放射して前記屈折率分布形成材料
内に光を導入し、光の通過した領域の前記単量体を重合
させる工程と、前記ブタジエン化合物を架橋させる工程
とを有する光導波路形成方法が提供される。
に、光放射面を有する光学素子を、その光放射面が該支
持基板の表面上に配置されるように支持する工程と、架
橋構造をとり得るブタジエン化合物と、重合すると前記
ブタジエン化合物よりも高い屈折率を示す重合体となる
単量体と、光照射により前記単量体を重合させる光重合
開始剤とを含む屈折率分布形成材料を、前記光放射面に
接触するように、前記支持基板の上に保持する工程と、
前記光放射面から光を放射して前記屈折率分布形成材料
内に光を導入し、光の通過した領域の前記単量体を重合
させる工程と、前記ブタジエン化合物を架橋させる工程
とを有する光導波路形成方法が提供される。
【００１１】光照射により単量体の重合した領域は周囲
よりも高い屈折率を有する。このため、光照射した領域
が光導波路として機能する。ブタジエン化合物の硬化物
は可撓性を有する。このため、熱履歴による応力の発生
を緩和し、導波路の耐熱性を高めることができる。
よりも高い屈折率を有する。このため、光照射した領域
が光導波路として機能する。ブタジエン化合物の硬化物
は可撓性を有する。このため、熱履歴による応力の発生
を緩和し、導波路の耐熱性を高めることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態による屈折
率分布形成材料は、架橋構造をとり得るブタジエン化合
物と、重合するとブタジエン化合物よりも高い屈折率を
示す重合体となる単量体と、光照射によりその単量体を
重合させる光重合開始剤とを有する。
率分布形成材料は、架橋構造をとり得るブタジエン化合
物と、重合するとブタジエン化合物よりも高い屈折率を
示す重合体となる単量体と、光照射によりその単量体を
重合させる光重合開始剤とを有する。
【００１３】この屈折率分布形成材料中に光を透過させ
ると、光の透過した領域の光重合開始剤が活性化し、そ
の部分の単量体が重合反応を起こす。単量体が重合した
領域の屈折率は、周囲の屈折率よりも高くなる。屈折率
の高い領域は、光導波路として機能する。その後、ブタ
ジエン化合物を架橋させて硬化させると、ブタジエン硬
化物を含むバインダ樹脂中に配置された光導波路が形成
される。
ると、光の透過した領域の光重合開始剤が活性化し、そ
の部分の単量体が重合反応を起こす。単量体が重合した
領域の屈折率は、周囲の屈折率よりも高くなる。屈折率
の高い領域は、光導波路として機能する。その後、ブタ
ジエン化合物を架橋させて硬化させると、ブタジエン硬
化物を含むバインダ樹脂中に配置された光導波路が形成
される。
【００１４】ブタジエン硬化物は柔軟性に優れているた
め、バインダ樹脂を支持する支持基板に熱履歴を加えて
も、バインダ樹脂の剥離を防止することができる。
め、バインダ樹脂を支持する支持基板に熱履歴を加えて
も、バインダ樹脂の剥離を防止することができる。
【００１５】上述の屈折率分布形成材料に、ブタジエン
化合物を架橋させる硬化剤を加えておくと、加熱もしく
は光照射等によって容易にブタジエン化合物を架橋させ
ることができる。ブタジエン化合物として、例えばダイ
セル化学製のエポリードＰＢ３６００、エポリードＰＢ
４７００等を用いることができる。エポリードＰＢ３６
００は、側鎖または末端に水酸基を有する。水酸基に対
する架橋剤（硬化剤）を添加することにより、エポリー
ドＰＢ３６００を硬化させることができる。エポリード
ＰＢ４７００は、側鎖または末端にエポキシ基を有す
る。エポキシ用硬化剤を添加することにより、エポリー
ドＰＢ４７００を硬化させることができる。
化合物を架橋させる硬化剤を加えておくと、加熱もしく
は光照射等によって容易にブタジエン化合物を架橋させ
ることができる。ブタジエン化合物として、例えばダイ
セル化学製のエポリードＰＢ３６００、エポリードＰＢ
４７００等を用いることができる。エポリードＰＢ３６
００は、側鎖または末端に水酸基を有する。水酸基に対
する架橋剤（硬化剤）を添加することにより、エポリー
ドＰＢ３６００を硬化させることができる。エポリード
ＰＢ４７００は、側鎖または末端にエポキシ基を有す
る。エポキシ用硬化剤を添加することにより、エポリー
ドＰＢ４７００を硬化させることができる。
【００１６】バインダ樹脂に架橋構造をとり得るエポキ
シ化合物を混ぜてもよい。ブタジエン化合物とエポキシ
化合物との混合比を変えることにより、バインダ樹脂に
適度な柔軟性を与えることができる。エポキシ化合物と
して、例えばダイセル化学製のＥＨＰＥ−３１５０、チ
バガイギー製のＣＹ−１７５等を用いることができる。
シ化合物を混ぜてもよい。ブタジエン化合物とエポキシ
化合物との混合比を変えることにより、バインダ樹脂に
適度な柔軟性を与えることができる。エポキシ化合物と
して、例えばダイセル化学製のＥＨＰＥ−３１５０、チ
バガイギー製のＣＹ−１７５等を用いることができる。
【００１７】また、上述の単量体として、ビニルまたは
アクリル系単量体を用いることができる。例えば特に、
芳香族環またはハロゲンを有するビニルまたはアクリル
系単量体を用いると、高屈折率の重合体を得ることがで
きる。芳香族環またはハロゲンを有するビニルまたはア
クリル系単量体として、例えばビニルカルバゾール、ア
リルカルバゾール、メタクリロイルオキシエチルカルバ
ゾール、アクリロイルエチルオキシカルバゾール、トリ
