JP2000031776A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波装置において、弾性表面波装置の
動作に影響を与えることなく、腐食防止膜としての効果
を発揮でき、さらに、電極間短絡を防止することができ
るアモルファス・カーボン層を電極の表面に形成する。
これによって、弾性表面波装置の小型化を計る。 【解決手段】 圧電基板１の上に形成された電極５，６
の表面および圧電基板１の表面を質量の小さいアモルフ
ァス・カーボン層３で被覆する。このアモルファス・カ
ーボン被膜は、圧電基板の表面の電極を形成した後、反
応気体（メタン）を用いて、化学蒸着（ＣＶＤ）法によ
って、圧電基板の所定の下地温度、雰囲気の所定の圧力
条件で、電極および圧電基板の表面に形成される。
動作に影響を与えることなく、腐食防止膜としての効果
を発揮でき、さらに、電極間短絡を防止することができ
るアモルファス・カーボン層を電極の表面に形成する。
これによって、弾性表面波装置の小型化を計る。 【解決手段】 圧電基板１の上に形成された電極５，６
の表面および圧電基板１の表面を質量の小さいアモルフ
ァス・カーボン層３で被覆する。このアモルファス・カ
ーボン被膜は、圧電基板の表面の電極を形成した後、反
応気体（メタン）を用いて、化学蒸着（ＣＶＤ）法によ
って、圧電基板の所定の下地温度、雰囲気の所定の圧力
条件で、電極および圧電基板の表面に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置に
関するものであり、特に、電極間短絡を防止すると共
に、電極表面の腐食が生じにくい弾性表面波装置に関す
る。
関するものであり、特に、電極間短絡を防止すると共
に、電極表面の腐食が生じにくい弾性表面波装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の弾性表面波装置および本
発明で用いられる典型的な弾性表面波装置の概略斜視図
である。図５において、１は圧電基板、４は圧電基板１
の上に形成されたすだれ状電極指、５は圧電基板１の上
に形成された入力側電極であり、６は、圧電基板１の上
に形成された出力側電極であり、７は接地電極、８は格
子状反射器である。
発明で用いられる典型的な弾性表面波装置の概略斜視図
である。図５において、１は圧電基板、４は圧電基板１
の上に形成されたすだれ状電極指、５は圧電基板１の上
に形成された入力側電極であり、６は、圧電基板１の上
に形成された出力側電極であり、７は接地電極、８は格
子状反射器である。
【０００３】図６は、例えば、特開昭６０−２４４１０
８号公報に示された従来の弾性表面波装置を示す断面図
である。図６は、図５のＡ−Ｂ線で切断した断面図を示
す。図６において、１は、例えば、水晶、ニオブ酸リチ
ウムなどの圧電特性を有する圧電基板、４は圧電基板１
の上に形成されたアルミニウム材料のすだれ状電極指、
９は、すだれ状電極指４の表面に形成されたアルミニウ
ム酸化膜またはアルミニウム窒化膜の絶縁体層である。
８号公報に示された従来の弾性表面波装置を示す断面図
である。図６は、図５のＡ−Ｂ線で切断した断面図を示
す。図６において、１は、例えば、水晶、ニオブ酸リチ
ウムなどの圧電特性を有する圧電基板、４は圧電基板１
の上に形成されたアルミニウム材料のすだれ状電極指、
９は、すだれ状電極指４の表面に形成されたアルミニウ
ム酸化膜またはアルミニウム窒化膜の絶縁体層である。
【０００４】図７は、同じく、特開昭６０−２４４１０
８号公報に示された従来の弾性表面波装置を示す断面図
である。図において、１０は絶縁体層９の表面および圧
電基板１の表面を更に被覆するＳｉＯ2、ＳｉＣ、窒化
シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔａからなる
絶縁物である。
８号公報に示された従来の弾性表面波装置を示す断面図
である。図において、１０は絶縁体層９の表面および圧
電基板１の表面を更に被覆するＳｉＯ2、ＳｉＣ、窒化
シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔａからなる
絶縁物である。
【０００５】次に、従来の図６および図７に示す弾性表
面波装置の機能について説明する。図６に示す弾性表面
波装置においては、圧電基板１のすだれ状電極指４の表
面に絶縁体層９を形成したことにより、ハーメチックシ
ールのメッキ剥離物やその他の導電性異物がすだれ状電
極指４間に入り電極間短絡を起こす現象を防止できる。
面波装置の機能について説明する。図６に示す弾性表面
波装置においては、圧電基板１のすだれ状電極指４の表
面に絶縁体層９を形成したことにより、ハーメチックシ
ールのメッキ剥離物やその他の導電性異物がすだれ状電
極指４間に入り電極間短絡を起こす現象を防止できる。
【０００６】図７の弾性表面波装置においては、さらに
前記絶縁体層９の表面および圧電基板１の表面全てに絶
縁物１０を被覆したことにより、すだれ状電極指４間に
おいて、ハーメチックシールのメッキ剥離物やその他の
導電性異物がすだれ状電極指４間に入り、電極間短絡を
起こす現象をさらに完全に防止できる。
前記絶縁体層９の表面および圧電基板１の表面全てに絶
縁物１０を被覆したことにより、すだれ状電極指４間に
おいて、ハーメチックシールのメッキ剥離物やその他の
導電性異物がすだれ状電極指４間に入り、電極間短絡を
起こす現象をさらに完全に防止できる。
【０００７】また、図８は、例えば、特開平９−２９４
０４４号公報に示された従来の弾性表面波装置の平面図
である。図８において、５，６は、それぞれ圧電基板１
の上に形成された入力電極、および出力電極、４はすだ
れ電極指である。第９は、図８のＣ−Ｄ線断面図であ
る。図９において、入力電極５および出力電極６のすだ
れ電極指４は、圧電基板１の上に形成されている。すだ
れ電極指４を含む入力電極５および出力電極６は陽極酸
化によってその表面に酸化アルミニウム９が形成され
る。この酸化アルミニウム９は入出力電極５，６の腐食
防止膜としての効果および電極間短絡を防止する効果を
発揮する。
０４４号公報に示された従来の弾性表面波装置の平面図
である。図８において、５，６は、それぞれ圧電基板１
の上に形成された入力電極、および出力電極、４はすだ
れ電極指である。第９は、図８のＣ−Ｄ線断面図であ
る。図９において、入力電極５および出力電極６のすだ
れ電極指４は、圧電基板１の上に形成されている。すだ
れ電極指４を含む入力電極５および出力電極６は陽極酸
化によってその表面に酸化アルミニウム９が形成され
る。この酸化アルミニウム９は入出力電極５，６の腐食
防止膜としての効果および電極間短絡を防止する効果を
発揮する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の弾性表面波装置
は、圧電基板上に形成された電極および電極間には絶縁
体層や絶縁物が形成されているが、それらは、酸化アル
ミニウム、アルミニウム窒化膜、ＳｉＯ2、ＳｉＣ、窒
化シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔａ等から
なる絶縁物を用いている。しかしながら、これらの絶縁
物は、質量が大きく、そのために、弾性表面波装置の動
作中に特性が変化する欠点があった。
は、圧電基板上に形成された電極および電極間には絶縁
体層や絶縁物が形成されているが、それらは、酸化アル
ミニウム、アルミニウム窒化膜、ＳｉＯ2、ＳｉＣ、窒
化シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔａ等から
なる絶縁物を用いている。しかしながら、これらの絶縁
物は、質量が大きく、そのために、弾性表面波装置の動
作中に特性が変化する欠点があった。
【０００９】本発明の目的は、上記のような問題点を解
消し、弾性表面波の特性の変化しない弾性表面波装置を
提供することにある。さらに、電極間短絡を防止すると
共に、電極の腐食を防止できるので、高価なパッケージ
を使うことなく、小型の弾性表面波装置を提供すること
にある。
消し、弾性表面波の特性の変化しない弾性表面波装置を
提供することにある。さらに、電極間短絡を防止すると
共に、電極の腐食を防止できるので、高価なパッケージ
を使うことなく、小型の弾性表面波装置を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明の弾
性波表面装置は、圧電性を有する圧電基板、圧電基板の
上に形成された入力電極、出力電極、接地電極および格
子電極を備え、電極表面および電極が形成された領域以
外の圧電基板表面をアモルファス・カーボン層で覆うよ
うに構成される。
性波表面装置は、圧電性を有する圧電基板、圧電基板の
上に形成された入力電極、出力電極、接地電極および格
子電極を備え、電極表面および電極が形成された領域以
外の圧電基板表面をアモルファス・カーボン層で覆うよ
うに構成される。
【００１１】本発明の第２の発明の弾性波表面装置は、
圧電性を有する圧電基板、圧電基板の上に形成された入
力電極、出力電極、接地電極および格子電極を備え、そ
れらの電極表面をアモルファス・カーボン層で覆うよう
に構成される。
圧電性を有する圧電基板、圧電基板の上に形成された入
力電極、出力電極、接地電極および格子電極を備え、そ
れらの電極表面をアモルファス・カーボン層で覆うよう
に構成される。
【００１２】本発明の第３の発明のアモルファス・カー
ボン被膜形成方法は、圧電基板にスパッタ装置で電極材
料を均一に成膜した後、その成膜上に入出力電極、接地
電極および格子状反射器のパターンを写真製版方法によ
り形成するステップと、電極が形成されるパターン部分
をレジストで保護し、その他の部分のレジストを除去
し、レジストが除去された部分をエッチングによって除
去し、電極部分を形成するステップと、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）法を用いて、全ての電極および圧電基板の表面に所
定の反応気体を用いて、圧電基板の所定の下地温度、雰
囲気の所定の圧力条件で、アモルファス・カーボンを被
覆するステップとを有するように構成される。
ボン被膜形成方法は、圧電基板にスパッタ装置で電極材
料を均一に成膜した後、その成膜上に入出力電極、接地
電極および格子状反射器のパターンを写真製版方法によ
り形成するステップと、電極が形成されるパターン部分
をレジストで保護し、その他の部分のレジストを除去
し、レジストが除去された部分をエッチングによって除
去し、電極部分を形成するステップと、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）法を用いて、全ての電極および圧電基板の表面に所
定の反応気体を用いて、圧電基板の所定の下地温度、雰
囲気の所定の圧力条件で、アモルファス・カーボンを被
覆するステップとを有するように構成される。
【００１３】本発明の第４の発明のアモルファス・カー
ボン被膜形成方法は、第３の発明によって形成されたア
モルファス・カーボン被膜上に、アモルファス・カーボ
ン層を残したい部分にレジストを写真製版によって形成
するステップと、反応性イオンエッチングを用いたドラ
イエッチングにより、レジストがない部分をエッチング
除去するステップと、レジストを現像によって剥離除去
して、圧電基板表面上のアモルファス・カーボンを除去
し電極表面のアモルファス・カーボンを残すステップと
を有するように構成される。
ボン被膜形成方法は、第３の発明によって形成されたア
モルファス・カーボン被膜上に、アモルファス・カーボ
ン層を残したい部分にレジストを写真製版によって形成
するステップと、反応性イオンエッチングを用いたドラ
イエッチングにより、レジストがない部分をエッチング
除去するステップと、レジストを現像によって剥離除去
して、圧電基板表面上のアモルファス・カーボンを除去
し電極表面のアモルファス・カーボンを残すステップと
を有するように構成される。
【００１４】本発明の第５の発明のアモルファス・カー
ボン被膜形成方法は、反応気体にメタンを用いるように
構成される。
ボン被膜形成方法は、反応気体にメタンを用いるように
構成される。
【００１５】本発明の第６の発明のアモルファス・カー
ボン被膜形成方法は、圧電基板の所定の下地温度は８０
０゜Ｃ、雰囲気の所定の圧力は１０〜１０００Ｐａで処
理されるように構成される。
ボン被膜形成方法は、圧電基板の所定の下地温度は８０
０゜Ｃ、雰囲気の所定の圧力は１０〜１０００Ｐａで処
理されるように構成される。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明の第１の実
施の形態を図１を用いて説明する。図１は、図５の弾性
表面波装置のＡ−Ｂ断面図である。図１において、１
は、水晶、Ｔａ０3、ＬｉＮｂ、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＺｎＯ等
から構成される圧電基板、４は圧電基板１の表面に形成
されたすだれ電極指、３はすだれ電極指４の表面を覆う
非結晶状態（無定型状態）であるアモルファス・カーボ
ン層である。図１におけるアモルファス・カーボン層３
は、図５における入力電極部５および出力電極部６を構
成するすだれ状電極指４のみならず、圧電基板１表面の
すべてを被覆する。さらに、アモルファス・カーボン
は、接地電極７の表面および格子状反射器８を構成する
すだれ電極指の表面をも同様に覆うが、図１では図面を
簡単にするためにその部分については省略してある。
施の形態を図１を用いて説明する。図１は、図５の弾性
表面波装置のＡ−Ｂ断面図である。図１において、１
は、水晶、Ｔａ０3、ＬｉＮｂ、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＺｎＯ等
から構成される圧電基板、４は圧電基板１の表面に形成
されたすだれ電極指、３はすだれ電極指４の表面を覆う
非結晶状態（無定型状態）であるアモルファス・カーボ
ン層である。図１におけるアモルファス・カーボン層３
は、図５における入力電極部５および出力電極部６を構
成するすだれ状電極指４のみならず、圧電基板１表面の
すべてを被覆する。さらに、アモルファス・カーボン
は、接地電極７の表面および格子状反射器８を構成する
すだれ電極指の表面をも同様に覆うが、図１では図面を
簡単にするためにその部分については省略してある。
【００１７】図３は、弾性表面波装置においてアモルフ
ァス・カーボン層を電極の表面および圧電基板１の表面
に形成するプロセスを示す図である。図３（Ａ）におい
て、圧電基板１の表面にスパッタ装置で電極材料を均一
に成膜した後、写真製版方法によりその成膜上に入出力
電極５，６、接地電極７および格子状反射器８のパター
ンを形成する。次に、電極が形成されるパターン部分を
レジストで保護し、その他の部分のレジストを除去す
る。レジストが除去された部分をエッチングによって除
去し、電極部分を形成する。
ァス・カーボン層を電極の表面および圧電基板１の表面
に形成するプロセスを示す図である。図３（Ａ）におい
て、圧電基板１の表面にスパッタ装置で電極材料を均一
に成膜した後、写真製版方法によりその成膜上に入出力
電極５，６、接地電極７および格子状反射器８のパター
ンを形成する。次に、電極が形成されるパターン部分を
レジストで保護し、その他の部分のレジストを除去す
る。レジストが除去された部分をエッチングによって除
去し、電極部分を形成する。
【００１８】図３（Ｂ）において、化学蒸着（ＣＶＤ）
法を用いて、全ての電極５，６，７，８および圧電基板
１の表面に、反応気体（メタン）を用いて、圧電基板１
の下地温度：８００゜Ｃ、雰囲気の圧力：１０〜１００
０Ｐａの条件で、アモルファス・カーボンを被覆する。
このようにして、図２に示すようなアモルファス・カー
ボン被膜が得られる。アモルファス・カーボンの被膜の
厚さは１０〜１００００オングストロームである。アモ
ルファス・カーボン被覆は、化学蒸着（ＣＶＤ）法以外
のイオンビーム蒸着法やスパッタ法を用いても同様に生
成可能である。アモルファス・カーボンはダイヤモンド
ライクカーボンともいい、緻密な膜ができることで、腐
食防止に効果を発揮できる点に特徴がある。
法を用いて、全ての電極５，６，７，８および圧電基板
１の表面に、反応気体（メタン）を用いて、圧電基板１
の下地温度：８００゜Ｃ、雰囲気の圧力：１０〜１００
０Ｐａの条件で、アモルファス・カーボンを被覆する。
このようにして、図２に示すようなアモルファス・カー
ボン被膜が得られる。アモルファス・カーボンの被膜の
厚さは１０〜１００００オングストロームである。アモ
ルファス・カーボン被覆は、化学蒸着（ＣＶＤ）法以外
のイオンビーム蒸着法やスパッタ法を用いても同様に生
成可能である。アモルファス・カーボンはダイヤモンド
ライクカーボンともいい、緻密な膜ができることで、腐
食防止に効果を発揮できる点に特徴がある。
【００１９】アモルファス・カーボンは、従来の酸化ア
ルミニウム、またはアルミニウム窒化膜、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＣ、窒化シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔ
ａからなる絶縁物と比べ質量が小さい。このため入出力
電極５，６の表面および圧電基板１表面の全体をアモル
ファス・カーボンで覆っても弾性表面波装置の動作に影
響を与えることなく、腐食防止膜としての効果も発揮で
きる。従って、従来のように弾性表面波装置全体をセラ
ミックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面波装
置を小型化することができる。
ルミニウム、またはアルミニウム窒化膜、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＣ、窒化シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔ
ａからなる絶縁物と比べ質量が小さい。このため入出力
電極５，６の表面および圧電基板１表面の全体をアモル
ファス・カーボンで覆っても弾性表面波装置の動作に影
響を与えることなく、腐食防止膜としての効果も発揮で
きる。従って、従来のように弾性表面波装置全体をセラ
ミックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面波装
置を小型化することができる。
【００２０】実施の形態２．本発明の第２の実施の形態
を図２を用いて説明する。図２は、図５の弾性表面波装
置のＡ−Ｂ断面図である。図２において、１は、水晶、
Ｔａ０3、ＬｉＮｂ、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＺｎＯ等から構成さ
れる圧電基板、４は圧電基板１の表面に形成されたすだ
れ電極指、３はすだれ電極指４の表面を覆う非結晶状態
（無定型状態）であるアモルファス・カーボン層であ
る。図２におけるアモルファス・カーボン層３は、図５
における入力電極部５および出力電極部６を構成するす
だれ状電極指４を被覆する。さらに、アモルファス・カ
ーボンは、接地電極７の表面および格子状反射器８を構
成するすだれ電極指の表面をも同様に覆うが、図２では
図面を簡単にするためにその部分については省略してあ
る。
を図２を用いて説明する。図２は、図５の弾性表面波装
置のＡ−Ｂ断面図である。図２において、１は、水晶、
Ｔａ０3、ＬｉＮｂ、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＺｎＯ等から構成さ
れる圧電基板、４は圧電基板１の表面に形成されたすだ
れ電極指、３はすだれ電極指４の表面を覆う非結晶状態
（無定型状態）であるアモルファス・カーボン層であ
る。図２におけるアモルファス・カーボン層３は、図５
における入力電極部５および出力電極部６を構成するす
だれ状電極指４を被覆する。さらに、アモルファス・カ
ーボンは、接地電極７の表面および格子状反射器８を構
成するすだれ電極指の表面をも同様に覆うが、図２では
図面を簡単にするためにその部分については省略してあ
る。
【００２１】図４は、弾性表面波装置においてアモルフ
ァス・カーボン層を電極の表面に形成するプロセスを示
す図である。図４（Ａ）において、図３（Ｂ）において
得られたアモルファス・カーボン被膜上に、アモルファ
ス・カーボン層を残したい部分にレジストを写真製版に
よって形成する。次に、図４（Ｂ）において、反応性イ
オンエッチングを用いたドライエッチングにより、レジ
ストがない部分をエッチング除去する。次に、図４
（Ｃ）において、レジスト１２を現像によって剥離除去
して、圧電基板１上のアモルファス・カーボンを除去す
る。
ァス・カーボン層を電極の表面に形成するプロセスを示
す図である。図４（Ａ）において、図３（Ｂ）において
得られたアモルファス・カーボン被膜上に、アモルファ
ス・カーボン層を残したい部分にレジストを写真製版に
よって形成する。次に、図４（Ｂ）において、反応性イ
オンエッチングを用いたドライエッチングにより、レジ
ストがない部分をエッチング除去する。次に、図４
（Ｃ）において、レジスト１２を現像によって剥離除去
して、圧電基板１上のアモルファス・カーボンを除去す
る。
【００２２】このようなプロセスによって、図２に示す
ように、電極部分のみにアモルファス・カーボン３を被
覆することができる。アモルファス・カーボンの被膜の
厚さは、第１の実施の形態と同様に、１０〜１００００
オングストロームである。アモルファス・カーボン被覆
は、化学蒸着（ＣＶＤ）法以外のイオンビーム蒸着法や
スパッタ法を用いても同様に生成可能である。アモルフ
ァス・カーボンはダイヤモンドライク・カーボンともい
い、緻密な膜ができることで、腐食防止に効果を発揮で
きる点に特徴がある。
ように、電極部分のみにアモルファス・カーボン３を被
覆することができる。アモルファス・カーボンの被膜の
厚さは、第１の実施の形態と同様に、１０〜１００００
オングストロームである。アモルファス・カーボン被覆
は、化学蒸着（ＣＶＤ）法以外のイオンビーム蒸着法や
スパッタ法を用いても同様に生成可能である。アモルフ
ァス・カーボンはダイヤモンドライク・カーボンともい
い、緻密な膜ができることで、腐食防止に効果を発揮で
きる点に特徴がある。
【００２３】アモルファス・カーボンは、従来の酸化ア
ルミニウム、またはアルミニウム窒化膜、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＣ、窒化シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔ
ａからなる絶縁物と比べ質量が小さい。このため入出力
電極５，６の表面および圧電基板１表面の全体をアモル
ファス・カーボンで覆っても弾性表面波装置の動作に影
響を与えることなく、腐食防止膜としての効果を発揮で
きる。従って、従来のように弾性表面波装置全体をセラ
ミックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面波装
置を小型化することができる。
ルミニウム、またはアルミニウム窒化膜、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＣ、窒化シリコン（ＳｉＮＫ）、Ｔａ2Ｏ5、高窒化Ｔ
ａからなる絶縁物と比べ質量が小さい。このため入出力
電極５，６の表面および圧電基板１表面の全体をアモル
ファス・カーボンで覆っても弾性表面波装置の動作に影
響を与えることなく、腐食防止膜としての効果を発揮で
きる。従って、従来のように弾性表面波装置全体をセラ
ミックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面波装
置を小型化することができる。
【００２４】実施の形態３．第１と第２の実施の形態に
おいては、電極表面に非結晶状態（無定型状態）である
アモルファス・カーボンを形成するようにしたが、圧電
基板１の下地温度、雰囲気の圧力等のＣＶＤ製造条件を
変えることによって、結晶状態であるダイヤモンドを形
成して絶縁体層としても良い。
おいては、電極表面に非結晶状態（無定型状態）である
アモルファス・カーボンを形成するようにしたが、圧電
基板１の下地温度、雰囲気の圧力等のＣＶＤ製造条件を
変えることによって、結晶状態であるダイヤモンドを形
成して絶縁体層としても良い。
【００２５】
【発明の効果】第１の発明の弾性表面波装置は、圧電性
を有する圧電基板、圧電基板の上に形成された入力電
極、出力電極、接地電極および格子電極を備え、電極表
面および電極が形成された領域以外の圧電基板表面を質
量の小さいアモルファス・カーボン層で覆うように構成
されるので、弾性表面波装置の動作に影響を与えること
なく、腐食防止膜としての効果を発揮できる。また、電
極間短絡を防止できるので、従来のように弾性表面波装
置全体をセラミックパッケージで覆う必要がなくなり、
弾性表面波装置を小型化することができる。
を有する圧電基板、圧電基板の上に形成された入力電
極、出力電極、接地電極および格子電極を備え、電極表
面および電極が形成された領域以外の圧電基板表面を質
量の小さいアモルファス・カーボン層で覆うように構成
されるので、弾性表面波装置の動作に影響を与えること
なく、腐食防止膜としての効果を発揮できる。また、電
極間短絡を防止できるので、従来のように弾性表面波装
置全体をセラミックパッケージで覆う必要がなくなり、
弾性表面波装置を小型化することができる。
【００２６】第２の発明の弾性表面波装置は、圧電性を
有する圧電基板、圧電基板の上に形成された入力電極、
出力電極、接地電極および格子電極を備えた弾性表面波
装置において、電極表面を質量の小さいアモルファス・
カーボン層で覆う覆うように構成されるので、弾性表面
波装置の動作に影響を与えることなく、腐食防止膜とし
ての効果を発揮できる。さらに、電極間短絡を防止する
ことができるので、従来のように弾性表面波装置全体を
セラミックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面
波装置を小型化することができる。
有する圧電基板、圧電基板の上に形成された入力電極、
出力電極、接地電極および格子電極を備えた弾性表面波
装置において、電極表面を質量の小さいアモルファス・
カーボン層で覆う覆うように構成されるので、弾性表面
波装置の動作に影響を与えることなく、腐食防止膜とし
ての効果を発揮できる。さらに、電極間短絡を防止する
ことができるので、従来のように弾性表面波装置全体を
セラミックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面
波装置を小型化することができる。
【００２７】第３の発明のアモルファス・カーボン被膜
形成方法は、圧電基板にスパッタ装置で電極材料を均一
に成膜した後、その成膜上に入出力電極、接地電極およ
び格子状反射器のパターンを写真製版方法により形成す
るステップと、電極が形成されるパターン部分をレジス
トで保護し、その他の部分のレジストを除去し、レジス
トが除去された部分をエッチングによって除去し、電極
部分を形成するステップと、化学蒸着（ＣＶＤ）法を用
いて、全ての電極および圧電基板の表面に所定の反応気
体を用いて、圧電基板の所定の下地温度、雰囲気の所定
の圧力条件で、質量の小さいアモルファス・カーボンを
被覆するステップとを有するように構成されるので、弾
性表面波装置の動作に影響を与えることなく、腐食防止
膜を形成できる。さらに、電極間短絡を防止することが
できるので、従来のように弾性表面波装置全体をセラミ
ックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面波装置
を小型化することができる。
形成方法は、圧電基板にスパッタ装置で電極材料を均一
に成膜した後、その成膜上に入出力電極、接地電極およ
び格子状反射器のパターンを写真製版方法により形成す
るステップと、電極が形成されるパターン部分をレジス
トで保護し、その他の部分のレジストを除去し、レジス
トが除去された部分をエッチングによって除去し、電極
部分を形成するステップと、化学蒸着（ＣＶＤ）法を用
いて、全ての電極および圧電基板の表面に所定の反応気
体を用いて、圧電基板の所定の下地温度、雰囲気の所定
の圧力条件で、質量の小さいアモルファス・カーボンを
被覆するステップとを有するように構成されるので、弾
性表面波装置の動作に影響を与えることなく、腐食防止
膜を形成できる。さらに、電極間短絡を防止することが
できるので、従来のように弾性表面波装置全体をセラミ
ックパッケージで覆う必要がなくなり、弾性表面波装置
を小型化することができる。
【００２８】第４の発明のアモルファス・カーボン被膜
形成方法は、第３の発明によって形成されたアモルファ
ス・カーボン膜上に、アモルファス・カーボン層を残し
たい部分にレジストを写真製版によって形成するステッ
プと、反応性イオンエッチングを用いたドライエッチン
グにより、レジストがない部分をエッチング除去するス
テップと、レジストを現像によって剥離除去して、圧電
基板上のアモルファス・カーボンを除去し電極表面に質
量の小さいアモルファス・カーボンを残すステップとを
有するように構成されるので、弾性表面波装置の動作に
影響を与えることなく、腐食防止膜を形成できる。さら
に、電極間短絡を防止することができるので、従来のよ
うに弾性表面波装置全体をセラミックパッケージで覆う
必要がなくなり、弾性表面波装置を小型化することがで
きる。
形成方法は、第３の発明によって形成されたアモルファ
ス・カーボン膜上に、アモルファス・カーボン層を残し
たい部分にレジストを写真製版によって形成するステッ
プと、反応性イオンエッチングを用いたドライエッチン
グにより、レジストがない部分をエッチング除去するス
テップと、レジストを現像によって剥離除去して、圧電
基板上のアモルファス・カーボンを除去し電極表面に質
量の小さいアモルファス・カーボンを残すステップとを
有するように構成されるので、弾性表面波装置の動作に
影響を与えることなく、腐食防止膜を形成できる。さら
に、電極間短絡を防止することができるので、従来のよ
うに弾性表面波装置全体をセラミックパッケージで覆う
必要がなくなり、弾性表面波装置を小型化することがで
きる。
【００２９】第５の発明のアモルファス・カーボン被膜
形成方法は、反応気体にメタンを用いるように構成され
るので、質量の小さな非結晶状態のアモルファス・カー
ボン層を形成できる。
形成方法は、反応気体にメタンを用いるように構成され
るので、質量の小さな非結晶状態のアモルファス・カー
ボン層を形成できる。
【００３０】本発明の第６の発明のアモルファス・カー
ボン被膜形成方法は、圧電基板の所定の下地温度は８０
０゜Ｃ、雰囲気の所定の圧力は１０〜１０００Ｐａで処
理されるように構成されるので、質量の小さな非結晶状
態のアモルファス・カーボン層を形成できる。
ボン被膜形成方法は、圧電基板の所定の下地温度は８０
０゜Ｃ、雰囲気の所定の圧力は１０〜１０００Ｐａで処
理されるように構成されるので、質量の小さな非結晶状
態のアモルファス・カーボン層を形成できる。
【図１】 本発明の実施の形態１による弾性表面波装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２による弾性表面波装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態１による弾性表面波装置
においてアモルファス・カーボン層を電極の表面および
圧電基板の表面に形成するプロセスを示す図である。
においてアモルファス・カーボン層を電極の表面および
圧電基板の表面に形成するプロセスを示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態２による弾性表面波装置
においてアモルファス・カーボン層を電極の表面に形成
するプロセスを示す図である。
においてアモルファス・カーボン層を電極の表面に形成
するプロセスを示す図である。
【図５】 典型的な弾性表面波装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】 従来の弾性表面波装置を示す断面図である。
【図７】 従来の弾性表面波装置を示す断面図である。
【図８】 従来の弾性表面波装置を示す平面図である。
【図９】 図８に示す弾性表面波装置を示す断面図であ
る。
る。
１ 圧電基板、 ２ 電極、 ３ アモルファス・カー
ボン層、 ４ すだれ状電極指、 ５ 入力電極、 ６
出力電極、 ７ 接地電極、 ８ 格子状電極、９
絶縁体層、１０ 絶縁物、 １１ 陽極配線、１２ レ
ジスト
ボン層、 ４ すだれ状電極指、 ５ 入力電極、 ６
出力電極、 ７ 接地電極、 ８ 格子状電極、９
絶縁体層、１０ 絶縁物、 １１ 陽極配線、１２ レ
ジスト
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電性を有する圧電基板、前記圧電基板
の上に形成された入力電極、出力電極、接地電極および
格子電極を備えた弾性表面波装置において、前記電極表
面および電極が形成された領域以外の圧電基板表面をア
モルファス・カーボン層で覆うことを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項２】 圧電性を有する圧電基板、前記圧電基板
の上に形成された入力電極、出力電極、接地電極および
格子電極を備えた弾性表面波装置において、前記電極表
面をアモルファス・カーボン層で覆うことを特徴とする
弾性表面波装置。 - 【請求項３】 圧電基板に電極材料を均一に成膜した
後、その成膜上に入出力電極、接地電極および格子状反
射器のパターンを写真製版方法により形成するステップ
と、 電極が形成されるパターン部分をレジストで保護し、そ
の他の部分のレジストを除去し、レジストが除去された
部分をエッチングによって除去し、電極部分を形成する
ステップと、 化学蒸着（ＣＶＤ）法を用いて、全ての電極および圧電
基板の表面に所定の反応気体を用いて、圧電基板の所定
の下地温度、雰囲気の所定の圧力条件で、アモルファス
・カーボンを被覆するステップとを有することを特徴と
するアモルファス・カーボン被膜形成方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の方法において、さらにア
モルファス・カーボン被膜上に、アモルファス・カーボ
ン層を残したい部分にレジストを写真製版によって形成
するステップと、 反応性イオンエッチングを用いたドライエッチングによ
り、レジストがない部分をエッチング除去するステップ
と、 レジストを現像によって剥離除去して、圧電基板表面上
のアモルファス・カーボンを除去し電極表面のアモルフ
ァス・カーボンを残すステップとを有することを特徴と
するアモルファス・カーボン被膜形成方法。 - 【請求項５】 請求項３または４記載の方法において、
前記反応気体はメタンであることを特徴とするアモルフ
ァス・カーボン被膜形成方法。 - 【請求項６】 請求項３または４記載の方法において、
前記圧電基板の所定の下地温度は８００゜Ｃ、雰囲気の
所定の圧力は１０〜１０００Ｐａであることを特徴とす
るアモルファス・カーボン被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192786A JP2000031776A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192786A JP2000031776A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031776A true JP2000031776A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16296983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192786A Pending JP2000031776A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031776A (ja) |
-
1998
- 1998-07-08 JP JP10192786A patent/JP2000031776A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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