JP2000021865A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000021865A JP2000021865A JP10196531A JP19653198A JP2000021865A JP 2000021865 A JP2000021865 A JP 2000021865A JP 10196531 A JP10196531 A JP 10196531A JP 19653198 A JP19653198 A JP 19653198A JP 2000021865 A JP2000021865 A JP 2000021865A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低誘電率を持つ絶縁膜及び、該絶縁膜からな
る層間絶縁膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜であるＳＯＧ膜の原料薬液
を、希ガス、不活性ガス、炭化水素ガス、あるいは空気
のうちの１種類を主成分とする圧送ガスを用いて薬液配
管４中を圧送し、薬液配管４の配管径より小さい内径の
先端部を有する薬液ノズル５から、所定速度で回転して
いる基体６上へ塗布する。薬液配管４から内径の小さい
薬液ノズル５先端部へ圧送される際に原料薬液が断熱圧
縮されて圧送ガスが薬液中に溶解し、薬液ノズル５から
基体６上の開放された空間へ原料薬液が吐出される際に
原料薬液が断熱膨張されて溶解したガスが薬液中で気泡
化し、ＳＯＧ膜中で小孔となって膜の誘電率を低下させ
る。
る層間絶縁膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜であるＳＯＧ膜の原料薬液
を、希ガス、不活性ガス、炭化水素ガス、あるいは空気
のうちの１種類を主成分とする圧送ガスを用いて薬液配
管４中を圧送し、薬液配管４の配管径より小さい内径の
先端部を有する薬液ノズル５から、所定速度で回転して
いる基体６上へ塗布する。薬液配管４から内径の小さい
薬液ノズル５先端部へ圧送される際に原料薬液が断熱圧
縮されて圧送ガスが薬液中に溶解し、薬液ノズル５から
基体６上の開放された空間へ原料薬液が吐出される際に
原料薬液が断熱膨張されて溶解したガスが薬液中で気泡
化し、ＳＯＧ膜中で小孔となって膜の誘電率を低下させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、配線間の絶縁に用いられる層間絶縁
膜であるスピンオングラス膜の製造方法に関する。
方法に関し、特に、配線間の絶縁に用いられる層間絶縁
膜であるスピンオングラス膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高密度化に伴い、半
導体装置の多層配線構造において配線間の絶縁を確保す
る層間絶縁層の誘電率が高いために配線間の電気容量が
増大し、配線間の信号の干渉や、信号伝達の遅延が問題
となっている。通常、層間絶縁膜として用いられる材料
の比誘電率は４以上ある。フッ素原子を絶縁膜に導入す
ることによって比誘電率を低下させることも試みられて
いるが、比誘電率で３．５程度が限界であり、急激な微
細化に伴う電気容量の上昇に対処するのが困難な状況に
ある。
導体装置の多層配線構造において配線間の絶縁を確保す
る層間絶縁層の誘電率が高いために配線間の電気容量が
増大し、配線間の信号の干渉や、信号伝達の遅延が問題
となっている。通常、層間絶縁膜として用いられる材料
の比誘電率は４以上ある。フッ素原子を絶縁膜に導入す
ることによって比誘電率を低下させることも試みられて
いるが、比誘電率で３．５程度が限界であり、急激な微
細化に伴う電気容量の上昇に対処するのが困難な状況に
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
するために、特開平８−３３０３００号公報に記載され
るように、空気や窒素が１に近い比誘電率を持つことに
着目し、絶縁膜中にこれらのガスを含む小孔を多数有す
る膜を作製することが提案されている。しかしながら、
上記公報によれば、ガスを発生させる方法として有機酸
の誘電体などを用いるために層間絶縁層に接するＡｌ合
金やＣｕの配線膜に対して腐食を発生させやすくなり、
また、接続孔のエッチングや、金属配線膜の成膜時に多
量のガスを発生させるため金属膜中に巻き込まれ、金属
配線の電気抵抗の上昇をもたらすという問題点がある。
信号の遅延は、電気容量と電気抵抗の積によって決まる
ため、層間絶縁層の比誘電率が低下して電気容量が低減
しても電気抵抗が上昇し、信号遅延に対する効果を得る
ことが困難である。更に、金属膜中に巻き込まれたガス
は、その結晶性を低下させ、多くの欠陥、転位を生成
し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性が低下
し、配線信頼性の低下をもたらす。
するために、特開平８−３３０３００号公報に記載され
るように、空気や窒素が１に近い比誘電率を持つことに
着目し、絶縁膜中にこれらのガスを含む小孔を多数有す
る膜を作製することが提案されている。しかしながら、
上記公報によれば、ガスを発生させる方法として有機酸
の誘電体などを用いるために層間絶縁層に接するＡｌ合
金やＣｕの配線膜に対して腐食を発生させやすくなり、
また、接続孔のエッチングや、金属配線膜の成膜時に多
量のガスを発生させるため金属膜中に巻き込まれ、金属
配線の電気抵抗の上昇をもたらすという問題点がある。
信号の遅延は、電気容量と電気抵抗の積によって決まる
ため、層間絶縁層の比誘電率が低下して電気容量が低減
しても電気抵抗が上昇し、信号遅延に対する効果を得る
ことが困難である。更に、金属膜中に巻き込まれたガス
は、その結晶性を低下させ、多くの欠陥、転位を生成
し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性が低下
し、配線信頼性の低下をもたらす。
【０００４】そこで、本発明の目的は、腐食性ガスを用
いることなく絶縁膜に小孔を多数形成して該絶縁膜の誘
電率を低下させ、且つ、隣接する配線が腐食されたり抵
抗が増大したりすることを防止し、信頼性が高く電気特
性の良い半導体装置を製造する方法を提供することであ
る。
いることなく絶縁膜に小孔を多数形成して該絶縁膜の誘
電率を低下させ、且つ、隣接する配線が腐食されたり抵
抗が増大したりすることを防止し、信頼性が高く電気特
性の良い半導体装置を製造する方法を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁
膜、特にＳＯＧ膜を形成する方法において、前記ＳＯＧ
膜形成用原料薬液をガスにて薬液配管中を圧送する工程
と、前記原料薬液中に前記ガスの成分を溶解せしめるた
めに前記原料薬液を断熱圧縮する工程と、前記ガス成分
を気泡化するために前原料薬液を断熱膨張する工程と、
前記原料薬液を前記基体上に回転塗布する工程とを有す
る。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁
膜、特にＳＯＧ膜を形成する方法において、前記ＳＯＧ
膜形成用原料薬液をガスにて薬液配管中を圧送する工程
と、前記原料薬液中に前記ガスの成分を溶解せしめるた
めに前記原料薬液を断熱圧縮する工程と、前記ガス成分
を気泡化するために前原料薬液を断熱膨張する工程と、
前記原料薬液を前記基体上に回転塗布する工程とを有す
る。
【０００６】ここで、好ましくは、前記ガスは希ガス、
不活性ガス、炭化水素ガス、あるいは空気のいずれか１
種類を主成分とする。
不活性ガス、炭化水素ガス、あるいは空気のいずれか１
種類を主成分とする。
【０００７】また、前記原料薬液を断熱膨張または断熱
圧縮する方法としては、前記薬液配管の内径より小さな
内径を有する薬液ノズルを通して前記原料薬液を前記基
体上に回転塗布する方法が好ましい。
圧縮する方法としては、前記薬液配管の内径より小さな
内径を有する薬液ノズルを通して前記原料薬液を前記基
体上に回転塗布する方法が好ましい。
【０００８】前記原料薬液を断熱膨張または断熱圧縮す
る別の方法としては、前記薬液配管はその一部に内径が
他の部分よりも小さい細管を有し、前記原料薬液を前記
細管を有する薬液配管中を圧送する方法も好ましい。
る別の方法としては、前記薬液配管はその一部に内径が
他の部分よりも小さい細管を有し、前記原料薬液を前記
細管を有する薬液配管中を圧送する方法も好ましい。
【０００９】前記原料薬液を断熱膨張または断熱圧縮す
る更に別の方法としては、前記薬液配管中を前記原料薬
液が圧送される工程において、薬液中に疎密波を発生さ
せることが好ましい。
る更に別の方法としては、前記薬液配管中を前記原料薬
液が圧送される工程において、薬液中に疎密波を発生さ
せることが好ましい。