ブロモフェニルアクリレート、ペンタブロモフェニルア
クリレート、フェノキシエチルアクリレート、ジフェン
酸エステルアクリレートが挙げられる。これらの単量体
の重合反応を起こし易くするために、多官能基を有する
ビニルまたはアクリル系単量体を添加することが好まし
い。多官能基を有するアクリル系単量体として、１，６
−ヘキサンジオールジアクリレート、ビスフェノールＡ
ジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、及び
これらの多官能性アクリレートに対応するメタクリレー
ト類が挙げられる。
アクリル系単量体を用いることができる。例えば特に、
芳香族環またはハロゲンを有するビニルまたはアクリル
系単量体を用いると、高屈折率の重合体を得ることがで
きる。芳香族環またはハロゲンを有するビニルまたはア
クリル系単量体として、例えばビニルカルバゾール、ア
リルカルバゾール、メタクリロイルオキシエチルカルバ
ゾール、アクリロイルエチルオキシカルバゾール、トリ
ブロモフェニルアクリレート、ペンタブロモフェニルア
クリレート、フェノキシエチルアクリレート、ジフェン
酸エステルアクリレートが挙げられる。これらの単量体
の重合反応を起こし易くするために、多官能基を有する
ビニルまたはアクリル系単量体を添加することが好まし
い。多官能基を有するアクリル系単量体として、１，６
−ヘキサンジオールジアクリレート、ビスフェノールＡ
ジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、及び
これらの多官能性アクリレートに対応するメタクリレー
ト類が挙げられる。
【００１８】光重合開始剤としては、照射する光の波長
に応じて、公知のものを使用することができる。また、
必要に応じて増感剤を添加してもよい。使用可能な光重
合開始剤として、例えば、ピレン−シクロペンタジエニ
ル−鉄−ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ピレン−シク
ロペンタジエニル−鉄−ヘキサフルオロリン酸塩、メチ
ルエチルベンゼン−シクロペンタジエニル−鉄−ヘキサ
フルオロアンチモン酸塩、メチルエチルベンゼン−シク
ロペンタジエニル−鉄−ヘキサフルオロリン酸塩等の鉄
−アーレン錯体が挙げられる。これらの光重合開始剤に
対する増感剤として、４−（ジシアノメチレン）−２−
メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−
ピラン，アクリジンオレンジ、３，３’−カルボニルビ
ス（７−ジエチルアミノクマリン）、２，５−ビス−
（４−ジエチルアミノベンジリデン）シクロペンタノ
ン、２，６−ビス−（４−ジメチルアミノベンジリデ
ン）シクロヘキサノン等を使用することができる。
に応じて、公知のものを使用することができる。また、
必要に応じて増感剤を添加してもよい。使用可能な光重
合開始剤として、例えば、ピレン−シクロペンタジエニ
ル−鉄−ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ピレン−シク
ロペンタジエニル−鉄−ヘキサフルオロリン酸塩、メチ
ルエチルベンゼン−シクロペンタジエニル−鉄−ヘキサ
フルオロアンチモン酸塩、メチルエチルベンゼン−シク
ロペンタジエニル−鉄−ヘキサフルオロリン酸塩等の鉄
−アーレン錯体が挙げられる。これらの光重合開始剤に
対する増感剤として、４−（ジシアノメチレン）−２−
メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−
ピラン，アクリジンオレンジ、３，３’−カルボニルビ
ス（７−ジエチルアミノクマリン）、２，５−ビス−
（４−ジエチルアミノベンジリデン）シクロペンタノ
ン、２，６−ビス−（４−ジメチルアミノベンジリデ
ン）シクロヘキサノン等を使用することができる。
【００１９】また、その他の光重合開始剤として、３，
３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボ
ニル）ベンゾフェノン、過酸化ベンゾイル、ジ（ｔ−ブ
チルパーオキシ）フタレート、ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）テレフタレート、ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）イソ
フタレート等の有機過酸化物を用いることができる。こ
れらの光重合開始剤の増感剤として、４−（ジシアノメ
チレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチ
リル）−４Ｈ−ピラン、３，３’−カルボニルビス（７
−ジエチルアミノクマリン）、２，５−ビス−（４−ジ
エチルアミノベンジリデン）シクロペンタノン、２，６
−ビス−（４−ジメチルアミノベンジリデン）シクロヘ
キサノン等を用いることができる。
３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボ
ニル）ベンゾフェノン、過酸化ベンゾイル、ジ（ｔ−ブ
チルパーオキシ）フタレート、ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）テレフタレート、ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）イソ
