JP2000021773A - Si微結晶構造の製造方法 - Google Patents
Si微結晶構造の製造方法Info
- Publication number
- JP2000021773A JP2000021773A JP10186637A JP18663798A JP2000021773A JP 2000021773 A JP2000021773 A JP 2000021773A JP 10186637 A JP10186637 A JP 10186637A JP 18663798 A JP18663798 A JP 18663798A JP 2000021773 A JP2000021773 A JP 2000021773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- microcrystal
- sio
- substrate
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
- C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/905—Electron beam
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶のSi微結晶の構造を位置およびサイ
ズ制御可能として形成する。 【解決手段】 400℃以上の温度において、SiO2
基板に電子線照射により電子線励起分解反応させてSi
微結晶を形成する。
ズ制御可能として形成する。 【解決手段】 400℃以上の温度において、SiO2
基板に電子線照射により電子線励起分解反応させてSi
微結晶を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、Si微結
晶構造の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、この出願の発明は、半導体量子ドット、非線形光学
素子、量子波干渉材料等への応用において有用な、Si
微結晶構造とその製造方法に関するものである。
晶構造の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、この出願の発明は、半導体量子ドット、非線形光学
素子、量子波干渉材料等への応用において有用な、Si
微結晶構造とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術とその課題】従来、半導体超格子構造の作
製方法としては、MBEやCVDを用いた蒸着法を応用
して、一次元の層状構造を作製したり、リソグラフィー
とエッチング技術を応用して、二次元あるいは三次元構
造を作製するものが知られている。ただ、前者の方法で
は配置位置の制御が難しいため、近年は微粒子をランダ
ムに蒸着した後、自己修復過程を利用して規則的な配置
を作り出すことが考えられているが、いまだ技術として
は確立されていない。一方後者の方法の場合、位置の制
御は可能であるが、構造の最小単位は数10nmであ
り、さらに微細な構造の作製が望まれているのが実情で
ある。
製方法としては、MBEやCVDを用いた蒸着法を応用
して、一次元の層状構造を作製したり、リソグラフィー
とエッチング技術を応用して、二次元あるいは三次元構
造を作製するものが知られている。ただ、前者の方法で
は配置位置の制御が難しいため、近年は微粒子をランダ
ムに蒸着した後、自己修復過程を利用して規則的な配置
を作り出すことが考えられているが、いまだ技術として
は確立されていない。一方後者の方法の場合、位置の制
御は可能であるが、構造の最小単位は数10nmであ
り、さらに微細な構造の作製が望まれているのが実情で
ある。
【0003】このような状況において、より微細な構造
を作製するためのリソグラフィー・エッチング技術の応
用については、集束した電子線を使用することが考えら
れている。たとえば、集束した電子線を結縁体(SiO
2 )に照射すると、SiO2 の分解が起こり、Siが表
面に析出することは電子線励起分解機構(Electron-sti
mulated desorption mechanism,ESD)として、知ら
れている(M.L.Knotek andP.J.Feibelman, Surf. Sci.,
90,78(1979))。また、近年では、電界放
射型電子顕微鏡の集束した電子ビームを利用して、ES
Dにより2nmのSiの微粒子を室温で作製し、位置を
制御して非晶質のSiO2 中に並べる研究が報告されて
もいる(G.S.Chen, C.B.Boothroyd and C.J.Humphreys,
Appl. Phys.Lett., 62,1949(1993))。
しかしながら、ESDによるSi微結晶の形成について
はその詳細な検討は充分でなく、実際、後者の研究で作
製できたSiは非晶質構造であるにすぎない。超格子で
の量子サイズ効果は結晶において顕著であり、非晶質で
はバンド構造が粒子サイズに依存しないために量子サイ
ズ効果は小さく、その機能は期待できないのである。
を作製するためのリソグラフィー・エッチング技術の応
用については、集束した電子線を使用することが考えら
れている。たとえば、集束した電子線を結縁体(SiO
2 )に照射すると、SiO2 の分解が起こり、Siが表
面に析出することは電子線励起分解機構(Electron-sti
mulated desorption mechanism,ESD)として、知ら
れている(M.L.Knotek andP.J.Feibelman, Surf. Sci.,
90,78(1979))。また、近年では、電界放
射型電子顕微鏡の集束した電子ビームを利用して、ES
Dにより2nmのSiの微粒子を室温で作製し、位置を
制御して非晶質のSiO2 中に並べる研究が報告されて
もいる(G.S.Chen, C.B.Boothroyd and C.J.Humphreys,
Appl. Phys.Lett., 62,1949(1993))。
しかしながら、ESDによるSi微結晶の形成について
はその詳細な検討は充分でなく、実際、後者の研究で作
製できたSiは非晶質構造であるにすぎない。超格子で
の量子サイズ効果は結晶において顕著であり、非晶質で
はバンド構造が粒子サイズに依存しないために量子サイ
ズ効果は小さく、その機能は期待できないのである。
【0004】そこで、この出願の発明は、以上のとおり
の従来技術の限界を克服し、電子線照射によって単結晶
のSi微結晶構造を、優れた位置制御性と、優れた微結
晶サイズの制御性をもって形成することのできる新しい
方法と、この方法により得られるこれまでに知られてい
ないSi微結晶構造を提供することを課題としている。
の従来技術の限界を克服し、電子線照射によって単結晶
のSi微結晶構造を、優れた位置制御性と、優れた微結
晶サイズの制御性をもって形成することのできる新しい
方法と、この方法により得られるこれまでに知られてい
ないSi微結晶構造を提供することを課題としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、第1には、400℃以上
の温度において、SiO2 基板に電子線を照射して電子
線励起分解反応により単結晶のSi微結晶をSiO2 基
板に形成することを特徴とするSi微結晶構造の製造方
法を提供する。
の課題を解決するものとして、第1には、400℃以上
の温度において、SiO2 基板に電子線を照射して電子
線励起分解反応により単結晶のSi微結晶をSiO2 基
板に形成することを特徴とするSi微結晶構造の製造方
法を提供する。
【0006】また、この出願の発明は、第2には、Si
微結晶の大きさを5nm以下とする製造方法を、第3に
は、Si微結晶をSiO2 基板に二次元に配列した状態
として形成する製造方法を、第4には、Si微結晶の大
きさが5nm以下であり、Si微結晶の相互の間隔が5
〜10nmである製造方法を、第5には、電子線の強度
を2×108 Cm-2s-1以上とし、線量を1×109 C
m-2s-1以上とする製造方法を、第6には、結晶性Si
O2 基板に電子線を照射して非晶質化し、次いで400
℃以上の温度において、電子線照射による電子線励起分
解反応させる製造方法をも提供する。
微結晶の大きさを5nm以下とする製造方法を、第3に
は、Si微結晶をSiO2 基板に二次元に配列した状態
として形成する製造方法を、第4には、Si微結晶の大
きさが5nm以下であり、Si微結晶の相互の間隔が5
〜10nmである製造方法を、第5には、電子線の強度
を2×108 Cm-2s-1以上とし、線量を1×109 C
m-2s-1以上とする製造方法を、第6には、結晶性Si
O2 基板に電子線を照射して非晶質化し、次いで400
℃以上の温度において、電子線照射による電子線励起分
解反応させる製造方法をも提供する。
【0007】さらにまた、この出願の発明は、SiO2
基板上に形成されたSi微結晶構造であって、5nm以
下の大きさの単結晶のSi微結晶が、5〜10nmの間
隔で二次元に配列されていることを特徴とするSi微結
晶構造と、Si微結晶の大きさが2nm以下であるその
構造も提供する。
基板上に形成されたSi微結晶構造であって、5nm以
下の大きさの単結晶のSi微結晶が、5〜10nmの間
隔で二次元に配列されていることを特徴とするSi微結
晶構造と、Si微結晶の大きさが2nm以下であるその
構造も提供する。
【0008】
【発明の実施の形態】この発明の方法は上記のとおりの
特徴を持つものであるが、ESDによるSiO2 の分解
とSi単結晶の微細形成は、400℃以上の温度におい
て行うことが本質的な特徴である。400℃未満におい
ては単結晶のSi微結晶を制御性よく形成することは困
難である。そして、400℃以上の温度でのESD機構
によって、はじめて5nm以下の大きさのSi単結晶を
析出させることができる。
特徴を持つものであるが、ESDによるSiO2 の分解
とSi単結晶の微細形成は、400℃以上の温度におい
て行うことが本質的な特徴である。400℃未満におい
ては単結晶のSi微結晶を制御性よく形成することは困
難である。そして、400℃以上の温度でのESD機構
によって、はじめて5nm以下の大きさのSi単結晶を
析出させることができる。
【0009】SiO2 基板としては、非晶質のものを用
いてもよいし結晶性のもの、たとえば石英等を用いてよ
い。より好適な実施の形態を例示すると、試料に石英
(結晶性のSiO2 )を用い、これを電子ビームにより
いったん非晶質し、これを400℃以上に加熱した状
態で、約1〜10nmに集束した電子ビームを2×10
8 Cm-2s-1以上の強度で超高真空中で5秒以下照射し
て線量を1×109 Cm-2s-1以上を達成し、ESD機
構でSiO2 を分解すると同時に、Siを結晶化させ、
5nm以下の単結晶を析出する点にある。電子ビームの
エネルギーは100keV以下であれば可能である。照
射時間と強度によりSi微結晶の大きさを制御でき、電
子ビームをスポット走査やライン走査をすることで、任
意のパターンが作製できる。
いてもよいし結晶性のもの、たとえば石英等を用いてよ
い。より好適な実施の形態を例示すると、試料に石英
(結晶性のSiO2 )を用い、これを電子ビームにより
いったん非晶質し、これを400℃以上に加熱した状
態で、約1〜10nmに集束した電子ビームを2×10
8 Cm-2s-1以上の強度で超高真空中で5秒以下照射し
て線量を1×109 Cm-2s-1以上を達成し、ESD機
構でSiO2 を分解すると同時に、Siを結晶化させ、
5nm以下の単結晶を析出する点にある。電子ビームの
エネルギーは100keV以下であれば可能である。照
射時間と強度によりSi微結晶の大きさを制御でき、電
子ビームをスポット走査やライン走査をすることで、任
意のパターンが作製できる。
【0010】石英を非晶質化するときの電子ビーム強度
と温度は厳密ではなく、室温・高温のいずれでもよい。
またビーム強度も1×104 Cm-2s-1以上の通常の観
察時のままでよい。ESDを作用させるときは2×10
8 Cm-2s-1以上の強力な電子ビームとすることが好ま
しく、また、400℃以上の温度、超高真空環境とする
ことが重要である。
と温度は厳密ではなく、室温・高温のいずれでもよい。
またビーム強度も1×104 Cm-2s-1以上の通常の観
察時のままでよい。ESDを作用させるときは2×10
8 Cm-2s-1以上の強力な電子ビームとすることが好ま
しく、また、400℃以上の温度、超高真空環境とする
ことが重要である。
【0011】この際の真空度は、10-7Pa以下とする
ことが望ましい。そこで以下に実施例を示し、さらに詳
しくこの発明について説明する。
ことが望ましい。そこで以下に実施例を示し、さらに詳
しくこの発明について説明する。
【0012】
【実施例】電子ビームのエネルギーを100keVとし
て、まず、2×107 Cm-2s-1程度の比較的弱い照射
でいったんSiO2 単結晶(石英)薄膜を非晶質化した
後、電界放射透過型電子顕微鏡を用いて、600℃の温
度において2×10-8Paの超高真空中でビームを約3
nmに集束し、ビーム強度を2×108 Cm-2s-1以上
に増加しスポット走査した。Si微結晶は、ビームを縦
5箇所、横5箇所の合計25箇所のスポットに5秒間停
止して照射して、各スポットへの線量を1×109 Cm
-2以上とし、ESD機構により図1に示した構造を得
た。単結晶のSi微結晶の大きさは2nmで、微結晶の
お互いの間隔は10nmである。微結晶のコントラスト
がはっきり確認できる。図2は作製したSi微結晶の拡
大写真である。2nmの領域がほぼ円形に変化してお
り、その内部に結晶を示す格子縞(結晶中に規則的に並
んだ原子の間隔を示す)が観察できる。また、格子縞に
乱れがないことから、単結晶であると判断される。微結
晶の成分分析は電子エネルギー損失分光法(EELS)
を用いて行い、その結果を図3に示した。SiのLエッ
ジの形状を観察すると、微結晶の部分では約100eV
にエッジが肩を持ち、Si単体であることがわかる。因
みに周辺部から得られたLエッジは108eVに肩を持
つSiO2 特有の形状であった。また、ビーム径と照射
時間を増加すると、微結晶のサイズは増加した。これら
の結果は、集束した電子ビームを用いて、位置と大きさ
を制御してSiO2 中にSi微結晶の配列を作製できる
ことを示している。
て、まず、2×107 Cm-2s-1程度の比較的弱い照射
でいったんSiO2 単結晶(石英)薄膜を非晶質化した
後、電界放射透過型電子顕微鏡を用いて、600℃の温
度において2×10-8Paの超高真空中でビームを約3
nmに集束し、ビーム強度を2×108 Cm-2s-1以上
に増加しスポット走査した。Si微結晶は、ビームを縦
5箇所、横5箇所の合計25箇所のスポットに5秒間停
止して照射して、各スポットへの線量を1×109 Cm
-2以上とし、ESD機構により図1に示した構造を得
た。単結晶のSi微結晶の大きさは2nmで、微結晶の
お互いの間隔は10nmである。微結晶のコントラスト
がはっきり確認できる。図2は作製したSi微結晶の拡
大写真である。2nmの領域がほぼ円形に変化してお
り、その内部に結晶を示す格子縞(結晶中に規則的に並
んだ原子の間隔を示す)が観察できる。また、格子縞に
乱れがないことから、単結晶であると判断される。微結
晶の成分分析は電子エネルギー損失分光法(EELS)
を用いて行い、その結果を図3に示した。SiのLエッ
ジの形状を観察すると、微結晶の部分では約100eV
にエッジが肩を持ち、Si単体であることがわかる。因
みに周辺部から得られたLエッジは108eVに肩を持
つSiO2 特有の形状であった。また、ビーム径と照射
時間を増加すると、微結晶のサイズは増加した。これら
の結果は、集束した電子ビームを用いて、位置と大きさ
を制御してSiO2 中にSi微結晶の配列を作製できる
ことを示している。
【0013】
【発明の効果】以上詳しく説明したとおり、この発明に
よって、Si量子ドット・三次元超格子構造の作製が可
能となる。半導体超格子構造により電子状態を制御する
ためには5〜10nm以下の大きさでの周期性が要求さ
れており、これが実現できることになる。半導体量子ド
ット、非線形光学素子、量子波干渉材料等への応用が期
待される。
よって、Si量子ドット・三次元超格子構造の作製が可
能となる。半導体超格子構造により電子状態を制御する
ためには5〜10nm以下の大きさでの周期性が要求さ
れており、これが実現できることになる。半導体量子ド
ット、非線形光学素子、量子波干渉材料等への応用が期
待される。
【0014】また、次のような効果も実現されることに
なる。 高速トランジスター、光学素子等が開発できるため、
電子機器の高速化・小型化が可能となる。 GaAs等の化合物半導体のような高価な材料で超格
子を作製しなくてすむ。
なる。 高速トランジスター、光学素子等が開発できるため、
電子機器の高速化・小型化が可能となる。 GaAs等の化合物半導体のような高価な材料で超格
子を作製しなくてすむ。
【0015】 MBEやCVD等の蒸着装置が不要に
なる。
なる。
【図1】集束電子ビーム照射後のSi微結晶二次元配列
の状態を例示した図面に代わる電子顕微鏡写真である。
縦5個、横5個、合計25個のSi微結晶が二次元配列
を成して観察される。
の状態を例示した図面に代わる電子顕微鏡写真である。
縦5個、横5個、合計25個のSi微結晶が二次元配列
を成して観察される。
【図2】1個のSi微結晶を示した図面に代わる電子顕
微鏡写真である。結晶構造特有の格子縞が観察できる。
格子縞に乱れが無く、単結晶であると判断される。
微鏡写真である。結晶構造特有の格子縞が観察できる。
格子縞に乱れが無く、単結晶であると判断される。
【図3】Si微結晶とその周辺のSiO2 から得られた
電子エネルギー損失スペクトルの比較を示した図であ
る。SiのLエッジを観察。Siの場合100eVに肩
が生じ、SiO2 の場合108eVに肩が生じることか
ら、編成分析ができ、析出粒子がSiであると同定でき
る。
電子エネルギー損失スペクトルの比較を示した図であ
る。SiのLエッジを観察。Siの場合100eVに肩
が生じ、SiO2 の場合108eVに肩が生じることか
ら、編成分析ができ、析出粒子がSiであると同定でき
る。
Claims (8)
- 【請求項1】 400℃以上の温度において、SiO2
基板に電子線を照射して電子線励起分解反応により単結
晶のSi微結晶をSiO2 基板に形成することを特徴と
するSi微結晶構造の製造方法。 - 【請求項2】 Si微結晶の大きさを5nm以下とする
請求項1の製造方法。 - 【請求項3】 Si微結晶をSiO2 基板に二次元に配
列した状態として形成する請求項1または2の製造方
法。 - 【請求項4】 Si微結晶の大きさが5nm以下であ
り、Si微結晶の相互の間隔が5〜10nmである請求
項3の製造方法。 - 【請求項5】 電子線の強度を2×108 Cm-2s-1以
上で、線量を1×109 Cm-2s-1以上とする請求項1
ないし4のいずれかの製造方法。 - 【請求項6】 結晶性SiO2 基板に電子線を照射して
非晶質化し、次いで400℃以上の温度において、電子
線照射による電子線励起分解反応させる請求項1ないし
5のいずれかの製造方法。 - 【請求項7】 SiO2 基板上に形成されたSi微結晶
構造であって、5nm以下の大きさの単結晶のSi微結
晶が、5〜10nmの間隔で二次元に配列されているこ
とを特徴とするSi微結晶構造。 - 【請求項8】 Si微結晶の大きさが2nm以下である
請求項7の構造。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10186637A JP2929005B1 (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | Si微結晶構造の製造方法 |
US09/342,622 US6344082B1 (en) | 1998-07-01 | 1999-06-29 | Fabrication method of Si nanocrystals |
EP99305143A EP0969126A3 (en) | 1998-07-01 | 1999-06-30 | Method of fabrication of Si nanostructures |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10186637A JP2929005B1 (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | Si微結晶構造の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2929005B1 JP2929005B1 (ja) | 1999-08-03 |
JP2000021773A true JP2000021773A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16192079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10186637A Expired - Lifetime JP2929005B1 (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | Si微結晶構造の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6344082B1 (ja) |
EP (1) | EP0969126A3 (ja) |
JP (1) | JP2929005B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345267A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US7887677B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-02-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Silicon object forming method and apparatus |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6794265B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-09-21 | Ultradots, Inc. | Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials |
US20030066998A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-04-10 | Lee Howard Wing Hoon | Quantum dots of Group IV semiconductor materials |
US6819845B2 (en) | 2001-08-02 | 2004-11-16 | Ultradots, Inc. | Optical devices with engineered nonlinear nanocomposite materials |
US6710366B1 (en) | 2001-08-02 | 2004-03-23 | Ultradots, Inc. | Nanocomposite materials with engineered properties |
EP1628908A4 (en) * | 2003-01-31 | 2007-08-01 | Inst Of Geol & Nuclear Science | FORMATION OF SILICON NANOSTRUCTURES |
FR2873491B1 (fr) | 2004-07-20 | 2006-09-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure dotee d'au moins une zone d'un ou plusieurs nanocristaux semi-conducteurs localisee avec precision |
FR2922680A1 (fr) * | 2007-10-18 | 2009-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un composant microelectronique avec realisation de nanocristaux metalliques localises sur une couche en materiau dielectrique |
DE102012017502B4 (de) * | 2012-05-30 | 2022-11-17 | Airbus Defence and Space GmbH | Verfahren zur Nanostrukturierung von anorganischen und organischen Materialien mit hochenergetischer gepulster Laserstrahlung |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4877650A (en) * | 1986-03-31 | 1989-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposited film |
US5346850A (en) * | 1992-10-29 | 1994-09-13 | Regents Of The University Of California | Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic |
GB2288062A (en) * | 1994-03-24 | 1995-10-04 | Univ Surrey | Forming luminescent silicon material and devices |
-
1998
- 1998-07-01 JP JP10186637A patent/JP2929005B1/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-29 US US09/342,622 patent/US6344082B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-30 EP EP99305143A patent/EP0969126A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345267A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US7887677B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-02-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Silicon object forming method and apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0969126A2 (en) | 2000-01-05 |
JP2929005B1 (ja) | 1999-08-03 |
EP0969126A3 (en) | 2001-10-24 |
US6344082B1 (en) | 2002-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20170025505A1 (en) | Two-dimensional heterostructure materials | |
KR101209151B1 (ko) | 양자점 제조방법 및 양자점을 포함하는 반도체 구조물 | |
JPH05251338A (ja) | 量子箱列の作製方法 | |
JP2929005B1 (ja) | Si微結晶構造の製造方法 | |
KR20000037780A (ko) | 양자점 구조를 갖는 화합물반도체 기판의 제조 방법 | |
JPH07226523A (ja) | 単電子トンネル接合装置の製造方法 | |
WO2006114886A1 (ja) | マスク形成方法、及び三次元微細加工方法 | |
JPH09102596A (ja) | 量子ドットの製造方法及び量子ドット装置 | |
WO2004105111A1 (ja) | 電子ビーム微細加工方法 | |
JP3251236B2 (ja) | 半導体量子ドットの作製方法 | |
US20150167154A1 (en) | Method for implanted-ion assisted growth of metal oxide nanowires and patterned device fabricated using the method | |
JP3415068B2 (ja) | 位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造 | |
Miyata et al. | Nanometer-scale Si-selective epitaxial growth using an ultrathin SiO 2 mask | |
Qayyum et al. | Formation of uniform high-density and small-size Ge/Si quantum dots by scanning pulsed laser annealing of pre-deposited Ge/Si film | |
JP2005277182A (ja) | ナノワイヤ及びその製造方法、半導体装置 | |
WO2012026359A1 (ja) | レーザー誘起表面層を有する3次元構造体及びその製造方法 | |
JP3592806B2 (ja) | シリコン酸化膜の作製方法 | |
Datta et al. | Evolution of porous network in GaSb under normally incident 60 keV Ar+-ion irradiation | |
JP5573359B2 (ja) | 量子ドットの製造方法及び光半導体装置の製造方法 | |
KR101816222B1 (ko) | 집속 전자빔을 이용한 단결정 나노 패턴의 제조방법 | |
JP3198302B2 (ja) | 微細構造パターンの形成方法 | |
KR101020782B1 (ko) | 집속 전자빔을 이용한 비정질 실리콘 박막으로부터 실리콘 나노결정 구조물의 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘 나노결정 구조물 | |
KR20230167945A (ko) | 포토리소그래피와 이온빔 조사 기술을 이용한 그래핀 양자점 패턴의 제조방법 | |
Shin et al. | Formation and microstructural properties of locally distributed ZnSiO3 nanoparticles embedded in a SiO2 layer by using a focused electron beam | |
JP2004281954A (ja) | 量子ドットの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |