JP2000021846A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2000021846A JP2000021846A JP10182238A JP18223898A JP2000021846A JP 2000021846 A JP2000021846 A JP 2000021846A JP 10182238 A JP10182238 A JP 10182238A JP 18223898 A JP18223898 A JP 18223898A JP 2000021846 A JP2000021846 A JP 2000021846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- etching
- organic insulating
- gas
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストマスクを用いて酸化シリコン膜、有
機絶縁膜を連続エッチングする場合、有機絶縁膜のエッ
チング途中でレジストマスクはエッチングされて無くな
るため、その後有機絶縁膜の被エッチング部分へのラジ
カル供給が過剰になり、エッチング断面がボーイング形
状になる。 【解決手段】 有機絶縁膜１３をエッチングする際に用
いるエッチングガスに、少なくとも窒素ガスを含むガス
もしくは窒素からなるガスを用いる。また、レジストマ
スク１５は、有機絶縁膜１３のエッチング開始時と終了
時における基板表面を平面視したレジストマスク１５の
面積がほぼ同一になる膜からなるものを用いる。
機絶縁膜を連続エッチングする場合、有機絶縁膜のエッ
チング途中でレジストマスクはエッチングされて無くな
るため、その後有機絶縁膜の被エッチング部分へのラジ
カル供給が過剰になり、エッチング断面がボーイング形
状になる。 【解決手段】 有機絶縁膜１３をエッチングする際に用
いるエッチングガスに、少なくとも窒素ガスを含むガス
もしくは窒素からなるガスを用いる。また、レジストマ
スク１５は、有機絶縁膜１３のエッチング開始時と終了
時における基板表面を平面視したレジストマスク１５の
面積がほぼ同一になる膜からなるものを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、詳しくはエッチングに用いるガスまたはレ
ジストマスクを特徴とする半導体装置の製造方法に関す
る。
方法に関し、詳しくはエッチングに用いるガスまたはレ
ジストマスクを特徴とする半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の超ＬＳＩデバイスは、数ｍｍ角の
チップに数百万個以上の素子を集積化することが必要と
なっている。そのため、従来のように平面的な素子の微
細化で素子の高集積化を実現することは困難になってき
ているため、配線を二重もしくは三重もしくはそれ以上
に積み上げる多層配線技術が不可欠になってきている。
一方、素子の高性能化、デバイスの動作速度の高速化の
要望はとどまることを知らず、これを満たすプロセス技
術の開発が急がれている。特に多層配線構造の採用によ
る層間容量の低減は信号遅延時間の低減につながり、上
記要望に沿う重要な要素となっている。
チップに数百万個以上の素子を集積化することが必要と
なっている。そのため、従来のように平面的な素子の微
細化で素子の高集積化を実現することは困難になってき
ているため、配線を二重もしくは三重もしくはそれ以上
に積み上げる多層配線技術が不可欠になってきている。
一方、素子の高性能化、デバイスの動作速度の高速化の
要望はとどまることを知らず、これを満たすプロセス技
術の開発が急がれている。特に多層配線構造の採用によ
る層間容量の低減は信号遅延時間の低減につながり、上
記要望に沿う重要な要素となっている。
【０００３】上記背景により、層間容量の低減のために
比誘電率εが３．５程度以下の低誘電率層間絶縁膜が注
目されている。この低誘電率層間絶縁膜には有機系絶縁
膜と無機系絶縁膜とがある。上記無機系絶縁膜としては
ＳｉＯＦ膜が代表的である。このＳｉＯＦ膜はプラズマ
ＣＶＤによる成膜が可能であるという成膜の容易性によ
り実用化が近い技術として注目されている。一方有機系
絶縁膜は、比誘電率εが２〜２．５と低い材料が多く、
次世代以降のデバイスへの適用に向けて、実用化の期待
が大きい材料である。
比誘電率εが３．５程度以下の低誘電率層間絶縁膜が注
目されている。この低誘電率層間絶縁膜には有機系絶縁
膜と無機系絶縁膜とがある。上記無機系絶縁膜としては
ＳｉＯＦ膜が代表的である。このＳｉＯＦ膜はプラズマ
ＣＶＤによる成膜が可能であるという成膜の容易性によ
り実用化が近い技術として注目されている。一方有機系
絶縁膜は、比誘電率εが２〜２．５と低い材料が多く、
次世代以降のデバイスへの適用に向けて、実用化の期待
が大きい材料である。
【０００４】このように、低誘電率膜を層間絶縁膜とし
て用いる半導体装置の要望が高まっており、低誘電率膜
に接続孔や溝配線用の溝を形成する技術を中心とする半
導体装置の製造技術がますます重要になってきている。
て用いる半導体装置の要望が高まっており、低誘電率膜
に接続孔や溝配線用の溝を形成する技術を中心とする半
導体装置の製造技術がますます重要になってきている。
【０００５】次世代以降の層間絶縁膜として実用化の期
待が大きい有機系低誘電率膜は、回転塗布によって成膜
される。その後、保護膜および有機系低誘電率膜のエッ
チングマスク用としての酸化シリコン膜をＣＶＤによっ
て成膜するのが一般的なプロセスである。上記積層構造
に接続孔、溝配線の溝等を形成する際には、まずレジス
トマスク用いて上層の酸化シリコン膜のエッチングを行
い、その後有機系低誘電率のエッチングを行う。
待が大きい有機系低誘電率膜は、回転塗布によって成膜
される。その後、保護膜および有機系低誘電率膜のエッ
チングマスク用としての酸化シリコン膜をＣＶＤによっ
て成膜するのが一般的なプロセスである。上記積層構造
に接続孔、溝配線の溝等を形成する際には、まずレジス
トマスク用いて上層の酸化シリコン膜のエッチングを行
い、その後有機系低誘電率のエッチングを行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、０．８μｍ程度の厚さのレジストマスクを用い
て酸化シリコン膜および有機系低誘電率膜のエッチング
を連続して行う場合、有機系低誘電率膜とレジストマス
クとのエッチング選択比が低いことから、有機系低誘電
率膜のエッチングの途中でレジストマスクはエッチング
されて無くなる。そのため、レジストマスクが存在する
場合にはレジストマスクのエッチングに多くのラジカル
（活性種）が消費されていたが、レジストマスクがなく
なると同時に有機系低誘電率膜のエッチング部分へラジ
カルが過剰供給されるようになり、そのエッチング部分
での反応が過剰になって、エッチング後の断面形状がい
わゆるボーイング形状になるという問題が発生してい
る。