【００１０】更に、薬液中に疎密波を発生させる方法と
しては、前記薬液配管の一部に振動トランスデューサー
を接触させる方法が好ましい。
しては、前記薬液配管の一部に振動トランスデューサー
を接触させる方法が好ましい。
【００１１】本発明によると、ＳＯＧ膜を形成するため
の原料薬液を圧送するガスを、薬液配管中で断熱膨張、
断熱圧縮させることにより原料薬液中にガスの気泡を生
じさせるようにしたので、腐食性ガスを用いることなく
ＳＯＧ膜中に小孔を形成できる。従って、隣接する配線
の腐食や電気抵抗の増大を防ぐことができ、信頼性及び
電気的特性のよい半導体装置が得られる。
の原料薬液を圧送するガスを、薬液配管中で断熱膨張、
断熱圧縮させることにより原料薬液中にガスの気泡を生
じさせるようにしたので、腐食性ガスを用いることなく
ＳＯＧ膜中に小孔を形成できる。従って、隣接する配線
の腐食や電気抵抗の増大を防ぐことができ、信頼性及び
電気的特性のよい半導体装置が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１３】（第１の実施の形態）先ず始めに第１の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態による半導体装置の製造方法を実現するための
製造装置の概念図であり、図２は図１中の薬液ノズル近
傍を拡大した図である。
施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態による半導体装置の製造方法を実現するための
製造装置の概念図であり、図２は図１中の薬液ノズル近
傍を拡大した図である。
【００１４】本実施の形態におけるＳＯＧ膜を製造する
ための製造装置は、図１に示すように、原料薬液を圧送
するための圧送ガス槽１等の圧送系、原料薬液の入って
いる薬液槽２、原料薬液、圧送ガスに混合される可能性
のあるパーティクルを弁別除去するための濾過機による
濾過系３、薬液ノズル５、薬液槽２と薬液ノズル５とを
接続する薬液配管４によって構成される（図中、弁等の
詳細部品は省略してある）。
ための製造装置は、図１に示すように、原料薬液を圧送
するための圧送ガス槽１等の圧送系、原料薬液の入って
いる薬液槽２、原料薬液、圧送ガスに混合される可能性
のあるパーティクルを弁別除去するための濾過機による
濾過系３、薬液ノズル５、薬液槽２と薬液ノズル５とを
接続する薬液配管４によって構成される（図中、弁等の
詳細部品は省略してある）。
【００１５】ここで、図２に示すように、薬液ノズル５
は薬液配管４との接続部から薬液を吐出する先端部に向
かって徐々に内径が狭くなるように形成されている。
は薬液配管４との接続部から薬液を吐出する先端部に向
かって徐々に内径が狭くなるように形成されている。
【００１６】上述した装置を用いてＳＯＧ膜を形成する
方法を次に説明する。まず、圧送ガス槽１から図示しな
いポンプ等を用いてガスを薬液槽２へ送る。この時使用
するガスは、脱ガス性の有機酸あるいはその誘導体など
を含まないガス、例えばＨｅ（ヘリウム）等の希ガス、
Ａｒ（アルゴン）や窒素等の不活性ガス、ＣＯやＣＯ2
等の炭化水素ガス、あるいは空気などを用いる。
方法を次に説明する。まず、圧送ガス槽１から図示しな
いポンプ等を用いてガスを薬液槽２へ送る。この時使用
するガスは、脱ガス性の有機酸あるいはその誘導体など
を含まないガス、例えばＨｅ（ヘリウム）等の希ガス、
Ａｒ（アルゴン）や窒素等の不活性ガス、ＣＯやＣＯ2
等の炭化水素ガス、あるいは空気などを用いる。
【００１７】次に、薬液槽２にガスが圧送されること
で、槽内の原料薬液が薬液配管４へと押し出される。押
し出された原料薬液は濾過系３を通ることでパーティク
ルを除去され、薬液ノズル５から基体６上へ吐出され
る。ここで、上述したように薬液ノズル５は先端部にい
くに従いその内径が小さくなるようになされているの
で、このノズル５を通過する際に原料薬液は断熱圧縮さ
れ、一緒にノズル５を通過するガスが薬液中に溶解す
る。また、内径の小さいノズル５の先端部から基体６方
向の開放された空間へ向かって吐出されることで原料薬
液は断熱膨張され、溶解しているガスが薬液中で気泡化
する。
で、槽内の原料薬液が薬液配管４へと押し出される。押
し出された原料薬液は濾過系３を通ることでパーティク
ルを除去され、薬液ノズル５から基体６上へ吐出され
る。ここで、上述したように薬液ノズル５は先端部にい
くに従いその内径が小さくなるようになされているの
で、このノズル５を通過する際に原料薬液は断熱圧縮さ
れ、一緒にノズル５を通過するガスが薬液中に溶解す
る。また、内径の小さいノズル５の先端部から基体６方
向の開放された空間へ向かって吐出されることで原料薬
液は断熱膨張され、溶解しているガスが薬液中で気泡化
する。
【００１８】薬液が吐出される際、基体は１０００ｒｐ
ｍ程度で回転されており、気泡を有する原料薬液は基体
６全面に均一に塗布されることになる。
ｍ程度で回転されており、気泡を有する原料薬液は基体
６全面に均一に塗布されることになる。
【００１９】最後に基体６を窒素雰囲気中、４００℃程
度の温度でアニールして本実施の形態のＳＯＧ膜の形成
を完了する。圧送ガスとしてＨｅを用いた場合、アニー
ル後のＳＯＧ膜の比誘電率は２．５〜３．５を示し、ア
ニール後のＳＯＧ膜中にＨｅによる小孔が安定に存在し
ていることが実験より得られている。また、Ｈｅガスは
非腐食性であるので、隣接する配線層にも悪影響を及ぼ
さず、電気抵抗の増大なども見られなかった。
度の温度でアニールして本実施の形態のＳＯＧ膜の形成
を完了する。圧送ガスとしてＨｅを用いた場合、アニー
ル後のＳＯＧ膜の比誘電率は２．５〜３．５を示し、ア
ニール後のＳＯＧ膜中にＨｅによる小孔が安定に存在し
ていることが実験より得られている。また、Ｈｅガスは
非腐食性であるので、隣接する配線層にも悪影響を及ぼ
さず、電気抵抗の増大なども見られなかった。
【００２０】以上説明したように、本実施の形態の半導
体装置の製造方法では、原料薬液を基体に塗布する際
に、断熱圧縮及び断熱膨張させることで圧送ガスの気泡
を原料薬液中に生成し、これをアニールすることでＳＯ
Ｇ膜中に小孔を形成する。よって、腐食性ガスを用いる
ことなくＳＯＧ膜の誘電率を低下させ、且つ、隣接する
配線が腐食されたり抵抗が増大したりすることを防止で
きる。
体装置の製造方法では、原料薬液を基体に塗布する際
に、断熱圧縮及び断熱膨張させることで圧送ガスの気泡
を原料薬液中に生成し、これをアニールすることでＳＯ
Ｇ膜中に小孔を形成する。よって、腐食性ガスを用いる
ことなくＳＯＧ膜の誘電率を低下させ、且つ、隣接する
配線が腐食されたり抵抗が増大したりすることを防止で
きる。
【００２１】（第２の実施の形態）次に、本発明の半導
体装置の製造方法の第２の実施の形態について説明す
る。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１の実
施の形態とほぼ同様であるが、原料薬液を断熱圧縮及び
断熱膨張させるタイミングが異なる点で相違する。以
下、この点について詳細に説明する。
体装置の製造方法の第２の実施の形態について説明す
る。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１の実
施の形態とほぼ同様であるが、原料薬液を断熱圧縮及び
断熱膨張させるタイミングが異なる点で相違する。以
下、この点について詳細に説明する。
【００２２】本実施の形態の半導体装置の製造を実現す
るための製造装置の概略は図１を用いて説明した第１の
実施の形態と同様であるので、説明を省略する。本実施
の形態の特徴となる図１中の濾過系３から薬液ノズル５
の間の薬液配管４を拡大した様子を図３に示す。
るための製造装置の概略は図１を用いて説明した第１の
実施の形態と同様であるので、説明を省略する。本実施
の形態の特徴となる図１中の濾過系３から薬液ノズル５
の間の薬液配管４を拡大した様子を図３に示す。
【００２３】図３に示すように、濾過系３から薬液ノズ
ル５の間の薬液配管４は、その途中に内径が他の部分よ
り小さい細管７を有しており、薬液配管４から細管７及
び細管７から薬液配管４の間はその内径が徐々に変化す
るようにテーパー形状にされている。
ル５の間の薬液配管４は、その途中に内径が他の部分よ
り小さい細管７を有しており、薬液配管４から細管７及
び細管７から薬液配管４の間はその内径が徐々に変化す
るようにテーパー形状にされている。
【００２４】上述した装置を用いてＳＯＧ膜を形成する
方法を次に説明する。原料薬液が薬液配管４へと押し出
される工程までは第１の実施の形態と同様であるので記
載を省略する。押し出された原料薬液は濾過系３を通る
ことでパーティクルを除去され、次に細管７を通過す
る。
方法を次に説明する。原料薬液が薬液配管４へと押し出
される工程までは第１の実施の形態と同様であるので記
載を省略する。押し出された原料薬液は濾過系３を通る
ことでパーティクルを除去され、次に細管７を通過す
る。
【００２５】ここで、上述したように薬液配管４はその
内径を徐々に細めながら細管７へ接続されているので、
薬液配管４から細管７へ原料薬液が通過する際に原料薬
液は断熱圧縮され、一緒に通過するガスが薬液中に溶解
する。また、原料薬液が細管７から薬液配管４に向かう
場合はその内径が徐々に広がっているので断熱膨張さ
れ、この過程で溶解しているガスが薬液中で気泡化す
る。続いて原料薬液は薬液ノズル５から基体６上へ吐出
される。
内径を徐々に細めながら細管７へ接続されているので、
薬液配管４から細管７へ原料薬液が通過する際に原料薬
液は断熱圧縮され、一緒に通過するガスが薬液中に溶解
する。また、原料薬液が細管７から薬液配管４に向かう
場合はその内径が徐々に広がっているので断熱膨張さ
れ、この過程で溶解しているガスが薬液中で気泡化す
る。続いて原料薬液は薬液ノズル５から基体６上へ吐出
される。
【００２６】薬液が吐出される際、基体は１０００ｒｐ
ｍ程度で回転されており、気泡を有する原料薬液は基体
６全面に均一に塗布されることになる。
ｍ程度で回転されており、気泡を有する原料薬液は基体
６全面に均一に塗布されることになる。
【００２７】最後に基体６を窒素雰囲気中、４００℃程
度の温度でアニールして本実施の形態のＳＯＧ膜の形成
を完了する。圧送ガスとしてＨｅを用いた場合、アニー
ル後のＳＯＧ膜の比誘電率は３．０〜３．５を示し、ア
ニール後のＳＯＧ膜中にＨｅによる小孔が安定に存在し
ていることが実験より得られている。また、Ｈｅガスは
非腐食性であるので、隣接する配線層にも悪影響を及ぼ
さず、電気抵抗の増大なども見られなかった。
度の温度でアニールして本実施の形態のＳＯＧ膜の形成
を完了する。圧送ガスとしてＨｅを用いた場合、アニー
ル後のＳＯＧ膜の比誘電率は３．０〜３．５を示し、ア
ニール後のＳＯＧ膜中にＨｅによる小孔が安定に存在し
ていることが実験より得られている。また、Ｈｅガスは
非腐食性であるので、隣接する配線層にも悪影響を及ぼ
さず、電気抵抗の増大なども見られなかった。
【００２８】以上説明したように、本実施の形態の半導
体装置の製造方法では、原料薬液を基体に塗布する際
に、断熱圧縮及び断熱膨張させることで圧送ガスの気泡
を原料薬液中に生成し、これをアニールすることでＳＯ
Ｇ膜中に小孔を形成する。よって、腐食性ガスを用いる
ことなくＳＯＧ膜の誘電率を低下させ、且つ、隣接する
配線が腐食されたり抵抗が増大したりすることを防止で
きる。
体装置の製造方法では、原料薬液を基体に塗布する際
に、断熱圧縮及び断熱膨張させることで圧送ガスの気泡
を原料薬液中に生成し、これをアニールすることでＳＯ
Ｇ膜中に小孔を形成する。よって、腐食性ガスを用いる
ことなくＳＯＧ膜の誘電率を低下させ、且つ、隣接する
配線が腐食されたり抵抗が増大したりすることを防止で
きる。
【００２９】（第３の実施の形態）次に、本発明の半導
体装置の製造方法の第３の実施の形態について説明す
る。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１の実
施の形態とほぼ同様であるが、原料薬液を断熱圧縮及び
断熱膨張方法が異なる点で相違する。以下、この点につ
いて詳細に説明する。
体装置の製造方法の第３の実施の形態について説明す
る。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１の実
施の形態とほぼ同様であるが、原料薬液を断熱圧縮及び
断熱膨張方法が異なる点で相違する。以下、この点につ
いて詳細に説明する。
【００３０】本実施の形態の半導体装置の製造を実現す
るための製造装置の概略は図１を用いて説明した第１の
実施の形態と同様であるが、図４に示すように、図１中
の濾過系３から薬液ノズル５の間の薬液配管４の一部が
振動トランスデューサー８と接触している点と、薬液配
管４及び薬液ノズル５の内径が常に一定である点で相違
する。
るための製造装置の概略は図１を用いて説明した第１の
実施の形態と同様であるが、図４に示すように、図１中
の濾過系３から薬液ノズル５の間の薬液配管４の一部が
振動トランスデューサー８と接触している点と、薬液配
管４及び薬液ノズル５の内径が常に一定である点で相違
する。
【００３１】上述した装置を用いてＳＯＧ膜を形成する
方法を次に説明する。原料薬液が薬液配管４へと押し出
される工程までは第１の実施の形態と同様であるので記
載を省略する。押し出された原料薬液は濾過系３を通る
ことでパーティクルを除去され、次に薬液配管４の振動
トランスデューサー８と接触している部分を通過する。
方法を次に説明する。原料薬液が薬液配管４へと押し出
される工程までは第１の実施の形態と同様であるので記
載を省略する。押し出された原料薬液は濾過系３を通る
ことでパーティクルを除去され、次に薬液配管４の振動
トランスデューサー８と接触している部分を通過する。
【００３２】この部分において、振動トランスデューサ
ーから発せられる１０〜２０ｋＨｚ程度の周波数を持つ
疎密波が原料薬液に照射される。この疎密波は薬液中を
高速で伝播するために、原料薬液は急激な密度の変化を
受けることで断熱圧縮と断熱膨張の両過程を経ることに
なり、圧送ガスが気泡化される。続いて原料薬液は薬液
ノズル５から基体６上へ吐出される。
ーから発せられる１０〜２０ｋＨｚ程度の周波数を持つ
疎密波が原料薬液に照射される。この疎密波は薬液中を
高速で伝播するために、原料薬液は急激な密度の変化を
受けることで断熱圧縮と断熱膨張の両過程を経ることに
なり、圧送ガスが気泡化される。続いて原料薬液は薬液
ノズル５から基体６上へ吐出される。
【００３３】薬液が吐出される際、基体は１０００ｒｐ
ｍ程度で回転されており、気泡を有する原料薬液は基体
６全面に均一に塗布されることになる。
ｍ程度で回転されており、気泡を有する原料薬液は基体
６全面に均一に塗布されることになる。
【００３４】最後に基体６を窒素雰囲気中、４００℃程
度の温度でアニールして本実施の形態のＳＯＧ膜の形成
を完了する。圧送ガスとしてＨｅを用いた場合、アニー
ル後のＳＯＧ膜の比誘電率は２．５〜３．５を示し、ア
ニール後のＳＯＧ膜中にＨｅによる小孔が安定に存在し
ていることが実験より得られている。また、Ｈｅガスは
非腐食性であるので、隣接する配線層にも悪影響を及ぼ
さず、電気抵抗の増大なども見られなかった。
度の温度でアニールして本実施の形態のＳＯＧ膜の形成
を完了する。圧送ガスとしてＨｅを用いた場合、アニー
ル後のＳＯＧ膜の比誘電率は２．５〜３．５を示し、ア
ニール後のＳＯＧ膜中にＨｅによる小孔が安定に存在し
ていることが実験より得られている。また、Ｈｅガスは
非腐食性であるので、隣接する配線層にも悪影響を及ぼ
さず、電気抵抗の増大なども見られなかった。
【００３５】以上説明したように、本実施の形態の半導
体装置の製造方法では、原料薬液を基体に塗布する際
に、断熱圧縮及び断熱膨張させることで圧送ガスの気泡
を原料薬液中に生成し、これをアニールすることでＳＯ
Ｇ膜中に小孔を形成する。よって、腐食性ガスを用いる
ことなくＳＯＧ膜の誘電率を低下させ、且つ、隣接する
配線が腐食されたり抵抗が増大したりすることを防止で
きる。
体装置の製造方法では、原料薬液を基体に塗布する際
に、断熱圧縮及び断熱膨張させることで圧送ガスの気泡
を原料薬液中に生成し、これをアニールすることでＳＯ
Ｇ膜中に小孔を形成する。よって、腐食性ガスを用いる
ことなくＳＯＧ膜の誘電率を低下させ、且つ、隣接する
配線が腐食されたり抵抗が増大したりすることを防止で
きる。
【００３６】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されるものではなく、例えば振動トランスデューサーを
接触させる部位を薬液配管でなく薬液ノズルにするな
ど、様々な設計変更が可能である。
されるものではなく、例えば振動トランスデューサーを
接触させる部位を薬液配管でなく薬液ノズルにするな
ど、様々な設計変更が可能である。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＯＧ膜を形成するた
めの原料薬液を圧送するガスを、薬液配管中で断熱膨
張、断熱圧縮させることにより原料薬液中にガスの気泡
を生じさせるようにしたので、腐食性ガスを用いること
なくＳＯＧ膜中に小孔を形成できる。従って、隣接する
配線の腐食や電気抵抗の増大を防ぐことができ、信頼性
及び電気的特性のよい半導体装置が得られる。
めの原料薬液を圧送するガスを、薬液配管中で断熱膨
張、断熱圧縮させることにより原料薬液中にガスの気泡
を生じさせるようにしたので、腐食性ガスを用いること
なくＳＯＧ膜中に小孔を形成できる。従って、隣接する
配線の腐食や電気抵抗の増大を防ぐことができ、信頼性
及び電気的特性のよい半導体装置が得られる。
【図１】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
に用いる製造装置の概念図である。
に用いる製造装置の概念図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における図１中の薬
液配管及び薬液ノズル近傍を拡大した図である。
液配管及び薬液ノズル近傍を拡大した図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における図１中の薬
液配管の一部を拡大した図である。
液配管の一部を拡大した図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態における図１中の薬
液配管の一部を拡大した図である。
液配管の一部を拡大した図である。
１ 圧送ガス槽 ２ 薬液槽 ３ 濾過系 ４ 薬液配管 ５ 薬液ノズル ６ 基体
Claims (6)
- 【請求項１】 ＳＯＧ膜形成用原料薬液をガスにて薬液
配管中を圧送する第１の工程と、 前記第１の工程後、前記原料薬液中に前記ガスの成分を
溶解せしめるために前記原料薬液を断熱圧縮する第２の
工程と、 前記第２の工程後、前記ガス成分を気泡化するために前
記原料薬液を断熱膨張する第３の工程と、 前記第３の工程後、前記原料薬液を前記基体上に回転塗
布する第４の工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ガスは希ガス、不活性ガス、炭化水
素ガス、あるいは空気のいずれか１種類を主成分とする
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記薬液配管の内径より小さな内径を有
する薬液ノズルを通して前記原料薬液を前記基体上に回
転塗布することで、前記原料薬液を断熱膨張または断熱
圧縮することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記薬液配管はその一部に内径が他の部
分よりも小さい細管を有し、前記原料薬液を前記細管を
有する薬液配管中を圧送することで、前記原料薬液を断
熱膨張または断熱圧縮することを特徴とする請求項１又
は２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記薬液配管中を前記原料薬液が圧送さ
れる工程において、薬液中に疎密波を発生させること
で、前記原料薬液を断熱膨張または断熱圧縮することを
特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記薬液配管の一部に振動トランスデュ
ーサーを接触させることで前記疎密波を発生させること
を特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10196531A JP2000021865A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10196531A JP2000021865A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021865A true JP2000021865A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16359297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10196531A Withdrawn JP2000021865A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021865A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044095A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
-
1998
- 1998-06-26 JP JP10196531A patent/JP2000021865A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044095A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |