JP2000012624A

JP2000012624A - Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法

Info

Publication number: JP2000012624A
Application number: JP10175143A
Authority: JP
Inventors: Yuko Matsumoto; 雄行松本
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1998-06-22
Filing date: 1998-06-22
Publication date: 2000-01-14

Abstract

(57)【要約】【課題】金属箔の表面に変色を発生させることのない
ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】フォトレジスト層を除去する工程の中
に、陰極電解処理工程を組み入れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子が実装されるＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍ
ａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープキャリアの製造方法
に関し、特に、金属箔表面に変色を発生させることのな
いＴＡＢ用テープキャリアの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２は、ＴＡＢ用テープキャリアの構造
を示したもので、ポリイミド等のフィルム１と、インナ
ーリード２およびアウターリード３等を含む所定のパタ
ーンのリード４との積層物から構成される。

【０００３】絶縁フィルム１の中央には半導体素子を搭
載するためのデバイスホール５が形成され、両サイドお
よびアウターリード３の部分には、それぞれ外部電極接
続のためのアウターホール６と、搬送、位置決めのため
のスプロケットホール７が形成され、さらに、アウター
リード３の先端には、半導体素子の動作テストのための
テストパッド８が形成される。

【０００４】このような構成のＴＡＢ用テープキャリア
を製造するための従来の製造方法として、たとえば、銅
などの金属箔の接着面を予め粗化し、アンカー効果によ
る絶縁フィルム１との接着力を確保する。次にパンチン
グ加工を施すことによってデバイスホール５、アウター
ホール６、およびスプロケットホール７を形成した絶縁
フィルム１の片面に接着剤を塗布し、この接着剤塗布面
に粗化面を向けて金属箔をラミネートする。次に金属箔
の表面にフォトレジスト層を塗布形成し、このフォトレ
ジスト層に所定のパターンの露光現像を施し、次いで、
金属箔をエッチングし、これによってポリイミドフィル
ム１の表面に所定のパターンのリード４を形成する製造
方法が知られている。

【０００５】ポリイミドフィルム１の、金属箔が貼り合
わされた面の反対側の面の開口部には、エッチング時に
金属箔を保護するために裏止めレジスト層が形成され、
この裏止めレジスト層と金属箔表面のフォトレジスト層
とは、エッチング終了後に、アルカリ処理と酸洗浄処理
を施されることによって除去され、これにより所定のＴ
ＡＢ用テープキャリアとされる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法によると、ア
ルカリ処理時に金属箔表面に生成した酸化物が、次工程
である酸洗浄処理後に残存することがあり、このため、
形成されたリードに変色をきたすことがある。

【０００７】これは、ＴＡＢ用テープキャリアにおける
リードパターンの細密化が原因しているもので、リード
が細密であるために、アルカリ処理工程においてフォト
レジスト層を除去しきれないことから、アルカリ処理工
程での処理条件を強くせざる得ず、このため、金属箔表
面への酸化物の生成量が増え、これが酸洗浄処理工程に
おいて完全に除去されずに残存するものである。

【０００８】従って、本発明の目的は、金属箔の表面に
変色を発生させることのないＴＡＢ用テープキャリアの
製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、絶縁フィルムの表面に金属箔を形成する
工程と、前記金属箔の表面にフォトレジスト層を形成す
る工程と、前記フォトレジスト層を所定のパターンに露
光現像する工程と、露光現像された前記パターンに基づ
いて前記金属箔をエッチング処理して前記絶縁フィルム
に所定のパターンのリードを形成する工程と、前記絶縁
フィルムに形成された前記リードの表面から前記フォト
レジスト層を除去する工程とから成るＴＡＢ用テープキ
ャリアの製造方法において、前記フォトレジスト層を除
去する工程は、前記絶縁フィルムに形成された前記リー
ドに施される陰極電解処理を含むことを特徴とするＴＡ
Ｂ用テープキャリアの製造方法を提供するものである。

【００１０】絶縁フィルムの構成材としては、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステル等が使用され、金
属箔としては、銅または銅合金箔などが使用される。絶
縁フィルムの表面に金属箔を形成する手段としては、絶
縁フィルムと金属箔を接着剤により貼り合わせる方法、
あるいは金属箔の表面に絶縁フィルム構成材の液状物を
コーティングする方法などが採用される。絶縁フィルム
と金属箔との接着力を増すために、金属箔表面を粗化
し、これによってアンカー効果を持たせることは好まし
い方法である。

【００１１】絶縁フィルムの金属箔が貼り合わされた面
の反対側の面の開口部には、エッチング処理の前に、金
属箔をエッチングから保護するための裏止めレジスト層
が形成されるのが普通であり、この裏止めレジスト層
は、エッチングが完了した後に、多くの場合、フォトレ
ジスト層とともに除去される。

【００１２】フォトレジスト層を除去する工程は、アル
カリ処理工程と、これに続く陰極電解処理工程によって
構成するか、あるいは、これら両工程における陰極電解
処理工程の後に酸洗浄処理工程を追加することが望まし
く、これらの構成のいずれかを採用することにより、金
属箔表面の酸化物は効率よく除去されることになる。

【００１３】陰極電解処理に使用される処理液として
は、電解質溶液が使用され、これには酸性、中性、ある
いはアルカリ性のいずれも使用可能であり、たとえば、
水酸化ナトリウム溶液、硫酸水溶液等が使用される。

【００１４】陰極電解処理液の中に界面活性剤を混入す
ることは、処理対象物との親和性を確保するうえにおい
て有効であり、その場合の界面活性剤としては、カチオ
ン系およびノニオン系のいずれも使用可能である。

【００１５】陰極電解処理工程における処理液の温度
は、３０〜５０℃の範囲に設定することが望ましく、電
流密度と電解時間は、それぞれ０．５Ａ／ｄｍ²以上と
５秒以上に設定することが望ましい。

【００１６】また、陰極電解処理工程の前のアルカリ処
理工程において使用される処理液としては、濃度５〜２
０ｇ／ｌ（リットル。以下同じ）の水酸化ナトリウム溶
液が好適であり、この処理液の温度とアルカリ処理時間
は、それぞれ３０〜５０℃と１〜２分に設定されるべき
である。

【００１７】酸洗浄処理工程に使用される洗浄液として
は、硫酸、リン酸、あるいは塩酸等が使用され、洗浄液
の温度と洗浄時間は、それぞれ２０〜３０℃と１０〜６
０秒に設定することが望ましい。

【００１８】以上の各温度、電流密度、電解時間、水酸
化ナトリウム濃度、アルカリ処理時間、洗浄温度および
洗浄時間は、いずれも、変色のない配線パターンを得る
ための好ましい前提条件となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、本発明のＴＡＢ用テープキ
ャリアの製造方法における実施の形態について説明す
る。図１および図２において、予めパンチング加工を施
すことにより、デバイスホール５、アウターホール６、
およびスプロケットホール７を形成したポリイミドフィ
ルム１の片側面に接着剤を塗布し、これに銅箔を貼り合
わせた。

【００２０】次に、銅箔の表面にフォトレジスト層を塗
布形成し、これに露光と現像処理とを施すことにより、
フォトレジスト層に所定パターンの銅箔露出部を形成
し、続いて、ポリイミドフィルム１の銅箔を貼り合わせ
た面の反対側の面の開口部に裏止めレジスト層を形成し
た。

【００２１】次いで、銅箔に対し、フォトレジスト層を
マスキング材としたエッチング処理を施すことにより所
定のパターンのリード４を形成し、その後、これを、液
温５０℃、濃度１０ｇ／ｌの水酸化ナトリウム溶液を収
容した第１槽に浸漬した後、０．１％のノニオン系界面
活性剤を含有し、かつ液温５０℃、濃度１０ｇ／ｌの水
酸化ナトリウムから成る電解質溶液収容の第２槽に浸漬
して陰極電解処理を施し、引き続き、これを、液温が常
温で濃度１０％の硫酸洗浄液を収容した第３の槽に浸漬
することによって、フォトレジスト層と裏止めレジスト
層とを除去した。

【００２２】表１に、以上の第１〜第３槽を使用して行
われた実施例と従来例における処理条件を示し、さら
に、フォトレジスト層と裏止めレジスト層を除去した後
の銅箔の変色の有無、およびフォトレジスト層と裏止め
レジスト層の残滓の有無についての観察結果を示す。

【００２３】

【表１】

【００２４】この表１によれば、第１槽および第３槽で
の浸漬条件を実施例と同一に設定された従来例が、フォ
トレジスト層および裏止めレジスト層の除去後に変色し
ているのに比べ、実施例１〜５の場合には、いずれも変
色がなく、両者の間には明確な差が認められる。陰極電
解処理工程の有無が、このような差となって現れたもの
である。

【００２５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フォトレジスト層を除去する工程の中に陰極電解処理工
程を組み込むことによって、フォトレジスト層除去後に
金属箔が変色することのないＴＡＢ用テープキャリアの
製造方法を提供するものであり、ＴＡＢ用テープキャリ
アの品質を向上させるうえにおいて効果大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリア製造方法の実
施の形態を示すフローチャート。

【図２】ＴＡＢ用テープキャリアの構造を示す説明図。

【符号の説明】

１ポリイミドフィルム２インナーリード３アウターリード４リード５デバイスホール６アウターホール７スプロケットホール８テストパッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁フィルムの表面に金属箔を形成する工
程と、前記金属箔の表面にフォトレジスト層を形成する
工程と、前記フォトレジスト層を所定のパターンに露光
現像する工程と、露光現像された前記パターンに基づい
て前記金属箔をエッチング処理して前記絶縁フィルムに
所定のパターンのリードを形成する工程と、前記絶縁フ
ィルムに形成された前記リードの表面から前記フォトレ
ジスト層を除去する工程とから成るＴＡＢ用テープキャ
リアの製造方法において、前記フォトレジスト層を除去する工程は、前記絶縁フィ
ルムに形成された前記リードに施される陰極電界処理を
含むことを特徴とするＴＡＢ用テープキャリアの製造方
法。
【請求項２】前記フォトレジスト層を除去する工程は、
前記絶縁フィルムに形成された前記リードに施されるア
ルカリ処理と、前記アルカリ処理に続いて行われる陰極
電解処理を含むことを特徴とする請求項第１項記載のＴ
ＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】前記フォトレジスト層を除去する工程は、
前記絶縁フィルムに形成された前記リードに施されるア
ルカリ処理と、前記アルカリ処理に続いて順に行われる
陰極電解処理と酸洗浄処理を含むことを特徴とする請求
項第１項記載のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】前記陰極電解処理は、酸性、中性、あるい
はアルカリ性の電解質溶液を処理液として使用すること
を特徴とする請求項第１項ないし第３項のいずれかに記
載のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】前記陰極電解処理は、界面活性剤を含む電
解質溶液を処理液として使用することを特徴とする請求
項第１項ないし第４項のいずれかに記載のＴＡＢ用テー
プキャリアの製造方法。
【請求項６】前記陰極電解処理は、処理液の温度を３０
〜５０℃、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ²以上、および電
解時間を５秒以上に設定して行われることを特徴とする
請求項第１項ないし第５項のいずれかに記載のＴＡＢ用
テープキャリアの製造方法。
【請求項７】前記アルカリ処理は、濃度５〜２０ｇ／ｌ
の水酸化ナトリウム溶液を処理液として使用し、前記処
理液の温度を３０〜５０℃、および処理時間を１〜２分
に設定して行われることを特徴とする請求項第２項ある
いは第３項記載のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【請求項８】前記酸洗浄処理は、硫酸、リン酸、あるい
は塩酸を洗浄液として使用し、前記洗浄液の温度を２０
〜３０℃、洗浄時間を１０〜６０秒に設定して行われる
ことを特徴とする請求項第３項記載のＴＡＢ用テープキ
ャリアの製造方法。
【請求項９】前記絶縁フィルムは、前記エッチング処理
する工程の前に、前記金属箔が貼り合わされた面の反対
側の面に裏止めレジスト層を形成され、前記裏止めレジ
スト層は、前記エッチング処理する工程が完了した後に
除去されることを特徴とする請求項第１項ないし第８項
のいずれかに記載のＴＡＢ用テープキャリアの製造方
法。
【請求項１０】前記裏止めレジスト層は、前記フォトレ
ジスト層を除去する工程において除去されることを特徴
とする請求項第１項ないし第９項のいずれかに記載のＴ
ＡＢ用テープキャリアの製造方法。