ように、０．８μｍ程度の厚さのレジストマスクを用い
て酸化シリコン膜および有機系低誘電率膜のエッチング
を連続して行う場合、有機系低誘電率膜とレジストマス
クとのエッチング選択比が低いことから、有機系低誘電
率膜のエッチングの途中でレジストマスクはエッチング
されて無くなる。そのため、レジストマスクが存在する
場合にはレジストマスクのエッチングに多くのラジカル
（活性種）が消費されていたが、レジストマスクがなく
なると同時に有機系低誘電率膜のエッチング部分へラジ
カルが過剰供給されるようになり、そのエッチング部分
での反応が過剰になって、エッチング後の断面形状がい
わゆるボーイング形状になるという問題が発生してい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体装置の製造方法であって、
第１の製造方法は、有機絶縁膜をエッチングする際に用
いるエッチングガスに、少なくとも窒素ガスを含むガス
または窒素ガスを用いることを特徴としている。
決するためになされた半導体装置の製造方法であって、
第１の製造方法は、有機絶縁膜をエッチングする際に用
いるエッチングガスに、少なくとも窒素ガスを含むガス
または窒素ガスを用いることを特徴としている。
【０００８】上記第１の製造方法では、エッチングガス
に少なくとも窒素ガスを含むまたは窒素ガスを用いるこ
とから、有機絶縁膜は窒素により異方的にエッチングさ
れる。その結果、エッチング形状は異方的となる。その
際、酸素または酸素を含むエッチングガスでエッチング
した場合のように酸素が有機絶縁膜中の炭素と結合し
て、低温（例えば２５０°〜３００℃程度）で炭酸ガス
（例えばＣＯ）を発生するようなことはない。そのた
め、上記第１の製造方法によるエッチングによって有機
絶縁膜に接続孔、配線溝等の凹部を形成し、その内部に
金属の埋め込みを行っても、炭酸ガスの脱ガスによる金
属の埋め込み不良を発生することはない。
に少なくとも窒素ガスを含むまたは窒素ガスを用いるこ
とから、有機絶縁膜は窒素により異方的にエッチングさ
れる。その結果、エッチング形状は異方的となる。その
際、酸素または酸素を含むエッチングガスでエッチング
した場合のように酸素が有機絶縁膜中の炭素と結合し
て、低温（例えば２５０°〜３００℃程度）で炭酸ガス
（例えばＣＯ）を発生するようなことはない。そのた
め、上記第１の製造方法によるエッチングによって有機
絶縁膜に接続孔、配線溝等の凹部を形成し、その内部に
金属の埋め込みを行っても、炭酸ガスの脱ガスによる金
属の埋め込み不良を発生することはない。
【０００９】第２の製造方法は、基板上に形成した有機
絶縁膜とその有機絶縁膜上に形成した無機絶縁膜とから
なる絶縁膜を形成した後、レジストマスクを用いて上記
無機絶縁膜をエッチングし、さらにこの無機絶縁膜をマ
スクにして上記有機絶縁膜をエッチングする半導体装置
の製造方法において、上記レジストマスクは、有機絶縁
膜のエッチング中に表面がエッチングされるものであっ
て、かつエッチングの開始時と終了時とにおける基板表
面を平面視したレジストマスクの面積がほぼ同一になる
膜からなることを特徴としている。
絶縁膜とその有機絶縁膜上に形成した無機絶縁膜とから
なる絶縁膜を形成した後、レジストマスクを用いて上記
無機絶縁膜をエッチングし、さらにこの無機絶縁膜をマ
スクにして上記有機絶縁膜をエッチングする半導体装置
の製造方法において、上記レジストマスクは、有機絶縁
膜のエッチング中に表面がエッチングされるものであっ
て、かつエッチングの開始時と終了時とにおける基板表
面を平面視したレジストマスクの面積がほぼ同一になる
膜からなることを特徴としている。
【００１０】上記第２の製造方法では、レジストマスク
は、有機絶縁膜のエッチング中に一部分がエッチングさ
れ、かつエッチングの開始時と終了時とにおける基板表
面を平面視したレジストマスクの面積がほぼ同一になる
膜からなることから、エッチング中にレジストマスクの
面積の急激な減少は起こらない。すなわち、上記有機絶
縁膜のエッチング中は、この有機絶縁膜と上記レジスト
マスクとがエッチングされることになり、被エッチング
領域の大きな変化にともなう被エッチング部分へのエッ
チングガスの活性種の集中が抑制される。しかも、レジ
ストマスクが消滅することが無いので、エッチング中の
ラジカルの消費量がほぼ一定になる。そのため、被エッ
チング領域へのラジカルの供給がエッチングの開始から
終了までほぼ一定になるので、異方性エッチングが保た
れた状態でエッチングが進行する。よって、被エッチン
グ領域の側壁はいわゆるボーイング形状にはならない。
また上記無機絶縁膜は、有機絶縁膜のエッチングマスク
になるとともに有機絶縁膜の保護膜になる。
は、有機絶縁膜のエッチング中に一部分がエッチングさ
れ、かつエッチングの開始時と終了時とにおける基板表
面を平面視したレジストマスクの面積がほぼ同一になる
膜からなることから、エッチング中にレジストマスクの
面積の急激な減少は起こらない。すなわち、上記有機絶
縁膜のエッチング中は、この有機絶縁膜と上記レジスト
マスクとがエッチングされることになり、被エッチング
領域の大きな変化にともなう被エッチング部分へのエッ
チングガスの活性種の集中が抑制される。しかも、レジ
ストマスクが消滅することが無いので、エッチング中の
ラジカルの消費量がほぼ一定になる。そのため、被エッ
チング領域へのラジカルの供給がエッチングの開始から
終了までほぼ一定になるので、異方性エッチングが保た
れた状態でエッチングが進行する。よって、被エッチン
グ領域の側壁はいわゆるボーイング形状にはならない。
また上記無機絶縁膜は、有機絶縁膜のエッチングマスク
になるとともに有機絶縁膜の保護膜になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の第１の製造方法に係わる
実施の形態の一例を、図１の製造工程図によって説明す
る。図１では、一例として、有機絶縁膜に接続孔を形成
する場合を断面図で示す。
実施の形態の一例を、図１の製造工程図によって説明す
る。図１では、一例として、有機絶縁膜に接続孔を形成
する場合を断面図で示す。
【００１２】図１の（１）に示すように、基板１１上に
は配線１２が形成されている。この配線１２は、例えば
アルミニウム配線からなる。上記のような基板１１上
に、上記配線１２を覆う有機絶縁膜１３を形成する。こ
の有機絶縁膜１３は、低誘電率有機絶縁膜からなり、例
えばポリアリールエーテルからなる。その厚さは例えば
５００ｎｍとした。さらに上記有機絶縁膜１３上に無機
絶縁膜１４を形成し、さらにレジストマスク１５を形成
する。無機絶縁膜１４は、例えば酸化シリコン膜からな
り、６００ｎｍの厚さに形成されている。レジストマス
ク１５は、例えばレジスト膜を８５０ｎｍの厚さに形成
し、露光、現像、ベーキング等の工程を経て接続孔を形
成するための開口部１６を形成したものである。
は配線１２が形成されている。この配線１２は、例えば
アルミニウム配線からなる。上記のような基板１１上
に、上記配線１２を覆う有機絶縁膜１３を形成する。こ
の有機絶縁膜１３は、低誘電率有機絶縁膜からなり、例
えばポリアリールエーテルからなる。その厚さは例えば
５００ｎｍとした。さらに上記有機絶縁膜１３上に無機
絶縁膜１４を形成し、さらにレジストマスク１５を形成
する。無機絶縁膜１４は、例えば酸化シリコン膜からな
り、６００ｎｍの厚さに形成されている。レジストマス
ク１５は、例えばレジスト膜を８５０ｎｍの厚さに形成
し、露光、現像、ベーキング等の工程を経て接続孔を形
成するための開口部１６を形成したものである。
【００１３】次いで上記レジストマスク１５をエッチン
グマスクにして無機絶縁膜１４をエッチングする。エッ
チング装置には例えばマグネトロンエッチング装置を用
いた。またエッチングガスには、一例として、オクタフ
ルオロブタン（Ｃ4 Ｆ8 ）〔供給流量＝１４ｓｃｃ
ｍ〕、一酸化炭素（ＣＯ）〔供給流量＝２５０ｓｃｃ
ｍ〕、アルゴン（Ａｒ）〔供給流量＝１００ｓｃｃ
ｍ〕、酸素（Ｏ2 ）〔供給流量＝２ｓｃｃｍ〕を用い
た。ここでｓｃｃｍは標準状態における体積流量（ｃｍ
3 ／分）を表し、以下同様である。またエッチング条件
は、エッチング雰囲気の圧力を５．３Ｐａ、エッチング
装置のパワーを１．６ｋＷ、基板側の電極温度の設定値
を２０℃とした。
グマスクにして無機絶縁膜１４をエッチングする。エッ
チング装置には例えばマグネトロンエッチング装置を用
いた。またエッチングガスには、一例として、オクタフ
ルオロブタン（Ｃ4 Ｆ8 ）〔供給流量＝１４ｓｃｃ
ｍ〕、一酸化炭素（ＣＯ）〔供給流量＝２５０ｓｃｃ
ｍ〕、アルゴン（Ａｒ）〔供給流量＝１００ｓｃｃ
ｍ〕、酸素（Ｏ2 ）〔供給流量＝２ｓｃｃｍ〕を用い
た。ここでｓｃｃｍは標準状態における体積流量（ｃｍ
3 ／分）を表し、以下同様である。またエッチング条件
は、エッチング雰囲気の圧力を５．３Ｐａ、エッチング
装置のパワーを１．６ｋＷ、基板側の電極温度の設定値
を２０℃とした。
【００１４】次いで有機絶縁膜１３をエッチングする、
エッチング装置には例えばＥＣＲ（Electron Cycrotron
Resonance）プラズマエッチング装置を用いた。またエ
ッチングガスには、一例として、窒素（Ｎ2 ）〔供給流
量＝４０ｓｃｃｍ〕、ヘリウム（Ｈｅ）〔供給流量＝１
６５ｓｃｃｍ〕を用いた。またエッチング条件は、エッ
チング雰囲気の圧力を０．８Ｐａ、エッチング装置のマ
イクロ波パワーを５００Ｗ（２．４５ＧＨｚ）、ＲＦパ
ワーを１００Ｗ、基板側の電極温度の設定値を−５０℃
とした。
エッチング装置には例えばＥＣＲ（Electron Cycrotron
Resonance）プラズマエッチング装置を用いた。またエ
ッチングガスには、一例として、窒素（Ｎ2 ）〔供給流
量＝４０ｓｃｃｍ〕、ヘリウム（Ｈｅ）〔供給流量＝１
６５ｓｃｃｍ〕を用いた。またエッチング条件は、エッ
チング雰囲気の圧力を０．８Ｐａ、エッチング装置のマ
イクロ波パワーを５００Ｗ（２．４５ＧＨｚ）、ＲＦパ
ワーを１００Ｗ、基板側の電極温度の設定値を−５０℃
とした。
【００１５】上記有機絶縁膜１３のエッチングには、上
記説明したような少なくとも窒素ガスを含むガスを用い
る。もしくは窒素ガスを用いる。上記少なくとも窒素ガ
スを含むガスとは、例えば窒素ガスと不活性ガスとの混
合ガスをいう。または上記混合ガスに活性な酸素は含ま
ないが、酸素以外のガスとして例えば、アンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）、テトラフルオロメタン（ＣＦ4 ）、水素
（Ｈ2 ）、塩素（Ｃｌ2 ）、塩化水素（ＨＣｌ）、臭化
水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）、ヨウ素（Ｉ）、
臭素（Ｂｒ2 ）、サルファーヘキサフルオライド（ＳＦ
6 ）等のうちの１種または複数種を含んでもよい。
記説明したような少なくとも窒素ガスを含むガスを用い
る。もしくは窒素ガスを用いる。上記少なくとも窒素ガ
スを含むガスとは、例えば窒素ガスと不活性ガスとの混
合ガスをいう。または上記混合ガスに活性な酸素は含ま
ないが、酸素以外のガスとして例えば、アンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）、テトラフルオロメタン（ＣＦ4 ）、水素
（Ｈ2 ）、塩素（Ｃｌ2 ）、塩化水素（ＨＣｌ）、臭化
水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）、ヨウ素（Ｉ）、
臭素（Ｂｒ2 ）、サルファーヘキサフルオライド（ＳＦ
6 ）等のうちの１種または複数種を含んでもよい。
【００１６】上記条件でエッチングを行った結果、有機
絶縁膜１３のエッチング中に上記レジストマスク１５は
エッチングされて除去される。そして図１の（２）に示
すように、無機絶縁膜１４および有機絶縁膜１３からな
る絶縁膜１７に接続孔１８が形成される。
絶縁膜１３のエッチング中に上記レジストマスク１５は
エッチングされて除去される。そして図１の（２）に示
すように、無機絶縁膜１４および有機絶縁膜１３からな
る絶縁膜１７に接続孔１８が形成される。
【００１７】上記第１の発明に係わる製造方法では、有
機絶縁膜１３のエッチングに用いるエッチングガスに少
なくとも窒素ガスを含むガスとして、窒素とヘリウムと
の混合ガスを用いることから、有機絶縁膜１３は窒素に
より異方的にエッチングされ、接続孔１８のエッチング
形状はボーイング形状にはならず、基板１１の表面に対
してほぼ垂直な側壁を有するものとなる。
機絶縁膜１３のエッチングに用いるエッチングガスに少
なくとも窒素ガスを含むガスとして、窒素とヘリウムと
の混合ガスを用いることから、有機絶縁膜１３は窒素に
より異方的にエッチングされ、接続孔１８のエッチング
形状はボーイング形状にはならず、基板１１の表面に対
してほぼ垂直な側壁を有するものとなる。
【００１８】次にエッチングを行った分析試料（上記エ
ッチングを行った上記基板１１）を加熱していき、その
加熱過程で分析試料から脱離したガスを分光分析する昇
温脱離分光法〔ＴＤＳ（Thermal Desorption Spectrosc
opy ）〕による評価を行った。その結果を図２に示す。
図２に示すように、従来の酸素を用いたエッチング後に
２５０℃付近で観察されていた炭酸ガス（ＣＯ）の脱ガ
スは、上記窒素を含むガスを用いたエッチングでは観察
されなかった。それは、上記有機絶縁膜１３のエッチン
グ中に、この有機絶縁膜１３中の炭素と結合する酸素が
ないからである。したがって、低温（例えば２５０℃〜
３００℃付近）で炭酸ガス（例えばＣＯ）を発生するよ
うなことはない。なお、図２は、縦軸に脱ガス量（Inte
nsity ）を示し、横軸に温度（deg.）を示した。
ッチングを行った上記基板１１）を加熱していき、その
加熱過程で分析試料から脱離したガスを分光分析する昇
温脱離分光法〔ＴＤＳ（Thermal Desorption Spectrosc
opy ）〕による評価を行った。その結果を図２に示す。
図２に示すように、従来の酸素を用いたエッチング後に
２５０℃付近で観察されていた炭酸ガス（ＣＯ）の脱ガ
スは、上記窒素を含むガスを用いたエッチングでは観察
されなかった。それは、上記有機絶縁膜１３のエッチン
グ中に、この有機絶縁膜１３中の炭素と結合する酸素が
ないからである。したがって、低温（例えば２５０℃〜
３００℃付近）で炭酸ガス（例えばＣＯ）を発生するよ
うなことはない。なお、図２は、縦軸に脱ガス量（Inte
nsity ）を示し、横軸に温度（deg.）を示した。
【００１９】その後、図３に示すように、接続孔１８の
内壁に下層よりチタン膜、窒化チタン膜を成膜して下地
膜２１を形成する。その際、無機絶縁膜１４上にも下地
膜２１が成膜される。その後、酸素プラズマによるエッ
チングを行ってから、接続孔１８の内部にタングステン
を埋め込む条件で下地膜２１上にタングステン膜２２を
成膜した。このように接続孔１８の内部に金属（タング
ステン）の埋め込みを行っても埋め込み不良を発生する
ことはなかった。
内壁に下層よりチタン膜、窒化チタン膜を成膜して下地
膜２１を形成する。その際、無機絶縁膜１４上にも下地
膜２１が成膜される。その後、酸素プラズマによるエッ
チングを行ってから、接続孔１８の内部にタングステン
を埋め込む条件で下地膜２１上にタングステン膜２２を
成膜した。このように接続孔１８の内部に金属（タング
ステン）の埋め込みを行っても埋め込み不良を発生する
ことはなかった。
【００２０】上記第１の製造方法では、エッチングガス
に少なくとも窒素ガスを含むガスとして、窒素とヘリウ
ムとの混合ガスを用いることから、有機絶縁膜１３は窒
素により異方的にエッチングされる。その結果、エッチ
ング形状は、基板１１の表面に対してほぼ垂直な側壁を
有するものとなった。その際、酸素または酸素を含むエ
ッチングガスでエッチングした場合のように酸素が有機
絶縁膜１３中の炭素と結合して、低温（例えば２５０°
〜３００℃程度）で炭酸ガス（例えばＣＯ）を発生する
ようなこともない。そのため、上記第１の製造方法によ
るエッチングによって有機絶縁膜１３に接続孔１８を形
成し、その内部にタングステンのような金属の埋め込み
を行っても、炭酸ガスの脱ガスによる金属の埋め込み不
良を発生することはない。
に少なくとも窒素ガスを含むガスとして、窒素とヘリウ
ムとの混合ガスを用いることから、有機絶縁膜１３は窒
素により異方的にエッチングされる。その結果、エッチ
ング形状は、基板１１の表面に対してほぼ垂直な側壁を
有するものとなった。その際、酸素または酸素を含むエ
ッチングガスでエッチングした場合のように酸素が有機
絶縁膜１３中の炭素と結合して、低温（例えば２５０°
〜３００℃程度）で炭酸ガス（例えばＣＯ）を発生する
ようなこともない。そのため、上記第１の製造方法によ
るエッチングによって有機絶縁膜１３に接続孔１８を形
成し、その内部にタングステンのような金属の埋め込み
を行っても、炭酸ガスの脱ガスによる金属の埋め込み不
良を発生することはない。
【００２１】次に比較例を図４の製造工程図によって説
明する。図４では、前記図１と同様の構成部品には同一
符号を付与して示す。
明する。図４では、前記図１と同様の構成部品には同一
符号を付与して示す。
【００２２】図４の（１）に示すように、前記図１の
（１）によって説明したのと同様にして、基板１１上に
形成されている配線１２を覆う状態に有機絶縁膜１３を
低誘電率有機絶縁膜のポリアリールエーテルで形成し、
さらに無機絶縁膜１４を酸化シリコン膜で形成する。そ
の上にレジストマスク１５を形成する。このレジストマ
スク１５には接続孔を形成するための開口部１６が形成
されている。
（１）によって説明したのと同様にして、基板１１上に
形成されている配線１２を覆う状態に有機絶縁膜１３を
低誘電率有機絶縁膜のポリアリールエーテルで形成し、
さらに無機絶縁膜１４を酸化シリコン膜で形成する。そ
の上にレジストマスク１５を形成する。このレジストマ
スク１５には接続孔を形成するための開口部１６が形成
されている。
【００２３】次いで上記レジストマスク１５をエッチン
グマスクにして無機絶縁膜１４をエッチングする、エッ
チング装置には例えばマグネトロンエッチング装置を用
い、そのエッチング条件は、前記図１によって説明した
のと同様である。
グマスクにして無機絶縁膜１４をエッチングする、エッ
チング装置には例えばマグネトロンエッチング装置を用
い、そのエッチング条件は、前記図１によって説明した
のと同様である。
【００２４】次いで有機無機膜１３をエッチングする、
エッチング装置には例えばＥＣＲプラズマエッチング装
置を用いた。エッチングガスには、一例として、酸素
（Ｏ2）〔供給流量＝１０ｓｃｃｍ〕、ヘリウム（Ｈ
ｅ）〔供給流量＝２００ｓｃｃｍ〕を用いた。またエッ
チング条件は、エッチング雰囲気の圧力を０．８Ｐａ、
エッチング装置のマイクロ波パワーを５００Ｗ（２．４
５ＧＨｚ）、ＲＦパワーを１００Ｗ、基板側の電極温度
の設定値を−５０℃に設定した。
エッチング装置には例えばＥＣＲプラズマエッチング装
置を用いた。エッチングガスには、一例として、酸素
（Ｏ2）〔供給流量＝１０ｓｃｃｍ〕、ヘリウム（Ｈ
ｅ）〔供給流量＝２００ｓｃｃｍ〕を用いた。またエッ
チング条件は、エッチング雰囲気の圧力を０．８Ｐａ、
エッチング装置のマイクロ波パワーを５００Ｗ（２．４
５ＧＨｚ）、ＲＦパワーを１００Ｗ、基板側の電極温度
の設定値を−５０℃に設定した。
【００２５】上記有機絶縁膜１３のエッチング中に上記
レジストマスク１５はエッチングされて無くなる。その
結果、図４の（２）に示すように、無機絶縁膜１４およ
び有機絶縁膜１３からなる絶縁膜１７に接続孔１８が形
成される。その際、無機絶縁膜１４に形成される接続孔
１８の部分はサイドエッチングが進行した状態になり、
有機絶縁膜１３に形成される接続孔１８の部分はボーイ
ング形状となった。
レジストマスク１５はエッチングされて無くなる。その
結果、図４の（２）に示すように、無機絶縁膜１４およ
び有機絶縁膜１３からなる絶縁膜１７に接続孔１８が形
成される。その際、無機絶縁膜１４に形成される接続孔
１８の部分はサイドエッチングが進行した状態になり、
有機絶縁膜１３に形成される接続孔１８の部分はボーイ
ング形状となった。
【００２６】次に接続孔１８のエッチング後に昇温脱離
分光法による評価を行った。その結果、図５に示すよう
に、２５０℃付近で炭酸ガス（ＣＯ）の脱ガスが観察さ
れた。これは、エッチングガス中に酸素を含むため、有
機絶縁膜１３中の炭素と、エッチングガスの酸素とが結
合して、加熱により炭酸ガス（例えばＣＯ）として脱離
するためである。なお、図５は、縦軸に脱ガス量（Inte
nsity ）を示し、横軸に温度（deg.）を示した。
分光法による評価を行った。その結果、図５に示すよう
に、２５０℃付近で炭酸ガス（ＣＯ）の脱ガスが観察さ
れた。これは、エッチングガス中に酸素を含むため、有
機絶縁膜１３中の炭素と、エッチングガスの酸素とが結
合して、加熱により炭酸ガス（例えばＣＯ）として脱離
するためである。なお、図５は、縦軸に脱ガス量（Inte
nsity ）を示し、横軸に温度（deg.）を示した。
【００２７】その後、図６に示すように、接続孔１８の
内壁に下層よりチタン膜、窒化チタン膜からなる下地膜
２１を成膜する。その際、無機絶縁膜１４上にも上記下
地膜２１が成膜される。その後、酸素プラズマによるエ
ッチングを行ってから、接続孔１８の内部にタングステ
ンを埋め込む条件で下地膜２１上にタングステン膜２２
を堆積した。このように接続孔１８の内部に金属（タン
グステン）の埋め込みを行おうとすると、炭酸ガスの脱
離による埋め込み不良が発生した。そのため、上記説明
したように、有機絶縁膜１３のエッチングには、酸素を
含まずにエッチング可能な窒素ガスを含むガスもしくは
窒素ガスを用いることが必要になる。
内壁に下層よりチタン膜、窒化チタン膜からなる下地膜
２１を成膜する。その際、無機絶縁膜１４上にも上記下
地膜２１が成膜される。その後、酸素プラズマによるエ
ッチングを行ってから、接続孔１８の内部にタングステ
ンを埋め込む条件で下地膜２１上にタングステン膜２２
を堆積した。このように接続孔１８の内部に金属（タン
グステン）の埋め込みを行おうとすると、炭酸ガスの脱
離による埋め込み不良が発生した。そのため、上記説明
したように、有機絶縁膜１３のエッチングには、酸素を
含まずにエッチング可能な窒素ガスを含むガスもしくは
窒素ガスを用いることが必要になる。
【００２８】次に本発明の第２の製造方法に係わる実施
の形態の一例を、図７の製造工程図によって説明する。
図７では、一例として、有機絶縁膜に接続孔を形成する
場合を示す。
の形態の一例を、図７の製造工程図によって説明する。
図７では、一例として、有機絶縁膜に接続孔を形成する
場合を示す。
【００２９】図７の（１）に示すように、基板１１上に
は配線１２が形成されている。この配線１２は、例えば
アルミニウム配線からなる。上記のような基板１１上
に、上記配線１２を覆う有機絶縁膜膜１３を形成する。
この有機絶縁膜１３は、低誘電率有機絶縁膜からなり、
例えばポリアリールエーテルからなり、その厚さを例え
ば５００ｎｍとした。さらに上記有機絶縁膜１３上に無
機絶縁膜１４を形成し、さらにレジストマスク１５を形
成する。無機絶縁膜１４は、例えば酸化シリコン膜から
なり、６００ｎｍの厚さに形成されている。レジストマ
スク１５は、有機絶縁膜１３をエッチングした後にも残
る厚さとして、例えばレジスト膜を通常の８５０ｎｍよ
りも厚い１．２μｍの厚さに形成し、露光、現像、ベー
キング等の工程を経て接続孔を形成するための開口部１
６を形成したものである。
は配線１２が形成されている。この配線１２は、例えば
アルミニウム配線からなる。上記のような基板１１上
に、上記配線１２を覆う有機絶縁膜膜１３を形成する。
この有機絶縁膜１３は、低誘電率有機絶縁膜からなり、
例えばポリアリールエーテルからなり、その厚さを例え
ば５００ｎｍとした。さらに上記有機絶縁膜１３上に無
機絶縁膜１４を形成し、さらにレジストマスク１５を形
成する。無機絶縁膜１４は、例えば酸化シリコン膜から
なり、６００ｎｍの厚さに形成されている。レジストマ
スク１５は、有機絶縁膜１３をエッチングした後にも残
る厚さとして、例えばレジスト膜を通常の８５０ｎｍよ
りも厚い１．２μｍの厚さに形成し、露光、現像、ベー
キング等の工程を経て接続孔を形成するための開口部１
６を形成したものである。
【００３０】次いで上記レジストマスク１５をエッチン
グマスクにして無機絶縁膜１４をエッチングする、エッ
チング装置には例えばマグネトロンエッチング装置を用
いた。またエッチングガスおよびエッチング条件は、前
記第１の製造方法と同様である。次いで有機絶縁膜１３
をエッチングする、エッチング装置には例えばＥＣＲプ
ラズマエッチング装置を用い、またエッチングガスおよ
びエッチング条件は、前記第１の製造方法と同様であ
る。
グマスクにして無機絶縁膜１４をエッチングする、エッ
チング装置には例えばマグネトロンエッチング装置を用
いた。またエッチングガスおよびエッチング条件は、前
記第１の製造方法と同様である。次いで有機絶縁膜１３
をエッチングする、エッチング装置には例えばＥＣＲプ
ラズマエッチング装置を用い、またエッチングガスおよ
びエッチング条件は、前記第１の製造方法と同様であ
る。
【００３１】上記有機絶縁膜１３のエッチング中に上記
レジストマスク１５は、上層部分がエッチングされて除
去されるが、図７の（２）に示すように、上記エッチン
グの開始時における基板１１の表面を平面視したレジス
トマスク１５の面積Ｓ１（開口部１６を除く斜線で示す
領域）と、図７の（３）に示すように、上記エッチング
の終了時における基板１１の表面を平面視したレジスト
マスク１５の面積Ｓ２（開口部１６および接続孔１８を
除く斜線で示す領域）とがほぼ同一になるレジスト膜か
らなる。このようなレジスト膜からなるレジストマスク
１５を用いてエッチングを行うと、図７の（４）に示す
ように、無機絶縁膜１４および有機絶縁膜１３からなる
絶縁膜１７が異方的にエッチングされて、接続孔１８が
形成される。その際、レジストマスク１５は残ってお
り、また基板１１の表面を平面視した開口部１６の形状
もほぼエッチング前と同様となっている。なお、上記図
７の（１），（４）では接続孔近傍の拡大断面図を示
し、上記図７の（２），（３）では基板１１全体を模式
的に表す平面図と部分拡大図を示した。
レジストマスク１５は、上層部分がエッチングされて除
去されるが、図７の（２）に示すように、上記エッチン
グの開始時における基板１１の表面を平面視したレジス
トマスク１５の面積Ｓ１（開口部１６を除く斜線で示す
領域）と、図７の（３）に示すように、上記エッチング
の終了時における基板１１の表面を平面視したレジスト
マスク１５の面積Ｓ２（開口部１６および接続孔１８を
除く斜線で示す領域）とがほぼ同一になるレジスト膜か
らなる。このようなレジスト膜からなるレジストマスク
１５を用いてエッチングを行うと、図７の（４）に示す
ように、無機絶縁膜１４および有機絶縁膜１３からなる
絶縁膜１７が異方的にエッチングされて、接続孔１８が
形成される。その際、レジストマスク１５は残ってお
り、また基板１１の表面を平面視した開口部１６の形状
もほぼエッチング前と同様となっている。なお、上記図
７の（１），（４）では接続孔近傍の拡大断面図を示
し、上記図７の（２），（３）では基板１１全体を模式
的に表す平面図と部分拡大図を示した。
【００３２】上記第２の発明に係わる製造方法では、レ
ジストマスク１５は、有機絶縁膜１３のエッチング中に
一部分がエッチングされ、かつエッチングの開始時にお
ける基板１１の表面を平面視したレジストマスク１５の
面積Ｓ１と、エッチングの終了時における基板１１の表
面を平面視したレジストマスク１５の面積Ｓ２とがほぼ
同一になる膜で形成されていることから、エッチング中
にレジストマスク１５の面積の急激な減少は起こらな
い。すなわち、上記有機絶縁膜１３のエッチング中は、
この有機絶縁膜１３と上記レジストマスク１５とがエッ
チングされることになり、被エッチング領域（接続孔１
