JP2000019217A - 半導体装置のＩｄｄＱ不良箇所特定方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩｄｄＱテストで不良品であると判定された
半導体装置の不良箇所を迅速かつ容易に特定する。 【解決手段】 ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツール３０を
用いて、故障辞書３２を作成する。また、テスタ４０を
用いて半導体装置にＩｄｄＱテストをすることにより、
異常の検出されたストローブの一覧としてのフェイルス
トローブ情報４４を作成する。これら故障辞書３２とフ
ェイルストローブ情報４４とを重畳して、ＩｄｄＱ故障
候補ノード決定部１０では、ＩｄｄＱ故障候補ノードリ
スト１２を作成する。さらに、ナビゲーションツール５
０を用いて、故障候補ノードのレイアウト情報５２を作
成し、エミッション顕微鏡を用いて発光画像６２を作成
する。これらレイアウト情報５２と発光画像６２とを重
畳して、ＩｄｄＱ不良箇所特定部２０では、ＩｄｄＱ不
良箇所を特定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のＩｄ
ｄＱ不良解析に関するものであり、特に、半導体装置中
の多数のノードのうちＩｄｄＱ不良の原因解明のための
解析を必要とする対象部分、すなわちＩｄｄＱ故障候補
となるノード及びトランジスタの特定に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ＣＭＯＳスタティック回路等の半導体装
置を試験して、故障を検出するための手法として、Ｉｄ
ｄＱテストが行われている。このＩｄｄＱテストは、半
導体装置の入力端子から順次テストパターンを入力し、
論理動作の静止状態における異常なリーク電流を検出す
ることで、故障検出を行うテスト方法である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このようなＩｄｄＱテ
ストを、市販されているＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツー
ルによって抽出された測定ポイントにおいて実行した場
合、テスタでの測定ではテスト対象である半導体装置が
ＩｄｄＱ不良品であるか良品であるかの判別はできる
が、実際にどこに原因があるかについては別の手法を用
いて調査する必要があった。しかし、ＩｄｄＱ良品／不
良品を判別するだけではなく、設計段階、プロセス段階
へフィードバックし、ＩｄｄＱ不良品を最小限に抑える
ためには、原因の解明が不可欠であった。特に、半導体
装置の量産開始前の立ち上げ段階や、試験段階において
は、半導体装置における不良の有無をＩｄｄＱテストに
より判別するだけでは、不十分であり、その後、別途の
行程で、その不良箇所を特定する作業を行っていた。

【０００４】このように故障箇所を特定して原因を解明
するために、ＩｄｄＱ測定ポイントとして抽出されたポ
イントにおいて、故障解析装置（エミッション顕微鏡）
を用いて発光を確認していたが、作業者がチップ内のす
べての発光箇所について、またはランダムに選んだ発光
箇所について解析を行う必要があった。しかし、この発
光箇所には、ＩｄｄＱ不良以外の故障、又は良品状態で
発光している箇所も含まれているため、このような方法
でＩｄｄＱ不良箇所を検索するには、大変な手間を必要
とし、不良箇所を特定するための解析に膨大な時間を費
やしていた。

【０００５】そこで本発明は上記課題に鑑みてなされた
ものであり、ＩｄｄＱテストにより得られる情報を有効
に活用することにより、故障解析に要する時間を短縮す
ることを目的とする。つまり、ＩｄｄＱテストとは別個
に故障解析のためのテストを行う必要をなくして、故障
箇所を特定するのに要する労力と時間を削減することを
目的とする。

【０００６】換言すれば、ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツ
ールを用いて、故障辞書を作成して、テスタを用いてＩ
ｄｄＱテストを行った結果と、この故障辞書とを照らし
合わせることにより、故障候補ノードを決定することが
できるようにして、ＩｄｄＱテストのみで故障候補ノー
ドを決定することができるようにすることを目的とす
る。

【０００７】さらに、この半導体装置に故障解析装置
（エミッション顕微鏡）を用いて、物理的な故障の疑い
のある箇所を特定し、この物理的故障の疑いのある箇所
と、故障候補ノードとを、重畳することにより、Ｉｄｄ
Ｑ不良箇所を特定することができるようにすることを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置のＩｄｄＱ不良箇所特定方
法は、半導体装置をＩｄｄＱテストしてＩｄｄＱ不良が
検出された場合に、ＩｄｄＱ不良箇所を特定するための
方法であって、ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツールを用い
て、不良箇所を有するストローブに対応する故障仮定ノ
ードの一覧としての故障辞書を作成する行程と、前記半
導体装置をテスタで測定して、不良箇所を有するストロ
ーブのリストとしてのフェイルストローブ情報を作成す
る行程と、前記故障辞書と前記フェイルストローブ情報
とに基づいて、ＩｄｄＱ故障候補ノードを決定し、Ｉｄ
ｄＱ故障候補ノードリストを作成する行程と、を備えた
ことを特徴とする。

【０００９】また、本発明に係る半導体装置のＩｄｄＱ
不良箇所特定装置は、ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツール
を用いて作成された故障辞書と、テスタを用いて半導体
装置をＩｄｄＱテストすることにより得られた異常の検
出されたストローブのリストとしてのフェイルストロー
ブ情報とを、読み込むための、データ読み込み部と、前
記データ読み込み部に読み込まれた故障辞書から、前記
フェイルストローブ情報にあげられたストローブの故障
仮定ノードに含まれるノードを故障候補ノードに選択す
るとともに、前記フェイルストローブ情報にないストロ
ーブの故障仮定ノードに含まれるノードを前記故障候補
ノードから削除して、故障候補ノードの一覧としてのＩ
ｄｄＱ故障候補ノードリストを作成する、ＩｄｄＱ故障
候補ノード決定部と、を備えることを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、半導体装置をＩｄｄＱ
テストして得られる情報を有効に活用することにより、
ＩｄｄＱテストのみで故障候補ノードを決定することが
できるようにするとともに、この半導体装置を故障解析
装置（エミッション顕微鏡）で解析して物理的な故障の
疑いのある箇所を検出し、この検出結果から、前記故障
候補ノードを限定して、故障ノードである不良箇所を特
定するようにしたものである。以下、図面に基づいて、
本発明の一実施形態をくわしく説明する。

【００１１】図１は本実施形態に係るＩｄｄＱ不良箇所
特定装置の構成及び実行フローの一例を示す図であり、
図２はＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツールが出力する故障
辞書の一例を簡単に示した図であり、図３はテスタでの
測定後に出力されるフェイル情報の一例を簡単に示した
図であり、図４はテスタでの測定後に出力されるフェイ
ル情報をもとに作成されるフェイルストローブ情報の一
例を簡単に示した図であり、図５は本発明の特徴的部分
の１つである故障候補ノード決定部の実行フローの一例
を示した図であり、図６は故障候補ノード決定部の実行
について、本実施例で説明するための具体的な内容及び
故障候補ノードリストの具体的な一例を示した図であ
り、図７はナビゲーションツールを用いて故障候補ノー
ドをレイアウト表示上に重畳して視覚的に表示した例を
示した図であり、図８はエミッション顕微鏡の発光画像
の一例を示した図、図９は本発明の特徴的部分の１つで
あるＩｄｄＱ不良箇所特定部の実行フローの一例を示し
た図である。

【００１２】まず、本実施形態において使用する、Ｉｄ
ｄＱ測定ポイント抽出ツールと、エミッション顕微鏡
と、について簡単に説明する。ＩｄｄＱ測定ポイント抽
出ツールとは、既存のテストパターンの中からＩｄｄＱ
測定ストローブして有効なポイント（ストローブ）を選
択するもので、一般に市販されているツールである。例
えばＰｏｗｅｒＦａｕｌｔ-ＩＤＤＱ 、ＣＭ-ｉＴｅｓｔ
などがある。また、エミッション顕微鏡とは、半導体装
置内における物理的な欠陥の疑いのある箇所を表示する
ための故障解析装置の一種であり、半導体装置内におけ
る物理的な欠陥の疑いのある箇所が発光して表示される
装置である。このような故障解析装置は、一般に市販さ
れていおり、例えばＰＨＥＭＯＳ−２００などがある。

【００１３】次に図１に基づいて、本実施形態に係るＩ
ｄｄＱ不良箇所特定手法のフローを概略的に説明する。

【００１４】この図１からわかるように、ＩｄｄＱ不良
箇所特定装置は、ＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０
と、ＩｄｄＱ不良箇所特定部２０とを、備えて構成され
ている。また、このＩｄｄＱ不良箇所特定装置は、Ｉｄ
ｄＱ測定ポイント抽出ツール３０と、テスタ４０と、ナ
ビゲーション５０と、エミッション顕微鏡（故障解析装
置）６０とを、用いる。

【００１５】ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツール３０は、
各ストローブに対応するノードをテーブルとする故障辞
書３２を出力する。テスタ装置４０は、半導体装置のＩ
ｄｄＱテスト結果に基づいてフェイル情報４２を出力す
る。そして、このフェイル情報４２から異常な検出され
たストローブを選択して、フェイルストローブ情報４４
が作成される。これら故障辞書３２とフェイルストロー
ブ情報４４に基づいて、ＩｄｄＱ故障候補ノード決定部
１０は、ＩｄｄＱ故障候補ノードを決定する。そして、
このＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０は、故障候補ノ
ードリスト１２を出力する。

【００１６】ナビゲーションツール５０は、故障候補ノ
ードリスト１２に基づいて、半導体装置のレイアウト表
示上にその箇所が故障候補ノードの１つであると特定で
きる視覚情報を表示したレイアウト情報５２を出力す
る。エミッション顕微鏡６０は、半導体装置において物
理的な故障の疑いのある箇所が発光した画像表示である
発光画像６２を作成する。これらレイアウト情報５２と
発光画像６２とを結合して、ＩｄｄＱ不良箇所特定部２
０は、ＩｄｄＱ不良箇所を特定し、ＩｄｄＱ不良情報２
２を出力する。

【００１７】次に、図１に基づきながら図２乃至図９を
参酌して、本実施形態の実行フローについて詳細に説明
する。

【００１８】まず、図１からわかるように、ＩｄｄＱ測
定ポイント抽出ツール３０を用いて、故障辞書３２を作
成する。図２からわかるように、この故障辞書３２に
は、ストローブ情報３２ａと、そのストローブで検出さ
れる故障候補ノードのノードリスト３２ｂとが、含まれ
ている。本実施形態においては、ＩｄｄＱ故障候補ノー
ド決定部１０でＩｄｄＱ故障候補ノードを決定する際
に、故障辞書３２におけるこれらのストローブ情報３２
ａとノードリスト３２ｂとを、情報として用いる。

【００１９】また、図１からわかるように、テスタ４０
では、検査対象である半導体装置に対して、ＩｄｄＱテ
ストを行う。すなわち、ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツー
ル３０によって抽出されたＩｄｄＱ測定ポイントにおい
て電流値の測定を行い、異常なリーク電流の有無につい
て検出する。そして、テスタ４０はこの測定結果に基づ
いて、フェイル情報４２を出力する。図３からわかるよ
うに、このフェイル情報４２には、各ストローブに対応
したアドレス情報４２ａと、出力ピンに対応するフェイ
ル情報４２ｂ等が含まれている。このフェイル情報４２
ｂにおいては、テスタ４０でＩｄｄＱテストした際に異
常なリーク電流が流れたパターンを×であらわしてい
る。このフェイル情報４２のアドレス情報４２ａをもと
に、フェイルストローブ情報４４（図１参照）が作成さ
れる。図４は、このフェイルストローブ情報４４の内容
が示されている。この図４からわかるように、フェイル
ストローブ情報４４には、異常を検出したストローブが
リストアップされている。本実施形態においては、Ｉｄ
ｄＱ故障候補ノード決定部１０でＩｄｄＱ故障候補を決
定する際、故障辞書３２とフェイルストローブ情報４４
とを用いる。

【００２０】次に、図１からわかるように、これら故障
辞書３２と、フェイルストローブ情報４４とをもとにし
て、ＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０では、ＩｄｄＱ
故障候補リスト１２を作成する。図５に基づいて、より
詳しいＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０の実行フロー
について説明する。まず、故障候補ノード決定部１０
は、フェイルストローブ情報４４から、どのストローブ
がフェイルストローブにリストアップされているかの情
報を取得する。次に、故障候補ノード決定部１０は、故
障辞書３２の中の情報から、フェイルストローブ以外の
情報をすべて削除する。すなわち、故障辞書３２の中か
らフェイルしていないストローブの情報をすべて削除す
る。これにより故障辞書３２の中には、異常の検出され
たストローブに含まれるノードが故障候補ノードとして
残ることとなる。次に、故障辞書３２中のフェイルして
いないストローブによって検出されるノードを参照し、
故障辞書３２中のフェイルストローブのノード情報か
ら、フェイルしていないストローブに含まれるノードを
削除する。これにより、故障候補ノードが決定される。

【００２１】より具体的なフローを図６に基づいて、説
明する。この図６からわかるように、故障辞書３２に
は、ｓｔｒｏｂｅ１からｓｔｒｏｂｅ５のストローブ情
報３２ａと、それぞれのストローブに対するノードリス
ト（ノード情報）３２ｂとが、含まれている。ここで、
フェイルストローブ情報４４では、フェイルストローブ
がｓｔｒｏｂｅ１、ｓｔｒｏｂｅ３、ｓｔｒｏｂｅ５で
あるとする。つまり、ｓｔｒｏｂｅ２、ｓｔｒｏｂｅ４
がフェイルしていないストローブであるとする。従っ
て、まず故障辞書３２から、ｓｔｒｏｂｅ２とｓｔｒｏ
ｂｅ４の情報をすべて削除する。このため、この段階
で、故障候補ノードとしてノードＡ、ノードＢ、ノード
Ｃ、ノードＤ、ノードＦが選択されたこととなる。

【００２２】次に、故障辞書３２中の故障候補ノードの
中から、ｓｔｒｏｂｅ２とｓｔｒｏｂｅ４で検出される
ノードを削除する。図６の例では、ノードＡ、ノード
Ｃ、ノードＥ、ノードＧを、削除する。これは、これら
のノードは、異常の検出されていない正常なストローブ
でもノードリストにあげられているので、正常なノード
であると考えられるからである。このため、図６におい
て枠線で囲ったノードを除いたものが、故障候補ノード
となる。つまり、図６の例では、ノードＢ、ノードＤ、
ノードＦが故障候補ノードとなる。また、解析を行うた
めには、これらの故障候補ノードに何らかの優先順位を
付ける必要がある。この優先順位としては、故障候補ノ
ードの中で、よりＩｄｄＱ不良である可能性の高いノー
ドに、高い優先順位を付けるのが望ましい。本実施形態
では、故障候補ノードのうち、いくつかのストローブに
重複しているノードについて、より多く重複しているノ
ードがＩｄｄＱ不良である可能性が高いと判断する。具
体的には、ノードＢはｓｔｒｏｂｅ１、３、５の３つに
重複しているので、最も高い優先順位が付与される。ノ
ードＤは、ｓｔｒｏｂｅ１、５の２つに重複しているの
で、その次に高い優先順位が付与される。ノードＦはｓ
ｔｒｏｂｅ３の１つにのみリストとしてあげられている
ので、一番低い優先順位が付与される。つまり、図６の
例では、Ｂ→Ｄ→Ｆという優先順位が与えられる。な
お、複数のノードについて、ストローブに重複している
数が同じである場合には、ノード名のアルファベット順
や、乱数等の、何らかの方法により優先順位を付与する
必要がある。このようにして、ＩｄｄＱ故障候補ノード
決定部１０は、故障候補ノードリスト１２を作成する。

【００２３】次に、図１からわかるように、故障候補ノ
ードリスト１２をもとに、ナビゲーションツール５０を
用いて、半導体装置のレイアウトと故障候補ノードとを
重畳して、レイアウト情報５２を生成する。図７は、こ
のように故障候補ノードを重畳したレイアウト情報５２
の例を示している。この図７からわかるように、半導体
装置のレイアウト表示に重ねて、ノード名等のその箇所
が故障候補ノードであることがわかる視覚情報を表示す
る。本実施形態では、Ｂ、Ｄ、Ｆというノード名を図の
ように表示することにより、その箇所が故障候補ノード
であることがわかるようにしている。これらのノード
Ｂ、Ｄ、Ｆで示している範囲は、同一の信号が伝達され
る範囲であり、その１つのノードの範囲の中には配線や
論理素子が含まれる。

【００２４】また、図１からわかるように、エミッショ
ン顕微鏡６０により、対象サンプルである半導体装置の
発光箇所が表示された発光画像６２を取得する。図８
は、ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツールによって抽出され
た任意の測定ポイントにおける発光箇所観測の発光画像
６２のイメージを示している。この図８において、回路
中の発光箇所は６２ａで示している。つまり、半導体装
置における物理的な故障の疑いのある箇所は、発光箇所
である６２ａのいずれかであることを示している。

【００２５】次に、図１からわかるように、ＩｄｄＱ不
良箇所特定部２０で、レイアウト情報５２と、発光画像
６２とをもとにして、ＩｄｄＱ不良箇所を特定する。図
９に基づき、具体例に沿って、ＩｄｄＱ不良箇所特定部
２０のフローについて説明する。

【００２６】まず、ＩｄｄＱ不良箇所特定部２０は、故
障候補ノードのレイアウト情報５２と、エミッション顕
微鏡６０から得られた発光画像６２の情報とを、取り入
れ、重畳する。次に、ＩｄｄＱ故障候補ノードであり、
且つ、エミッション顕微鏡６０での発光箇所６２ａであ
る部分を検索し、この部分をＩｄｄＱ不良箇所として特
定する。図９の例では、ＩｄｄＱ故障候補ノードとして
Ｂ、Ｄ、Ｆがあげられており、そのうちエミッション顕
微鏡６０において発光している箇所はノードＤ、Ｆの部
分である。従って、ノードＤ、ＦがＩｄｄＱ不良箇所と
して特定される。そして、ＩｄｄＱ不良箇所特定部２０
は、これらノードＤ、ＦをＩｄｄＱ不良箇所２２とし
て、出力する。

【００２７】次に、図１０に基づいて、本実施形態に係
るＩｄｄＱ不良箇所特定装置の構成の一例を説明する。
この図１０からわかるように、本実施形態に係るＩｄｄ
Ｑ不良箇所特定装置７０は、データ読み込み部７２と、
ＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０と、レイアウト表示
部７４と、ＩｄｄＱ不良箇所特定部２０と、不良箇所表
示部７６とを、備えて構成されている。

【００２８】データ読み込み部７２は、故障辞書３２
と、フェイル情報４２及びフェイルストローブ情報４４
とを、データとして読み込む。すなわち、データ読み込
み部７２では、ＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０で故
障候補ノードを決定する際に必要とする情報を読み込
み、それらの情報をＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０
で参照できるようにする。

【００２９】このデータ読み込み部７２で読み込んだデ
ータをもとにして、ＩｄｄＱ故障候補ノード決定部１０
は故障候補ノードを決定する。すなわち、ＩｄｄＱ故障
候補ノード決定部１０においては、上述した手法を用い
てＩｄｄＱ故障候補ノードを決定する。

【００３０】レイアウト表示部７４では、ナビゲーショ
ンツール５０を用いることにより、半導体装置のレイア
ウト表示上に、その箇所が故障候補ノードであるとわか
る視覚情報を重畳して表示する。ＩｄｄＱ不良箇所特定
部２０では、故障候補ノードのレイアウト情報と、エミ
ッション顕微鏡６０による発光画像６２とに基づいて、
ＩｄｄＱ不良箇所を特定する。すなわち、ＩｄｄＱ不良
箇所特定部２０では、上述した手法を用いてＩｄｄＱ不
良箇所を特定する。そして、不良箇所表示部７６では、
この特定されたＩｄｄＱ不良箇所の情報を表示する。つ
まり、不良箇所表示部７６には、上記手法を用いてＩｄ
ｄＱ不良箇所であると特定したノードの情報が表示され
る。

【００３１】以上のように、本実施形態に係るＩｄｄＱ
不良箇所特定装置は、故障辞書３２とフェイルストロー
ブ情報４４とに基づいて、ＩｄｄＱ故障候補ノード決定
部１０でＩｄｄＱ故障候補ノードリスト１２を生成し、
このＩｄｄＱ故障候補ノードリスト１２からナビゲーシ
ョンツール５０を用いて作成されたレイアウト情報５２
と、エミッション顕微鏡６０を用いて得られた発光画像
６２とに、基づいて、ＩｄｄＱ不良箇所特定部２０でＩ
ｄｄＱ不良箇所を特定し、ＩｄｄＱ不良情報２２を作成
することとした。このため、半導体装置内の数多いノー
ドの中から、ＩｄｄＱ不良である可能性が高いノードを
特定することができる。すなわち、従来ＩｄｄＱテスト
とは別個に行われていた故障箇所を特定するための作業
を、ＩｄｄＱテストの結果を有効に活用するための故障
辞書３２を作成し、この故障辞書３２に基づいて故障候
補ノードを絞り込むこととしたので、故障箇所特定のた
めに要する作業を軽減することができる。

【００３２】また、ＩｄｄＱ不良の原因解明のための解
析対象部分を検索する手間が省けるので、解析効率の向
上と、原因解明のための時間短縮とを、図ることができ
る。例えば、本実施形態においては、ノードＤ、Ｆが不
良箇所であることが簡単に追跡できるので、このノード
Ｄ、Ｆを特定するために別途手段で解析する時間を短縮
することができる。また、故障解析に必要な時間を短縮
することにより、その故障解析の結果をより早く設計部
門、プロセス部門にフィードバックすることができ、不
具合に対する早期改善を図り、不良混入率の低減、信頼
性の向上を図ることが可能になる。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、本発明に係るＩｄｄＱ不
良箇所特定方法及び装置によれば、半導体装置内の多く
のノードの中から、ＩｄｄＱ不良箇所を簡単に特定する
ことができる。

【００３４】また、ＩｄｄＱ不良の原因解明のための解
析対象部分を検索する手間が省けるので、解析効率の向
上と、原因解明のための時間短縮とを、図ることができ
る。しかも、故障解析に必要な時間を短縮することによ
り、その故障解析の結果をより早く設計部門、プロセス
部門にフィードバックすることができ、不具合に対する
早期改善を図り、不良混入率の低減、信頼性の向上をも
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るＩｄｄＱ不良箇所特
定手法を説明するための実行フローを示す図。

【図２】本発明のＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツールが出
力する故障辞書のデータ構成の一例を示す図。

【図３】テスタが出力するフェイル情報のデータ構成の
一例を示す図。

【図４】図３に示すフェイル情報をもとに作成されるフ
ェイルストローブ情報のデータ構成の一例を示す図。

【図５】故障候補ノード決定部において、故障候補ノー
ドリストを作成するフローを説明する図。

【図６】故障候補ノード決定部において、故障候補ノー
ドを決定する過程を、具体例に基づいて詳細に説明する
図。

【図７】ナビゲーションツールを用いて、故障候補ノー
ドを半導体装置のレイアウト表示上に重畳した場合にお
ける表示の一例を具体的に示す図。

【図８】エミッション顕微鏡を用いて得られた発光画像
の一例を具体的に示す図。

【図９】ＩｄｄＱ不良箇所特定部において、ＩｄｄＱ不
良箇所を特定するフローを説明する図。

【図１０】ＩｄｄＱ不良箇所特定装置の構成の一例を示
す図。

【符号の説明】

１０ ＩｄｄＱ故障候補ノード決定部 １２ ＩｄｄＱ故障候補リスト ２０ ＩｄｄＱ不良箇所特定部 ２２ ＩｄｄＱ不良情報 ３０ ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツール ３２ 故障辞書 ４０ テスタ ４２ フェイル情報 ４４ フェイルストローブ情報 ５０ ナビゲーションツール ５２ レイアウト情報 ６０ エミッション顕微鏡 ６２ 発光画像

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA02 AA07 AB00 AF02 AH04 AH10 2G032 AA01 AB01 AB20 AC10 AD05 AD10 AE07 AE08 AE10 AE12 AH03 AH04 AK01 AK15 AK16 AL01 4M106 AA02 AB03 BA10 BA14 CA04 CA18 DH01 DH50 DH60 DJ18 DJ20

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体装置をＩｄｄＱテストしてＩｄｄＱ
   不良が検出された場合に、ＩｄｄＱ不良箇所を特定する
   ための方法であって、 ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツールを用いて、不良箇所を
   有するストローブに対応する故障仮定ノードの一覧とし
   ての故障辞書を作成する行程と、 前記半導体装置をテスタで測定して、不良箇所を有する
   ストローブのリストとしてのフェイルストローブ情報を
   作成する行程と、 前記故障辞書と前記フェイルストローブ情報とに基づい
   て、ＩｄｄＱ故障候補ノードを決定し、ＩｄｄＱ故障候
   補ノードリストを作成する行程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置のＩｄｄＱ不良箇
   所特定方法。
2. 【請求項２】前記ＩｄｄＱ故障候補ノードリストから、
   ナビゲーションツールを用いて、前記半導体装置のレイ
   アウト表示上の故障候補ノードに対応する箇所に、この
   箇所が前記故障候補ノードであると特定するための視覚
   的情報が付加された、半導体装置のレイアウト情報を作
   成する行程と、 故障解析装置を用いて、前記半導体装置における物理的
   な故障の疑いのある箇所を特定する行程と、 前記レイアウト情報と前記特定された物理的な故障の疑
   いのある箇所の共通する箇所を選び出して、ＩｄｄＱ故
   障箇所を特定する行程と、 をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導
   体装置のＩｄｄＱ不良箇所特定方法。
3. 【請求項３】前記故障辞書を作成する行程では、前記Ｉ
   ｄｄＱ測定ポイント抽出ツールにより複数のテストパタ
   ーンの中からＩｄｄＱテストにおいて有効なテストパタ
   ーンを抽出し、この抽出結果から、各ストローブ毎に故
   障仮定されているノードのリストを作成し、これを前記
   故障辞書とする、ことを特徴とする請求項１又は請求項
   ２に記載の半導体装置のＩｄｄＱ不良箇所特定方法。
4. 【請求項４】前記フェイルストローブ情報を作成する行
   程では、前記テスタを用いて前記ＩｄｄＱ測定ポイント
   抽出ツールによって抽出された測定ポイントで異常なリ
   ーク電流の検出を行い、各ストローブに対応して各テス
   トパターン毎に異常なリーク電流を検出したか否かの一
   覧としてのフェイル情報を作成し、このフェイル情報か
   ら、異常なリーク電流がが検出されたストローブのリス
   トを作成し、これをフェイルストローブ情報とする、こ
   とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の半導体装置のＩｄｄＱ不良箇所特定方法。
5. 【請求項５】前記ＩｄｄＱ故障候補ノードリストを作成
   する行程では、前記フェイルストローブ情報にあげられ
   たストローブの故障仮定ノードに含まれるノードを故障
   候補ノードに選択するとともに、前記フェイルストロー
   ブ情報にないストローブの故障仮定ノードに含まれるノ
   ードを前記故障候補ノードから削除して、前記ＩｄｄＱ
   故障候補ノードを決定する、ことを特徴とする請求項１
   乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置のＩｄｄＱ
   不良箇所特定方法。
6. 【請求項６】前記ＩｄｄＱ不良箇所を特定する行程で
   は、前記ナビゲーションツールを用いて得られた前記レ
   イアウト情報と、前記故障解析装置を用いて得られた発
   光画像とを、重畳させることにより、前記故障候補ノー
   ドであり、かつ、物理的な故障の疑いのある箇所を、前
   記ＩｄｄＱ不良箇所として特定する、ことを特徴とする
   請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置の
   ＩｄｄＱ不良箇所特定方法。
7. 【請求項７】ＩｄｄＱ測定ポイント抽出ツールを用いて
   作成された故障辞書と、テスタを用いて半導体装置をＩ
   ｄｄＱテストすることにより得られた異常の検出された
   ストローブのリストとしてのフェイルストローブ情報と
   を、読み込むための、データ読み込み部と、 前記データ読み込み部に読み込まれた故障辞書から、前
   記フェイルストローブ情報にあげられたストローブの故
   障仮定ノードに含まれるノードを故障候補ノードに選択
   するとともに、前記フェイルストローブ情報にないスト
   ローブの故障仮定ノードに含まれるノードを前記故障候
   補ノードから削除して、故障候補ノードの一覧としての
   ＩｄｄＱ故障候補ノードリストを作成する、ＩｄｄＱ故
   障候補ノード決定部と、 を備えることを特徴とする半導体装置のＩｄｄＱ不良箇
   所特定装置。
8. 【請求項８】前記ＩｄｄＱ故障候補ノードリストに基づ
   いて、ナビゲーションツールを用いて、前記半導体装置
   のレイアウト表示上の故障候補ノードに対応する箇所
   に、この箇所が厚相候補ノードであると特定できる視覚
   情報を表示する、半導体装置のレイアウト表示部と、 前記レイアウト表示部の表示と、故障解析装置を用いて
   検出された半導体装置における物理的な故障の疑いのあ
   る箇所とを、重畳させることにより、ＩｄｄＱ不良箇所
   を特定する、ＩｄｄＱ不良箇所特定部と、 ＩｄｄＱ不良箇所と特定されたノードを表示する、不良
   箇所表示部と、 をさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載の半導
   体装置のＩｄｄＱ不良箇所特定装置。