JP2000016825A - フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法Info
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B25/02—Annealing glass products in a discontinuous way
- C03B25/025—Glass sheets
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、大板ガラスであっても、分
割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計からず
れてディスプレイの表示不良が発生するということがな
いフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法
を提供することである。 【解決手段】 ガラス基板１０を、板状で平坦性に優れ
た耐熱性セッター（日本電気硝子株式会社製ネオセラム
Ｎ−０）１１上に１枚づづ載置し、さらに耐熱性セッタ
ー１１の周囲に、４枚のダミーセッター１２を配置した
状態でアニールすることによって、平面方向の残留応力
が４ｋｇ／ｃｍ2 のガラス基板を１２枚作製した。
割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計からず
れてディスプレイの表示不良が発生するということがな
いフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法
を提供することである。 【解決手段】 ガラス基板１０を、板状で平坦性に優れ
た耐熱性セッター（日本電気硝子株式会社製ネオセラム
Ｎ−０）１１上に１枚づづ載置し、さらに耐熱性セッタ
ー１１の周囲に、４枚のダミーセッター１２を配置した
状態でアニールすることによって、平面方向の残留応力
が４ｋｇ／ｃｍ2 のガラス基板を１２枚作製した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラットパネルディス
プレイのアレイ基板材料や、その対向基板材料として用
いられるガラス基板の製造方法に関するものである。
プレイのアレイ基板材料や、その対向基板材料として用
いられるガラス基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりフラットパネルディスプレイ用
ガラス基板として、０．３〜３．０ｍｍ程度の厚みを有
する矩形状の板ガラスが大量に用いられている。特に近
年になって、α−Ｓｉ ＴＦＴ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−
Ｓｉ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）液晶
ディスプレイ等の薄膜電気回路を用いたフラットパネル
ディスプレイ市場が急速に拡大している。
ガラス基板として、０．３〜３．０ｍｍ程度の厚みを有
する矩形状の板ガラスが大量に用いられている。特に近
年になって、α−Ｓｉ ＴＦＴ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−
Ｓｉ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）液晶
ディスプレイ等の薄膜電気回路を用いたフラットパネル
ディスプレイ市場が急速に拡大している。
【０００３】また最近では、α−Ｓｉ ＴＦＴ液晶ディ
スプレイに比べ、高精細化、低消費電力化、低コスト化
の点で優れた低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ液晶ディスプ
レイの技術が開発され、実用化され始めている。
スプレイに比べ、高精細化、低消費電力化、低コスト化
の点で優れた低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ液晶ディスプ
レイの技術が開発され、実用化され始めている。
【０００４】ところで最近のフラットパネルディスプレ
イ用ガラス基板には、大板化が求められている。すなわ
ち最終製品であるディスプレイの大きさは、対角１２イ
ンチ程度のものが主流であるが、ディスプレイ基板の製
造コストの低減と、スループットの向上を目的として大
きなガラス基板から複数のディスプレイ基板を作製する
マルチ方式が採用されている。つまりガラスメーカーで
成形された大型のガラス基板（ガラス素板）上に、複数
分の回路パターンを形成した後、回路パターン毎にガラ
ス基板を分割切断して複数のディスプレイ基板を作製す
る方式が採用されており、これらの基板は、ディスプレ
イの背面基板となるアレイ基板として使用されている。
また同様に、アレイ基板の対向基板（前面基板）につい
ても大型のガラス基板に複数のパターンを形成した後、
分割切断する生産方式が採られている。
イ用ガラス基板には、大板化が求められている。すなわ
ち最終製品であるディスプレイの大きさは、対角１２イ
ンチ程度のものが主流であるが、ディスプレイ基板の製
造コストの低減と、スループットの向上を目的として大
きなガラス基板から複数のディスプレイ基板を作製する
マルチ方式が採用されている。つまりガラスメーカーで
成形された大型のガラス基板（ガラス素板）上に、複数
分の回路パターンを形成した後、回路パターン毎にガラ
ス基板を分割切断して複数のディスプレイ基板を作製す
る方式が採用されており、これらの基板は、ディスプレ
イの背面基板となるアレイ基板として使用されている。
また同様に、アレイ基板の対向基板（前面基板）につい
ても大型のガラス基板に複数のパターンを形成した後、
分割切断する生産方式が採られている。
【０００５】そのため従来のガラス基板の大きさ（縦横
寸法）は、３００×４００ｍｍサイズや３７０×４７０
ｍｍサイズであったが、最近では、５５０×６５０ｍｍ
サイズや、それ以上のサイズのガラス基板が必要とされ
るようになってきている。
寸法）は、３００×４００ｍｍサイズや３７０×４７０
ｍｍサイズであったが、最近では、５５０×６５０ｍｍ
サイズや、それ以上のサイズのガラス基板が必要とされ
るようになってきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように最近に
なって、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板は、
大板化が進められているが、これに伴ってガラス基板を
分割切断した後に、ガラス基板が変形するという問題が
発生している。
なって、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板は、
大板化が進められているが、これに伴ってガラス基板を
分割切断した後に、ガラス基板が変形するという問題が
発生している。
【０００７】例えば液晶ディスプレイのアレイ基板とし
て用いられるガラス基板上には、薄膜電気回路や、その
他の各種金属膜、絶縁膜等を組み合わせた回路パターン
が形成され、その対向基板であるカラーフィルター基板
には、ＲＧＢパターンが形成されるが、このような画素
パターンが形成されたガラス基板が分割切断された後に
変形すると、互いの画素パターンが所期の設計からずれ
てしまい、アレイ基板の回路パターンとカラーフィルタ
ー基板のパターンとが一致せず、最終製品である液晶デ
ィスプレイの表示不良という致命的な欠陥につながるこ
とがあるため大きな問題となっている。特にα−Ｓｉ
ＴＦＴに比べて、低温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの方が、パ
ターンがより高精細であるため、ガラス基板のわずかな
変形も許されないのが現実である。
て用いられるガラス基板上には、薄膜電気回路や、その
他の各種金属膜、絶縁膜等を組み合わせた回路パターン
が形成され、その対向基板であるカラーフィルター基板
には、ＲＧＢパターンが形成されるが、このような画素
パターンが形成されたガラス基板が分割切断された後に
変形すると、互いの画素パターンが所期の設計からずれ
てしまい、アレイ基板の回路パターンとカラーフィルタ
ー基板のパターンとが一致せず、最終製品である液晶デ
ィスプレイの表示不良という致命的な欠陥につながるこ
とがあるため大きな問題となっている。特にα−Ｓｉ
ＴＦＴに比べて、低温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの方が、パ
ターンがより高精細であるため、ガラス基板のわずかな
変形も許されないのが現実である。
【０００８】本発明の目的は、大板ガラスであっても、
分割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計から
ずれてディスプレイの表示不良が発生するということが
ないフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方
法を提供することである。
分割切断後の変形が少なく、パターンが所期の設計から
ずれてディスプレイの表示不良が発生するということが
ないフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方
法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、ガラス基板
が分割切断された後に変形する原因が、ガラス基板の平
面方向に大きな残留応力を有していることにあり、ガラ
ス基板を均一にアニールすることによって平面方向の残
留応力を一定値以下に低下させると、ガラス基板の切断
後の変形が抑えられること、またガラス基板を均一にア
ニールするためには、ガラス基板を載置した耐熱性セッ
ターの付近に、別のダミーセッターを配置してアニール
するのが有効であることを見いだし、本発明を提案する
に至った。
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、ガラス基板
が分割切断された後に変形する原因が、ガラス基板の平
面方向に大きな残留応力を有していることにあり、ガラ
ス基板を均一にアニールすることによって平面方向の残
留応力を一定値以下に低下させると、ガラス基板の切断
後の変形が抑えられること、またガラス基板を均一にア
ニールするためには、ガラス基板を載置した耐熱性セッ
ターの付近に、別のダミーセッターを配置してアニール
するのが有効であることを見いだし、本発明を提案する
に至った。
【００１０】すなわち本発明のフラットパネルディスプ
レイ用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板を平坦性に
優れた耐熱性セッター上に載置してアニールするに際
し、ガラス基板を載置した耐熱性セッターの付近に、別
のダミーセッターを配置して、ガラス基板の平面方向の
残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下にすることを特徴とす
る。
レイ用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板を平坦性に
優れた耐熱性セッター上に載置してアニールするに際
し、ガラス基板を載置した耐熱性セッターの付近に、別
のダミーセッターを配置して、ガラス基板の平面方向の
残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下にすることを特徴とす
る。
【００１１】また本発明のフラットパネルディスプレイ
用ガラス基板の製造方法は、好ましくは、ガラス基板の
縦寸法が４００ｍｍ以上、横寸法が５００ｍｍ以上であ
ることを特徴とし、さらにガラス基板が、低温ｐｏｌｙ
−Ｓｉ ＴＦＴ用ガラス基板であることを特徴とする。
用ガラス基板の製造方法は、好ましくは、ガラス基板の
縦寸法が４００ｍｍ以上、横寸法が５００ｍｍ以上であ
ることを特徴とし、さらにガラス基板が、低温ｐｏｌｙ
−Ｓｉ ＴＦＴ用ガラス基板であることを特徴とする。
【００１２】
【作用】フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に残
留応力が発生するメカニズムは、次のとおりである。
留応力が発生するメカニズムは、次のとおりである。
【００１３】この種のガラス基板を成形するための一般
の工業的な方法としては、フロート法、オーバーフロー
ダウンドロー法、スロットダウンドロー法等が知られて
いるが、いずれの成形法を採用しても、成形した板ガラ
スを冷却する時に、その肉厚方向に温度分布が発生する
と共に、平面方向にもいくらかの温度分布が発生し、そ
の結果、不均一な残留応力が発生することになる。
の工業的な方法としては、フロート法、オーバーフロー
ダウンドロー法、スロットダウンドロー法等が知られて
いるが、いずれの成形法を採用しても、成形した板ガラ
スを冷却する時に、その肉厚方向に温度分布が発生する
と共に、平面方向にもいくらかの温度分布が発生し、そ
の結果、不均一な残留応力が発生することになる。
【００１４】切断後の変形に影響を与えるのは、主にガ
ラス基板の平面方向に発生する残留応力であり、ガラス
基板の中央付近に比べて、周縁部の冷却速度が速い場合
や、逆にガラス基板の中央付近に比べて周縁部の冷却速
度が遅い場合に、周縁部付近に残留応力が発生する。こ
のような平面方向に残留応力を有するガラス基板が分割
切断されると、変形することによって応力を解放しよう
とする。
ラス基板の平面方向に発生する残留応力であり、ガラス
基板の中央付近に比べて、周縁部の冷却速度が速い場合
や、逆にガラス基板の中央付近に比べて周縁部の冷却速
度が遅い場合に、周縁部付近に残留応力が発生する。こ
のような平面方向に残留応力を有するガラス基板が分割
切断されると、変形することによって応力を解放しよう
とする。
【００１５】本発明者等の知見によると、平面方向の残
留応力は、ガラス基板の大きさに比例して大きくなり、
例えば、縦寸法４００ｍｍ以上、横寸法５００ｍｍ以上
のガラス基板の場合、周縁部の残留応力は、２０ｋｇ／
ｃｍ2 以上となることがあった。しかしながらガラス基
板を均一にアニールすることによって、その平面方向の
残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下にすると、これを分割切
断しても、問題となるような変形は生じない。
留応力は、ガラス基板の大きさに比例して大きくなり、
例えば、縦寸法４００ｍｍ以上、横寸法５００ｍｍ以上
のガラス基板の場合、周縁部の残留応力は、２０ｋｇ／
ｃｍ2 以上となることがあった。しかしながらガラス基
板を均一にアニールすることによって、その平面方向の
残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下にすると、これを分割切
断しても、問題となるような変形は生じない。
【００１６】従って本発明の方法は、大寸法のガラス基
板、具体的には、縦寸法４００ｍｍ以上、横寸法５００
ｍｍ以上のガラス基板に有用であり、またα−Ｓｉ Ｔ
ＦＴに比べて、より高精細なパターンを有する低温ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ用ガラス基板に有用である。
板、具体的には、縦寸法４００ｍｍ以上、横寸法５００
ｍｍ以上のガラス基板に有用であり、またα−Ｓｉ Ｔ
ＦＴに比べて、より高精細なパターンを有する低温ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴ用ガラス基板に有用である。
【００１７】通常、この種のガラス基板は、平坦性に優
れた耐熱性セッター上に載置してアニールするが、アニ
ール時にガラス基板の中央部に比べて、周縁部の冷却速
度が速くなりやすい。そのため、ガラス基板の平面方向
の残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2以下にすることは困難であ
るが、本発明のように、耐熱性セッターの付近に、別の
ダミーセッターを配置してアニールすると、ガラス基板
を均一にアニールすることが可能となる。
れた耐熱性セッター上に載置してアニールするが、アニ
ール時にガラス基板の中央部に比べて、周縁部の冷却速
度が速くなりやすい。そのため、ガラス基板の平面方向
の残留応力を５ｋｇ／ｃｍ2以下にすることは困難であ
るが、本発明のように、耐熱性セッターの付近に、別の
ダミーセッターを配置してアニールすると、ガラス基板
を均一にアニールすることが可能となる。
【００１８】ダミーセッターの配置の仕方は、ガラス基
板を均一にアニールするため適宜決めれば良く、例え
ば、耐熱性セッターの周囲に配置したり、あるいはアニ
ール炉の炉壁に面した耐熱性セッターの付近だけ配置す
ることが有効である。
板を均一にアニールするため適宜決めれば良く、例え
ば、耐熱性セッターの周囲に配置したり、あるいはアニ
ール炉の炉壁に面した耐熱性セッターの付近だけ配置す
ることが有効である。
【００１９】耐熱性セッターやダミーセッターの材質と
しては、低膨張結晶化ガラスやセラミックが使用でき
る。さらにアニールは、連続式アニール炉やバッチ式ア
ニール炉を用いて行うことができるが、生産性を考える
と、連続式アニール炉を用いることが望ましい。また生
産性を向上するため、耐熱性セッター上に複数枚のガラ
ス基板を重ね合わせて載置しても良い。
しては、低膨張結晶化ガラスやセラミックが使用でき
る。さらにアニールは、連続式アニール炉やバッチ式ア
ニール炉を用いて行うことができるが、生産性を考える
と、連続式アニール炉を用いることが望ましい。また生
産性を向上するため、耐熱性セッター上に複数枚のガラ
ス基板を重ね合わせて載置しても良い。
【００２０】尚、アニール処理をすることなく、平面方
向の残留応力の小さいガラス基板を得るには、板ガラス
を成形した後の冷却工程で、その平面方向に発生する温
度分布をできるだけ小さくするような温度制御を行うこ
とが必要となるが、ガラス基板の平面方向の残留応力が
５ｋｇ／ｃｍ2 以下となるような温度制御は非常に困難
であるため現実的でない。
向の残留応力の小さいガラス基板を得るには、板ガラス
を成形した後の冷却工程で、その平面方向に発生する温
度分布をできるだけ小さくするような温度制御を行うこ
とが必要となるが、ガラス基板の平面方向の残留応力が
５ｋｇ／ｃｍ2 以下となるような温度制御は非常に困難
であるため現実的でない。
【００２１】
【実施例】以下、本発明のフラットパネルディスプレイ
用ガラス基板の製造方法を、実施例及び比較例に基づい
て詳細に説明する。
用ガラス基板の製造方法を、実施例及び比較例に基づい
て詳細に説明する。
【００２２】（実施例）まず重量％で、ＳｉＯ2 ５５
％、Ｂ2 Ｏ3 １０％、Ａｌ2 Ｏ3 １０％、ＲＯ ２
５％の組成となるようにガラス原料を調合し、１５８０
℃で所定時間溶融した後、スロットダウンドロー法を用
いて成形し、切断加工することによって、５５０×６５
０×０．７ｍｍの寸法を有する低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴ液晶ディスプレイ用無アルカリガラス基板を１２枚
作製した。
％、Ｂ2 Ｏ3 １０％、Ａｌ2 Ｏ3 １０％、ＲＯ ２
５％の組成となるようにガラス原料を調合し、１５８０
℃で所定時間溶融した後、スロットダウンドロー法を用
いて成形し、切断加工することによって、５５０×６５
０×０．７ｍｍの寸法を有する低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴ液晶ディスプレイ用無アルカリガラス基板を１２枚
作製した。
【００２３】次に図１に示すように、これらのガラス基
板１０を、板状で平坦性に優れた耐熱性セッター（日本
電気硝子株式会社製ネオセラムＮ−０）１１上に１枚づ
つ載置し、さらに耐熱性セッター１１の周囲に、４枚の
ダミーセッター１２を配置した状態でアニールすること
によって、平面方向の残留応力が４ｋｇ／ｃｍ2 のガラ
ス基板を１２枚作製した。
板１０を、板状で平坦性に優れた耐熱性セッター（日本
電気硝子株式会社製ネオセラムＮ−０）１１上に１枚づ
つ載置し、さらに耐熱性セッター１１の周囲に、４枚の
ダミーセッター１２を配置した状態でアニールすること
によって、平面方向の残留応力が４ｋｇ／ｃｍ2 のガラ
ス基板を１２枚作製した。
【００２４】（比較例）実施例と同じ条件で、５５０×
６５０×０．７ｍｍの寸法を有するガラス基板を１２枚
作製し、これらのガラス基板を、ダミーセッターを使用
せずに、アニールした。これらのガラス基板の平面方向
の残留応力を測定したところ、いずれも２０ｋｇ／ｃｍ
2 以上であった。
６５０×０．７ｍｍの寸法を有するガラス基板を１２枚
作製し、これらのガラス基板を、ダミーセッターを使用
せずに、アニールした。これらのガラス基板の平面方向
の残留応力を測定したところ、いずれも２０ｋｇ／ｃｍ
2 以上であった。
【００２５】その後、図２に示すように、各ガラス基板
１０上に４つの回路パターン１３を形成してから、回路
パターン１３毎にガラス基板１０を２本の切断線１４、
１４に沿って４枚のアレイ基板に分割切断し、これらの
アレイ基板上の回路パターン１３の正規位置からの最大
ずれ量を測定し、その結果を表１に示した。
１０上に４つの回路パターン１３を形成してから、回路
パターン１３毎にガラス基板１０を２本の切断線１４、
１４に沿って４枚のアレイ基板に分割切断し、これらの
アレイ基板上の回路パターン１３の正規位置からの最大
ずれ量を測定し、その結果を表１に示した。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１から明らかなように、比較例のアレイ
基板は、回路パターンのずれ量が５〜７μｍと大きかっ
たが、実施例のアレイ基板は、回路パターンのずれ量が
０〜２μｍと小さく、このことから、アレイ基板の平面
方向の残留応力の大きさと、切断後の寸法のずれ量の間
に相関関係が認められた。
基板は、回路パターンのずれ量が５〜７μｍと大きかっ
たが、実施例のアレイ基板は、回路パターンのずれ量が
０〜２μｍと小さく、このことから、アレイ基板の平面
方向の残留応力の大きさと、切断後の寸法のずれ量の間
に相関関係が認められた。
【００２８】尚、上記の残留応力は、東芝歪検査器ＳＶ
Ｐ−１００を用い、セナルモン法に基づいて測定した。
Ｐ−１００を用い、セナルモン法に基づいて測定した。
【００２９】またアレイ基板のずれ量は、その対向基板
として、アレイ基板と同じサイズを有する未変形のカラ
ーフィルター基板を準備し、図３に示すように、アレイ
基板１５をカラーフィルター基板１６上に重ね合わせ、
アレイ基板１５上の回路パターン１７と、カラーフィル
ター基板１６上に形成されたパターン１８の最もずれの
大きい部分の長さ（Ｌ）を顕微鏡で測定したものであ
る。
として、アレイ基板と同じサイズを有する未変形のカラ
ーフィルター基板を準備し、図３に示すように、アレイ
基板１５をカラーフィルター基板１６上に重ね合わせ、
アレイ基板１５上の回路パターン１７と、カラーフィル
ター基板１６上に形成されたパターン１８の最もずれの
大きい部分の長さ（Ｌ）を顕微鏡で測定したものであ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明のフラットパネルデ
ィスプレイ用ガラス基板の製造方法によると、ガラス基
板をアニールするに際し、耐熱性セッターの付近に、別
のダミーセッターを配置し、ガラス基板の平面方向の残
留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下とするため、このガラス基
板上にパターンを形成した後、パターン毎にガラス基板
を切断しても変形が少ない。
ィスプレイ用ガラス基板の製造方法によると、ガラス基
板をアニールするに際し、耐熱性セッターの付近に、別
のダミーセッターを配置し、ガラス基板の平面方向の残
留応力を５ｋｇ／ｃｍ2 以下とするため、このガラス基
板上にパターンを形成した後、パターン毎にガラス基板
を切断しても変形が少ない。
【００３１】そのため、特に周縁部の残留応力が大きく
なりやすい縦寸法が４００ｍｍ以上、横寸法が５００ｍ
ｍ以上のガラス基板や、パターンが非常に高精細である
ため、わずかな変形も許されない低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ
ＴＦＴ用ガラス基板に有用である。
なりやすい縦寸法が４００ｍｍ以上、横寸法が５００ｍ
ｍ以上のガラス基板や、パターンが非常に高精細である
ため、わずかな変形も許されない低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ
ＴＦＴ用ガラス基板に有用である。
【図１】耐熱性セッターの付近に、別のダミーセッター
を配置した状態を示す斜視図である。
を配置した状態を示す斜視図である。
【図２】４つの回路パターンが形成されたガラス基板を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】アレイ基板をカラーフィルター上に重ね合わせ
た状態を示す概略説明図である。
た状態を示す概略説明図である。
１０ ガラス基板 １１ 耐熱性セッター １２ ダミーセッター １３、１７ 回路パターン １４ 切断線 １５ アレイ基板 １６ カラーフィルター基板 １８ カラーフィルター基板上に形成されたパターン
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板を平坦性に優れた耐熱性セッ
ター上に載置してアニールするに際し、ガラス基板を載
置した耐熱性セッターの付近に、別のダミーセッターを
配置して、ガラス基板の平面方向の残留応力を５ｋｇ／
ｃｍ2 以下にすることを特徴とするフラットパネルディ
スプレイ用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項２】 ガラス基板の縦寸法が４００ｍｍ以上、
横寸法が５００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項
１記載のフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製
造方法。 - 【請求項３】 ガラス基板が、低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴ用ガラス基板であることを特徴とする請求項１、２
記載のフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10199844A JP2000016825A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10199844A JP2000016825A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000016825A true JP2000016825A (ja) | 2000-01-18 |
Family
ID=16414599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10199844A Pending JP2000016825A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000016825A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080924A1 (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-19 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | 無アルカリガラス基板 |
| JP2009179552A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-08-13 | Asahi Glass Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板 |
| US9556054B2 (en) | 2013-07-26 | 2017-01-31 | Corning Incorporated | Corrugated sheet, method of manufacture thereof, and mold therefor |
| CN114644446A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-21 | Ａｇｃ株式会社 | 浮法玻璃制造装置、浮法玻璃制造方法以及浮法玻璃 |
-
1998
- 1998-06-29 JP JP10199844A patent/JP2000016825A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080924A1 (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-19 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | 無アルカリガラス基板 |
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| CN114644446A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-21 | Ａｇｃ株式会社 | 浮法玻璃制造装置、浮法玻璃制造方法以及浮法玻璃 |
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