JP2000016826A - フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、大板ガラスであっても、分
割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計からず
れてディスプレイの表示不良が発生するということがな
いフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法
を提供することである。 【解決手段】 ガラス基板を、セッター（日本電気硝子
株式会社製ネオセラムＮ−０）上に１枚づつ載置し、ア
ニール炉内に入れてアニールした後、その周縁部を切り
落とすことによって、５５０×６５０×０．７ｍｍの寸
法を有するガラス基板とした。これらのガラス基板の平
面方向の残留応力を測定したところ、いずれも４ｋｇ／
ｃｍ2 以下であった。
割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計からず
れてディスプレイの表示不良が発生するということがな
いフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法
を提供することである。 【解決手段】 ガラス基板を、セッター（日本電気硝子
株式会社製ネオセラムＮ−０）上に１枚づつ載置し、ア
ニール炉内に入れてアニールした後、その周縁部を切り
落とすことによって、５５０×６５０×０．７ｍｍの寸
法を有するガラス基板とした。これらのガラス基板の平
面方向の残留応力を測定したところ、いずれも４ｋｇ／
ｃｍ2 以下であった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラットパネルディス
プレイのアレイ基板材料や、その対向基板材料として用
いられるガラス基板の製造方法に関するものである。
プレイのアレイ基板材料や、その対向基板材料として用
いられるガラス基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりフラットパネルディスプレイ用
ガラス基板として、０．３〜３．０ｍｍ程度の厚みを有
する矩形状の板ガラスが大量に用いられている。特に近
年になって、α−Ｓｉ ＴＦＴ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−
Ｓｉ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）液晶
ディスプレイ等の薄膜電気回路を用いたフラットパネル
ディスプレイ市場が急速に拡大している。
ガラス基板として、０．３〜３．０ｍｍ程度の厚みを有
する矩形状の板ガラスが大量に用いられている。特に近
年になって、α−Ｓｉ ＴＦＴ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−
Ｓｉ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）液晶
ディスプレイ等の薄膜電気回路を用いたフラットパネル
ディスプレイ市場が急速に拡大している。
【０００３】また最近では、α−Ｓｉ ＴＦＴ液晶ディ
スプレイに比べ、高精細化、低消費電力化、低コスト化
の点で優れた低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ液晶ディスプ
レイの技術が開発され、実用化され始めている。
スプレイに比べ、高精細化、低消費電力化、低コスト化
の点で優れた低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ液晶ディスプ
レイの技術が開発され、実用化され始めている。
【０００４】ところで最近のフラットパネルディスプレ
イ用ガラス基板には、大板化が求められている。すなわ
ち最終製品であるディスプレイの大きさは、対角１２イ
ンチ程度のものが主流であるが、ディスプレイ基板の製
造コストの低減と、スループットの向上を目的として大
きなガラス基板から複数のディスプレイ基板を作製する
マルチ方式が採用されている。つまりガラスメーカーで
成形された大型のガラス基板（ガラス素板）上に、複数
分の回路パターンを形成した後、回路パターン毎にガラ
ス基板を分割切断して複数のディスプレイ基板を作製す
る方式が採用されており、これらの基板は、ディスプレ
イの背面基板となるアレイ基板として使用されている。
また同様に、アレイ基板の対向基板（前面基板）につい
ても大型のガラス基板に複数のパターンを形成した後、
分割切断する生産方式が採られている。
イ用ガラス基板には、大板化が求められている。すなわ
ち最終製品であるディスプレイの大きさは、対角１２イ
ンチ程度のものが主流であるが、ディスプレイ基板の製
造コストの低減と、スループットの向上を目的として大
きなガラス基板から複数のディスプレイ基板を作製する
マルチ方式が採用されている。つまりガラスメーカーで
成形された大型のガラス基板（ガラス素板）上に、複数
分の回路パターンを形成した後、回路パターン毎にガラ
ス基板を分割切断して複数のディスプレイ基板を作製す
る方式が採用されており、これらの基板は、ディスプレ
イの背面基板となるアレイ基板として使用されている。
また同様に、アレイ基板の対向基板（前面基板）につい
ても大型のガラス基板に複数のパターンを形成した後、
分割切断する生産方式が採られている。
【０００５】そのため従来のガラス基板の大きさ（縦横
寸法）は、３００×４００ｍｍサイズや３７０×４７０
ｍｍサイズであったが、最近では、５５０×６５０ｍｍ
サイズや、それ以上のサイズのガラス基板が必要とされ
るようになってきている。
寸法）は、３００×４００ｍｍサイズや３７０×４７０
ｍｍサイズであったが、最近では、５５０×６５０ｍｍ
サイズや、それ以上のサイズのガラス基板が必要とされ
るようになってきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように最近に
なって、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板は、
大板化が進められているが、これに伴ってガラス基板を
分割切断した後に、ガラス基板が変形するという問題が
発生している。
なって、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板は、
大板化が進められているが、これに伴ってガラス基板を
分割切断した後に、ガラス基板が変形するという問題が
発生している。
【０００７】例えば液晶ディスプレイのアレイ基板とし
て用いられるガラス基板上には、薄膜電気回路や、その
他の各種金属膜、絶縁膜等を組み合わせた回路パターン
が形成され、その対向基板であるカラーフィルター基板
には、ＲＧＢパターンが形成されるが、このような回路
パターンが形成されたガラス基板が分割切断された後に
変形すると、互いの画素パターンが所期の設計からずれ
てしまい、アレイ基板の回路パターンとカラーフィルタ
ー基板のパターンとが一致せず、最終製品である液晶デ
ィスプレイの表示不良という致命的な欠陥につながるこ
とがあるため大きな問題となっている。特にα−Ｓｉ
ＴＦＴに比べて、低温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの方が、パ
ターンがより高精細であるため、ガラス基板のわずかな
変形も許されないのが現実である。
て用いられるガラス基板上には、薄膜電気回路や、その
他の各種金属膜、絶縁膜等を組み合わせた回路パターン
が形成され、その対向基板であるカラーフィルター基板
には、ＲＧＢパターンが形成されるが、このような回路
パターンが形成されたガラス基板が分割切断された後に
変形すると、互いの画素パターンが所期の設計からずれ
てしまい、アレイ基板の回路パターンとカラーフィルタ
ー基板のパターンとが一致せず、最終製品である液晶デ
ィスプレイの表示不良という致命的な欠陥につながるこ
とがあるため大きな問題となっている。特にα−Ｓｉ
ＴＦＴに比べて、低温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの方が、パ
ターンがより高精細であるため、ガラス基板のわずかな
変形も許されないのが現実である。
【０００８】本発明の目的は、大板ガラスであっても、
分割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計から
ずれてディスプレイの表示不良が発生するということが
ないフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方
法を提供することである。
分割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計から
ずれてディスプレイの表示不良が発生するということが
ないフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方
法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、ガラス基板
が分割切断された後に変形する原因が、ガラス基板の平
面方向に大きな残留応力が発生するからであり、ガラス
基板をアニールした後、その周縁部を切り落とし、平面
方向の残留応力を一定値以下に抑えることによって、ガ
ラス基板の分割切断後の変形が抑えられることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、ガラス基板
が分割切断された後に変形する原因が、ガラス基板の平
面方向に大きな残留応力が発生するからであり、ガラス
基板をアニールした後、その周縁部を切り落とし、平面
方向の残留応力を一定値以下に抑えることによって、ガ
ラス基板の分割切断後の変形が抑えられることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
【００１０】すなわち本発明のフラットパネルディスプ
レイ用ガラス基板の製造方法は、予め所定寸法より大き
いガラス基板を作製し、これをアニールした後、所定寸
法となるように周縁部を切り落とすことによって、平面
方向の残留応力が５ｋｇ／ｃｍ2 以下のガラス基板とす
ることを特徴とする。
レイ用ガラス基板の製造方法は、予め所定寸法より大き
いガラス基板を作製し、これをアニールした後、所定寸
法となるように周縁部を切り落とすことによって、平面
方向の残留応力が５ｋｇ／ｃｍ2 以下のガラス基板とす
ることを特徴とする。
【００１１】また本発明のフラットパネルディスプレイ
用ガラス基板の製造方法は、好ましくは、ガラス基板の
周縁部を１０ｍｍ以上の幅で切り落とすことを特徴と
し、さらに周縁部を切り落とした後のガラス基板の縦寸
法が４００ｍｍ以上、横寸法が５００ｍｍ以上であるこ
とを特徴とし、またガラス基板が、低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ
ＴＦＴ用ガラス基板であることを特徴とする。
用ガラス基板の製造方法は、好ましくは、ガラス基板の
周縁部を１０ｍｍ以上の幅で切り落とすことを特徴と
し、さらに周縁部を切り落とした後のガラス基板の縦寸
法が４００ｍｍ以上、横寸法が５００ｍｍ以上であるこ
とを特徴とし、またガラス基板が、低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ
ＴＦＴ用ガラス基板であることを特徴とする。
【００１２】
【作用】フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に残
留応力が発生するメカニズムは、次のとおりである。
留応力が発生するメカニズムは、次のとおりである。
【００１３】この種のガラス基板を成形するための一般
の工業的な方法としては、フロート法、オーバーフロー
ダウンドロー法、スロットダウンドロー法等が知られて
いるが、いずれの成形法を採用しても、成形した板ガラ
スを冷却する時に、その肉厚方向に温度分布が発生する
と共に、平面方向にもいくらかの温度分布が発生し、そ
の結果、不均一な残留応力が発生することになる。
の工業的な方法としては、フロート法、オーバーフロー
ダウンドロー法、スロットダウンドロー法等が知られて
いるが、いずれの成形法を採用しても、成形した板ガラ
スを冷却する時に、その肉厚方向に温度分布が発生する
と共に、平面方向にもいくらかの温度分布が発生し、そ
の結果、不均一な残留応力が発生することになる。
【００１４】切断後の変形に影響を与えるのは、主にガ
ラス基板の平面方向に発生する残留応力であり、ガラス
基板の中央付近に比べて、周縁部の冷却速度が速い場合
や、逆にガラス基板の中央付近に比べて周縁部の冷却速
度が遅い場合に、周縁部付近に残留応力が発生する。こ
のような平面方向に残留応力を有するガラス基板が分割
切断されると、変形することによって応力を解放しよう
とする。
ラス基板の平面方向に発生する残留応力であり、ガラス
基板の中央付近に比べて、周縁部の冷却速度が速い場合
や、逆にガラス基板の中央付近に比べて周縁部の冷却速
度が遅い場合に、周縁部付近に残留応力が発生する。こ
のような平面方向に残留応力を有するガラス基板が分割
切断されると、変形することによって応力を解放しよう
とする。
【００１５】本発明者等の知見によると、平面方向の残
留応力は、ガラス基板の大きさに比例して大きくなり、
例えば、縦寸法４００ｍｍ以上、横寸法５００ｍｍ以上
のガラス基板の場合、周縁部の残留応力は、２０ｋｇ／
ｃｍ2 以上となることがあった。しかしながらガラス基
板をアニールした後、その周縁部を切り落とし、平面方
向の残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下にすると、これを分
割切断しても、問題となるような変形は生じない。
留応力は、ガラス基板の大きさに比例して大きくなり、
例えば、縦寸法４００ｍｍ以上、横寸法５００ｍｍ以上
のガラス基板の場合、周縁部の残留応力は、２０ｋｇ／
ｃｍ2 以上となることがあった。しかしながらガラス基
板をアニールした後、その周縁部を切り落とし、平面方
向の残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下にすると、これを分
割切断しても、問題となるような変形は生じない。
【００１６】従って本発明の方法は、大寸法のガラス基
板、具体的には、周縁部を切り落とした後の縦寸法４０
０ｍｍ以上、横寸法５００ｍｍ以上のガラス基板に有用
であり、またα−Ｓｉ ＴＦＴに比べて、より高精細な
回路パターンを有する低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ用ガ
ラス基板に有用である。
板、具体的には、周縁部を切り落とした後の縦寸法４０
０ｍｍ以上、横寸法５００ｍｍ以上のガラス基板に有用
であり、またα−Ｓｉ ＴＦＴに比べて、より高精細な
回路パターンを有する低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ用ガ
ラス基板に有用である。
【００１７】通常、この種のガラス基板をアニールする
場合、ガラス基板を平坦性に優れた耐熱性セッター上に
載置してアニール炉に投入するが、生産性を向上するた
めには、セッター上に複数枚のガラス基板を重ねて載置
しても良い。セッターの材質としては、低膨張結晶化ガ
ラスやセラミックが使用可能である。またアニールは、
連続式アニール炉やバッチ式電気炉を用いて行うことが
できるが、生産性を考えると、連続式アニール炉を用い
ることが望ましい。
場合、ガラス基板を平坦性に優れた耐熱性セッター上に
載置してアニール炉に投入するが、生産性を向上するた
めには、セッター上に複数枚のガラス基板を重ねて載置
しても良い。セッターの材質としては、低膨張結晶化ガ
ラスやセラミックが使用可能である。またアニールは、
連続式アニール炉やバッチ式電気炉を用いて行うことが
できるが、生産性を考えると、連続式アニール炉を用い
ることが望ましい。
【００１８】
【実施例】以下、本発明のフラットパネルディスプレイ
用ガラス基板の製造方法を、実施例及び比較例に基づい
て詳細に説明する。
用ガラス基板の製造方法を、実施例及び比較例に基づい
て詳細に説明する。
【００１９】（実施例）まず重量％で、ＳｉＯ2 ５５
％、Ｂ2 Ｏ3 １０％、Ａｌ2 Ｏ3 １０％、ＲＯ ２
５％の組成となるようにガラス原料を調合し、１５８０
℃で所定時間溶融した後、スロットダウンドロー法を用
いて成形し、切断加工することによって、５７０×６７
０×０．７ｍｍの寸法を有する低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴ液晶ディスプレイ用無アルカリガラス基板を１２枚
作製した。
％、Ｂ2 Ｏ3 １０％、Ａｌ2 Ｏ3 １０％、ＲＯ ２
５％の組成となるようにガラス原料を調合し、１５８０
℃で所定時間溶融した後、スロットダウンドロー法を用
いて成形し、切断加工することによって、５７０×６７
０×０．７ｍｍの寸法を有する低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴ液晶ディスプレイ用無アルカリガラス基板を１２枚
作製した。
【００２０】次にこれらのガラス基板を、板状で平坦性
に優れた耐熱性セッター（日本電気硝子株式会社製ネオ
セラムＮ−０）上に１枚づつ載置し、アニール炉内に入
れてアニールした後、その周縁部を切り落とすことによ
って、５５０×６５０×０．７ｍｍの寸法を有するガラ
ス基板とした。これらのガラス基板の平面方向の残留応
力を測定したところ、いずれも４ｋｇ／ｃｍ2 以下であ
った。
に優れた耐熱性セッター（日本電気硝子株式会社製ネオ
セラムＮ−０）上に１枚づつ載置し、アニール炉内に入
れてアニールした後、その周縁部を切り落とすことによ
って、５５０×６５０×０．７ｍｍの寸法を有するガラ
ス基板とした。これらのガラス基板の平面方向の残留応
力を測定したところ、いずれも４ｋｇ／ｃｍ2 以下であ
った。
【００２１】（比較例）実施例と同じ条件で、５５０×
６５０×０．７ｍｍの寸法を有するガラス基板を１２枚
作製し、これらのガラス基板を、セッター（日本電気硝
子株式会社製ネオセラムＮ−０）上に１枚づつ載置し、
アニール炉内に入れてアニールした。このアニール後の
ガラス基板の平面方向の残留応力を測定したところ、い
ずれも１２〜１６ｋｇ／ｃｍ2 であった。
６５０×０．７ｍｍの寸法を有するガラス基板を１２枚
作製し、これらのガラス基板を、セッター（日本電気硝
子株式会社製ネオセラムＮ−０）上に１枚づつ載置し、
アニール炉内に入れてアニールした。このアニール後の
ガラス基板の平面方向の残留応力を測定したところ、い
ずれも１２〜１６ｋｇ／ｃｍ2 であった。
【００２２】その後、図１に示すように、各ガラス基板
１０上に４つの回路パターン１１を形成してから、回路
パターン１１毎にガラス基板１０を２本の切断線１２、
１２に沿って４枚のアレイ基板に分割切断し、これらの
アレイ基板上の回路パターン１１の正規位置からの最大
ずれ量を測定し、その結果を表１に示した。
１０上に４つの回路パターン１１を形成してから、回路
パターン１１毎にガラス基板１０を２本の切断線１２、
１２に沿って４枚のアレイ基板に分割切断し、これらの
アレイ基板上の回路パターン１１の正規位置からの最大
ずれ量を測定し、その結果を表１に示した。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１から明らかなように、比較例のアレイ
基板は、回路パターンのずれ量が４〜７μｍと大きかっ
たが、実施例のアレイ基板の回路パターンのずれ量は、
０〜２μｍと小さく、このことから、アレイ基板の平面
方向の残留応力の大きさと、切断後の寸法のずれ量の間
に相関関係が認められた。
基板は、回路パターンのずれ量が４〜７μｍと大きかっ
たが、実施例のアレイ基板の回路パターンのずれ量は、
０〜２μｍと小さく、このことから、アレイ基板の平面
方向の残留応力の大きさと、切断後の寸法のずれ量の間
に相関関係が認められた。
【００２５】尚、上記の残留応力は、東芝歪検査器ＳＶ
Ｐ−１００を用い、セナルモン法に基づいて測定した。
Ｐ−１００を用い、セナルモン法に基づいて測定した。
【００２６】またアレイ基板のずれ量は、その対向基板
として、アレイ基板と同じサイズを有する未変形のカラ
ーフィルター基板を準備し、図２に示すように、アレイ
基板１３をカラーフィルター基板１４上に重ね合わせ、
アレイ基板１３上の回路パターン１５と、カラーフィル
ター基板１４上に形成されたパターン１６の最もずれの
大きい部分の長さ（Ｌ）を顕微鏡で測定したものであ
る。
として、アレイ基板と同じサイズを有する未変形のカラ
ーフィルター基板を準備し、図２に示すように、アレイ
基板１３をカラーフィルター基板１４上に重ね合わせ、
アレイ基板１３上の回路パターン１５と、カラーフィル
ター基板１４上に形成されたパターン１６の最もずれの
大きい部分の長さ（Ｌ）を顕微鏡で測定したものであ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明のフラットパネルデ
ィスプレイ用ガラス基板の製造方法によると、予め大き
めのガラス基板をアニールした後、大きな残留応力の発
生しやすい周縁部を切り落とすため、その平面方向の残
留応力が５ｋｇ／ｃｍ2 以下のガラス基板が得られ、こ
のガラス基板上にパターンを形成した後、パターン毎に
ガラス基板を分割切断しても変形が少ない。
ィスプレイ用ガラス基板の製造方法によると、予め大き
めのガラス基板をアニールした後、大きな残留応力の発
生しやすい周縁部を切り落とすため、その平面方向の残
留応力が５ｋｇ／ｃｍ2 以下のガラス基板が得られ、こ
のガラス基板上にパターンを形成した後、パターン毎に
ガラス基板を分割切断しても変形が少ない。
【００２８】そのため、本発明は、特に周縁部の残留応
力が大きくなりやすい縦寸法が４００ｍｍ以上、横寸法
が５００ｍｍ以上のガラス基板や、パターンが非常に高
精細であるため、わずかな変形も許されない低温ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ ＴＦＴ用ガラス基板に有用である。
力が大きくなりやすい縦寸法が４００ｍｍ以上、横寸法
が５００ｍｍ以上のガラス基板や、パターンが非常に高
精細であるため、わずかな変形も許されない低温ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ ＴＦＴ用ガラス基板に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】４つの回路パターンが形成されたガラス基板を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】アレイ基板をカラーフィルター上に重ね合わせ
た状態を示す概略説明図である。
た状態を示す概略説明図である。
１０ ガラス基板 １１、１５ 回路パターン １２ 切断線 １３ アレイ基板 １４ カラーフィルター基板 １６ カラーフィルター基板上に形成されたパターン
Claims (4)
- 【請求項１】 予め所定寸法より大きいガラス基板を作
製し、これをアニールした後、所定寸法となるように周
縁部を切り落とすことによって、平面方向の残留応力が
５ｋｇ／ｃｍ2 以下のガラス基板とすることを特徴とす
るフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方
法。 - 【請求項２】 ガラス基板の周縁部を１０ｍｍ以上の幅
で切り落とすことを特徴とする請求項１記載のフラット
パネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項３】 周縁部を切り落とした後のガラス基板の
縦寸法が４００ｍｍ以上、横寸法が５００ｍｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１、２記載のフラットパネル
ディスプレイ用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項４】 ガラス基板が、低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴ用ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜３
記載のフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19984198A JP4048553B2 (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19984198A JP4048553B2 (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000016826A true JP2000016826A (ja) | 2000-01-18 |
| JP4048553B2 JP4048553B2 (ja) | 2008-02-20 |
Family
ID=16414547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19984198A Expired - Fee Related JP4048553B2 (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4048553B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG118121A1 (en) * | 2001-03-30 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Glass substrate and display apparatus |
| JP2009179552A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-08-13 | Asahi Glass Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板 |
| WO2010029660A1 (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | シャープ株式会社 | 表示パネルの製造方法 |
| CN109836035A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 三星钻石工业股份有限公司 | 基板搬出装置 |
-
1998
- 1998-06-29 JP JP19984198A patent/JP4048553B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| SG118121A1 (en) * | 2001-03-30 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Glass substrate and display apparatus |
| US7178435B2 (en) | 2001-03-30 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Glass substrate and display apparatus |
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