JP2000036653A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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- JP2000036653A JP2000036653A JP10218503A JP21850398A JP2000036653A JP 2000036653 A JP2000036653 A JP 2000036653A JP 10218503 A JP10218503 A JP 10218503A JP 21850398 A JP21850398 A JP 21850398A JP 2000036653 A JP2000036653 A JP 2000036653A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁層の表面に形成した銅めっき層により回
路パターンを形成するアディティブ法によるプリント配
線板の製造方法において、絶縁層の表面に残留する触媒
たるパラジウムを不活性化して回路パターンの絶縁性を
向上させ、高精細かつ高信頼性のプリント配線板を得
る。 【解決手段】 回路パターンを形成後パラジウム２０が
現れた積層体１０を、希塩酸溶液中に浸漬し、積層体１
０表面に付着している水酸化鉄等のエッチング残さ等を
除去して表面を清浄にする（図２の工程Ａ）。その後積
層体１０を引き上げて水洗し、付着した希塩酸溶液を洗
い流す（工程Ｂ）。次いで積層体１０を２０Ｗ％チオ硫
酸化合物溶液に浸漬することによって、絶縁層１８の表
面のパラジウムイオン２０が不活性化されて触媒として
の機能を失うことになる（工程Ｃ）。
路パターンを形成するアディティブ法によるプリント配
線板の製造方法において、絶縁層の表面に残留する触媒
たるパラジウムを不活性化して回路パターンの絶縁性を
向上させ、高精細かつ高信頼性のプリント配線板を得
る。 【解決手段】 回路パターンを形成後パラジウム２０が
現れた積層体１０を、希塩酸溶液中に浸漬し、積層体１
０表面に付着している水酸化鉄等のエッチング残さ等を
除去して表面を清浄にする（図２の工程Ａ）。その後積
層体１０を引き上げて水洗し、付着した希塩酸溶液を洗
い流す（工程Ｂ）。次いで積層体１０を２０Ｗ％チオ硫
酸化合物溶液に浸漬することによって、絶縁層１８の表
面のパラジウムイオン２０が不活性化されて触媒として
の機能を失うことになる（工程Ｃ）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁層の表面に
触媒を付与した後銅めっきを施し、この銅めっき層に回
路パターンを形成するプリント配線板の製造方法に関す
るものである。
触媒を付与した後銅めっきを施し、この銅めっき層に回
路パターンを形成するプリント配線板の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層の表面に銅めっきを施し、この銅
めっき層によって回路パターンを形成するアディティブ
法が公知である。
めっき層によって回路パターンを形成するアディティブ
法が公知である。
【０００３】このアディティブ法の１つとして、絶縁層
の表面全体に触媒を付与した後、無電解銅めっきおよび
電解銅めっきを施して銅めっき層を形成し、この銅めっ
き層にフォトエッチングによって回路パターンを形成す
るものがある。ここにフォトエッチングでは、回路パタ
ーンとなる部分だけをエッチングレジストで覆い、この
レジストのない部分すなわち回路パターン以外の部分だ
けをエッチングにより除去する。その後エッチングレジ
ストを除去するものである。
の表面全体に触媒を付与した後、無電解銅めっきおよび
電解銅めっきを施して銅めっき層を形成し、この銅めっ
き層にフォトエッチングによって回路パターンを形成す
るものがある。ここにフォトエッチングでは、回路パタ
ーンとなる部分だけをエッチングレジストで覆い、この
レジストのない部分すなわち回路パターン以外の部分だ
けをエッチングにより除去する。その後エッチングレジ
ストを除去するものである。
【０００４】ここで用いる触媒は、無電解銅めっきの前
処理として不導体である絶縁層表面を活性化するもので
あり、化学還元反応（Ｓｎ2+＋Ｐｄ2+→Ｓｎ4+＋Ｐｄ）
によってパラジウムを析出させ沈着させるものである。
処理として不導体である絶縁層表面を活性化するもので
あり、化学還元反応（Ｓｎ2+＋Ｐｄ2+→Ｓｎ4+＋Ｐｄ）
によってパラジウムを析出させ沈着させるものである。
【０００５】この従来方法によれば、回路パターン形成
後にエッチングレジストを剥がした部分に絶縁層表面が
現れるが、この絶縁層表面には前記の触媒が付与されて
いるため回路パターンの絶縁性が低下するという問題が
ある。また回路パターンの表面全体あるいはその一部、
例えばパッド部分には、はんだ付けの信頼性を向上させ
るために無電解Ｎｉ−Ａｕ（ニッケル−金）めっきなど
のめっき処理を行うことがあるが、回路パターン以外の
部分に前記の触媒が残っているとこの触媒が残った部分
にもＮｉ−Ａｕめっきが付着して絶縁性が一層悪くな
る。このため無電解Ｎｉ−Ａｕめっきなどを行うことが
できなかったり、回路パターンの表面処理の種類を決め
る際の選択自由度が小さくなるという問題もあった。
後にエッチングレジストを剥がした部分に絶縁層表面が
現れるが、この絶縁層表面には前記の触媒が付与されて
いるため回路パターンの絶縁性が低下するという問題が
ある。また回路パターンの表面全体あるいはその一部、
例えばパッド部分には、はんだ付けの信頼性を向上させ
るために無電解Ｎｉ−Ａｕ（ニッケル−金）めっきなど
のめっき処理を行うことがあるが、回路パターン以外の
部分に前記の触媒が残っているとこの触媒が残った部分
にもＮｉ−Ａｕめっきが付着して絶縁性が一層悪くな
る。このため無電解Ｎｉ−Ａｕめっきなどを行うことが
できなかったり、回路パターンの表面処理の種類を決め
る際の選択自由度が小さくなるという問題もあった。
【０００６】このためアディティブ法においては、めっ
きレジストを剥離した後、基板表面の不要なパラジウム
を除去しており、このパラジウム除去工程は、従来次の
ような方法で行われていた。
きレジストを剥離した後、基板表面の不要なパラジウム
を除去しており、このパラジウム除去工程は、従来次の
ような方法で行われていた。
【０００７】（１）基板をヨウ素、ヨウ化アンモニウム
溶液に浸漬し、パラジウムを溶解する方法。 （２）基板を過マンガン酸カリウム溶液に浸漬し、パラ
ジウムを溶解する方法。 （３）基板を硝酸と塩化第二鉄の混合溶液に浸漬し、パ
ラジウムを溶解する方法。 （４）ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）等の真
空排気装置を用いて、パラジウムを基板表面から離脱さ
せる方法。
溶液に浸漬し、パラジウムを溶解する方法。 （２）基板を過マンガン酸カリウム溶液に浸漬し、パラ
ジウムを溶解する方法。 （３）基板を硝酸と塩化第二鉄の混合溶液に浸漬し、パ
ラジウムを溶解する方法。 （４）ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）等の真
空排気装置を用いて、パラジウムを基板表面から離脱さ
せる方法。
【０００８】しかしながら、前述した従来のパラジウム
の除去方法には以下に示す問題点があった。 （１）ヨウ素、ヨウ化アンモニウム溶液に浸漬する方法
では、パラジウム溶解と同時に銅も溶解するため、配線
の細りや断線が発生しやすい。 （２）過マンガン酸カリウム溶液に浸漬する方法では、
樹脂基板を浸漬すると樹脂表面が酸化され、その表面が
微細な凹凸形状となる。この樹脂酸化がパラジウムの溶
解より速く進むため、樹脂酸化層の凹部に存在するパラ
ジウムに処理液が接触しにくく、部分的にパラジウム残
りが発生する。
の除去方法には以下に示す問題点があった。 （１）ヨウ素、ヨウ化アンモニウム溶液に浸漬する方法
では、パラジウム溶解と同時に銅も溶解するため、配線
の細りや断線が発生しやすい。 （２）過マンガン酸カリウム溶液に浸漬する方法では、
樹脂基板を浸漬すると樹脂表面が酸化され、その表面が
微細な凹凸形状となる。この樹脂酸化がパラジウムの溶
解より速く進むため、樹脂酸化層の凹部に存在するパラ
ジウムに処理液が接触しにくく、部分的にパラジウム残
りが発生する。
【０００９】（３）硝酸と塩化第二鉄の混合溶液に浸漬
する方法では、パラジウム溶解と同時に銅も溶解するた
め、配線の細りや断線が発生しやすい。また、硝酸と塩
化第二鉄の混合溶液のため、取扱いに危険を伴うと共に
作業環境上好ましくない。 （４）真空排気装置を用いる方法は、上記３種のウエッ
ト処理に比べ装置が高価なことや、処理できる基板枚数
に制限が生じ易いことから配線板製造コストが高くつ
く。
する方法では、パラジウム溶解と同時に銅も溶解するた
め、配線の細りや断線が発生しやすい。また、硝酸と塩
化第二鉄の混合溶液のため、取扱いに危険を伴うと共に
作業環境上好ましくない。 （４）真空排気装置を用いる方法は、上記３種のウエッ
ト処理に比べ装置が高価なことや、処理できる基板枚数
に制限が生じ易いことから配線板製造コストが高くつ
く。
【００１０】このような課題に鑑み近年提案されたパラ
ジウムの除去方法には、以下のようなものがある。 （１）基板を過マンガン酸カリウム溶液に浸漬した後、
芳香族ニトロ化合物、アミン化合物、アミノカルボン
酸、カルボン酸、水酸化ナトリウムを含む溶液に浸漬
し、パラジウムを除去する方法（特開平３−２５４１７
９号公報）。 （２）基板を過マンガン酸カリウム溶液に浸漬した後、
超音波水洗し、さらに硫酸ヒドロキシアンモニウム溶液
に浸漬し、パラジウムを除去する方法（特開平４−１７
９１９１号公報）。
ジウムの除去方法には、以下のようなものがある。 （１）基板を過マンガン酸カリウム溶液に浸漬した後、
芳香族ニトロ化合物、アミン化合物、アミノカルボン
酸、カルボン酸、水酸化ナトリウムを含む溶液に浸漬
し、パラジウムを除去する方法（特開平３−２５４１７
９号公報）。 （２）基板を過マンガン酸カリウム溶液に浸漬した後、
超音波水洗し、さらに硫酸ヒドロキシアンモニウム溶液
に浸漬し、パラジウムを除去する方法（特開平４−１７
９１９１号公報）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のパラジウムの除去方法にも以下に示す問題点がある。 （１）上記（１）の方法では、過マンガン酸カリウム溶
液に浸漬することで、基板表面に凹凸形状を有する樹脂
酸化層を形成し、次に芳香族ニトロ化合物、アミン化合
物、アミノカルボン酸、カルボン酸、水酸化ナトリウム
を含む溶液に浸漬することで、基板表面の樹脂酸化層と
共にパラジウムを除去するものであり、過マンガン酸カ
リウム溶液は基板表面を粗化するばかりか、高温処理と
なるので溶液からミストが発生し作業環境上好ましくな
い。
のパラジウムの除去方法にも以下に示す問題点がある。 （１）上記（１）の方法では、過マンガン酸カリウム溶
液に浸漬することで、基板表面に凹凸形状を有する樹脂
酸化層を形成し、次に芳香族ニトロ化合物、アミン化合
物、アミノカルボン酸、カルボン酸、水酸化ナトリウム
を含む溶液に浸漬することで、基板表面の樹脂酸化層と
共にパラジウムを除去するものであり、過マンガン酸カ
リウム溶液は基板表面を粗化するばかりか、高温処理と
なるので溶液からミストが発生し作業環境上好ましくな
い。
【００１２】（２）上記（２）の方法では、過マンガン
酸カリウム溶液に浸漬することで、基板表面に凹凸形状
を有する樹脂酸化層を形成し、次に基板を超音波水洗
し、さらに硫酸ヒドロキシアンモニウム溶液に浸漬する
ことで、基板表面のパラジウムを除去するものであり、
この方法においても過マンガン酸カリウム溶液は基板表
面を粗化するばかりか、高温処理となるので溶液からミ
ストが発生し作業環境上好ましくない。また、硫酸を用
いるため取扱いに危険を伴う。
酸カリウム溶液に浸漬することで、基板表面に凹凸形状
を有する樹脂酸化層を形成し、次に基板を超音波水洗
し、さらに硫酸ヒドロキシアンモニウム溶液に浸漬する
ことで、基板表面のパラジウムを除去するものであり、
この方法においても過マンガン酸カリウム溶液は基板表
面を粗化するばかりか、高温処理となるので溶液からミ
ストが発生し作業環境上好ましくない。また、硫酸を用
いるため取扱いに危険を伴う。
【００１３】
【発明の目的】本発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、絶縁層の表面に残留する触媒を不活性化す
ることによって触媒としての機能を無くし、絶縁層上へ
のメッキの析出を防止して回路パターンの絶縁性を向上
させ、製品の信頼性を上げることができ、また回路パタ
ーンの表面処理の種類を決める際に選択自由度を増やす
ことができるプリント配線板の製造方法を提供すること
を目的とする。
ものであり、絶縁層の表面に残留する触媒を不活性化す
ることによって触媒としての機能を無くし、絶縁層上へ
のメッキの析出を防止して回路パターンの絶縁性を向上
させ、製品の信頼性を上げることができ、また回路パタ
ーンの表面処理の種類を決める際に選択自由度を増やす
ことができるプリント配線板の製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの目的
は、絶縁層の表面に形成した銅めっき層により回路パタ
ーンを形成するアディティブ法によるプリント配線板の
製造方法において、前記回路パターンを形成した後、希
塩酸溶液とチオ硫酸化合物溶液を用いて絶縁層の表面に
残留する触媒たるパラジウムを不活性化することを特徴
とするプリント配線板の製造方法、により達成される。
は、絶縁層の表面に形成した銅めっき層により回路パタ
ーンを形成するアディティブ法によるプリント配線板の
製造方法において、前記回路パターンを形成した後、希
塩酸溶液とチオ硫酸化合物溶液を用いて絶縁層の表面に
残留する触媒たるパラジウムを不活性化することを特徴
とするプリント配線板の製造方法、により達成される。
【００１５】パラジウムの不活性化は、液温２０乃至３
０℃好ましくは２５℃の希塩酸溶液中に１乃至５分間好
ましくは３分間浸漬した後水洗いし、続いて液温２０乃
至３０℃のチオ硫酸化合物溶液へ４乃至１０分間好まし
くは６分間浸漬することにより行われる。ここに用いる
チオ硫酸化合物は、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリ
ウムまたはチオ硫酸アンモニウムが適する。
０℃好ましくは２５℃の希塩酸溶液中に１乃至５分間好
ましくは３分間浸漬した後水洗いし、続いて液温２０乃
至３０℃のチオ硫酸化合物溶液へ４乃至１０分間好まし
くは６分間浸漬することにより行われる。ここに用いる
チオ硫酸化合物は、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリ
ウムまたはチオ硫酸アンモニウムが適する。
【００１６】
【作用】上記構成の本発明になるプリント配線板の製造
方法は、パラジウムの除去工程において、希塩酸溶液に
浸漬することで、プリント配線板表面に付着している水
酸化鉄等のエッチング残さ等を除去して表面を清浄にし
た後、チオ硫酸化合物溶液に浸漬することにより、チオ
硫酸化合物溶液（ＸＳ2Ｏ3）の硫黄イオン（Ｓ）がパラ
ジウムイオン（Ｐｄ）と結合して硫化パラジウム（Ｐｄ
Ｓ）となる。この硫化パラジウムは安定した化合物であ
るため、パラジウムは不活性化され金属としての性質を
失うので触媒としての機能を無効化すことができ、不要
部分へのメッキの析出を防止することができる。
方法は、パラジウムの除去工程において、希塩酸溶液に
浸漬することで、プリント配線板表面に付着している水
酸化鉄等のエッチング残さ等を除去して表面を清浄にし
た後、チオ硫酸化合物溶液に浸漬することにより、チオ
硫酸化合物溶液（ＸＳ2Ｏ3）の硫黄イオン（Ｓ）がパラ
ジウムイオン（Ｐｄ）と結合して硫化パラジウム（Ｐｄ
Ｓ）となる。この硫化パラジウムは安定した化合物であ
るため、パラジウムは不活性化され金属としての性質を
失うので触媒としての機能を無効化すことができ、不要
部分へのメッキの析出を防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態のプ
リント配線板の製造工程における回路形成までの工程を
示す図である。まず積層体１０を作る（工程Ａ）。この
積層体１０は、絶縁板１２の両面にコア層となる第２層
１４および第３層１６の回路パターンを形成し、これら
の両面に他の絶縁層１８、１８を積層または絶縁樹脂を
塗布したものである。
リント配線板の製造工程における回路形成までの工程を
示す図である。まず積層体１０を作る（工程Ａ）。この
積層体１０は、絶縁板１２の両面にコア層となる第２層
１４および第３層１６の回路パターンを形成し、これら
の両面に他の絶縁層１８、１８を積層または絶縁樹脂を
塗布したものである。
【００１８】ここに第２、３層１４、１６の形成は、公
知の方法による。例えば絶縁板１２の両面に銅箔を張
り、この銅箔に写真法あるいは印刷法によりエッチング
レジストを形成し、エッチングすることにより形成する
ことができる。絶縁層１８はプリプレグを圧着したり、
樹脂板を接着したり絶縁樹脂を塗布することにより形成
することができる。この積層体１０には適宜スルーホー
ル用やビアホール用の小孔（図示せず）を加工する。こ
の加工はドリルや、径を絞ったレーザー例えばガスレー
ザーを用いて行うことができる。
知の方法による。例えば絶縁板１２の両面に銅箔を張
り、この銅箔に写真法あるいは印刷法によりエッチング
レジストを形成し、エッチングすることにより形成する
ことができる。絶縁層１８はプリプレグを圧着したり、
樹脂板を接着したり絶縁樹脂を塗布することにより形成
することができる。この積層体１０には適宜スルーホー
ル用やビアホール用の小孔（図示せず）を加工する。こ
の加工はドリルや、径を絞ったレーザー例えばガスレー
ザーを用いて行うことができる。
【００１９】次に積層体１０に触媒たるパラジウム２０
が付与される（図１の工程Ｂ）。この処理は、第二スズ
イオン（Ｓｎ4+）がパラジウム金属の周囲に保護コロイ
ドを形成したパラジウムのコロイド溶液に浸漬すること
により、パラジウム金属を積層体１０の表面およびスル
ーホール用やビアホール用の小孔の内壁面に沈着させる
ものである。
が付与される（図１の工程Ｂ）。この処理は、第二スズ
イオン（Ｓｎ4+）がパラジウム金属の周囲に保護コロイ
ドを形成したパラジウムのコロイド溶液に浸漬すること
により、パラジウム金属を積層体１０の表面およびスル
ーホール用やビアホール用の小孔の内壁面に沈着させる
ものである。
【００２０】この積層体１０は次に無電解銅めっき浴に
浸漬され、その後電解銅めっき浴に入れられて所定厚さ
の銅めっき層２２が形成される（図１の工程Ｃ）。この
銅めっき層２２には回路パターン２４が形成される（工
程Ｄ）。この回路形成は、写真法や印刷法によればよ
い。写真法ではドライフォトフィルムを張ったりフォト
レジストインクを塗布した後回路パターンを露光し、不
用なドライフィルムやインクを除去してからエッチング
を行う。印刷法では回路パターンを形成したスクリーン
の上からインクをしごいて絶縁層１８の表面に回路パタ
ーンを印刷し、エッチングを行う。
浸漬され、その後電解銅めっき浴に入れられて所定厚さ
の銅めっき層２２が形成される（図１の工程Ｃ）。この
銅めっき層２２には回路パターン２４が形成される（工
程Ｄ）。この回路形成は、写真法や印刷法によればよ
い。写真法ではドライフォトフィルムを張ったりフォト
レジストインクを塗布した後回路パターンを露光し、不
用なドライフィルムやインクを除去してからエッチング
を行う。印刷法では回路パターンを形成したスクリーン
の上からインクをしごいて絶縁層１８の表面に回路パタ
ーンを印刷し、エッチングを行う。
【００２１】このようにエッチングした後にドライフィ
ルムやインクを除去して回路パターン２４を形成する
と、ドライフィルムやインクを除去した絶縁層１８の表
面に、前記のパラジウム２０が現れてくる（図１の工程
Ｄ参照）。
ルムやインクを除去して回路パターン２４を形成する
と、ドライフィルムやインクを除去した絶縁層１８の表
面に、前記のパラジウム２０が現れてくる（図１の工程
Ｄ参照）。
【００２２】次に、図２を参照してパラジウム不活性化
処理工程を説明する。この発明ではパラジウム２０が現
れた積層体１０を、まず、液温２０乃至３０℃好ましく
は２５℃の希塩酸溶液（６Ｎ−ＨＣｌ）中に１乃至５分
間好ましくは３分間浸漬し、積層体１０表面に付着して
いる水酸化鉄等のエッチング残さ等を除去して表面を清
浄にする（図２の工程Ａ）。ここで使用する希塩酸溶液
は、濃塩酸（１２Ｎ−ＨＣｌ）を６Ｎ−ＨＣｌに希釈し
たものが用いられる。
処理工程を説明する。この発明ではパラジウム２０が現
れた積層体１０を、まず、液温２０乃至３０℃好ましく
は２５℃の希塩酸溶液（６Ｎ−ＨＣｌ）中に１乃至５分
間好ましくは３分間浸漬し、積層体１０表面に付着して
いる水酸化鉄等のエッチング残さ等を除去して表面を清
浄にする（図２の工程Ａ）。ここで使用する希塩酸溶液
は、濃塩酸（１２Ｎ−ＨＣｌ）を６Ｎ−ＨＣｌに希釈し
たものが用いられる。
【００２３】その後積層体１０を引き上げて水洗し、付
着した希塩酸溶液を洗い流す（工程Ｂ）。次いで水をよ
く切った積層体１０を、水に２０重量％溶解した液温２
０乃至３０℃のチオ硫酸化合物溶液（２０Ｗ％ＸＳ２Ｏ
３（ここでＸはチオ硫酸と結合する基である）に４乃至
１０分間好ましくは６分間浸漬することによって、絶縁
層１８の表面のパラジウムイオン（Ｐｄ）２０がチオ硫
酸化合物溶液（ ＸＳ2Ｏ3 ）の硫黄イオン（Ｓ）と結合
して硫化パラジウム（ＰｄＳ）と亜硫酸化合物（ＸＳＯ
3 ）となり、パラジウムイオンが不活性化されて触媒と
しての機能を失うことになる（工程Ｃ）。
着した希塩酸溶液を洗い流す（工程Ｂ）。次いで水をよ
く切った積層体１０を、水に２０重量％溶解した液温２
０乃至３０℃のチオ硫酸化合物溶液（２０Ｗ％ＸＳ２Ｏ
３（ここでＸはチオ硫酸と結合する基である）に４乃至
１０分間好ましくは６分間浸漬することによって、絶縁
層１８の表面のパラジウムイオン（Ｐｄ）２０がチオ硫
酸化合物溶液（ ＸＳ2Ｏ3 ）の硫黄イオン（Ｓ）と結合
して硫化パラジウム（ＰｄＳ）と亜硫酸化合物（ＸＳＯ
3 ）となり、パラジウムイオンが不活性化されて触媒と
しての機能を失うことになる（工程Ｃ）。
【００２４】ここで使用するチオ硫酸化合物溶液として
は、チオ硫酸ナトリウム（Ｎａ2Ｓ2Ｏ3）、チオ硫酸カ
リウム（Ｋ2Ｓ2Ｏ3）、チオ硫酸アンモニウム（（Ｎ
Ｈ4）2Ｓ2Ｏ3）等が用いられる。チオ硫酸化合物として
チオ硫酸ナトリウムを用いた場合の化学反応式を示すと
次のとおりである。Ｎａ2Ｓ2Ｏ3 ＋ Ｐｄ → Ｎａ2ＳＯ
3 ＋ ＰｄＳなお、チオ硫酸化合物浴においては、溶液
を弱く撹拌するか積層体１０を揺動させると反応が促進
され効果的である。
は、チオ硫酸ナトリウム（Ｎａ2Ｓ2Ｏ3）、チオ硫酸カ
リウム（Ｋ2Ｓ2Ｏ3）、チオ硫酸アンモニウム（（Ｎ
Ｈ4）2Ｓ2Ｏ3）等が用いられる。チオ硫酸化合物として
チオ硫酸ナトリウムを用いた場合の化学反応式を示すと
次のとおりである。Ｎａ2Ｓ2Ｏ3 ＋ Ｐｄ → Ｎａ2ＳＯ
3 ＋ ＰｄＳなお、チオ硫酸化合物浴においては、溶液
を弱く撹拌するか積層体１０を揺動させると反応が促進
され効果的である。
【００２５】上述のごとき処理方法で、絶縁抵抗値の異
なる回路間隔が４０ミクロンの積層体１０の試験片６片
を処理したところ、次のごとくいずれも無限大の絶縁抵
抗値が得られた。 （１） 処理前絶縁抵抗値 １７３ＫΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （２） 処理前絶縁抵抗値 ２３２ＫΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （３） 処理前絶縁抵抗値 ０．７ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （４） 処理前絶縁抵抗値 １．０ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （５） 処理前絶縁抵抗値 １．２ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （６） 処理前絶縁抵抗値 １．５ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞
なる回路間隔が４０ミクロンの積層体１０の試験片６片
を処理したところ、次のごとくいずれも無限大の絶縁抵
抗値が得られた。 （１） 処理前絶縁抵抗値 １７３ＫΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （２） 処理前絶縁抵抗値 ２３２ＫΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （３） 処理前絶縁抵抗値 ０．７ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （４） 処理前絶縁抵抗値 １．０ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （５） 処理前絶縁抵抗値 １．２ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞ （６） 処理前絶縁抵抗値 １．５ＭΩ → 処理後絶縁抵抗値 ∞
【００２６】この実験結果からも明らかなように、本処
理を行うことによって絶縁層１８の表面の絶縁性が向上
し、製品の信頼性が増大する。また回路パターン２４の
全面や一部例えば部品実装用パッドなどに無電解Ｎｉ−
Ａｕめっきを施す場合に、絶縁層１８の回路パターン２
４の間に露出した部分にこのめっきが付着せず、良好な
絶縁性が得られ製品の信頼性が向上する。この実施形態
では回路を４層にした積層体１０を用いているが、本発
明はこれに限定されない。
理を行うことによって絶縁層１８の表面の絶縁性が向上
し、製品の信頼性が増大する。また回路パターン２４の
全面や一部例えば部品実装用パッドなどに無電解Ｎｉ−
Ａｕめっきを施す場合に、絶縁層１８の回路パターン２
４の間に露出した部分にこのめっきが付着せず、良好な
絶縁性が得られ製品の信頼性が向上する。この実施形態
では回路を４層にした積層体１０を用いているが、本発
明はこれに限定されない。
【００２７】
【発明の効果】本発明は以上のように、回路パターンを
形成した積層体を希塩酸溶液とチオ硫酸化合物溶液に浸
漬して絶縁層の表面に残留する触媒たるパラジウムを不
活性化するものであり、これらの溶液は配線を侵蝕しな
いので配線の細りや断線が発生せず、また絶縁層表面を
も粗らすことなく回路パターンの絶縁性を向上させるこ
とができる。このため高精細かつ高信頼性のプリント配
線板を得ることができる。また、危険な薬品を使用しな
いので、作業環境が向上する。
形成した積層体を希塩酸溶液とチオ硫酸化合物溶液に浸
漬して絶縁層の表面に残留する触媒たるパラジウムを不
活性化するものであり、これらの溶液は配線を侵蝕しな
いので配線の細りや断線が発生せず、また絶縁層表面を
も粗らすことなく回路パターンの絶縁性を向上させるこ
とができる。このため高精細かつ高信頼性のプリント配
線板を得ることができる。また、危険な薬品を使用しな
いので、作業環境が向上する。
【００２６】さらに、回路パターンに無電解Ｎｉ−Ａｕ
めっきなどのめっき処理を施す場合にも、表面の触媒が
不活性化されているので絶縁層部分にこのめっきが付着
することがない。このため回路パターンの表面に別のめ
っき処理を施す場合に、絶縁性が低下することがなく、
回路パターンの表面処理の種類を選定する際の自由度が
増えるという効果も得られる。
めっきなどのめっき処理を施す場合にも、表面の触媒が
不活性化されているので絶縁層部分にこのめっきが付着
することがない。このため回路パターンの表面に別のめ
っき処理を施す場合に、絶縁性が低下することがなく、
回路パターンの表面処理の種類を選定する際の自由度が
増えるという効果も得られる。
【図１】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造工
程における回路形成までの工程を示す図である。
程における回路形成までの工程を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造工
程におけるパラジウム不活性化処理工程を示す図であ
る。
程におけるパラジウム不活性化処理工程を示す図であ
る。
１０ 積層体 １２、１８ 絶縁層 １４、１６ 内層（第２、３層）回路パターン ２０ パラジウム（触媒） ２２ 銅めっき層 ２４ 外層回路パターン ２６ 希塩酸溶液 ２８ 水 ３０ チオ硫酸化合物溶液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E343 AA07 BB24 BB67 CC38 CC46 CC73 DD33 DD76 EE02 EE06 ER18 GG14
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁層の表面に形成した銅めっき層によ
り回路パターンを形成するアディティブ法によるプリン
ト配線板の製造方法において、前記回路パターンを形成
した後、希塩酸溶液とチオ硫酸化合物溶液を用いて絶縁
層の表面に残留する触媒たるパラジウムを不活性化する
ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 【請求項２】 パラジウムの不活性化は、液温２０乃至
３０℃の希塩酸溶液中に１乃至５分間浸漬した後水洗い
し、続いて液温２０乃至３０℃のチオ硫酸化合物溶液へ
４乃至１０分間浸漬することを特徴とする請求項１のプ
リント配線板の製造方法。 - 【請求項３】 チオ硫酸化合物が、チオ硫酸ナトリウ
ム、チオ硫酸カリウムまたはチオ硫酸アンモニウムであ
ることを特徴とする請求項１または請求項２のプリント
配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218503A JP2000036653A (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218503A JP2000036653A (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000036653A true JP2000036653A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16720956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10218503A Pending JP2000036653A (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000036653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7056448B2 (en) | 2002-05-20 | 2006-06-06 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Method for forming circuit pattern |
-
1998
- 1998-07-16 JP JP10218503A patent/JP2000036653A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7056448B2 (en) | 2002-05-20 | 2006-06-06 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Method for forming circuit pattern |
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