フタレート等の有機過酸化物を用いることができる。こ
れらの光重合開始剤の増感剤として、４−（ジシアノメ
チレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチ
リル）−４Ｈ−ピラン、３，３’−カルボニルビス（７
−ジエチルアミノクマリン）、２，５−ビス−（４−ジ
エチルアミノベンジリデン）シクロペンタノン、２，６
−ビス−（４−ジメチルアミノベンジリデン）シクロヘ
キサノン等を用いることができる。
【００２０】また、その他の光重合開始剤として、ベン
ゾイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾー
ル、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニル
イミダゾリル２量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−
４，５−ビス−（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾリル
２量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフ
ェニルイミダゾリル２量体等のイミダゾール類を用いる
ことができる。これらの光重合開始剤の反応促進剤とし
て、２−メルカプトベンゾチアゾール、５−クロロ−２
−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾ
オキサゾール、ｐ−アミノベンゾフェノン、ｐ−ジエチ
ルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（エチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（ジメチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール
−３−チオール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリ
アゾール−３−チオール、もしくはこれらの混合物を添
加してもよい。また、これらの光重合開始剤の増感剤と
して、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノ
クマリン）、２，６−ビス−（４−ジメチルアミノベン
ジリデン）シクロヘキサノン、２，５−ビス−（４−ジ
エチルアミノベンジリデン）シクロペンタノン等を使用
することができる。
ゾイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾー
ル、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニル
イミダゾリル２量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−
４，５−ビス−（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾリル
２量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフ
ェニルイミダゾリル２量体等のイミダゾール類を用いる
ことができる。これらの光重合開始剤の反応促進剤とし
て、２−メルカプトベンゾチアゾール、５−クロロ−２
−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾ
オキサゾール、ｐ−アミノベンゾフェノン、ｐ−ジエチ
ルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（エチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（ジメチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール
−３−チオール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリ
アゾール−３−チオール、もしくはこれらの混合物を添
加してもよい。また、これらの光重合開始剤の増感剤と
して、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノ
クマリン）、２，６−ビス−（４−ジメチルアミノベン
ジリデン）シクロヘキサノン、２，５−ビス−（４−ジ
エチルアミノベンジリデン）シクロペンタノン等を使用
することができる。
【００２１】側鎖または末端にエポキシ基を有するブタ
ジエン化合物を架橋させる硬化剤として、エポキシ用硬
化剤を用いることができる。使用可能なエポキシ硬化剤
には、ジアミン化合物、メルカプタン化合物、シラノー
ル化合物、イミダゾール化合物等がある。
ジエン化合物を架橋させる硬化剤として、エポキシ用硬
化剤を用いることができる。使用可能なエポキシ硬化剤
には、ジアミン化合物、メルカプタン化合物、シラノー
ル化合物、イミダゾール化合物等がある。
【００２２】側鎖または末端に水酸基を有するブタジエ
ン化合物を架橋させる硬化剤として、ポリイソシアネー
ト系化合物、メラミン化合物等が挙げられる。ポリイソ
シアネート系化合物としては、コロネートＥＨ（日本ポ
リウレタン製）、デュラネートＴＨＡ−１００（旭化成
製）、タケネートＤ−１７０Ｎ（武田薬品製）等が挙げ
られる。メラミン化合物としては、ニカラックＭＷ−３
０（三和ケミカル製）、ニカラックＭＷ−４０（三和ケ
ミカル製）等が挙げられる。これらの硬化剤は、水酸基
を有するビニルアクリル共重合体も架橋させる。
ン化合物を架橋させる硬化剤として、ポリイソシアネー
ト系化合物、メラミン化合物等が挙げられる。ポリイソ
シアネート系化合物としては、コロネートＥＨ（日本ポ
リウレタン製）、デュラネートＴＨＡ−１００（旭化成
製）、タケネートＤ−１７０Ｎ（武田薬品製）等が挙げ
られる。メラミン化合物としては、ニカラックＭＷ−３
０（三和ケミカル製）、ニカラックＭＷ−４０（三和ケ
ミカル製）等が挙げられる。これらの硬化剤は、水酸基
を有するビニルアクリル共重合体も架橋させる。
【００２３】次に、図１を参照して、上記実施の形態に
よる屈折率分布形成材料を用いた導波路の形成方法を説
明する。
よる屈折率分布形成材料を用いた導波路の形成方法を説
明する。
【００２４】ガラス等からなる支持基板１の表面にＶ溝
２が形成されている。支持基板１の表面上に、Ｖ溝２に
沿って光ファイバ３を支持する。光ファイバ３は、Ｖ溝
２の幅方向に関して位置決めされ、その一端が、支持基
板１の表面上に配置されるように支持される。Ｖ溝２
は、光ファイバ３のコアが支持基板１の表面よりも高い
位置に支持されるような形状とされている。
２が形成されている。支持基板１の表面上に、Ｖ溝２に
沿って光ファイバ３を支持する。光ファイバ３は、Ｖ溝
２の幅方向に関して位置決めされ、その一端が、支持基
板１の表面上に配置されるように支持される。Ｖ溝２
は、光ファイバ３のコアが支持基板１の表面よりも高い
位置に支持されるような形状とされている。
【００２５】上記実施の形態による屈折率分布形成材料
を、光ファイバ３の一端に接触するように、支持基板１
の表面上に滴下する。液状の屈折率分布形成材料４が支
持基板１の表面の一部及び光ファイバ３の一方の端面を
覆う。
を、光ファイバ３の一端に接触するように、支持基板１
の表面上に滴下する。液状の屈折率分布形成材料４が支
持基板１の表面の一部及び光ファイバ３の一方の端面を
覆う。
【００２６】光ファイバ３の他方の端面から光ファイバ
３内に光を入射する。光ファイバ３の屈折率分布形成材
料４に接触している端面から光が出射する。この光の透
過した領域５の光重合開始剤が活性化し、ビニルまたは
アクリル系単量体が重合する。
３内に光を入射する。光ファイバ３の屈折率分布形成材
料４に接触している端面から光が出射する。この光の透
過した領域５の光重合開始剤が活性化し、ビニルまたは
アクリル系単量体が重合する。
【００２７】その後、支持基板１を加熱し、屈折率分布
形成材料４内のブタジエン化合物を架橋させる。このと
き、光の透過領域５以外の未重合のビニルまたはアクリ
ル系単量体が重合する。屈折率分布形成材料４内のビニ
ルまたはアクリル系重合体の密度は、光の透過領域５に
おいて、その他の領域よりも高くなる。このため、光の
透過領域５の屈折率が、他の領域の屈折率よりも高くな
り、光導波路として機能する。このようにして、ブタジ
エン化合物を含むバインダ樹脂と、その中に分散された
ビニルまたはアクリル系重合体とを含む光導波路が形成
される。
形成材料４内のブタジエン化合物を架橋させる。このと
き、光の透過領域５以外の未重合のビニルまたはアクリ
ル系単量体が重合する。屈折率分布形成材料４内のビニ
ルまたはアクリル系重合体の密度は、光の透過領域５に
おいて、その他の領域よりも高くなる。このため、光の
透過領域５の屈折率が、他の領域の屈折率よりも高くな
り、光導波路として機能する。このようにして、ブタジ
エン化合物を含むバインダ樹脂と、その中に分散された
ビニルまたはアクリル系重合体とを含む光導波路が形成
される。
【００２８】次に、図２を参照して、上記実施例による
屈折率分布形成材料を用いて、レーザダイオードと光フ
ァイバとの結合素子を形成する方法を説明する。
屈折率分布形成材料を用いて、レーザダイオードと光フ
ァイバとの結合素子を形成する方法を説明する。
【００２９】図２は、光ファイバとレーザダイオードと
を光結合させるレーザダイオード−光ファイバ結合素子
の平面図を示す。図１の場合と同様に、支持基板１の表
面に形成されたＶ溝２内に光ファイバ３が保持されてい
る。支持基板１の表面上の、光ファイバ３の一方の端面
近傍にレーザダイオード６が取り付けられている。レー
ザダイオード６の出射端面が、光ファイバ３の端面に対
向する。
を光結合させるレーザダイオード−光ファイバ結合素子
の平面図を示す。図１の場合と同様に、支持基板１の表
面に形成されたＶ溝２内に光ファイバ３が保持されてい
る。支持基板１の表面上の、光ファイバ３の一方の端面
近傍にレーザダイオード６が取り付けられている。レー
ザダイオード６の出射端面が、光ファイバ３の端面に対
向する。
【００３０】上記実施例による屈折率分布形成材料を、
光ファイバ３の端面とレーザダイオード６の出射端面と
の間に滴下する。屈折率分布形成材料４が、光ファイバ
３の端面とレーザダイオード６の出射端面との間に充填
される。レーザダイオード６を発振させ、レーザ光をそ
の出射端面から放射する。屈折率分布形成材料４のうち
レーザ光の透過した領域１５内のビニルまたはアクリル
系単量体が重合する。
光ファイバ３の端面とレーザダイオード６の出射端面と
の間に滴下する。屈折率分布形成材料４が、光ファイバ
３の端面とレーザダイオード６の出射端面との間に充填
される。レーザダイオード６を発振させ、レーザ光をそ
の出射端面から放射する。屈折率分布形成材料４のうち
レーザ光の透過した領域１５内のビニルまたはアクリル
系単量体が重合する。
【００３１】支持基板１を加熱し、屈折率分布形成材料
４内のブタジエン化合物を架橋させ、硬化させる。図１
の場合と同様に、光透過領域１５に対応した導波路が形
成される。光ファイバ３とレーザダイオード６との間に
導波路が形成されるため、両者の光結合効率を高めるこ
とができる。
４内のブタジエン化合物を架橋させ、硬化させる。図１
の場合と同様に、光透過領域１５に対応した導波路が形
成される。光ファイバ３とレーザダイオード６との間に
導波路が形成されるため、両者の光結合効率を高めるこ
とができる。
【００３２】
【実施例】第１の実施例について説明する。ブタジエン
化合物として１００重量部のエポリードＰＢ３６００
（ダイセル化学製）、芳香族環を有するビニル系単量体
として３０重量部のＮ−ビニルカルバゾールと３０重量
部のアリルカルバゾール、多官能基を有するアクリル系
単量体として３０重量部のトリメチロールプロパントリ
アクリレート、芳香族環を有するアクリル系単量体とし
て１０重量部のフェノキシエチルアクリレート、ビニル
またはアクリル系単量体の重合開始剤として１５重量部
の有機過酸化物パークミルＮＤ（日本油脂製）、近赤外
光を吸収する増感剤として１重量部のアミニウムＮＩＲ
３２００（帝国化学産業製）、ブタジエン化合物の硬化
剤として１０重量部のコロネートＥＨ（日本ポリウレタ
ン製）を用い、屈折率分布形成材料を作製した。
化合物として１００重量部のエポリードＰＢ３６００
（ダイセル化学製）、芳香族環を有するビニル系単量体
として３０重量部のＮ−ビニルカルバゾールと３０重量
部のアリルカルバゾール、多官能基を有するアクリル系
単量体として３０重量部のトリメチロールプロパントリ
アクリレート、芳香族環を有するアクリル系単量体とし
て１０重量部のフェノキシエチルアクリレート、ビニル
またはアクリル系単量体の重合開始剤として１５重量部
の有機過酸化物パークミルＮＤ（日本油脂製）、近赤外
光を吸収する増感剤として１重量部のアミニウムＮＩＲ
３２００（帝国化学産業製）、ブタジエン化合物の硬化
剤として１０重量部のコロネートＥＨ（日本ポリウレタ
ン製）を用い、屈折率分布形成材料を作製した。
【００３３】この屈折率分布形成材料を、図１に示す支
持基板１上に滴下した。用いた光ファイバ３は、コア系
１０μｍのシングルモードファイバである。なお、スペ
ーサとして、屈折率分布形成材料を滴下する領域の両側
にカバーガラスを配置しておいた。屈折率分布形成材料
を滴下した後、スペーサを跨ぐようにガラス板を載せ、
屈折率分布形成材料及び光ファイバを支持基板とガラス
板で挟んだ。
持基板１上に滴下した。用いた光ファイバ３は、コア系
１０μｍのシングルモードファイバである。なお、スペ
ーサとして、屈折率分布形成材料を滴下する領域の両側
にカバーガラスを配置しておいた。屈折率分布形成材料
を滴下した後、スペーサを跨ぐようにガラス板を載せ、
屈折率分布形成材料及び光ファイバを支持基板とガラス
板で挟んだ。
【００３４】支持基板１を６０℃まで加熱した後、光フ
ァイバ３の他端をレーザダイオードに接続した。光ファ
イバ３内に波長１．３μｍのレーザ光を導入し、屈折率
分布形成材料４内の光透過領域５にレーザ光を照射し
た。レーザ光の照射後、支持基板１を８０℃まで加熱
し、その後室温まで徐冷した。
ァイバ３の他端をレーザダイオードに接続した。光ファ
イバ３内に波長１．３μｍのレーザ光を導入し、屈折率
分布形成材料４内の光透過領域５にレーザ光を照射し
た。レーザ光の照射後、支持基板１を８０℃まで加熱
し、その後室温まで徐冷した。
【００３５】屈折率分布形成材料４を干渉顕微鏡で観察
したところ、光透過領域５の屈折率が他の領域の屈折率
よりも高くなるような屈折率の分布が形成されているこ
とが確認できた。
したところ、光透過領域５の屈折率が他の領域の屈折率
よりも高くなるような屈折率の分布が形成されているこ
とが確認できた。
【００３６】次に、第２の実施例について説明する。ブ
タジエン化合物として１００重量部のエポリードＰＢ４
７００（ダイセル化学製）、芳香族環を有するビニル系
単量体として３０重量部のＮ−ビニルカルバゾールと３
０重量部のアリルカルバゾール、芳香族環を有するアク
リル系単量体として１０重量部のフェノキシエチルアク
リレート、多官能基を有するアクリル系単量体として３
０重量部のトリメチロールプロパントリアクリレート、
ビニルまたはアクリル系単量体の重合開始剤として２重
量部の有機過酸化物パークミルＮＤ、増感剤として０．
４重量部のアミニウムＮＩＲ３６００、ブタジエン化合
物の硬化剤として８重量部のトリフェニルシラノールと
０．３重量部のアルミニウム金属錯体を用いて屈折率分
布形成材料を作製した。
タジエン化合物として１００重量部のエポリードＰＢ４
７００（ダイセル化学製）、芳香族環を有するビニル系
単量体として３０重量部のＮ−ビニルカルバゾールと３
０重量部のアリルカルバゾール、芳香族環を有するアク
リル系単量体として１０重量部のフェノキシエチルアク
リレート、多官能基を有するアクリル系単量体として３
０重量部のトリメチロールプロパントリアクリレート、
ビニルまたはアクリル系単量体の重合開始剤として２重
量部の有機過酸化物パークミルＮＤ、増感剤として０．
４重量部のアミニウムＮＩＲ３６００、ブタジエン化合
物の硬化剤として８重量部のトリフェニルシラノールと
０．３重量部のアルミニウム金属錯体を用いて屈折率分
布形成材料を作製した。
【００３７】この屈折率分布形成材料を用いて、図２に
示すレーザダイオード−光ファイバ結合素子を形成し
た。支持基板１は、端面研磨した３０ｍｍ×３０ｍｍ×
２ｍｍのガラス基板である。Ｖ溝２の幅は３００μｍで
あり、その斜面の傾斜角は４５°である。光ファイバ３
の端面とレーザダイオード６との間の間隔は６０μｍで
ある。屈折率分布形成材料４を充填する前の状態で、光
ファイバ３とレーザダイオード６との電流光強度係数
（Ｉ−Ｌ係数）は、９μＷ／ｍＡであった。
示すレーザダイオード−光ファイバ結合素子を形成し
た。支持基板１は、端面研磨した３０ｍｍ×３０ｍｍ×
２ｍｍのガラス基板である。Ｖ溝２の幅は３００μｍで
あり、その斜面の傾斜角は４５°である。光ファイバ３
の端面とレーザダイオード６との間の間隔は６０μｍで
ある。屈折率分布形成材料４を充填する前の状態で、光
ファイバ３とレーザダイオード６との電流光強度係数
（Ｉ−Ｌ係数）は、９μＷ／ｍＡであった。
【００３８】支持基板１を６０℃に保持し、光ファイバ
３０とレーザダイオード６との間に屈折率分布形成材料
を充填した。レーザダイオード６を発振させ、光透過領
域１５に波長１．３μｍのレーザ光を照射した。支持基
板１の温度を８０℃まで加熱し、その後徐冷した。屈折
率形成材料４により導波路を形成した後のＩ−Ｌ係数
は、３６μＷ／ｍＡであった。
３０とレーザダイオード６との間に屈折率分布形成材料
を充填した。レーザダイオード６を発振させ、光透過領
域１５に波長１．３μｍのレーザ光を照射した。支持基
板１の温度を８０℃まで加熱し、その後徐冷した。屈折
率形成材料４により導波路を形成した後のＩ−Ｌ係数
は、３６μＷ／ｍＡであった。
【００３９】光ファイバ３とレーザダイオード６との間
に導波路を形成することにより、Ｉ−Ｌ係数を約４倍に
高めることができた。
に導波路を形成することにより、Ｉ−Ｌ係数を約４倍に
高めることができた。
【００４０】導波路を形成した後、支持基板１を昇温さ
せ、その後降温させてＩ−Ｌ係数の変化を調べた。昇温
後の到達温度を８０℃、９０℃、１００℃、１１０℃、
及び１２０℃としたとき、降温後のＩ−Ｌ係数は、それ
ぞれ３７μＷ／ｍＡ、３７μＷ／ｍＡ、３８μＷ／ｍ
Ａ、３９μＷ／ｍＡ、及び３９μＷ／ｍＡであった。こ
のように、昇温降温を繰り返しても、Ｉ−Ｌ係数の低下
は見られなかった。これは、ブタジエン硬化物が柔軟性
を有するため、支持基板１に熱履歴を加えても導波路が
基板から剥離しにくいためと考えられる。
せ、その後降温させてＩ−Ｌ係数の変化を調べた。昇温
後の到達温度を８０℃、９０℃、１００℃、１１０℃、
及び１２０℃としたとき、降温後のＩ−Ｌ係数は、それ
ぞれ３７μＷ／ｍＡ、３７μＷ／ｍＡ、３８μＷ／ｍ
Ａ、３９μＷ／ｍＡ、及び３９μＷ／ｍＡであった。こ
のように、昇温降温を繰り返しても、Ｉ−Ｌ係数の低下
は見られなかった。これは、ブタジエン硬化物が柔軟性
を有するため、支持基板１に熱履歴を加えても導波路が
基板から剥離しにくいためと考えられる。
【００４１】ブタジエン硬化物の硬化を評価するため
に、バインダ樹脂として公知のエポキシ樹脂を用い、第
２の実施例と同様の導波路を形成した。屈折率分布形成
前のＩ−Ｌ係数は１０μＷ／ｍＡ、屈折率分布形成後の
Ｉ−Ｌ係数は３６μＷ／ｍＡであった。ところが、支持
基板を１２０℃まで加熱して室温まで徐冷したところ、
Ｉ−Ｌ係数が２４〜２５μＷ／ｍＡまで低下した。これ
は、導波路の基板への密着性が悪いためと考えられる。
に、バインダ樹脂として公知のエポキシ樹脂を用い、第
２の実施例と同様の導波路を形成した。屈折率分布形成
前のＩ−Ｌ係数は１０μＷ／ｍＡ、屈折率分布形成後の
Ｉ−Ｌ係数は３６μＷ／ｍＡであった。ところが、支持
基板を１２０℃まで加熱して室温まで徐冷したところ、
Ｉ−Ｌ係数が２４〜２５μＷ／ｍＡまで低下した。これ
は、導波路の基板への密着性が悪いためと考えられる。
【００４２】次に、第３の実施例について説明する。第
３の実施例では、バインダ樹脂としてブタジエン化合物
のみではなく、エポキシ化合物をも添加した。ブタジエ
ン化合物として２０重量部のエポリードＰＢ３６００
（ダイセル化学製）、エポキシ化合物として５０重量部
のＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学製）と３０重量部
のＣＹ−１７５（チバガイギー製）、芳香族環を有する
ビニル系単量体として２５重量部のＮ−ビニルカルバゾ
ールと２５重量部のアリルカルバゾール、アクリル系単
量体として２重量部のフェノキシエチルアクリレート、
多官能基を有するアクリル系単量体として２８重量部の
トリメチロールプロパントリアクリレート、ビニルまた
はアクリル系単量体の重合開始剤として１重量部の有機
過酸化物パークミルＮＤ、増感剤として０．２重量部の
アミニウムＮＩＲ３６００、ブタジエン化合物及びエポ
キシ化合物の硬化剤として８重量部のトリフェニルシラ
ノールと０．３重量部のアルミニウム金属錯体を用いて
屈折率分布形成材料を作製した。
３の実施例では、バインダ樹脂としてブタジエン化合物
のみではなく、エポキシ化合物をも添加した。ブタジエ
ン化合物として２０重量部のエポリードＰＢ３６００
（ダイセル化学製）、エポキシ化合物として５０重量部
のＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学製）と３０重量部
のＣＹ−１７５（チバガイギー製）、芳香族環を有する
ビニル系単量体として２５重量部のＮ−ビニルカルバゾ
ールと２５重量部のアリルカルバゾール、アクリル系単
量体として２重量部のフェノキシエチルアクリレート、
多官能基を有するアクリル系単量体として２８重量部の
トリメチロールプロパントリアクリレート、ビニルまた
はアクリル系単量体の重合開始剤として１重量部の有機
過酸化物パークミルＮＤ、増感剤として０．２重量部の
アミニウムＮＩＲ３６００、ブタジエン化合物及びエポ
キシ化合物の硬化剤として８重量部のトリフェニルシラ
ノールと０．３重量部のアルミニウム金属錯体を用いて
屈折率分布形成材料を作製した。
【００４３】この屈折率分布形成材料を用い、第２の実
施例と同様に図２に示すレーザダイオード−光ファイバ
結合素子を作製した。Ｉ−Ｌ係数は、屈折率分布形成前
に９μＷ／ｍＡであり、屈折率分布形成後に３４μＷ／
ｍＡであった。このように、バインダ樹脂としてブタジ
エン化合物とエポキシ化合物との混合物を用いても、レ
ーザダイオード−光ファイバ結合素子のＩ−Ｌ係数を高
くすることができる。また、ブタジエン化合物とエポキ
シ化合物との混合比を変えることにより、バインダ樹脂
に所望の可撓性を与えることができる。
施例と同様に図２に示すレーザダイオード−光ファイバ
結合素子を作製した。Ｉ−Ｌ係数は、屈折率分布形成前
に９μＷ／ｍＡであり、屈折率分布形成後に３４μＷ／
ｍＡであった。このように、バインダ樹脂としてブタジ
エン化合物とエポキシ化合物との混合物を用いても、レ
ーザダイオード−光ファイバ結合素子のＩ−Ｌ係数を高
くすることができる。また、ブタジエン化合物とエポキ
シ化合物との混合比を変えることにより、バインダ樹脂
に所望の可撓性を与えることができる。
【００４４】なお、屈折率分布形成材料の代わりに、屈
折率分布の形成されない光学素子用封止剤を用いた場合
には、Ｉ−Ｌ係数の向上比は封止前に比べて約１．７倍
であった。屈折率分布形成材料を用いることにより、Ｉ
−Ｌ係数をより高くできることがわかる。
折率分布の形成されない光学素子用封止剤を用いた場合
には、Ｉ−Ｌ係数の向上比は封止前に比べて約１．７倍
であった。屈折率分布形成材料を用いることにより、Ｉ
−Ｌ係数をより高くできることがわかる。
【００４５】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
屈折率分布形成材料のバインダ樹脂としてブタジエン化
合物を用いることにより、バインダ樹脂に可撓性を付与
することができる。このため、熱履歴による応力を緩和
することができ、耐熱性の高い導波路を形成することが
できる。
屈折率分布形成材料のバインダ樹脂としてブタジエン化
合物を用いることにより、バインダ樹脂に可撓性を付与
することができる。このため、熱履歴による応力を緩和
することができ、耐熱性の高い導波路を形成することが
できる。
【図１】本発明の実施の形態による導波路の平面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施の形態によるレーザダイオード−
光ファイバ結合素子の平面図である。
光ファイバ結合素子の平面図である。
１ 支持基板 ２ Ｖ溝 ３ 光ファイバ ４ 屈折率分布形成材料 ５、１５ 光透過領域 ６ レーザダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 15/00 Ｃ０８Ｌ 15/00 33/04 33/04 39/04 39/04 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｎ 6/13 Ｍ Ｆターム(参考） 2H047 AA04 AA08 AB09 CC05 CC07 EE01 EE15 EE28 GG05 4J002 BG021 BG071 BG081 BL011 BQ001 CD002 CD181 EE036 EK046 EK066 EN056 EN076 EN096 EU036 EU116 EV346 EZ006 FD142 FD146 GP00 4J011 AA05 AC04 QA03 QA08 QA11 QA12 QA23 QA24 QA34 SA21 SA76 SA78 SA82 SA83 SA86 UA02 VA01 VA04 VA05 WA10 4J036 AA01 DA01 EA02 FB01 FB03 FB05 HA02 4J100 AL08Q AL62Q AL63Q AN04Q AN05Q AS02P BA04Q BB03Q BC43Q BC65Q CA04 CA23 DA63 FA03
Claims (10)
- 【請求項１】 架橋構造をとり得るブタジエン化合物
と、 重合すると前記ブタジエン化合物よりも高い屈折率を示
す重合体となる単量体と、 光照射により前記単量体を重合させる光重合開始剤とを
有する屈折率分布形成材料。 - 【請求項２】 さらに、前記ブタジエン化合物を架橋さ
せる硬化剤を有する請求項１に記載の屈折率分布形成材
料。 - 【請求項３】 前記単量体が、ビニルまたはアクリル系
単量体である請求項１または２に記載の屈折率分布形成
材料。 - 【請求項４】 さらに、架橋構造をとる得るエポキシ化
合物を含む請求項１〜３のいずれかに記載の屈折率分布
形成材料。 - 【請求項５】 ブタジエン化合物を含むバインダ樹脂
と、 前記バインダ樹脂中に分散された重合体であって、その
分布密度がある経路に沿って高くなり、分布密度の高く
なっている部分の屈折率が、他の部分の屈折率よりも高
い前記重合体とを有する光導波路。 - 【請求項６】 前記重合体が、ビニルまたはアクリル系
重合体である請求項５に記載の光導波路。 - 【請求項７】 さらに、前記光導波路に光結合した光フ
ァイバを有する請求項５または６に記載の光導波路。 - 【請求項８】 さらに、前記バインダ樹脂がエポキシ樹
脂を含む請求項５〜７のいずれかに記載の光導波路。 - 【請求項９】 支持基板上に、光放射面を有する光学素
子を、その光放射面が該支持基板の表面上に配置される
ように支持する工程と、 架橋構造をとり得るブタジエン化合物と、重合すると前
記ブタジエン化合物よりも高い屈折率を示す重合体とな
る単量体と、光照射により前記単量体を重合させる光重
合開始剤とを含む屈折率分布形成材料を、前記光放射面
に接触するように、前記支持基板の上に保持する工程
と、 前記光放射面から光を放射して前記屈折率分布形成材料
内に光を導入し、光の通過した領域の前記単量体を重合
させる工程と、 前記ブタジエン化合物を架橋させる工程とを有する光導
波路形成方法。 - 【請求項１０】 前記単量体が、ビニルまたはアクリル
系単量体である請求項９に記載の光導波路形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20827498A JP2000038422A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 屈折率分布形成材料、光導波路及び光導波路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20827498A JP2000038422A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 屈折率分布形成材料、光導波路及び光導波路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000038422A true JP2000038422A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=16553532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20827498A Withdrawn JP2000038422A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 屈折率分布形成材料、光導波路及び光導波路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000038422A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006022317A (ja) * | 2004-06-07 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂フィルム、光導波路、光電気複合基板、光通信モジュール |
| JP2007084765A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 硬化性エポキシ樹脂フィルム、これを用いた光導波路及び光電気複合基板 |
| JP2009080142A (ja) * | 2007-01-23 | 2009-04-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
| JP2019504347A (ja) * | 2015-12-17 | 2019-02-14 | ユニベルシテ ドゥ オート アルザスＵｎｉｖｅｒｓｉｔｅ Ｄｅ Ｈａｕｔｅ Ａｌｓａｃｅ | 光源と光ファイバーとの間に自己整列光学ガイドを作るための方法および関連するキット |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20827498A patent/JP2000038422A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006022317A (ja) * | 2004-06-07 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂フィルム、光導波路、光電気複合基板、光通信モジュール |
| JP2007084765A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 硬化性エポキシ樹脂フィルム、これを用いた光導波路及び光電気複合基板 |
| JP2009080142A (ja) * | 2007-01-23 | 2009-04-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
| JP2019504347A (ja) * | 2015-12-17 | 2019-02-14 | ユニベルシテ ドゥ オート アルザスＵｎｉｖｅｒｓｉｔｅ Ｄｅ Ｈａｕｔｅ Ａｌｓａｃｅ | 光源と光ファイバーとの間に自己整列光学ガイドを作るための方法および関連するキット |
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