JP2000013107A - 誘電体フィルタおよびアンテナ共用器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ＴＭモードとして用いてもトラップを伴う良
好な信号減衰効果を発揮させることができる誘電体フィ
ルタを提供する。また、このような誘電体フィルタを用
いて信号減衰能力の優れたアンテナ共用器を提供する。 【解決手段】 導電性ケース内部に複数の誘電体ブロッ
ク１０６が個々にケースに電気的に接続した状態で少な
くとも２列並列収容され、隣接する２列を構成する複数
の誘電体ブロック１０６が列方向に配置され、各誘電体
ブロック１０６がケースの内部で互いに導電性の仕切部
材１３７，１３８，１３９で仕切られ、該仕切部材に誘
電体ブロック同士を電磁気的に結合させる主結合手段１
４１，１４３，１４５，１４６が付設され、仕切部材１
３７，１３８，１３９に主結合路により生じる磁界を打
消すトラップ結合を生じさせる副次結合手段１４７を設
けてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、帯域透過フィルタ
あるいはセルラ基地局用の送信信号・受信信号共用器
（Duplexer）などの電子機器に使用して好適な誘電体フ
ィルタ及びアンテナ共用器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の誘電体フィルタとして図
２０と図２１に示すように、箱型のシールドケース２０
１の内部に円柱状の共振器２０２を必要個数整列配置し
た構造の誘電体フィルタ２０３が知られている。この誘
電体フィルタ２０３に内臓されている複数の共振器２０
２は、シールドケース２０１の底板上に設けられた支持
ブロック２０５によって個々にシールドケース２０１の
内部空間に浮かせた状態で支持されている。また、シー
ルドケース２０１の一端部側に入力結合素子２０６と入
力端子２０７とが設けられ、該入力結合素子２０６と共
振器２０２との間に初段の同軸共振器２０８が設けられ
るとともに、シールドケース２０１の他端部側に出力結
合素子２０９と出力端子２１０とが設けられ、該出力結
合素子２０９と共振器２０２との間に終段の同軸共振器
２１１が設けられている。

【０００３】図２０と図２１に示す従来構造の誘電体フ
ィルタ２０３は、円柱型の共振器２０２・・・を導波管の
役目をなすシールドケース２０１の内部に設けた構造で
あり、図２２の２点鎖線に示すように初段の入力結合素
子２０６とそれに隣接する同軸共振器２０８を電磁界結
合させることができ、更に他の共振器２０２も順次電磁
界結合させることで電磁界的な主結合を構成することが
できる結果、誘電体フィルタの機能を奏する。

【０００４】また、図２０と図２１に示すシールドケー
ス２０１の内部に配列された複数の共振器２０２のうち
の離間したものどうしを副結合素子２１２ａを備えた伝
送線路２１２で接続して副結合することにより電磁気的
に副次結合させ、有極形誘電体フィルタを構成すること
ができ、前述の電磁界的主結合を経て終段の共振器に至
る信号の位相と、前記電磁界的な副次結合を経て終段の
共振器に至る信号の位相を互いに逆相とすることができ
る。

【０００５】次に、図２０と図２１に示す従来構造の誘
電体フィルタ２０３を応用した誘電体共振器の他の構造
例として、図２３に示すように２列に配列された６個の
共振器２０２を備えたシールドケース２１３の内部に共
振器２０２・・・を列毎に仕切る仕切部材２１４を設け、
仕切部材２１４の端部に結合窓２１４ａを設けて共振器
２０２・・・を平面視コ字型に配置し、このシールドケー
ス２１３の一端の入力側２１３ａから出力側２１３ｂに
かけて入力端子２０７と入力結合素子２０６と同軸共振
器２０８と共振器２０２・・・と同軸共振器２１１と出力
結合素子２０９と出力端子２１０とを順次設けた構造の
誘電体共振器２１５が知られている。この構造の誘電体
共振器２１５にあっては、平面視コ字型に配置された共
振器２０２・・・が形成する電磁界的な主結合に対し、窓
部２１７を介して隣接する共振器２０２、２０２が電磁
気的に副次結合するので、図２０と図２１に示す誘電体
フィルタ２０３の構造よりも副次結合のための回路を簡
略化できる特徴を有していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図２３に示す誘電体共
振器２１５を誘電体フィルタとして用いた場合の減衰量
の周波数特性を図２４に示す。図２４に示すように減衰
量の周波数特性は所定の範囲において一定の減衰量帯域
を示し、この範囲を透過帯として、その透過帯以外は急
激に減衰量が増加する等脚台形型の曲線を示し、前記透
過帯以外で減衰量が急激に増加する領域には符号２１９
で示すトラップと称される減衰量の特異領域が生成する
ものであった。このトラップ２１９が生じるということ
は帯域フィルタとして見た場合に信号減衰の切れが良く
なることを意味するので帯域フィルタとしては好ましい
ものであると考えられる。

【０００７】ところが、前記図２３に示す構造の誘電体
共振器２１５は通常ＴＥモードの共振器として知られて
いるが、この誘電体共振器２１５をＴＭモードの共振器
として使用すると、主結合の回路と副次結合の回路が同
相になっていしまい、透過帯域の外側に前述のトラップ
２１９を生じない、いわゆる信号の切れの悪い減衰曲線
となってしまう問題があった。

【０００８】よって本発明の課題は、ＴＭモードとして
用いてもトラップを伴う良好な信号減衰効果を発揮させ
ることができる誘電体フィルタを提供することにある。
また、このような誘電体フィルタを用いることで信号減
衰能力の優れたアンテナ共用器を提供することを目的と
する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の誘電体共振器は、導電性のケースの内部に複
数の誘電体ブロックが個々に前記ケースに電気的に接続
した状態で少なくとも２列並列収容され、隣接する２列
を構成する前記複数の誘電体ブロックが列方向に千鳥状
に配置され、前記各誘電体ブロックが前記ケースの内部
で互いに導電性の仕切部材で仕切られ、該仕切部材に列
の端部の前記誘電体ブロック同士を電磁気的に結合させ
て主結合路を生成させる主結合手段が付設され、更に前
記仕切部材には前記主結合路により生じる磁界を打消す
トラップ結合を生じさせる副次結合手段が設けられてな
ることを特徴とする。

【００１０】前述の構造のごとく誘電体ブロックを２列
以上千鳥状に並列して導電性のケース内に設けた構造に
より、列に沿って並ぶ誘電体ブロックに沿う電磁界的な
主結合を生じさせると同時に、隣接する列どうしの間の
近接する誘電体ブロックどうしの間に電磁界的な副次結
合を生じさせることで、電磁界的な主結合に対して逆相
となる副次結合によって透過帯域の外側にトラップを有
する切れの良い減衰曲線をＴＭモードの場合でも発揮す
る。

【００１１】前記副次結合を生じさせる手段の一例とし
て、誘電体ブロックの列を仕切る仕切部材に副次結合用
の結合窓を設けても良く、副次結合を生じさせる誘電体
ブロック同士を導体で電気的に接合しても良い。誘電体
ブロックの列を仕切る仕切部材に副次結合用の結合窓を
設けることにより、透過帯域の高周波側にトラップを有
する誘電体フィルタを提供することができ、副次結合を
生じさせる誘電体ブロック同士を導体で電気的に接合す
ることにより、透過帯域の低周波側にトラップを有する
誘電体フィルタを提供することができる。

【００１２】次に前記課題を解決するために本発明は、
導電性のケースの内部に複数の誘電体ブロックが個々に
前記ケースに電気的に接続した状態で少なくとも２列並
列収容され、かつ隣接する２列を構成する前記複数の誘
電体ブロックが列方向に間隔をおいて同位置に配置さ
れ、隣接する２列の各列端の誘電体ブロックの近傍に列
からずれた位置に前記ケースに電気的に接続した誘電体
ブロックが配置され、前記誘電体ブロックが前記ケース
の内部で互いに導電性の仕切部材で仕切られ、該仕切部
材に列の端部の誘電体ブロックと列からずれた位置の誘
電体ブロックを電磁気的に結合させて主結合路を生成さ
せる主結合手段が付設され、更に前記仕切部材には前記
主結合路より生じる磁界を打消すトラップ結合を生じさ
せる副次結合手段が設けられてなることを特徴とする。

【００１３】隣接する２列を構成する複数の誘電体ブロ
ックを同間隔で配置し、列の端部の誘電体ブロックの近
傍に列からずれた位置に誘電体ブロックを配置した構造
とすることでも隣接する誘電体ブロック同士の電磁界結
合を起こさせることができ、更に隣接する誘電体ブロッ
クにおいて位相を逆相にすることができるので、通過帯
の外側にトラップを有する減衰特性の誘電体共用器を得
ることができる。

【００１４】更に本発明において、主結合手段及び前記
副次結合手段を前記仕切部材に設けた結合窓から構成し
ても良く、副次結合させる前記誘電体ブロック同士を電
気的に接続する導体から構成しても良い。これらのいず
れの構造においても隣接する誘電体ブロックにおいて位
相を逆相にすることができ、副次結合する誘電体ブロッ
ク間の誘電体ブロックを奇数個にでき、副次結合する誘
電体ブロック同士の位相を逆にできるので、透過帯域の
外側にトラップを有する減衰特性の誘電体フィルタを得
ることができる。誘電体ブロックの列を仕切る仕切部材
に副次結合用の結合窓を設けることにより、透過帯域の
高周波側にトラップを有する誘電体フィルタを提供する
ことができ、副次結合を生じさせる誘電体ブロック同士
を導体で電気的に接合することにより、透過帯域の低周
波側にトラップを有する誘電体フィルタを提供すること
ができる。

【００１５】更に本発明のアンテナ共用器は、先に記載
の結合窓を用いて副次結合を生じさせる構成の誘電体フ
ィルタを低周波側フィルタ素子とし、導体を用いて誘電
体ブロック同士を接続することで副次結合を生じさせる
構成の誘電体フィルタを高周波側のフィルタ素子として
両フィルタ素子を並設してなることを特徴とする。結合
窓を用いて副次結合を生じさせる誘電体フィルタにあっ
ては通過帯域の高周波域側にトラップが生じ、導体を用
いて副次結合を生じさせる誘電体フィルタにあっては通
過帯域の低周波域側にトラップが生じるとともに、両誘
電体フィルタにおける透過帯域がずれるので、両者を結
合することでトラップを有する減衰量の周波数特性を備
える優れたアンテナ共振器を提供できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。図１ないし図３は本発明の誘電体フィル
タの第１実施形態を示すもので、図１と図２は斜視図、
図３は内部構造を示す断面図である。本実施形態の誘電
体フィルタ３０は、金属板を薄型の箱状に組み立ててな
るケース３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、
３９を底板３１上に２列に配列して概略構成されてい
る。この形態において底板３１の上では、ケース３２、
３３、３４、３５がこれらの順に配置されて第１の列が
構成され、ケース３６、３７、３８、３９がこれらの順
に配置されて第２の列が構成されているが、第１の列の
ケース３２、３３、３４、３５と第２の列のケース３
６、３７、３８、３９は各ケースの幅の半分程度を位置
ずれさせて互い違いに、即ち全体的には列方向に沿って
千鳥状に配列されている。

【００１７】図４は前述のケース３２〜３９が固定され
る底板３１の平面形状を示す。この底板３１には前述の
複数のケースを装着するために各ケースの取付位置の外
郭位置に溝孔３１ａと取付孔３２Ｆが複数形成されると
ともに、各ケースの取付位置の中央部に位置するように
丸型の透孔３１Ａが形成されている。前記溝孔３１ａ
は、ケース３２とケース３６との境界位置と、ケース３
３とケース３７との境界位置と、ケース３４、３５とケ
ース３８との境界位置とにそれぞれ形成されるととも
に、更にケース３２、３３の境界位置と、ケース３３、
３４の境界位置と、ケース３４、３５の境界位置と、ケ
ース３５、３９の境界位置と、ケース３９、３８の境界
位置と、ケース３８、３７の境界位置と、ケース３７、
３６の境界位置のそれぞれに形成されている。また、取
付孔３２Ｆは、底板３１の周縁部に沿って配置されてお
り、ケース３２、３３、３４、３５、３６、３７、３
８、３９の各コーナ部分に位置するように配置されてい
る。

【００１８】また、透孔３１Ａは前記第１の列と第２の
列に沿ってそれぞれ４個ずつ形成され、これらの透孔３
１Ａ・・・は列方向に沿って千鳥状に形成されている。な
お、透孔３１Ａの直径は、後述する誘電体ブロック４５
の直径よりも若干（数ｍｍ程度）小さくされている。な
おまた、本実施形態では１枚の底板３１上に複数のケー
ス３２〜３９を並べた構造を採用したが、底板３１をケ
ース毎に区切った複数の底板から構成し、それらの底板
同士を半田付け等の接合手段で接合して誘電体フィルタ
を構成しても良いのは勿論である。

【００１９】第１の列の１番目のケース３２を図５に示
すが、このケース３２は、天板３２ａとこの天板３２ａ
の周辺部から延設された４つの側壁部３２ｂ、３２ｃ、
３２ｄ、３２ｅとからなり、４つの側壁部３２ｂ、３２
ｃ、３２ｄ、３２ｅを天板３２ａに対してほぼ直角に折
り曲げ、各側壁部の接する部分を半田付けなどの接合手
段により接合して一体化されている。また、天板３２ａ
には平面Ω型の透孔４０が、その丸孔部４０ａを隣接す
るケース３３側に向けて天板３２ａの中央部に位置さ
せ、丸孔部以外の胴部４０ｂを隣接するケース３３側と
反対側に向けて形成され、該ケース３３側に位置する側
壁部３２ｄの中央部には主結合窓（主結合手段）４１が
形成されるとともに、側壁部３２ｄに対向する側の側壁
部３２ｂの中央部には入力側の端子部４２が形成されて
いる。

【００２０】ケース３２はそれらの側壁部の下端部に形
成された複数の係止凸部３２ｆを図４に示す底板３１の
溝孔３１ａあるいは取付孔３２Ｆに嵌合し、ケース３２
の各側壁部の下端部を底板３１に半田付けして固定され
ている。なお、本実施形態においてケース３２の各部分
は鋼板等の導電性の金属板を折り返して構成されている
が、銀等の導電性の高い金属をメッキで着けることもあ
る。なおまた、本実施形態において、天板３２に形成さ
れた丸孔部４０ａの直径は前述の底板３１の透孔３１Ａ
の直径と同一にされているが、同一の直径でなくとも差
し支えない。

【００２１】次に、ケース３２の内部中央には誘電体ブ
ロック４５（全体形状は図２を参照）が収容されてい
る。この誘電体ブロック４５は、ＢａＯ−ＴｉＯ₂−Ｎ
ｄ₂Ｏ₃系などの誘電材料からなるセラミック製の背の低
い円柱体からなる。また誘電体ブロック４５の上端面お
よび下端面には、それぞれ導電性ペーストを塗布して焼
き付けるなどして電極層４５ａ、４５ｂが形成されてい
る。そして、誘電体ブロック４５の上端の電極層４５ａ
はケース３２の天板３２ａの内面に天板３２ａの透孔４
０の丸孔部４０ａに位置合わせして、更に、誘電体ブロ
ック４５の下端の電極層４５ｂは底板３１の上面に底板
３１の透孔３０Ａに位置合わせして、クリーム半田や導
電性ペーストを用いてそれぞれ接着固定されており、か
つ電気的に接続されている。詳細には、誘電体ブロック
４５の電極層４５ａの周縁部分と天板３２ａとの接触部
分周り、あるいは、電極層４５ｂの周縁部分と底板３１
との接触部分周りの部分に半田を盛るか、導電性ペース
トを焼き付けて電気的に接合されている。

【００２２】更に、誘電体ブロック４５の下端側の電極
層４５ｂが底板３１の透孔３１Ａに位置合わせされ、上
端側の電極層４５ａがケース３２の透孔４０の丸孔部４
０ａに位置合わせされているが、誘電体ブロック４５の
直径は底板３１の透孔３１Ａの内径よりも若干大きく形
成されるとともに、ケース３２の透孔４０の丸穴部分の
内径よりも若干大きく形成されているので、誘電体ブロ
ック４５はケース３２の天板３２ａと底板３１との間に
挟まれた状態とされている。

【００２３】この誘電体ブロック４５の電極層４５ａ、
４５ｂとケース３２との電気的接続は、金属板と電極層
を接触させることで電気的に容易に接続できるので、導
電性ペーストや半田等の接合手段を特に用いなくとも構
わないが、ケースと誘電体ブロックとの作成精度の関係
で物理的に隙間を生じるおそれもあるのでクリーム半田
や導電性ペースト等を用いて電気的に接合しておくこと
が確実な電気的接続を行う上で好ましい。更に、ケース
３２の透孔４０の胴部４０ｂはビス等で着脱自在に装着
された蓋体４８で覆われている。この蓋板４８はケース
３２の内部に別途設けられる図示略のヘリカル共振器を
調整するためのものである。

【００２４】図６に第１の列の２番目に設けられるケー
ス３３を示す。このケース３３はケース３２と同様な鋼
板等の金属板の折り返し構造からなる薄型の箱状であ
り、天板３３ａと側壁部３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３
ｅを有し、側壁部の下端部に係止凸部３３ｆ・・・が形成
されていて、天板３３ａにほぼ直角に折曲された側壁部
どうしの接触部分は半田付けされて薄型の箱状に組み付
けられ、側壁部３３ｂと３３ｄの中央部には主結合窓
（主結合手段）５０が形成され、天板３３ａの中央部に
丸型の透孔５１が形成されている。

【００２５】このケース３３は一方の主結合窓５０を底
板３１上の前述のケース３２の主結合窓４１に連続させ
て底板３１に取り付けられている。このケース３３にお
いても先のケース３２と同様に底板３１の溝孔３１ａあ
るいは取付孔３２Ｆに対して係止凸部３３ｆを嵌合し、
各側壁部の下端部を底板３１に半田や導電ペーストで接
合することで固定され、その内部中央に先のケース３２
の場合と同様に誘電体ブロック４５が固定されている。

【００２６】図７に第１の列の３番目に設けられるケー
ス３４を示す。このケース３４はケース３３と同様な金
属板の折り返し構造からなる薄型の箱状であり、天板３
４ａと側壁部３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅを有し、
各側壁部の下端部に係止凸部３４ｆ・・・が形成されてい
て、天板３４ａにほぼ直角に折曲された側壁部どうしの
接触部分は半田付けされて薄型の箱状に組み付けられ、
側壁部３４ｂと３４ｄの中央部には主結合窓（主結合手
段）５２が形成され、天板３４ａの中央部に丸型の透孔
５３が形成されている。また、ケース３４の側壁部３４
ｃにおいてそれに隣接する側壁部３４ｂ側の端部には副
次結合窓（副次結合手段）５４が形成されている。

【００２７】このケース３４は一方の主結合窓５２を底
板３１上の前述のケース３３の主結合窓５０に連続さ
せ、副次結合窓５４を第２の列側に向けて底板３１に取
り付けられている。このケース３４においても先のケー
ス３３と同様に底板３１の溝孔３１ａあるいは取付孔３
２Ｆに対して係止凸部３４ｆを嵌合し、側壁部の下端部
を底板３１に半田付けすることで固定され、その内部中
央にケース３２の場合と同様に誘電体ブロック４５が固
定されている。

【００２８】図８に第１の列の４番目に設けられるケー
ス３５を示す。このケース３５はケース３４と同様な鋼
板等の金属板の折り返し構造からなる薄型の箱状であ
り、天板３５ａと側壁部３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５
ｅを有し、側壁部の下端部に係止凸部３５ｆ・・・が形成
されていて、天板３５ａにほぼ直角に折曲された側壁部
どうしの接触部分は半田付けされて薄型の箱状に組み付
けられ、側壁部３５ｂの中央部には主結合窓（主結合手
段）５５が形成され、側壁部３５ｃにおいて側壁部３５
ｄ側の部分に主結合窓（主結合手段）５６が形成され、
天板３５ａの中央部に丸型の透孔５７が形成されてい
る。

【００２９】このケース３５は主結合窓５５を底板３１
上のケース３４の主結合窓５２に連続させ、主結合窓５
６を第２の列側に向けて底板３１に取り付けられてい
る。このケース３５においても先のケース３４と同様に
底板３１の溝孔３１ａあるいは取付孔３２Ｆに対して係
止凸部３５ｆを嵌合し、側壁部の下端部を底板３１に半
田付けすることで固定され、その内部中央に誘電体ブロ
ック４５が先のケース３２の場合と同様に固定されてい
る。

【００３０】図９に第２の列の４番目に設けられるケー
ス３９を示す。このケース３９はケース３５と同様な鋼
板等の金属板の折り返し構造からなる薄型の箱状であ
り、天板３９ａと側壁部３９ｂ、３９ｃ、３９ｄ、３９
ｅを有し、各側壁部の下端部に係止凸部３９ｆ・・・が形
成されていて、天板３９ａにほぼ直角に折曲された側壁
部どうしの接触部分は半田付けされて薄型の箱状に組み
付けられ、側壁部３９ｂの中央部には主結合窓（主結合
手段）６０が形成され、側壁部３９ｅにおいて側壁部３
９ｂ側の部分に主結合窓（主結合手段）６１が形成さ
れ、天板３９ａの中央部に丸型の透孔６７が形成されて
いる。

【００３１】このケース３９は主結合窓６１を底板３１
上の第１の列のケース３５の主結合窓５６に連続させて
底板３１に取り付けられている。このケース３９におい
てもケース３２の場合と同様に底板３１の溝孔３１ａあ
るいは取付孔３２Ｆに対して係止凸部３９ｆを嵌合し、
側壁部の下端部を底板３１に半田付けすることで固定さ
れ、その内部中央に誘電体ブロック４５が固定されてい
る。

【００３２】次に第２列目の３番目に設けられるケース
３８は先に説明した図６に示すケース３３と略同一形状
とされ、ケース３８の両側壁部に設けられている図３に
示す主結合窓（主結合手段）６２の一方を先のケース３
９の主結合窓６０に連続させて底板３１上に先に説明の
ケース３３と同様に固定され、その内部中央に誘電体ブ
ロック４５が固定されている。

【００３３】図１０に第２の列の第２番目に設けられる
ケース３７を示す。このケース３７は他のケースと同様
な金属板の折り返し構造からなる薄型の箱状であり、天
板３７ａと側壁部３７ｂ、３７ｃ、３７ｄ、３７ｅを有
し、側壁部の下端部に係止凸部３７ｆ・・・が形成されて
いて、天板３７ａにほぼ直角に折曲された側壁部どうし
の接触部分は半田付けされて薄型の箱状に組み付けら
れ、側壁部３７ｂ、３７ｄの中央部には主結合窓（主結
合手段）６３が形成され、側壁部３７ｅにおいて側壁部
３７ｂ側の部分に副次結合窓（副次結合手段）６５が形
成され、天板３７ａの中央部に丸型の透孔６６が形成さ
れている。

【００３４】このケース３７は一方の主結合窓６３を底
板３１上の先のケース３８の主結合窓６２に連続させ、
副次結合窓６５を第１の列のケース３４の副次結合窓５
４と連通させて底板３１に取り付けられている。このケ
ース３７においても先のケース３２の場合と同様に底板
３１の溝孔３１ａあるいは取付孔３２Ｆに対して係止凸
部３７ｆを嵌合し、各側壁部の下端部を底板３１に半田
付けすることで固定され、その内部中央に誘電体ブロッ
ク４５が固定されている。

【００３５】次に第２の列の１番目に設けられるケース
３６は先に説明した通り第２の列のケース３２と略同一
形状とされていて、図２に示す天板３６ａと側壁部３６
ｂ、３６ｃ、３６ｄ、３６ｅを有し、側壁部３６ｅの中
央部に設けられた主結合窓６８を底板３１上の先のケー
ス３７の主結合窓６３に連続させて他のケースと同等の
手段により底板３１上に取り付けられ、その内部中央に
誘電体ブロック４５が固定されている。

【００３６】以上説明の如くケース３２、３３、３４、
３５とケース３６、３７、３８、３９がそれぞれ列をな
して底板３１上に固定されていて、図３に示すように各
ケースに形成されている主結合窓（主結合手段）４１、
５０、５０、５２、５２、５５、５６、６１、６０、６
２、６２、６３、６３、６８が底板３１の上面上をコ字
型の平面折り返し状態に連続され、各ケース内の誘電体
ブロック４５・・・が電磁界結合をなした場合に電磁気的
な主結合ループを構成できるように構成されている。従
って本実施形態において誘電体ブロック４５・・・による
主結合ループを形成する主結合手段は、主結合窓４１〜
６８が構成する。また、各誘電体ブロック４５を個々に
仕切る仕切部材は個々のケース３２〜３９の各側壁部が
構成する。

【００３７】また、ケース３４に形成された副次結合窓
５４とケース３７に形成された副次結合窓６５は連通さ
れていて、ケース３４内の誘電体ブロック４５とケース
３７内の誘電体ブロック４５とが電磁気的に副次結合で
きるように構成されている。従って本実施形態において
副次結合窓５４、６５が副次結合手段を構成する。とこ
ろで本実施形態の誘電体フィルタ３０において各ケース
３２〜３９の側壁部には各々ネジ孔２９Ａが２個ずつ形
成され、これらのネジ孔２９Ａ・・・のうちのいくつかに
は周波数調整用のネジ２９が螺入されるとともに、ケー
ス３４とケース３７の境界部分に形成されたネジ孔２８
Ａにねじ込まれたネジ２８は副次結合周波数調整用のネ
ジである。

【００３８】次に前述のように構成された誘電体フィル
タ３０の作用効果について以下に説明する。図１に示す
構成の誘電体フィルタ３０にあっては、各ケースに収容
されている円柱状の誘電体ブロック４５が個々に共振器
を構成するので、各誘電体ブロック４５の中心軸方向が
電界の方向となると、磁界の向きは誘電体ブロック４５
の周方向となる。また、誘電体フィルタ３０に設けられ
ている誘電体ブロック４５の磁界の向きは、主結合する
方向に沿って並ぶ誘電体ブロック４５において図３の矢
印に示すように互いに隣接する誘電体ブロック４５同士
で異なる向き、即ち時計回りか反時計回りとなる。

【００３９】この形態の誘電体フィルタ３０の等価回路
を図１１に示す。ケース３２とその内部の誘電体ブロッ
ク４５と底板３１で誘電体共振器３２Ｅが構成され、ケ
ース３３とその内部の誘電体ブロック４５と底板３１で
誘電体共振器３３Ｅが構成され、ケース３４とその内部
の誘電体ブロック４５と底板３１で誘電体共振器３４Ｅ
が構成され、ケース３５とその内部の誘電体ブロック４
５と底板３１で誘電体共振器３５Ｅが構成され、ケース
３６とその内部の誘電体ブロック４５と底板３１で誘電
体共振器３６Ｅが構成され、ケース３７とその内部の誘
電体ブロック４５と底板３１で誘電体共振器３７Ｅが構
成され、ケース３８とその内部の誘電体ブロック４５と
底板３１で誘電体共振器３８Ｅが構成され、ケース３９
とその内部の誘電体ブロック４５と底板３１で誘電体共
振器３９Ｅが構成される。これらの誘電体共振器３２Ｅ
〜３９Ｅは電磁気的に主結合するが、誘電体共振器３４
Ｅと誘電体共振器３８Ｅは電磁気的に副次結合する。

【００４０】図１２にこの形態の誘電体フィルタ３０に
おける位相角の周波数特性と伝送特性を示す。この図か
ら、誘電体共振器３２Ｅ〜３９Ｅが構成する主結合をな
す主伝送路の位相角の周波数特性と、誘電体共振器３４
Ｅと３８Ｅが構成する副次結合をなす副伝送路の位相角
の周波数特性から、誘電体フィルタとしての減衰量の周
波数特性が矩形波に近い等脚台形型となり、その高周波
領域において主伝送路の伝送量と副次伝送路の伝送量が
等量で逆位相となるので高周波域側に減衰量のトラップ
を生じることが容易に理解できる。

【００４１】従ってこの実施形態の誘電体フィルタ３０
によれば、受信周波帯域の透過帯域幅が比較的広く、送
信周波数帯域の減衰量が極めて大きいとともに、透過帯
域の挿入損失が少なく、更に透過帯域の外側にトラップ
を有する周波数切れの良いＴＭモードのフィルタを得る
ことができる。

【００４２】ところで、本実施形態の誘電体フィルタ３
０において、誘電体共振器３２Ｅ〜３９Ｅ内の電流が流
る経路は、誘電体ブロック４５、誘電体ブロック上端の
電極層４５ａ、各々のケースの天板、側壁部、底板、誘
電体ブロック下端の電極層４５ｂ、誘電体ブロック４５
の順、あるいはその逆の順序に電流が循環する。そし
て、本実施形態の誘電体共振器のケースにあっては、金
属板どうしが接合されてなる側壁部の辺部分はいずれも
電流の流れる方向に沿っており、電流の流れに直交する
方向に接合辺はない。従って、各誘電体共振器３２Ｅ〜
３９Ｅ内を流れる電流に対する接合辺の影響は小さく、
接合辺に起因する電気抵抗増加は低減される結果、Ｑ値
が向上し、誘電体共振器としての特性は向上する。

【００４３】ここで、誘電体ブロックの上端の電極層お
よび下端の電極層における電流の流れは、ほとんどが表
面に沿って流れ、周波数が高くなるほど表面を流れ易く
なることが知られている（表皮効果）。例えば、周波数
１ＧＨｚの場合、電流は表面の厚さ２μｍ程度の部分を
流れる。従って本実施形態のように各ケースの天板およ
び底板に透孔が形成され、誘電体ブロック４５の上端の
電極層４５ａと下端の電極層４５ｂの縁部のみがケース
と接合されている構成としても、電流の流れに悪影響は
ない。

【００４４】図１３は本発明に係る誘電体フィルタの第
２実施形態の要部を示す断面図である。この第２実施形
態の誘電体フィルタ７０の構造において、第１実施形態
の構造と異なるのは、誘電体共振器３４Ｆを構成するケ
ース３４の側壁部３４ｃに設けられていた第１実施形態
の副次結合窓５４を省略し、誘電体共振器３７Ｆの側壁
部３７ｅに設けられていた第１実施形態の副次結合窓６
５を省略し、代わりにケース３４の側壁部３４ｃに透孔
３４ｇをケース３７の側壁部３７ｅに透孔３７ｇを形成
し、これらの透孔３４ｇ、３７ｇを通過するリード線な
どの導体７１を設け、導体７１の一端部をケース３４内
の誘電体ブロック４５の上端の電極層４５ａに半田付け
により接続し、導体７０の他端部をケース３７内の誘電
体ブロック４５の下端の電極層４５ｂに半田付けにより
接続し、導体７１が通過する透孔３４ｇ、３７ｇ部分と
その周囲を樹脂材などの隙間埋め材７２で封じて構成さ
れている。この第２実施形態におけるその他の構成は先
に説明した第１実施形態の構成と同等である。

【００４５】この第２実施形態の誘電体フィルタ７０に
おいても誘電体共振器３４Ｆと誘電体共振器３７Ｆを副
次結合させることができる。ただしこの第２実施形態の
誘電体フィルタ７０にあっては、図１４に示すような位
相角の周波数特性と減衰量の周波数特性が得られる。こ
の図１４に示す周波数特性から、誘電体共振器３２Ｅ、
３３Ｅ、３４Ｆ、３５Ｅ、３９Ｅ、３８Ｅ、３７Ｆ、３
６Ｅが構成する主結合をなす主伝送路の位相角の周波数
特性と、誘電体共振器３４Ｆと３７Ｆが構成する副次結
合をなす副伝送路の位相角の周波数特性から、誘電体フ
ィルタとしての減衰量の周波数特性が台形型となり、低
周波領域において主伝送路の伝送量と副次伝送路の伝送
量が同量で逆位相となるので低周波域側に減衰量のトラ
ップを生じることが分る。従って第２実施形態の構造に
おいても減衰量の低周波域側にトラップを有する優れた
誘電体フィルタを得ることができる。

【００４６】図１５は、先に説明した第１実施形態の誘
電体フィルタ３０と第２実施形態の誘電体フィルタ７０
を同軸ケーブル等の導体８４、８５で接続して構成され
たアンテナ共用器９０を示す。誘電体フィルタ３０の入
力端子４２と誘電体フィルタ７０の入力端子４２とを導
体８４、８５で接続し、接続点８６にアンテナからの入
力部９１が設けられるとともに、誘電体フィルタ３０の
出力端子４３に第１出力部８２が接続され、誘電体フィ
ルタ７０の出力端子４３に第２出力部８３が接続されて
構成されている。

【００４７】第１実施形態の誘電体フィルタ３０の減衰
量の周波数特性と第２実施形態の誘電体フィルタ７０の
減衰量の周波数特性を比較すると、後述する実施例から
明らかなように、誘電体フィルタ３０の透過帯域は誘電
体フィルタ７０の透過帯域よりも低周波域側に位置し、
誘電体フィルタ７０の透過帯域は誘電体フィルタ３０の
透過帯域よりも高周波域側に位置し、誘電体フィルタ３
０の減衰量にトラップを生じる帯域と誘電体フィルタ７
０の減衰量にトラップを生じる帯域はほぼ同じであるの
で、誘電体フィルタ３０と誘電体フィルタ７０を用いて
図１５に示すように接続することでアンテナ共用器９０
を得ることができる。

【００４８】この実施形態のアンテナ共用器９０では、
低域側の誘電体フィルタ３０の入力側の端子部４２に同
軸ケーブル８５を接続し、誘電体フィルタ３０の高域側
減衰域の周波数におけるインピーダンス位相を変化させ
て接続点８６から誘電体フィルタ３０の方を見たインピ
ーダンスを無限大にする。このとき、誘電体フィルタ３
０の高域側減衰域の周波数は、高域側フィルタ７０の通
過帯の周波数であるので、この周波数においては、接続
点８６には低域側フィルタ３０は接続されていないかの
ようにふるまう。また、高域側誘電体フィルタ７０の入
力側の端子部４２に同軸ケーブル８４を接続することに
より、高域側の誘電体フィルタ７０の低域側減衰域、即
ち、低域側フィルタ３０の通過帯の周波数で接続点８６
では高域側の誘電体フィルタ７０は接続されていないか
のようにふるまう。このようにしてアンテナ共用器とし
て動作する。

【００４９】図１６は本発明に係る誘電体フィルタの第
３実施形態の構造を示す分解斜視図である。この第３実
施形態の誘電体フィルタは、５段構造のものであり、導
電性の金属板からなる底板１０２と天板１０３との間に
平面略凸字型の金属製の枠体１０５を設け、この枠体１
０５内に誘電体ブロック１０６を５個収容して構成され
ている。誘電体ブロック１０６は先の第１実施形態の誘
電体ブロック４５と同様に上端面と下端面に電極層が形
成されている。

【００５０】枠体１０５は、平面略長方形状をなして第
１の列の２個の誘電体ブロック１０６、１０６を収容す
る第１の収容部１０７と、平面略長方形状をなして第１
の収容部１０７に並設され第２の列の２個の誘電体ブロ
ック１０６、１０６を収容する第２の収容部１０８とを
有し、更に、第１の収容部１０７と第２の収容部１０８
の端部に接続して設けられ１個の誘電体ブロック１０６
を収容した第３の収容部１０９を有して構成されてい
る。

【００５１】この形態の構造において第１の収容部１０
７と第２の収容部１０８は互いの側部壁を共用化して一
体とされ、第１の収容部１０６と第２の収容部１０７と
第３の収容部１０９との境界部分も共用化して一体化さ
れている。この形態の構造において共用化された枠体１
０７、１０８の側壁部が第１の列の誘電体ブロック１０
６、１０６と第２の列の誘電体ブロック１０６、１０６
を仕切る仕切部材を構成する。また、第１の列の誘電体
ブロック１０６、１０６と第２の列の誘電体ブロック１
０６、１０６は列方向に沿って同一位置に配置され、第
３の収容部１０９の誘電体ブロック１０６は第１の列の
誘電体ブロック１０６、１０６の列方向延長位置と第２
の列の誘電体ブロック１０６、１０６の延長位置との中
間位置に配置されている。

【００５２】次に、第１の収容部１０７において２個の
誘電体ブロック１０６を仕切る中間位置に仕切板１１０
が設けられ、この仕切板１１０の中央部には主結合窓
（主結合手段）１１１が形成されていて誘電体ブロック
１０６、１０６が電磁気的に主結合できるように構成さ
れるとともに、第２の収容部１０８において２個の誘電
体ブロック１０６を仕切る位置に仕切板１１２が設けら
れ、この仕切板１１２の中央部には主結合窓（主結合手
段）１１３が形成されていて、誘電体ブロック１０６、
１０６が電磁気的に主結合できるように構成されてい
る。

【００５３】また、第１の収容部１０７と第３の収容部
１０９との間の部分には枠体の一部を切り欠いて形成し
た主結合窓（主結合手段）１１５が形成されていて第１
の収容部１０７の端部の誘電体ブロック１０６と第３の
収容部１０９の誘電体ブロック１０６とが電磁気的に主
結合できるように構成されるとともに、第２の収容部１
０８と第３の収容部１０９との間の部分には枠体の一部
を切り欠いて形成した主結合窓（主結合手段）１１６が
形成されていて第３の収容部１０９の誘電体ブロック１
０６と第２の収容部１０７の端部の誘電体ブロック１０
６とが電磁気的に主結合できるように構成されている。
従ってこの実施形態において主結合窓１１１、１１５、
１１６、１１３が主結合手段とされている。

【００５４】更に、第１の収容部１０７の誘電体ブロッ
ク１０６、１０６のうち、第３の収容部１０９側の誘電
体ブロック１０６と、第２の収容部１０８の誘電体ブロ
ック１０６、１０６のうち、第３の収容部１０９側の誘
電体ブロック１０６との間の枠体部分には、枠体の一部
を切り欠いて副次結合窓（副次結合手段）１１７が形成
されていて、この副次結合窓１１７を介して第１の収容
部１０７の誘電体ブロック１０６と第２の収容部１０８
の誘電体ブロック１０６とが電磁気的に副次結合できる
ように構成されている。従ってこの実施形態において副
次結合窓１１７が副次結合手段とされている。

【００５５】なお、図１６に示す第３の実施形態の構造
においては、第１の収容部１０７と第２の収容部１０８
と第３の収容部１０９の境界壁を共用化しているが、各
収容部を第１または第２実施形態の構造の如く誘電体ブ
ロック毎にこれらを囲む導電体からなる箱状に形成し、
これらの箱状の収容部を結合して構成しても良いのは勿
論である。

【００５６】次に、第１の収容部１０７において第３の
収容部側に対する反対側には入力端子部１２０が形成さ
れ、この入力端子部１２０と誘電体ブロック１０６との
間にはヘリカル共振器１２１が設けられるともに、第２
の収容部１０８において第３の収容部側に対する反対側
には入力端子部１２２が形成され、この入力端子部１２
２と誘電体ブロック１０６の間にはヘリカル共振器１２
３が設けられている。以上の構成に加え、天板１０３は
枠体１０５の上面に対して複数のビス１２５により固定
されて第３実施形態の誘電体フィルタが構成されてい
る。

【００５７】図１６に示す構造の誘電体フィルタは、第
１の収容部１０７の２つの誘電体ブロック１０６、１０
６と、第３の収容部１０５の誘電体ブロック１０６と第
２の収容部１０８の誘電体ブロック１０６、１０６が順
次電磁気的に主結合するとともに、副次結合窓１１７を
介して第１の収容部１０７の誘電体ブロック１０６と第
２の収容部１０８の誘電体ブロック１０６とが電磁気的
に副次結合する結果、誘電体フィルタとしてのフィルタ
機能を奏する。

【００５８】また、第１の収容部１０７の第１の誘電体
ブロック１０６における磁界の向きが誘電体ブロック１
０６の上面に沿って反時計方向周りであるとすると、第
２番目の誘電体ブロック１０６における磁界の向きは時
計方向になり、第３の収容部１０９の誘電体ブロック１
０６における磁界の向きは反時計方向になり、第２の収
容部１０８の第２番目の誘電体ブロック１０６における
磁界の向きは時計方向になり、第２の収容部１０８の第
１番目の誘電体ブロック１０６における磁界の向きは反
時計方向になる。即ち、主結合方向に隣接する誘電体ブ
ロック１０６毎に磁界の向きは順次方向が変換されて方
向が異なるようになる。従って第１の実施形態の誘電体
フィルタ３０と同様にトラップを有する減衰量の周波数
特性を示す誘電体フィルタを得ることができる。

【００５９】図１７は本発明に係る誘電体フィルタの第
４実施形態の構造を示す分解斜視図である。この第４実
施形態の誘電体フィルタは、先に説明した実施形態の誘
電体フィルタと基本構造はほぼ同等であるが、内部に誘
電体フィルタ１０６を７個収容した７段構造とされたも
ので、導電性の金属板からなる底板１３２と天板１３３
との間に平面略凸字型の金属製の枠体１３５を設け、こ
の枠体１３５内に誘電体ブロック１０６を７個収容して
構成されている。この第４実施形態の構造は先の第３実
施形態の構造とほぼ同等であり、符号１３７は誘電体ブ
ロック１０６を３個収容した第１の収容部、符号１３８
は誘電体ブロック１０６を３個収容した第２の収容部、
１３９は１個の誘電体ブロック１０６を収容した第３の
収容部である。また、この実施形態において枠体１３５
において第１の収容部１３７の側壁部と第２の収容部１
３８の側壁部が共用化されているが、この共用化された
側壁部が第１の列の誘電体ブロック１０６・・・と第２の
列の誘電体ブロック１０６・・・を仕切る仕切部材とされ
ている。

【００６０】更に符号１４０は第１の収容部１３７の内
部の誘電体ブロック１０６を仕切る仕切板、１４１は仕
切板１４０に形成された主結合窓（主結合手段）、１４
２は第２の収容部１３８の内部の誘電体ブロック１０６
とを仕切る仕切板、１４３は仕切板１４２に形成された
主結合窓（主結合手段）、１４５は第１の収容部１３７
と第３の主要部１３９との境界部分に設けられた主結合
窓、１４６は第３の収容部１３９と第２の収容部１３２
との境界部分に設けられた主結合窓（主結合手段）、１
４７は第１の列の中央の誘電体ブロック１０６と第２の
列の中央の誘電体ブロック１０６との境界部分の枠体に
設けられた副次結合窓（副次結合手段）をそれぞれ示
す。従ってこの実施形態において、主結合窓１４１、１
４１、１４５、１４６、１４３、１４３が主結合手段と
され、副次結合窓１４７が副次結合手段とされている。

【００６１】図１７に示す７段の誘電体フィルタにおい
ても先の形態の５段の誘電体フィルタと同様に誘電体ブ
ロック毎に交互に磁界の向きを時計回りか反時計周りに
することができ、誘電体ブロック１０６・・・どうしの電
磁界的な主結合に加えて副次結合窓１４７を介する誘電
体ブロック１０６どうしの間に電磁界的な副次結合を生
じさせて誘電体フィルタとしての機能を奏し得ることが
できる。従って第１の実施形態の誘電体フィルタ３０と
同様にトラップを有する減衰量の周波数特性を示す誘電
体フィルタを得ることができる。

【００６２】

【実施例】「実施例１」図１に示す第１実施形態の構造
の誘電体フィルタを組み立てて減衰量の周波数特性を測
定した。厚さ０.５ｍｍの鋼板からなる底板を用い、第
１の列に沿う底板部分の長さを１２３ｍｍ、幅を３０ｍ
ｍに設定し、底板に形成した透孔の内径を１２ｍｍに設
定し、ＢａＯ−ＴｉＯ₂−Ｎｄ₂Ｏ₃からなる円柱状の誘
電体ブロック（直径１７ｍｍ、高さ１０ｍｍ）を８個用
い、各誘電体ブロックを囲むケース（縦幅２６ｍｍ、横
幅２８ｍｍ、高さ１１.５ｍｍ）を厚さ０.３ｍｍの鋼板
を折り曲げ加工し銀メッキをして、接合辺部分を半田付
けし、更に各ケースを底板に半田付けして作製した。以
上の構成の誘電体フィルタの入力端子に正弦波の信号を
入力して出力端子からの出力波形を測定した結果を図１
８に示す。

【００６３】図１８に示す結果から明らかなように、８
８０ＭＨｚ付近から９１０ＭＨｚ付近までの範囲におい
て減衰量２〜３ｄＢ程度のほぼフラットな透過領域を示
し、この透過領域から外れた帯域のものは急激に減衰し
得る特性を有する優れた減衰量特性を備えた波形が得ら
れた。また、この減衰量波形において高域側に減衰量の
トラップを生じていることも確認でき、切れの良好な減
衰量特性が得られたことが明らかになった。

【００６４】「実施例２」図１に示す構造と底板形状及
びケース形状はほぼ同等とし、副次結合窓に代えて導体
を配した図１３に示す第２実施形態の構造の誘電体フィ
ルタを作製し、実施例１と同様にして減衰量の周波数特
性を測定した。第１の列の第３番目の誘電体ブロックの
上端電極層と第２の列の第２番目の誘電体ブロックの下
端の電極層とをリード線で半田付けにより接合して誘電
体フィルタを作製し、実施例１と同様に計測に供した。
その結果を図１９に示す。

【００６５】図１９に示す結果から明らかなように、９
２０ＭＨｚ付近から９６０ＭＨｚ付近までの範囲におい
て減衰量２〜３ｄＢ程度のほぼフラットな透過領域を示
し、この透過領域から外れた帯域のものは急激に減衰し
得る特性を有する優れた減衰量特性を備えた波形が得ら
れた。また、この減衰量波形において低域側に減衰量の
トラップを生じていることも確認でき、切れの良好な減
衰量特性が得られたことが明らかになった。

【００６６】また、図１８と図１９に示す測定結果から
明らかなように、副次結合を生じさせるための構造とし
て副次結合窓を用いた実施例１の構造の誘電体フィルタ
と、副次結合を生じさせるためにリード線の導体を用い
た実施例２の誘電体フィルタとでは、それぞれ透過帯域
が８８０〜９１０ＭＨｚと９２０〜９６０ＭＨｚであ
り、両者は隣接しており、しかも、実施例１の誘電体フ
ィルタの減衰量のトラップの存在周波数領域と、実施例
２の誘電体フィルタの減衰量のトラップの存在周波数領
域がほぼ同じであるので、実施例１、２の誘電体フィル
タを図１５に示すようにケーブルで接続することで、ア
ンテナ用共用器を構成できることが明らかになった。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の誘電体フィ
ルタは、仕切部材で仕切られた誘電体ブロックを２列以
上千鳥状に並列して導電性のケース内に設け、ケース内
の仕切部材に列の端部の誘電体ブロック同士を電磁気的
に結合させる主結合手段を設けたので、列に沿って並ぶ
誘電体ブロックに沿う電磁界的な主結合を生じさせるこ
とができる。また、隣接する列どうしの間の近接する誘
電体ブロックどうしの間に電磁界的な副次結合を生じさ
せ、列に沿って隣接する誘電体ブロック同士の間での電
磁界結合を交互に逆相にすることができ、電磁界的な主
結合に対して逆相となる副次結合を生じさせることがで
き、よって透過帯域の外側の帯域にトラップを有する切
れの良い減衰曲線をＴＭモードの場合でも有する誘電体
フィルタを得ることができる。

【００６８】次に、誘電体ブロックを列毎に同一位置に
配置して配列し、列の端部に列からはずれた１個の誘電
体ブロックを設け、列に沿って誘電体ブロックを電磁気
的に主結合させ、列を越えて隣接する誘電体ブロック同
士を電磁気的に副次結合させる構造とすることで、列に
沿って隣接する誘電体ブロック同士の間での電磁界結合
を交互に逆相にすることができ、電磁界的な主結合に対
して逆相となる副次結合を生じさせることができ、よっ
て透過帯域の外側の帯域にトラップを有する切れの良い
減衰曲線をＴＭモードの場合でも有する誘電体フィルタ
を得ることができる。

【００６９】更に、以上のような誘電体フィルタにおい
て電磁界的主結合を生じさせる具体的な構造として仕切
部材に設けた主結合窓を適用することができ、列を越え
て隣接する誘電体フィルタ同士を接続する導体を適用す
ることもできる。そして、主結合窓を用いた構造では透
過帯域の高周波側にトラップを有する減衰量特性を得る
ことができ、導体を用いた構造では透過帯域の低周波側
にトラップを有する減衰量特性を有する減衰量特性を得
ることができる。

【００７０】次に、主結合窓を用いた誘電体ブロックと
導体を用いた誘電体ブロックを結合してアンテナ共用器
を構成することで、透過帯域を隣接させた広い領域とし
て、透過帯域の外側の帯域にトラップを有する周波数切
れの良好な特性を発揮するアンテナ共用器を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る誘電体フィルタの第１実施形態
を示す斜視図。

【図２】 図１に示す誘電体フィルタの一部を拡大した
分解斜視図。

【図３】 図１に示す誘電体フィルタの水平断面図。

【図４】 図１に示す誘電体フィルタに用いられた底板
の平面図。

【図５】 図１に示す誘電体フィルタに組み込まれた第
１の列の第１番目のケースの斜視図。

【図６】 図１に示す誘電体フィルタに組み込まれた第
１の列の第２番目のケースの斜視図。

【図７】 図１に示す誘電体フィルタに組み込まれた第
１の列の第３番目のケースの斜視図。

【図８】 図１に示す誘電体フィルタに組み込まれた第
１の列の第４番目のケースの斜視図。

【図９】 図１に示す誘電体フィルタに組み込まれた第
２の列の第４番目のケースの斜視図。

【図１０】 図１に示す誘電体フィルタに組み込まれた
第２の列の第２番目のケースの斜視図。

【図１１】 図１に示す誘電体フィルタの等価回路を示
す回路図。

【図１２】 図１に示す誘電体フィルタで得られる位相
角と減衰量の周波数特性を示す図。

【図１３】 本発明に係る誘電体フィルタの第２実施形
態の要部を示す断面図。

【図１４】 図１３に示す誘電体フィルタで得られる位
相角と減衰量の周波数特性を示す図。

【図１５】 本発明に係るアンテナ共用器を示す構成
図。

【図１６】 本発明に係る誘電体フィルタの第３実施形
態を示す斜視図。

【図１７】 本発明に係る誘電体フィルタの第４実施形
態を示す斜視図。

【図１８】 本発明に係る誘電体フィルタの実施例１に
おける減衰量の周波数特性を示す図。

【図１９】 本発明に係る誘電体フィルタの実施例２に
おける減衰量の周波数特性を示す図。

【図２０】 従来の誘電体共振器の一例を示す水平断面
図。

【図２１】 図２０に示す誘電体共振器の垂直断面図。

【図２２】 図２０に示す誘電体共振器の磁気的結合状
態を示す図。

【図２３】 従来の誘電体共振器の他の例を示す図。

【図２４】 図２３に示す誘電体共振器で得られる減衰
量特性を示す図。

【符号の説明】

３０、７０・・・誘電体フィルタ、３２、３３、３４、３
５・・・第１の列のケース（仕切部材）、３６、３７、３
８、３９・・・第２の列のケース（仕切部材）、４１、５
０、５２、５５、５６、６１、６０、６２、６３、６８
・・・主結合窓（主結合手段）、４５・・・誘電体ブロック、
５４、６５・・・副次結合窓（副次結合手段）、７１・・・導
体（副次結合手段）、１０６・・・誘電体ブロック、１０
７、１０８、１０９・・・枠体（仕切部材）、１１１、１
１３、１１５、１１６・・・主結合窓（主結合手段）、１
１７・・・副次結合窓（副次結合手段）、１３７、１３
８、１３９・・・枠体（仕切部材）、１４１、１４３、１
４５、１４６・・・主結合窓（主結合手段）、１４７・・・副
次結合窓（副次結合手段）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 賢児 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5J006 HC03 HC13 HC26 JA01 JA13 KA11 LA03 ND01 PA01 PA04 PA06 PA08

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性のケースの内部に複数の誘電体ブ
   ロックが個々に前記ケースに電気的に接続した状態で少
   なくとも２列並列収容され、隣接する２列を構成する前
   記複数の誘電体ブロックが列方向に千鳥状に配置され、
   前記各誘電体ブロックが前記ケースの内部で互いに導電
   性の仕切部材で仕切られ、該仕切部材に列の端部の前記
   誘電体ブロック同士を電磁気的に結合させて主結合路を
   生成させる主結合手段が付設され、更に前記仕切部材に
   は前記主結合路により生じる磁界を打消すトラップ結合
   を生じさせる副次結合手段が設けられてなることを特徴
   とする誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】 前記主結合手段及び前記副次結合手段が
   前記仕切部材に設けられた結合窓から構成された構成さ
   れたことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
3. 【請求項３】 前記副次結合手段が副次結合させる前記
   誘電体ブロック同士を電気的に接続する導体から構成さ
   れたことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
4. 【請求項４】 導電性のケースの内部に複数の誘電体ブ
   ロックが個々に前記ケースに電気的に接続した状態で少
   なくとも２列並列収容され、かつ隣接する２列を構成す
   る前記複数の誘電体ブロックが列方向に間隔をおいて同
   位置に配置され、隣接する２列の各列端の誘電体ブロッ
   クの近傍に列からずれた位置に前記ケースに電気的に接
   続した誘電体ブロックが配置され、前記誘電体ブロック
   が前記ケースの内部で互いに導電性の仕切部材で仕切ら
   れ、該仕切部材に列の端部の誘電体ブロックと列からず
   れた位置の誘電体ブロックを電磁気的に結合させて主結
   合路を生成させる主結合手段が付設され、更に前記仕切
   部材には前記主結合路より生じる磁界を打消すトラップ
   結合を生じさせる副次結合手段が設けられてなることを
   特徴とする誘電体フィルタ。
5. 【請求項５】 前記主結合手段及び前記副次結合手段が
   前記仕切部材に設けられた結合窓から構成された構成さ
   れたことを特徴とする請求項４記載の誘電体フィルタ。
6. 【請求項６】 前記副次結合手段が副次結合させる前記
   誘電体ブロック同士を電気的に接続する導体から構成さ
   れたことを特徴とする請求項４記載の誘電体フィルタ。
7. 【請求項７】 請求項２又は請求項５記載の誘電体フィ
   ルタが低周波側フィルタ素子とされ、請求項３又は請求
   項６記載の誘電体フィルタが高周波側のフィルタ素子と
   されて両フィルタ素子が並設されてなることを特徴とす
   るアンテナ共用器。