８とレジストマスク１５）の大きな変化にともなう被エ
ッチング部分（接続孔１８）へのエッチングガスの活性
種の集中が抑制される。しかも、レジストマスク１５が
消滅することが無いので、エッチング中のラジカルの消
費量がほぼ一定になる。その結果、被エッチング領域の
異方性エッチングがエッチングの開始から終了まで保た
れるので、被エッチング領域の接続孔１８の側壁がいわ
ゆるボーイング形状にはならず、基板１１の表面に対し
てほぼ垂直な側壁を有する接続孔１８を形成することが
可能になる。また上記無機絶縁膜１４は酸化シリコンか
らなることから、有機絶縁膜１３のエッチングマスクに
なるとともに、有機絶縁膜１３に対して安定したかつ比
較的に比誘電率の低い保護膜になる。
ジストマスク１５は、有機絶縁膜１３のエッチング中に
一部分がエッチングされ、かつエッチングの開始時にお
ける基板１１の表面を平面視したレジストマスク１５の
面積Ｓ１と、エッチングの終了時における基板１１の表
面を平面視したレジストマスク１５の面積Ｓ２とがほぼ
同一になる膜で形成されていることから、エッチング中
にレジストマスク１５の面積の急激な減少は起こらな
い。すなわち、上記有機絶縁膜１３のエッチング中は、
この有機絶縁膜１３と上記レジストマスク１５とがエッ
チングされることになり、被エッチング領域（接続孔１
８とレジストマスク１５）の大きな変化にともなう被エ
ッチング部分（接続孔１８）へのエッチングガスの活性
種の集中が抑制される。しかも、レジストマスク１５が
消滅することが無いので、エッチング中のラジカルの消
費量がほぼ一定になる。その結果、被エッチング領域の
異方性エッチングがエッチングの開始から終了まで保た
れるので、被エッチング領域の接続孔１８の側壁がいわ
ゆるボーイング形状にはならず、基板１１の表面に対し
てほぼ垂直な側壁を有する接続孔１８を形成することが
可能になる。また上記無機絶縁膜１４は酸化シリコンか
らなることから、有機絶縁膜１３のエッチングマスクに
なるとともに、有機絶縁膜１３に対して安定したかつ比
較的に比誘電率の低い保護膜になる。
【００３３】上記各実施の形態では、有機絶縁膜１３の
一例として、ポリアリールエーテルを挙げたが、それに
限定されることはない。例えば、有機絶縁膜１３は化学
式（１）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜で
あればよい。このようなものとしては、例えば環状フッ
素樹脂・シロキサン共重合体がある。
一例として、ポリアリールエーテルを挙げたが、それに
限定されることはない。例えば、有機絶縁膜１３は化学
式（１）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜で
あればよい。このようなものとしては、例えば環状フッ
素樹脂・シロキサン共重合体がある。
【００３４】
【化１】
【００３５】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（２）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばフッ化ポリアリー
ルエーテル系樹脂〔例えばポリフルオロアリールエーテ
ル樹脂：ＦＬＡＲＥ（商品名）〕がある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばフッ化ポリアリー
ルエーテル系樹脂〔例えばポリフルオロアリールエーテ
ル樹脂：ＦＬＡＲＥ（商品名）〕がある。
【００３６】
【化２】
【００３７】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（３）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリペンタフルオ
ロスチレンがある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリペンタフルオ
ロスチレンがある。
【００３８】
【化３】
【００３９】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（４）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリテトラフルオ
ロエチレン系樹脂〔例えばデュポン社製：テフロンＡＦ
（商品名）〕がある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリテトラフルオ
ロエチレン系樹脂〔例えばデュポン社製：テフロンＡＦ
（商品名）〕がある。
【００４０】
【化４】
【００４１】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（５）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリ−１、４−フ
ルオロメチルベンゼンがある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリ−１、４−フ
ルオロメチルベンゼンがある。
【００４２】
【化５】
【００４３】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（６）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばフッ化ポリイミド
樹脂がある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばフッ化ポリイミド
樹脂がある。
【００４４】
【化６】
【００４５】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（７）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリフッ化ナフタ
レンがある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリフッ化ナフタ
レンがある。
【００４６】
【化７】
【００４７】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（８）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリイミド樹脂が
ある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えばポリイミド樹脂が
ある。
【００４８】
【化８】
【００４９】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（９）
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えば上記図１によって
説明した有機絶縁膜に用いたポリアリールエーテル樹脂
がある。
に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であればよ
い。このようなものとしては、例えば上記図１によって
説明した有機絶縁膜に用いたポリアリールエーテル樹脂
がある。
【００５０】
【化９】
【００５１】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（１
０）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポリ−２、
３、５、６、−テトラフルオロ−ｐ−キシレン樹脂があ
る。
０）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポリ−２、
３、５、６、−テトラフルオロ−ｐ−キシレン樹脂があ
る。
【００５２】
【化１０】
【００５３】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（１
１）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポリ−ｐ−キ
シレン樹脂がある。
１）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポリ−ｐ−キ
シレン樹脂がある。
【００５４】
【化１１】
【００５５】もしくは、有機絶縁膜１３は化学式（１
２）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポリナフタレ
ン樹脂がある。
２）に表される構造を有する低誘電率有機絶縁膜であれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポリナフタレ
ン樹脂がある。
【００５６】
【化１２】
【００５７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の第１の製
造方法によれば、エッチングガスに少なくとも窒素ガス
を含むまたは窒素からなるガスを用いるので、窒素によ
り有機絶縁膜を異方的にエッチングすることができる。
その際、低温（例えば２５０°〜３００℃程度）で炭酸
ガス（例えばＣＯ）を発生するようなことがないので、
有機絶縁膜に接続孔、配線溝等の凹部を形成し、その内
部に金属の埋め込みを行っても、炭酸ガスの脱ガスによ
る金属の埋め込み不良を発生することはない。よって、
金属の良好な埋め込みを実現することが可能になる。
造方法によれば、エッチングガスに少なくとも窒素ガス
を含むまたは窒素からなるガスを用いるので、窒素によ
り有機絶縁膜を異方的にエッチングすることができる。
その際、低温（例えば２５０°〜３００℃程度）で炭酸
ガス（例えばＣＯ）を発生するようなことがないので、
有機絶縁膜に接続孔、配線溝等の凹部を形成し、その内
部に金属の埋め込みを行っても、炭酸ガスの脱ガスによ
る金属の埋め込み不良を発生することはない。よって、
金属の良好な埋め込みを実現することが可能になる。
【００５８】本発明の第２の製造方法によれば、レジス
トマスクは、エッチングの開始時と終了時とにおける基
板表面を平面視したレジストマスクの面積がほぼ同一に
なる膜からなるので、エッチング中にレジストマスクの
面積の急激な減少は起こらない。そのため、被エッチン
グ部分へのエッチングガスの活性種の集中が抑制され、
しかもレジストマスクが消滅することが無いので、エッ
チング中のラジカルの消費量がほぼ一定になる。したが
って、異方性エッチングが可能になり、被エッチング領
域の側壁がいわゆるボーイング形状にはなるのを回避で
きる。
トマスクは、エッチングの開始時と終了時とにおける基
板表面を平面視したレジストマスクの面積がほぼ同一に
なる膜からなるので、エッチング中にレジストマスクの
面積の急激な減少は起こらない。そのため、被エッチン
グ部分へのエッチングガスの活性種の集中が抑制され、
しかもレジストマスクが消滅することが無いので、エッ
チング中のラジカルの消費量がほぼ一定になる。したが
って、異方性エッチングが可能になり、被エッチング領
域の側壁がいわゆるボーイング形状にはなるのを回避で
きる。
【図１】本発明の第１の製造方法に係わる実施の形態の
一例を説明する製造工程図である。
一例を説明する製造工程図である。
【図２】第１の製造方法のエッチングを行った後に測定
した脱ガス量と温度との関係図である。
した脱ガス量と温度との関係図である。
【図３】第１の製造方法のエッチングを行った後の金属
を埋め込みを説明する概略構成断面図である。
を埋め込みを説明する概略構成断面図である。
【図４】第１の製造方法に対する比較例の製造工程図で
ある。
ある。
【図５】比較例のエッチングを行った後に測定した脱ガ
ス量と温度との関係図である。
ス量と温度との関係図である。
【図６】比較例のエッチングを行った後の金属を埋め込
みを説明する概略構成断面図である。
みを説明する概略構成断面図である。
【図７】本発明の第２の製造方法に係わる実施の形態の
一例を、図７の製造工程図である。
一例を、図７の製造工程図である。
１３…有機絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BA14 CA04 DA01 DA04 DA18 DA22 DA23 DA24 DA25 DA26 DA29 DB23 EA06 EA26 EA30 EB01 EB03
Claims (3)
- 【請求項１】 有機絶縁膜をエッチングする際に用いる
エッチングガスに、少なくとも窒素ガスを含むガスもし
くは窒素ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 基板上に形成した有機絶縁膜と該有機絶
縁膜上に形成した無機絶縁膜とからなる絶縁膜を形成し
た後、レジストマスクを用いて前記無機絶縁膜をエッチ
ングし、さらに前記無機絶縁膜をマスクにして前記有機
絶縁膜をエッチングする半導体装置の製造方法におい
て、 前記レジストマスクは、前記有機絶縁膜のエッチング中
に表面がエッチングされるものであって、かつ前記エッ
チングの開始時と終了時とにおける前記基板表面を平面
視した前記レジストマスクの面積がほぼ同一になる膜か
らなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記有機絶縁膜のエッチングに用いるエッチングガス
に、少なくとも窒素ガスを含むガスもしくは窒素ガスを
用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182238A JP2000021846A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182238A JP2000021846A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021846A true JP2000021846A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16114769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10182238A Pending JP2000021846A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021846A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083921A1 (fr) * | 2002-04-02 | 2003-10-09 | Tokyo Electron Limited | Procede d'attaque chimique |
| WO2005066696A1 (ja) | 2003-11-27 | 2005-07-21 | Hoya Corporation | 両面非球面型累進屈折力レンズおよびその設計方法 |
| EP1990676A2 (en) | 2002-05-28 | 2008-11-12 | Hoya Corporation | Bi-aspherical type progressive-power lens |
-
1998
- 1998-06-29 JP JP10182238A patent/JP2000021846A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083921A1 (fr) * | 2002-04-02 | 2003-10-09 | Tokyo Electron Limited | Procede d'attaque chimique |
| US7285498B2 (en) | 2002-04-02 | 2007-10-23 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
| EP1990676A2 (en) | 2002-05-28 | 2008-11-12 | Hoya Corporation | Bi-aspherical type progressive-power lens |
| WO2005066696A1 (ja) | 2003-11-27 | 2005-07-21 | Hoya Corporation | 両面非球面型累進屈折力レンズおよびその設計方法 |
| US7399080B2 (en) | 2003-11-27 | 2008-07-15 | Hoya Corporation | Bi-aspherical type progressive-power lens and method of designing the same |
| EP1962127A2 (en) | 2003-11-27 | 2008-08-27 | Hoya Corporation | Bi-aspherical type progressive-power lens and method of designing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8080877B2 (en) | Damascene interconnection structure and dual damascene process thereof | |
| JP5122106B2 (ja) | 炭素含有膜エッチング方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法 | |
| KR20040068582A (ko) | 유전체층의 선택적 에칭 방법 | |
| JPH11340321A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2007235136A (ja) | 高アスペクト比用途の異方性フィーチャを形成するためのエッチング方法 | |
| JP2007235135A (ja) | 高アスペクト比用途の異方性フィーチャを形成するためのエッチング方法 | |
| KR20030087041A (ko) | 실리콘 카바이드 플라즈마 식각 방법 | |
| JP2006013190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6355572B1 (en) | Method of dry etching organic SOG film | |
| US6524963B1 (en) | Method to improve etching of organic-based, low dielectric constant materials | |
| US6645852B1 (en) | Process for fabricating a semiconductor device having recess portion | |
| US6647994B1 (en) | Method of resist stripping over low-k dielectric material | |
| JPH10112503A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN101231968B (zh) | 镶嵌内连线结构与双镶嵌工艺 | |
| JP2000150641A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06232098A (ja) | 酸化防止方法およびドライエッチング方法 | |
| JP2001007202A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000021846A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7172965B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2003133293A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005183778A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005005697A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09232302A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| US7846832B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
| JP2001257261A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050303 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060919 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |