JP2000012996A - マルチチップモジュール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュールの製造方法 - Google Patents
マルチチップモジュール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュールの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低価格で、取扱が容易なマルチチップモジュ
ール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュール
の製造方法を提供するものである。 【解決手段】 複数個の半導体素子及び電気・電子部品
を搭載するための電気回路が表面に形成されたマルチチ
ップモジュール用ベースにおいて、表面に凹部１が形成
され、かつ、その凹部１の周囲に沿って貫通孔２が多数
個形成されたプラスチック成形品３ａの表面および貫通
孔２の内面に無電解メッキ被膜による電気回路４を形成
したものである。
ール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュール
の製造方法を提供するものである。 【解決手段】 複数個の半導体素子及び電気・電子部品
を搭載するための電気回路が表面に形成されたマルチチ
ップモジュール用ベースにおいて、表面に凹部１が形成
され、かつ、その凹部１の周囲に沿って貫通孔２が多数
個形成されたプラスチック成形品３ａの表面および貫通
孔２の内面に無電解メッキ被膜による電気回路４を形成
したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチップモジ
ュール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュー
ルの製造方法に係り、特に、複数個の半導体素子などを
基板等に表面実装するためのマルチチップモジュール用
ベース及びそれを用いたマルチチップモジュールの製造
方法に関するものである。
ュール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュー
ルの製造方法に係り、特に、複数個の半導体素子などを
基板等に表面実装するためのマルチチップモジュール用
ベース及びそれを用いたマルチチップモジュールの製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小形化、低
価格化などの要求に伴い、複数個のＬＳＩベアチップを
１つの回路部品に搭載し、これらを樹脂封止材などで封
止してなるマルチチップモジュール（以下、ＭＣＭと呼
ぶ）においては、ＭＣＭ−Ｄ（金属・ウェハ等の基材上
に薄膜を多層配線を形成した基板）、ＭＣＭ−Ｃ（セラ
ミック基板）、ＭＣＭ−Ｌ（プリント配線基板を含む有
機樹脂を基材にした基板）などを用いた各種製造方法が
提案されている。
価格化などの要求に伴い、複数個のＬＳＩベアチップを
１つの回路部品に搭載し、これらを樹脂封止材などで封
止してなるマルチチップモジュール（以下、ＭＣＭと呼
ぶ）においては、ＭＣＭ−Ｄ（金属・ウェハ等の基材上
に薄膜を多層配線を形成した基板）、ＭＣＭ−Ｃ（セラ
ミック基板）、ＭＣＭ−Ｌ（プリント配線基板を含む有
機樹脂を基材にした基板）などを用いた各種製造方法が
提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＣＭ
−Ｄ、ＭＣＭ−Ｃ、ＭＣＭ−Ｌなどの各種製造方法にお
いては、それぞれ一長一短があり、例えば、高性能であ
るが高価格であったり、高価な製造設備が必要であった
りしていた。
−Ｄ、ＭＣＭ−Ｃ、ＭＣＭ−Ｌなどの各種製造方法にお
いては、それぞれ一長一短があり、例えば、高性能であ
るが高価格であったり、高価な製造設備が必要であった
りしていた。
【０００４】今後も、ＭＣＭにおいては、低価格化、取
扱の容易化、製造の簡略化などの要求がますます強くな
ると予想され、これらの点の改善が望まれている。
扱の容易化、製造の簡略化などの要求がますます強くな
ると予想され、これらの点の改善が望まれている。
【０００５】そこで本発明は、上記課題を解決し、低価
格で、取扱が容易なマルチチップモジュール用ベース及
びそれを用いたマルチチップモジュールの製造方法を提
供することにある。
格で、取扱が容易なマルチチップモジュール用ベース及
びそれを用いたマルチチップモジュールの製造方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、複数個の半導体素子及び電気・電
子部品を搭載するための電気回路が表面に形成されたマ
ルチチップモジュール用ベースにおいて、表面に凹部が
形成され、かつ、その凹部の周囲に沿って貫通孔が多数
個形成されたプラスチック成形品の表面および貫通孔の
内面に無電解メッキ被膜による電気回路を形成したもの
である。
に請求項１の発明は、複数個の半導体素子及び電気・電
子部品を搭載するための電気回路が表面に形成されたマ
ルチチップモジュール用ベースにおいて、表面に凹部が
形成され、かつ、その凹部の周囲に沿って貫通孔が多数
個形成されたプラスチック成形品の表面および貫通孔の
内面に無電解メッキ被膜による電気回路を形成したもの
である。
【０００７】請求項２の発明は、上記プラスチック成形
品が半導体封止材料からなる請求項１記載のマルチチッ
プモジュール用ベースである。
品が半導体封止材料からなる請求項１記載のマルチチッ
プモジュール用ベースである。
【０００８】以上の構成によれば、成形性および取扱性
が良好なマルチチップモジュール用ベースを形成するこ
とができる。
が良好なマルチチップモジュール用ベースを形成するこ
とができる。
【０００９】請求項３の発明は、多数個の上記凹部を上
記プラスチック成形品の表面に形成した請求項１記載の
マルチチップモジュール用ベースである。
記プラスチック成形品の表面に形成した請求項１記載の
マルチチップモジュール用ベースである。
【００１０】この構成によれば、多数個のマルチチップ
モジュール用ベースが同時に一体形成されるため、マル
チチップモジュールの生産性が良好となる。
モジュール用ベースが同時に一体形成されるため、マル
チチップモジュールの生産性が良好となる。
【００１１】請求項４の発明は、上記半導体素子がベア
チップである請求項１記載のマルチチップモジュール用
ベースである。
チップである請求項１記載のマルチチップモジュール用
ベースである。
【００１２】請求項５の発明は、表面に凹部が形成さ
れ、かつ、その凹部の周囲に沿って貫通孔が多数個形成
されたプラスチック成形品を形成した後、そのプラスチ
ック成形品の表面および上記貫通孔の内面に無電解メッ
キ被膜による電気回路を形成し、その後、上記凹部内に
複数個の半導体素子及び電気・電子部品を搭載すると共
にボンディングを行い、その後、上記凹部全体をポッテ
ィング樹脂で封止した後、上記貫通孔に沿ってダイシン
グを行うものである。
れ、かつ、その凹部の周囲に沿って貫通孔が多数個形成
されたプラスチック成形品を形成した後、そのプラスチ
ック成形品の表面および上記貫通孔の内面に無電解メッ
キ被膜による電気回路を形成し、その後、上記凹部内に
複数個の半導体素子及び電気・電子部品を搭載すると共
にボンディングを行い、その後、上記凹部全体をポッテ
ィング樹脂で封止した後、上記貫通孔に沿ってダイシン
グを行うものである。
【００１３】請求項６の発明は、上記プラスチック成形
品の材質が半導体封止材料であり、その半導体封止材料
をトランスファ成形してプラスチック成形品を形成する
請求項５記載のマルチチップモジュールの製造方法であ
る。
品の材質が半導体封止材料であり、その半導体封止材料
をトランスファ成形してプラスチック成形品を形成する
請求項５記載のマルチチップモジュールの製造方法であ
る。
【００１４】請求項７の発明は、上記凹部内に上記半導
体素子及び電気・電子部品を搭載するための小凹部が予
め形成されている請求項５記載のマルチチップモジュー
ルの製造方法である。
体素子及び電気・電子部品を搭載するための小凹部が予
め形成されている請求項５記載のマルチチップモジュー
ルの製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１６】本発明のマルチチップモジュール用ベース
の平面図を図１に示す。
の平面図を図１に示す。
【００１７】図１に示すように、本発明のマルチチップ
モジュール用ベース３は、表面に凹部１が形成され、か
つ、その凹部１の周囲（外周縁）に沿って貫通孔（スル
ーホール）２が多数個（図１中では各辺に４個づつ計１
６個）形成されたプラスチック成形品３ａの表面および
貫通孔２の内面に無電解メッキ被膜による電気回路（図
示せず）を形成したものである。また、凹部１内には、
半導体素子及び電気・電子部品（図示せず）を搭載する
ための小凹部１ａが形成されている。
モジュール用ベース３は、表面に凹部１が形成され、か
つ、その凹部１の周囲（外周縁）に沿って貫通孔（スル
ーホール）２が多数個（図１中では各辺に４個づつ計１
６個）形成されたプラスチック成形品３ａの表面および
貫通孔２の内面に無電解メッキ被膜による電気回路（図
示せず）を形成したものである。また、凹部１内には、
半導体素子及び電気・電子部品（図示せず）を搭載する
ための小凹部１ａが形成されている。
【００１８】プラスチック成形品３ａは、チップやリー
ドフレームを封止・固定するための半導体封止材料から
なるものであるが、具体的な材料は特に限定するもので
はなく、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型フェ
ノール樹脂、熱硬化型メラミン樹脂、芳香族ポリエステ
ル樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリフェニレンスルフ
ァイド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂樹脂などが挙
げられる。
ドフレームを封止・固定するための半導体封止材料から
なるものであるが、具体的な材料は特に限定するもので
はなく、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型フェ
ノール樹脂、熱硬化型メラミン樹脂、芳香族ポリエステ
ル樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリフェニレンスルフ
ァイド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂樹脂などが挙
げられる。
【００１９】貫通孔２は、後述するＭＣＭ製造時のダイ
シング工程において、その形状が略半分となるように凹
部１の外周縁と平行に切断され、これによって、基板
（図示せず；例えば、マザーボード等）などに表面実装
するための接続端子となる。
シング工程において、その形状が略半分となるように凹
部１の外周縁と平行に切断され、これによって、基板
（図示せず；例えば、マザーボード等）などに表面実装
するための接続端子となる。
【００２０】本発明のマルチチップモジュール用ベース
によれば、半導体封止材料をトランスファ成形してなる
プラスチック成形品３ａに無電解メッキによる電気回路
４を形成してＭＣＭ用ベース３を形成しているため、成
形性および取扱性が良好である。
によれば、半導体封止材料をトランスファ成形してなる
プラスチック成形品３ａに無電解メッキによる電気回路
４を形成してＭＣＭ用ベース３を形成しているため、成
形性および取扱性が良好である。
【００２１】また、半導体封止材料として、耐熱性およ
び耐衝撃性に優れたエポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂を用
いてＭＣＭ用ベース（プラスチック成形品）３を形成す
ることで、ＭＣＭの信号処理速度の更なる高速化および
高品質化（高安定化）を図ることができる。
び耐衝撃性に優れたエポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂を用
いてＭＣＭ用ベース（プラスチック成形品）３を形成す
ることで、ＭＣＭの信号処理速度の更なる高速化および
高品質化（高安定化）を図ることができる。
【００２２】さらに、多数個のＭＣＭ用ベース３を同時
に一体形成しているため、ＭＣＭの生産性が良好とな
る。
に一体形成しているため、ＭＣＭの生産性が良好とな
る。
【００２３】次に、本発明のマルチチップモジュールの
製造方法を説明する。
製造方法を説明する。
【００２４】本発明のマルチチップモジュールの製造方
法の模式図を図２に、図１のマルチチップモジュール用
ベースを用いて作製したマルチチップモジュールの平面
図を図３に示す。ここで、図２（ａ）は、図１における
マルチチップモジュール用ベースに電気回路を形成する
前の状態のＡ−Ａ線断面図を示しており、図１と同様の
部材には同じ符号を付している。
法の模式図を図２に、図１のマルチチップモジュール用
ベースを用いて作製したマルチチップモジュールの平面
図を図３に示す。ここで、図２（ａ）は、図１における
マルチチップモジュール用ベースに電気回路を形成する
前の状態のＡ−Ａ線断面図を示しており、図１と同様の
部材には同じ符号を付している。
【００２５】先ず、半導体封止材料をポット内で加熱し
た後、加圧状態で圧入孔を通して密閉した金型キャビテ
ィに圧入してトランスファ成形し、図２（ａ）に示すよ
うに、表面に単数個又は多数個（図２中では多数個）の
凹部１が形成され、かつ、その各凹部１の外周縁に沿っ
て貫通孔２が多数個形成されたプラスチック成形品３ａ
を形成する。また、各凹部１内には、半導体素子及び電
気・電子部品（図示せず）を搭載するための小凹部１ａ
が形成されている。
た後、加圧状態で圧入孔を通して密閉した金型キャビテ
ィに圧入してトランスファ成形し、図２（ａ）に示すよ
うに、表面に単数個又は多数個（図２中では多数個）の
凹部１が形成され、かつ、その各凹部１の外周縁に沿っ
て貫通孔２が多数個形成されたプラスチック成形品３ａ
を形成する。また、各凹部１内には、半導体素子及び電
気・電子部品（図示せず）を搭載するための小凹部１ａ
が形成されている。
【００２６】次に、図２（ｂ）に示すように、プラスチ
ック成形品３ａの表面および貫通孔２の内面に無電解メ
ッキ被膜による電気回路４を形成してＭＣＭ用ベース３
を作製する。
ック成形品３ａの表面および貫通孔２の内面に無電解メ
ッキ被膜による電気回路４を形成してＭＣＭ用ベース３
を作製する。
【００２７】次に、図２（ｃ）に示すように、ＭＣＭ用
ベース３における各凹部１内に、コンデンサや抵抗等の
電気・電子部品（図示せず）をリフローハンダ付けする
と共に、複数個（図２中では２個）の半導体素子５を各
凹部１内の電気回路４にボンディングワイヤ６でワイヤ
ボンディングする。
ベース３における各凹部１内に、コンデンサや抵抗等の
電気・電子部品（図示せず）をリフローハンダ付けする
と共に、複数個（図２中では２個）の半導体素子５を各
凹部１内の電気回路４にボンディングワイヤ６でワイヤ
ボンディングする。
【００２８】次に、図２（ｄ）に示すように、各凹部１
全体をポッティング樹脂１４で封止した後、図２（ｅ）
に示すように、貫通孔２に沿ってダイシングを施し、図
３に示すように、基板（図示せず）などに表面実装する
ための接続端子２ａを各外側部に複数個（図３中では４
個づつ）備えたＭＣＭ１３を作製する。
全体をポッティング樹脂１４で封止した後、図２（ｅ）
に示すように、貫通孔２に沿ってダイシングを施し、図
３に示すように、基板（図示せず）などに表面実装する
ための接続端子２ａを各外側部に複数個（図３中では４
個づつ）備えたＭＣＭ１３を作製する。
【００２９】ここで、半導体素子５としては特に限定す
るものではないが、例えば、ベアチップなどが挙げられ
る。
るものではないが、例えば、ベアチップなどが挙げられ
る。
【００３０】また、半導体素子５と各凹部１内における
電気回路４の電気的接続は、フリップチップ（図示せ
ず）を用いて行っても良いことは言うまでもない。
電気回路４の電気的接続は、フリップチップ（図示せ
ず）を用いて行っても良いことは言うまでもない。
【００３１】本発明のマルチチップモジュールの製造方
法によれば、半導体封止材料をトランスファ成形してな
るプラスチック成形品３ａに無電解メッキによる電気回
路４を形成してＭＣＭ用ベース３を形成し、このＭＣＭ
用ベース３を用いてＭＣＭ１３を作製しているため、Ｍ
ＣＭ１３の製造工程を簡略化することができ、延いて
は、低コストでＭＣＭ１３を作製することが可能とな
る。
法によれば、半導体封止材料をトランスファ成形してな
るプラスチック成形品３ａに無電解メッキによる電気回
路４を形成してＭＣＭ用ベース３を形成し、このＭＣＭ
用ベース３を用いてＭＣＭ１３を作製しているため、Ｍ
ＣＭ１３の製造工程を簡略化することができ、延いて
は、低コストでＭＣＭ１３を作製することが可能とな
る。
【００３２】
【実施例】先ず、半導体封止材料として熱硬化型エポキ
シ樹脂（日立化成（株）製；ＣＥＬ４６３０）をトラン
スファ成形し、表面に所望個数の方形状の凹部が形成さ
れ、かつ、その各凹部の外周縁に沿って貫通孔が各辺に
所望個数づつ形成されたプラスチック成形品を形成す
る。
シ樹脂（日立化成（株）製；ＣＥＬ４６３０）をトラン
スファ成形し、表面に所望個数の方形状の凹部が形成さ
れ、かつ、その各凹部の外周縁に沿って貫通孔が各辺に
所望個数づつ形成されたプラスチック成形品を形成す
る。
【００３３】次に、プラスチック成形品の表面全面およ
び各貫通孔の内面全面にクロム硫酸等を用いて表面粗化
処理（プリエッチングおよびエッチング）を施した後、
メッキ触媒を塗布し、無電解銅メッキ被膜を２０μｍの
厚さで被覆する。その後、無電解銅メッキ被膜の表面に
ポジ型電着レジストを全面塗布した後、露光マスクを用
いて露光してレジスト現像を行う。その後、銅エッチン
グおよびレジスト剥離を行った後、保護メッキとして下
地ニッケル被膜を厚さ５μｍ、Ａｕ被膜を０．５μｍの
厚さで被覆し、電気回路を形成する。
び各貫通孔の内面全面にクロム硫酸等を用いて表面粗化
処理（プリエッチングおよびエッチング）を施した後、
メッキ触媒を塗布し、無電解銅メッキ被膜を２０μｍの
厚さで被覆する。その後、無電解銅メッキ被膜の表面に
ポジ型電着レジストを全面塗布した後、露光マスクを用
いて露光してレジスト現像を行う。その後、銅エッチン
グおよびレジスト剥離を行った後、保護メッキとして下
地ニッケル被膜を厚さ５μｍ、Ａｕ被膜を０．５μｍの
厚さで被覆し、電気回路を形成する。
【００３４】次に、各凹部内における小凹部に、所定の
数のコンデンサや抵抗等の電気・電子部品をリフローハ
ンダ付けすると共に、ベアチップを各凹部内の電気回路
にボンディングワイヤでワイヤボンディングする。
数のコンデンサや抵抗等の電気・電子部品をリフローハ
ンダ付けすると共に、ベアチップを各凹部内の電気回路
にボンディングワイヤでワイヤボンディングする。
【００３５】次に、各凹部全体をエポキシポッティング
樹脂で封止した後、貫通孔に沿ってダイシングを施し、
マザーボードに表面実装するための接続端子を各外側部
に備えたＭＣＭを作製する。
樹脂で封止した後、貫通孔に沿ってダイシングを施し、
マザーボードに表面実装するための接続端子を各外側部
に備えたＭＣＭを作製する。
【００３６】以上のような工程を経て形成したＭＣＭ用
ベースは成形性および取扱性が良好であった。また、こ
のＭＣＭ用ベースを用いて作製したＭＣＭは、信号処理
速度が速く、かつ、耐衝撃性にも優れていた。
ベースは成形性および取扱性が良好であった。また、こ
のＭＣＭ用ベースを用いて作製したＭＣＭは、信号処理
速度が速く、かつ、耐衝撃性にも優れていた。
【００３７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３８】（１） 半導体封止材料をトランスファ成
形してなるプラスチック成形品に無電解メッキによる電
気回路を形成してＭＣＭ用ベースを形成することで、Ｍ
ＣＭ用ベースの成形性および取扱性が良好である。
形してなるプラスチック成形品に無電解メッキによる電
気回路を形成してＭＣＭ用ベースを形成することで、Ｍ
ＣＭ用ベースの成形性および取扱性が良好である。
【００３９】（２） （１）のＭＣＭ用ベースを用いて
ＭＣＭを作製することで、ＭＣＭの製造工程を簡略化す
ることができ、延いては、低コストでＭＣＭを作製する
ことが可能となる。
ＭＣＭを作製することで、ＭＣＭの製造工程を簡略化す
ることができ、延いては、低コストでＭＣＭを作製する
ことが可能となる。
【図１】本発明のマルチチップモジュール用ベースの平
面図である。
面図である。
【図２】本発明のマルチチップモジュールの製造方法の
模式図である。
模式図である。
【図３】図１のマルチチップモジュール用ベースを用い
て作製したマルチチップモジュールの平面図である。
て作製したマルチチップモジュールの平面図である。
１ 凹部 １ａ 小凹部 ２ 貫通孔 ３ マルチチップモジュール用ベース ３ａ プラスチック成形品 ４ 電気回路 ５ 半導体素子（半導体素子及び電気・電子部品） １４ ポッティング樹脂
フロントページの続き (72)発明者 浅野 秀樹 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社パワーシステム研究所内 Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA08 AA13 BB01 BC26 CC31 CC34 CC51 CC55 5E338 AA11 AA16 BB02 BB03
Claims (7)
- 【請求項１】 複数個の半導体素子及び電気・電子部品
を搭載するための電気回路が表面に形成されたマルチチ
ップモジュール用ベースにおいて、表面に凹部が形成さ
れ、かつ、その凹部の周囲に沿って貫通孔が多数個形成
されたプラスチック成形品の表面および貫通孔の内面に
無電解メッキ被膜による電気回路を形成したことを特徴
とするマルチチップモジュール用ベース。 - 【請求項２】 上記プラスチック成形品が半導体封止材
料からなる請求項１記載のマルチチップモジュール用ベ
ース。 - 【請求項３】 多数個の上記凹部を上記プラスチック成
形品の表面に形成した請求項１記載のマルチチップモジ
ュール用ベース。 - 【請求項４】 上記半導体素子がベアチップである請求
項１記載のマルチチップモジュール用ベース。 - 【請求項５】 表面に凹部が形成され、かつ、その凹部
の周囲に沿って貫通孔が多数個形成されたプラスチック
成形品を形成した後、そのプラスチック成形品の表面お
よび上記貫通孔の内面に無電解メッキ被膜による電気回
路を形成し、その後、上記凹部内に複数個の半導体素子
及び電気・電子部品を搭載すると共にボンディングを行
い、その後、上記凹部全体をポッティング樹脂で封止し
た後、上記貫通孔に沿ってダイシングを行うことを特徴
とするマルチチップモジュールの製造方法。 - 【請求項６】 上記プラスチック成形品の材質が半導体
封止材料であり、その半導体封止材料をトランスファ成
形してプラスチック成形品を形成する請求項５記載のマ
ルチチップモジュールの製造方法。 - 【請求項７】 上記凹部内に上記半導体素子及び電気・
電子部品を搭載するための小凹部が予め形成されている
請求項５記載のマルチチップモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10170157A JP2000012996A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | マルチチップモジュール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10170157A JP2000012996A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | マルチチップモジュール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012996A true JP2000012996A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15899747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10170157A Pending JP2000012996A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | マルチチップモジュール用ベース及びそれを用いたマルチチップモジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012996A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7413975B2 (en) | 2002-07-23 | 2008-08-19 | Seiko Epson Corporation | Interconnect substrate, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
-
1998
- 1998-06-17 JP JP10170157A patent/JP2000012996A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7413975B2 (en) | 2002-07-23 | 2008-08-19 | Seiko Epson Corporation | Interconnect substrate, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
| CN100431120C (zh) * | 2002-07-23 | 2008-11-05 | 精工爱普生株式会社 | 布线基板、半导体器件及其制造方法、电路板和电子仪器 |
| US7541278B2 (en) | 2002-07-23 | 2009-06-02 | Seiko Epson Corporation | Interconnect substrate, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
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