JP2000011186A - 文字エッジ検出装置 - Google Patents
文字エッジ検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 文字エッジ検出装置において、読み取り装置
のMTFとの依存性の減少させ、エッジの連結性を良好
にする。 【解決手段】 濃淡データをm×nのマトリクスでマス
クし、領域判別手段により文字を含むエリアと判断され
ると、画素エリアの左上画素、右下画素の明度成分をY
0、Y1、または画素エリアの右上画素、左下画素の明
度成分をY0、Y1とし、1)Y0<TH1(第1のし
きい値)かつY1≧TH1、2)Y0≧TH1かつY1
<TH1、3)Y0<TH1かつY1<TH1、かつ画
素エリアのm×n画素の明度成分の平均値が第2のしき
い値を超える場合のうちのいずれかの条件を満すとき、
画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリ
ア検出手段と、その判定されたエリア内のm×n画素の
明度成分の平均値を求め、平均値より低い明度値の画素
を文字エッジとするエッジ判定手段を有する。
のMTFとの依存性の減少させ、エッジの連結性を良好
にする。 【解決手段】 濃淡データをm×nのマトリクスでマス
クし、領域判別手段により文字を含むエリアと判断され
ると、画素エリアの左上画素、右下画素の明度成分をY
0、Y1、または画素エリアの右上画素、左下画素の明
度成分をY0、Y1とし、1)Y0<TH1(第1のし
きい値)かつY1≧TH1、2)Y0≧TH1かつY1
<TH1、3)Y0<TH1かつY1<TH1、かつ画
素エリアのm×n画素の明度成分の平均値が第2のしき
い値を超える場合のうちのいずれかの条件を満すとき、
画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリ
ア検出手段と、その判定されたエリア内のm×n画素の
明度成分の平均値を求め、平均値より低い明度値の画素
を文字エッジとするエッジ判定手段を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イメージスキャ
ナ、ディジタル複写機等の読み取り装置により読み取ら
れた濃淡画像より文字エッジを検出する文字エッジ検出
装置に関する。
ナ、ディジタル複写機等の読み取り装置により読み取ら
れた濃淡画像より文字エッジを検出する文字エッジ検出
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、イメージスキャナ、ディジタ
ル複写機などの読み取り装置により読み取られたディジ
タル画像データに対し、画像の輪郭の検出、強調などの
処理を施した後、プリンタ、表示装置等の出力機器に出
力することで、高画質印字、鮮明度の高い表示画像が期
待出来るため、さらなる高度な輪郭検出・強調処理に対
する要求が高まりつつある。
ル複写機などの読み取り装置により読み取られたディジ
タル画像データに対し、画像の輪郭の検出、強調などの
処理を施した後、プリンタ、表示装置等の出力機器に出
力することで、高画質印字、鮮明度の高い表示画像が期
待出来るため、さらなる高度な輪郭検出・強調処理に対
する要求が高まりつつある。
【0003】以下、従来の輪郭検出装置の構成、および
動作について説明する。図16は、従来の輪郭検出装置
の構成図、図17は、従来の輪郭検出装置における画像
データウインドウを示す説明図、図18は、従来の輪郭
検出手段を示す説明図、図19は、ハイパスフィルタ演
算部を示す説明図である。
動作について説明する。図16は、従来の輪郭検出装置
の構成図、図17は、従来の輪郭検出装置における画像
データウインドウを示す説明図、図18は、従来の輪郭
検出手段を示す説明図、図19は、ハイパスフィルタ演
算部を示す説明図である。
【0004】図16、図17において、主走査方向の同
期有効期間NHSZ、副走査方向の同期有効期間NVS
Zが有効な間、画素同期信号VCLKに同期して、nラ
イン目の画像データが図17に示された3×3のデータ
マスク手段2のレジスタ10に取り込まれる。同様にn
−2,n−1ライン目のデータがラインメモリ8よりデ
ータマスク手段2のレジスタ10に取り込まれる。
期有効期間NHSZ、副走査方向の同期有効期間NVS
Zが有効な間、画素同期信号VCLKに同期して、nラ
イン目の画像データが図17に示された3×3のデータ
マスク手段2のレジスタ10に取り込まれる。同様にn
−2,n−1ライン目のデータがラインメモリ8よりデ
ータマスク手段2のレジスタ10に取り込まれる。
【0005】ここで、画像データは、RGBの点順次デ
ータがR,G,Bの順に入力するものとし、現在、図1
7の示すように、レジスタ10に画像データがラッチさ
れており、A,B,Cの列にあるRのデータがエッジ検
出の対象となっているものとする。
ータがR,G,Bの順に入力するものとし、現在、図1
7の示すように、レジスタ10に画像データがラッチさ
れており、A,B,Cの列にあるRのデータがエッジ検
出の対象となっているものとする。
【0006】図18に示すエッジ検出手段3において、
ラッチされたデータとエッジオペレータ設定部11に設
定されたオペレータと対応する画素の積和演算をエッジ
検出演算部12で行うことで、エッジ量を算出し、エッ
ジを検出する。
ラッチされたデータとエッジオペレータ設定部11に設
定されたオペレータと対応する画素の積和演算をエッジ
検出演算部12で行うことで、エッジ量を算出し、エッ
ジを検出する。
【0007】エッジオペレータを、図10(a)〜
(d)に示すオペレータを用いて、順に上下方向、左右
方向、右斜め方向、左斜め方向のエッジ量を計算する。
このエッジ量の絶対値を取り、最も大きいエッジ量を閾
値THと比較する。
(d)に示すオペレータを用いて、順に上下方向、左右
方向、右斜め方向、左斜め方向のエッジ量を計算する。
このエッジ量の絶対値を取り、最も大きいエッジ量を閾
値THと比較する。
【0008】閾値TH以上のとき、領域判別手段5によ
り出力される領域判別信号がハイレベル(文字部と判断
されている場合)であれば、図18において中心画素R
11をエッジと判定し、エッジ検出演算部12はハイレ
ベルをセレクタ9にセレクト信号として出力する。
り出力される領域判別信号がハイレベル(文字部と判断
されている場合)であれば、図18において中心画素R
11をエッジと判定し、エッジ検出演算部12はハイレ
ベルをセレクタ9にセレクト信号として出力する。
【0009】また、閾値TH未満のとき、中心画素R1
1を非エッジと判定し、エッジ検出演算部はローレベル
をセレクタ9にセレクト信号として出力する。このエッ
ジ検出と同時に、図19に示すハイパスフィルタ7で
は、ラッチデータとフィルタ係数レジスタ14と対応す
る画素同士の積和演算を行い、画素R11に対応するハ
イパス出力をセレクタ9に出力する。
1を非エッジと判定し、エッジ検出演算部はローレベル
をセレクタ9にセレクト信号として出力する。このエッ
ジ検出と同時に、図19に示すハイパスフィルタ7で
は、ラッチデータとフィルタ係数レジスタ14と対応す
る画素同士の積和演算を行い、画素R11に対応するハ
イパス出力をセレクタ9に出力する。
【0010】図16において、セレクタ9は、エッジ検
出手段3がハイレベルを出力した場合にはエッジ強調デ
ータとしてハイパスフィルタ7の出力データを、エッジ
検出手段3がローレベルを出力した場合にはデータマス
ク手段2から出力されるオリジナルデータR11をラッ
チし、画像データ記憶手段4に出力する。
出手段3がハイレベルを出力した場合にはエッジ強調デ
ータとしてハイパスフィルタ7の出力データを、エッジ
検出手段3がローレベルを出力した場合にはデータマス
ク手段2から出力されるオリジナルデータR11をラッ
チし、画像データ記憶手段4に出力する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した方法
によるとエッジ量と比較する閾値THが大きい場合に、
エッジが検出されない画素が多く発生してしまい、エッ
ジの連結性が悪くなり、このエッジが検出されない画素
のために、検出されたエッジの分布の滑らかさが低下す
る。エッジ量と比較する閾値THが小さい場合には、エ
ッジが太くなる傾向があるというという問題点を有して
いた。
によるとエッジ量と比較する閾値THが大きい場合に、
エッジが検出されない画素が多く発生してしまい、エッ
ジの連結性が悪くなり、このエッジが検出されない画素
のために、検出されたエッジの分布の滑らかさが低下す
る。エッジ量と比較する閾値THが小さい場合には、エ
ッジが太くなる傾向があるというという問題点を有して
いた。
【0012】そこで、本発明は、エッジの連結性を向上
させることによって、エッジの太さが読取装置のMTF
の依存を大幅に低減することのできる文字エッジ検出装
置を提供することを目的とする。
させることによって、エッジの太さが読取装置のMTF
の依存を大幅に低減することのできる文字エッジ検出装
置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の文字エッジ検出装置は、濃淡データをm×
nのマトリクスでマスクするデータマスク手段と、少な
くとも文字を含むエリアか否かを判別する領域判別手段
と、該データマスク手段によりマスクされた画素エリア
が、領域判別手段により文字を含むエリアであると判断
された場合に、画素エリアの左上画素の明度成分が第1
の閾値未満で、かつ右下画素の明度成分が第1の閾値以
上となる条件と、画素エリアの左上画素の明度成分が第
1の閾値以上で、かつ右下画素の明度成分が第1の閾値
未満となる条件と、画素エリアの左上画素の明度成分、
右下画素の明度成分が共に第1の閾値未満で、かつ画素
エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を超える条件の
うち、いずれかの条件を満たしたときに画素エリアを文
字エッジを含むエリアとするエッジエリア検出手段と、
該エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定され
た画素エリア内の明度成分の平均値を求め、この平均値
よりも低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を文字
エッジと判定するエッジ判定手段と、該エッジエリア検
出手段によりエッジを含むと判定された画素エリア内の
明度成分の平均値を求め、この平均値よりも低い明度値
を持つ画素エリア内の画素を文字エッジと判定するエッ
ジ判定手段とを備えたものである。
に、本発明の文字エッジ検出装置は、濃淡データをm×
nのマトリクスでマスクするデータマスク手段と、少な
くとも文字を含むエリアか否かを判別する領域判別手段
と、該データマスク手段によりマスクされた画素エリア
が、領域判別手段により文字を含むエリアであると判断
された場合に、画素エリアの左上画素の明度成分が第1
の閾値未満で、かつ右下画素の明度成分が第1の閾値以
上となる条件と、画素エリアの左上画素の明度成分が第
1の閾値以上で、かつ右下画素の明度成分が第1の閾値
未満となる条件と、画素エリアの左上画素の明度成分、
右下画素の明度成分が共に第1の閾値未満で、かつ画素
エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を超える条件の
うち、いずれかの条件を満たしたときに画素エリアを文
字エッジを含むエリアとするエッジエリア検出手段と、
該エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定され
た画素エリア内の明度成分の平均値を求め、この平均値
よりも低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を文字
エッジと判定するエッジ判定手段と、該エッジエリア検
出手段によりエッジを含むと判定された画素エリア内の
明度成分の平均値を求め、この平均値よりも低い明度値
を持つ画素エリア内の画素を文字エッジと判定するエッ
ジ判定手段とを備えたものである。
【0014】これにより、エッジの太さの読み取り装置
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
【0015】また、本発明の文字エッジ検出装置は、濃
淡データをm×nのマトリクスでマスクするデータマス
ク手段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別す
る領域判別手段と、データマスク手段によりマスクされ
た画素エリアが、領域判別手段により文字を含むエリア
であると判断された場合に、画素エリアの右上画素の明
度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が
第1の閾値以上である条件と、画素エリアの右上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、画素エリアの右上画素
の明度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値未満
で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾
値を超える条件のうち、いずれかの条件を満たしたと
き、画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジ
エリア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエ
ッジを含むと判定された画素エリア内の明度成分の平均
値を求め、この平均値よりも低い明度値を有する画素エ
リア内の画素を文字エッジと判定するエッジ判定手段と
を備えたものである。
淡データをm×nのマトリクスでマスクするデータマス
ク手段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別す
る領域判別手段と、データマスク手段によりマスクされ
た画素エリアが、領域判別手段により文字を含むエリア
であると判断された場合に、画素エリアの右上画素の明
度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が
第1の閾値以上である条件と、画素エリアの右上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、画素エリアの右上画素
の明度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値未満
で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾
値を超える条件のうち、いずれかの条件を満たしたと
き、画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジ
エリア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエ
ッジを含むと判定された画素エリア内の明度成分の平均
値を求め、この平均値よりも低い明度値を有する画素エ
リア内の画素を文字エッジと判定するエッジ判定手段と
を備えたものである。
【0016】これにより、エッジの太さの読み取り装置
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
【0017】さらに、本発明の文字エッジ検出装置は、
濃淡データを3×3のマトリクスでマスクするデータマ
スク手段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別
し得る領域判別手段と、該データマスク手段によりマス
クされた画素エリアが領域判別手段により文字を含むエ
リアであると判断された場合に、画素エリアの左上画素
の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素の明度成
分が第1の閾値以上である条件と、画素エリアの左上画
素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ右下画素の明度
成分が第1の閾値未満である条件と、画素エリアの左上
画素の明度成分、右下画素の明度成分が共に第1の閾値
未満で、かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾
値を超える条件とのうち、いずれかの条件を満たしたと
きに画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジ
エリア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエ
ッジを含むと判定された画素エリアに関し、そのエリア
内の中心画素の位置に対し、上下画素の明度成分の差分
値、左右画素の明度成分の差分値、+45度方向にある
2画素の明度成分の差分値、−45度方向にある2画素
の明度成分の差分値を求め、最も大きい差分値を持つ方
向をエッジ方向と判定するエッジ方向検出手段と、その
エッジ方向が上下方向と判断された場合に、左上画素、
右下画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウインド
ウ中の左右方向の3画素をエッジ方向とし、エッジ方向
が左右方向と判断された場合には左上画素と右下画素の
うち明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中の上下
方向の3画素をエッジとし、エッジが斜め方向と判断さ
れた場合にはウインドウ中の中心画素を含むエッジ方向
の3画素をエッジとするエッジ判定手段と、エッジ方向
が上下方向と判断された場合に右上画素、左下画素のう
ち明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方
向の3画素をエッジとし、エッジ方向が左右方向と判断
された場合には右上画素、左下画素の明度成分の低い方
の画素を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエッジ
とし、エッジが斜め方向と判断された場合にはウインド
ウ中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジとす
るエッジ判定手段とを備えたものである。
濃淡データを3×3のマトリクスでマスクするデータマ
スク手段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別
し得る領域判別手段と、該データマスク手段によりマス
クされた画素エリアが領域判別手段により文字を含むエ
リアであると判断された場合に、画素エリアの左上画素
の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素の明度成
分が第1の閾値以上である条件と、画素エリアの左上画
素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ右下画素の明度
成分が第1の閾値未満である条件と、画素エリアの左上
画素の明度成分、右下画素の明度成分が共に第1の閾値
未満で、かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾
値を超える条件とのうち、いずれかの条件を満たしたと
きに画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジ
エリア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエ
ッジを含むと判定された画素エリアに関し、そのエリア
内の中心画素の位置に対し、上下画素の明度成分の差分
値、左右画素の明度成分の差分値、+45度方向にある
2画素の明度成分の差分値、−45度方向にある2画素
の明度成分の差分値を求め、最も大きい差分値を持つ方
向をエッジ方向と判定するエッジ方向検出手段と、その
エッジ方向が上下方向と判断された場合に、左上画素、
右下画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウインド
ウ中の左右方向の3画素をエッジ方向とし、エッジ方向
が左右方向と判断された場合には左上画素と右下画素の
うち明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中の上下
方向の3画素をエッジとし、エッジが斜め方向と判断さ
れた場合にはウインドウ中の中心画素を含むエッジ方向
の3画素をエッジとするエッジ判定手段と、エッジ方向
が上下方向と判断された場合に右上画素、左下画素のう
ち明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方
向の3画素をエッジとし、エッジ方向が左右方向と判断
された場合には右上画素、左下画素の明度成分の低い方
の画素を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエッジ
とし、エッジが斜め方向と判断された場合にはウインド
ウ中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジとす
るエッジ判定手段とを備えたものである。
【0018】これにより、エッジの太さの読み取り装置
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
【0019】本発明の文字エッジ検出装置は、濃淡デー
タを3×3のマトリクスでマスクするデータマスク手段
と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領
域判別手段と、該データマスク手段によりマスクされた
画素エリアが、領域判別手段により文字を含むエリアで
あると判断された場合に画素エリアの右上画素の明度成
分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が第1
の閾値以上である条件と、画素エリアの右上画素の明度
成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分が第
1の閾値未満である条件と、画素エリアの右上画素の明
度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値未満で、
かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を超え
る条件とのうち、いずれかの条件を満たしたとき、画素
エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリア検
出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエッジを含
むと判定された前記画素エリアに関し、そのエリア内の
中心画素の位置に対し、上下画素の明度成分の差分値、
左右画素の明度成分の差分値、+45度方向にある2画
素の明度成分の差分値、−45度方向にある2画素の明
度成分の差分値を求め、最も大きい差分値を持つ方向を
エッジ方向と判定するエッジ方向検出手段と、そのエッ
ジ方向が上下方向と判断された場合に、右上画素、左下
画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中
の左右方向の3画素をエッジとし、エッジ方向が左右方
向と判断された場合には右上画素、左下画素の明度成分
の低い方の画素を含むウインドウ中の上下方向の3画素
をエッジとし、エッジが斜め方向と判断された場合には
ウインドウ中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエ
ッジとするエッジ判定手段とを備えたものである。
タを3×3のマトリクスでマスクするデータマスク手段
と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領
域判別手段と、該データマスク手段によりマスクされた
画素エリアが、領域判別手段により文字を含むエリアで
あると判断された場合に画素エリアの右上画素の明度成
分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が第1
の閾値以上である条件と、画素エリアの右上画素の明度
成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分が第
1の閾値未満である条件と、画素エリアの右上画素の明
度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値未満で、
かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を超え
る条件とのうち、いずれかの条件を満たしたとき、画素
エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリア検
出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエッジを含
むと判定された前記画素エリアに関し、そのエリア内の
中心画素の位置に対し、上下画素の明度成分の差分値、
左右画素の明度成分の差分値、+45度方向にある2画
素の明度成分の差分値、−45度方向にある2画素の明
度成分の差分値を求め、最も大きい差分値を持つ方向を
エッジ方向と判定するエッジ方向検出手段と、そのエッ
ジ方向が上下方向と判断された場合に、右上画素、左下
画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中
の左右方向の3画素をエッジとし、エッジ方向が左右方
向と判断された場合には右上画素、左下画素の明度成分
の低い方の画素を含むウインドウ中の上下方向の3画素
をエッジとし、エッジが斜め方向と判断された場合には
ウインドウ中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエ
ッジとするエッジ判定手段とを備えたものである。
【0020】これにより、エッジの太さの読み取り装置
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
のMTFへの依存性を大幅に低減でき、ブロック内の画
素すべてに対しエッジ判定を行うため、文字エッジの連
結性を向上させることが可能となる。
【0021】本発明の文字エッジ検出装置は、前記デー
タマスク手段が、画素エリアを包含するj×k(j≧
m,k≧n)のマトリクスによりデータのマスクを行
い、該データマスク手段によりマスクされたデータにお
ける画素データの明度成分の低い方からロー画素の明度
成分の平均をとり、この平均値を前記第1の閾値とする
ものである。
タマスク手段が、画素エリアを包含するj×k(j≧
m,k≧n)のマトリクスによりデータのマスクを行
い、該データマスク手段によりマスクされたデータにお
ける画素データの明度成分の低い方からロー画素の明度
成分の平均をとり、この平均値を前記第1の閾値とする
ものである。
【0022】これにより、閾値をエッジ近傍のオブジェ
クト内部の平坦部における明度値に近い値で閾値を適応
的に設定するので、オブジェクトの濃度値に依存しにく
いエッジ検出が可能となり、イメージ部のエッジ検出に
も拡張することが可能となる。
クト内部の平坦部における明度値に近い値で閾値を適応
的に設定するので、オブジェクトの濃度値に依存しにく
いエッジ検出が可能となり、イメージ部のエッジ検出に
も拡張することが可能となる。
【0023】本発明の文字エッジ検出装置は、濃淡デー
タをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手段
と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領
域判別手段と、該データマスク手段によりマスクされた
画素エリアが前記領域判別手段により文字を含むエリア
であると判断された場合に画素エリアの左上画素の明度
成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素の明度成分が第
1の閾値以上である条件と、画素エリアの左上画素の明
度成分が第1の閾値以上で、かつ右下画素の明度成分が
第1の閾値未満である条件と、画素エリアの左上画素の
明度成分、右下画素の明度成分が共に第1の閾値未満
で、かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を
超える条件とのうち、いずれかの条件を満たしたとき、
画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリ
ア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエッジ
を含むと判定された画素エリア内の明度成分の平均値を
求め、画素エリア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ
幅パラメータと、この画素エリア内の明度成分の平均値
とエッジ幅パラメータを乗じた値よりも低い明度値を有
する画素エリア内の画素を文字エッジと判定するエッジ
判定手段と、エッジ幅パラメータを設定するエッジ幅パ
ラメータ設定手段とを備えたものである。
タをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手段
と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領
域判別手段と、該データマスク手段によりマスクされた
画素エリアが前記領域判別手段により文字を含むエリア
であると判断された場合に画素エリアの左上画素の明度
成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素の明度成分が第
1の閾値以上である条件と、画素エリアの左上画素の明
度成分が第1の閾値以上で、かつ右下画素の明度成分が
第1の閾値未満である条件と、画素エリアの左上画素の
明度成分、右下画素の明度成分が共に第1の閾値未満
で、かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を
超える条件とのうち、いずれかの条件を満たしたとき、
画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリ
ア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエッジ
を含むと判定された画素エリア内の明度成分の平均値を
求め、画素エリア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ
幅パラメータと、この画素エリア内の明度成分の平均値
とエッジ幅パラメータを乗じた値よりも低い明度値を有
する画素エリア内の画素を文字エッジと判定するエッジ
判定手段と、エッジ幅パラメータを設定するエッジ幅パ
ラメータ設定手段とを備えたものである。
【0024】これにより、エッジ幅パラメータ設定手段
によりユーザーがエッジの太さを調整することが可能と
なる。
によりユーザーがエッジの太さを調整することが可能と
なる。
【0025】本発明の文字エッジ検出装置は、濃淡デー
タをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手段
と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領
域判別手段と、該データマスク手段によりマスクされた
画素エリアが前記領域判別手段により文字を含むエリア
であると判断された場合に、画素エリアの右上画素の明
度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が
第1の閾値以上である条件と、画素エリアの右上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、画素エリアの右上画素
の明度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値未満
で、かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を
超える条件とのうち、いずれかの条件を満たしたときに
画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリ
ア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエッジ
を含むと判定された画素エリア内の明度成分の平均値を
求め、画素エリア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ
幅パラメータと画素エリア内の明度成分の平均値とを乗
じた値よりも低い明度値を持つ画素エリア内の画素を文
字エッジと判定するエッジ判定手段と、エッジ幅パラメ
ータを設定するエッジ幅パラメータ設定手段とを備えた
ものである。
タをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手段
と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領
域判別手段と、該データマスク手段によりマスクされた
画素エリアが前記領域判別手段により文字を含むエリア
であると判断された場合に、画素エリアの右上画素の明
度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が
第1の閾値以上である条件と、画素エリアの右上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、画素エリアの右上画素
の明度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値未満
で、かつ画素エリアの明度成分の平均値が第2の閾値を
超える条件とのうち、いずれかの条件を満たしたときに
画素エリアを文字エッジを含むエリアとするエッジエリ
ア検出手段と、当該エッジエリア検出手段によりエッジ
を含むと判定された画素エリア内の明度成分の平均値を
求め、画素エリア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ
幅パラメータと画素エリア内の明度成分の平均値とを乗
じた値よりも低い明度値を持つ画素エリア内の画素を文
字エッジと判定するエッジ判定手段と、エッジ幅パラメ
ータを設定するエッジ幅パラメータ設定手段とを備えた
ものである。
【0026】これにより、エッジ幅パラメータ設定手段
によりユーザーがエッジの太さを調整することが可能と
なる。
によりユーザーがエッジの太さを調整することが可能と
なる。
【0027】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、濃淡データをm×nのマトリクスでマスクするデー
タマスク手段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを
判別する領域判別手段と、前記データマスク手段により
マスクされた画素エリアが、前記領域判別手段により文
字を含むエリアであると判断された場合に、前記画素エ
リアの左上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右
下画素の明度成分が第1の閾値以上となる条件と、前記
画素エリアの左上画素の明度成分が第1の閾値以上で、
かつ右下画素の明度成分が第1の閾値未満となる条件
と、前記画素エリアの左上画素の明度成分、右下画素の
明度成分が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリア
の明度成分の平均値が第2の閾値を超える条件のうち、
いずれかの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字
エッジを含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前
記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定され
た前記画素エリア内の明度成分の平均値を求め、この平
均値よりも低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を
文字エッジと判定するエッジ判定手段と、前記エッジエ
リア検出手段によりエッジを含むと判定された前記画素
エリア内の明度成分の平均値を求め、この平均値よりも
低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を文字エッジ
と判定するエッジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装
置であり、エッジの太さの読み取り装置のMTFへの依
存性を大幅に低減でき、ブロック内の画素すべてに対し
エッジ判定を行うため、文字エッジの連結性が向上する
という作用を有する。
は、濃淡データをm×nのマトリクスでマスクするデー
タマスク手段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを
判別する領域判別手段と、前記データマスク手段により
マスクされた画素エリアが、前記領域判別手段により文
字を含むエリアであると判断された場合に、前記画素エ
リアの左上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右
下画素の明度成分が第1の閾値以上となる条件と、前記
画素エリアの左上画素の明度成分が第1の閾値以上で、
かつ右下画素の明度成分が第1の閾値未満となる条件
と、前記画素エリアの左上画素の明度成分、右下画素の
明度成分が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリア
の明度成分の平均値が第2の閾値を超える条件のうち、
いずれかの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字
エッジを含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前
記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定され
た前記画素エリア内の明度成分の平均値を求め、この平
均値よりも低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を
文字エッジと判定するエッジ判定手段と、前記エッジエ
リア検出手段によりエッジを含むと判定された前記画素
エリア内の明度成分の平均値を求め、この平均値よりも
低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を文字エッジ
と判定するエッジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装
置であり、エッジの太さの読み取り装置のMTFへの依
存性を大幅に低減でき、ブロック内の画素すべてに対し
エッジ判定を行うため、文字エッジの連結性が向上する
という作用を有する。
【0028】本発明の請求項2に記載の発明は、濃淡デ
ータをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別する領
域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクされ
た画素エリアが、前記領域判別手段により文字を含むエ
リアであると判断された場合に、前記画素エリアの右上
画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明
度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エリア
の右上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画
素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記画素
エリアの右上画素の明度成分、左下画素の明度成分が共
に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の
平均値が第2の閾値を超える条件のうち、いずれかの条
件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッジを含む
エリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッジエリ
ア検出手段によりエッジを含むと判定された前記画素エ
リア内の明度成分の平均値を求め、この平均値よりも低
い明度値を有する前記画素エリア内の画素を文字エッジ
と判定するエッジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装
置であり、エッジの太さの読み取り装置のMTFへの依
存性を大幅に低減でき、ブロック内の画素すべてに対し
エッジ判定を行うため、文字エッジの連結性が向上する
という作用を有する。
ータをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別する領
域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクされ
た画素エリアが、前記領域判別手段により文字を含むエ
リアであると判断された場合に、前記画素エリアの右上
画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明
度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エリア
の右上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画
素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記画素
エリアの右上画素の明度成分、左下画素の明度成分が共
に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の
平均値が第2の閾値を超える条件のうち、いずれかの条
件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッジを含む
エリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッジエリ
ア検出手段によりエッジを含むと判定された前記画素エ
リア内の明度成分の平均値を求め、この平均値よりも低
い明度値を有する前記画素エリア内の画素を文字エッジ
と判定するエッジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装
置であり、エッジの太さの読み取り装置のMTFへの依
存性を大幅に低減でき、ブロック内の画素すべてに対し
エッジ判定を行うため、文字エッジの連結性が向上する
という作用を有する。
【0029】本発明の請求項3に記載の発明は、濃淡デ
ータを3×3のマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクさ
れた前記画素エリアが前記領域判別手段により文字を含
むエリアであると判断された場合に、前記画素エリアの
左上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素
の明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エ
リアの左上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ右
下画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記
画素エリアの左上画素の明度成分、右下画素の明度成分
が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成
分の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いずれ
かの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッジ
を含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッ
ジエリア検出手段によりエッジを含むと判定された前記
画素エリアに関し、そのエリア内の中心画素の位置に対
し、上下画素の明度成分の差分値、左右画素の明度成分
の差分値、+45度方向にある2画素の明度成分の差分
値、−45度方向にある2画素の明度成分の差分値を求
め、最も大きい差分値を持つ方向をエッジ方向と判定す
るエッジ方向検出手段と、前記エッジ方向が上下方向と
判断された場合に、左上画素、右下画素のうち明度成分
の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方向の3画素
をエッジ方向とし、前記エッジ方向が左右方向と判断さ
れた場合には、左上画素と右下画素のうち明度成分の低
い方の画素を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエ
ッジとし、エッジが斜め方向と判断された場合にはウイ
ンドウ中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジ
とするエッジ判定手段と、前記エッジ方向が上下方向と
判断された場合に、右上画素、左下画素のうち明度成分
の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方向の3画素
をエッジとし、前記エッジ方向が左右方向と判断された
場合には右上画素、左下画素の明度成分の低い方の画素
を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエッジとし、
エッジが斜め方向と判断された場合にはウインドウ中の
中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジとするエッ
ジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装置であり、エッ
ジの太さの読み取り装置のMTFへの依存性を大幅に低
減でき、ブロック内の画素すべてに対しエッジ判定を行
うため、文字エッジの連結性が向上するという作用を有
する。
ータを3×3のマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクさ
れた前記画素エリアが前記領域判別手段により文字を含
むエリアであると判断された場合に、前記画素エリアの
左上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素
の明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エ
リアの左上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ右
下画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記
画素エリアの左上画素の明度成分、右下画素の明度成分
が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成
分の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いずれ
かの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッジ
を含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッ
ジエリア検出手段によりエッジを含むと判定された前記
画素エリアに関し、そのエリア内の中心画素の位置に対
し、上下画素の明度成分の差分値、左右画素の明度成分
の差分値、+45度方向にある2画素の明度成分の差分
値、−45度方向にある2画素の明度成分の差分値を求
め、最も大きい差分値を持つ方向をエッジ方向と判定す
るエッジ方向検出手段と、前記エッジ方向が上下方向と
判断された場合に、左上画素、右下画素のうち明度成分
の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方向の3画素
をエッジ方向とし、前記エッジ方向が左右方向と判断さ
れた場合には、左上画素と右下画素のうち明度成分の低
い方の画素を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエ
ッジとし、エッジが斜め方向と判断された場合にはウイ
ンドウ中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジ
とするエッジ判定手段と、前記エッジ方向が上下方向と
判断された場合に、右上画素、左下画素のうち明度成分
の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方向の3画素
をエッジとし、前記エッジ方向が左右方向と判断された
場合には右上画素、左下画素の明度成分の低い方の画素
を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエッジとし、
エッジが斜め方向と判断された場合にはウインドウ中の
中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジとするエッ
ジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装置であり、エッ
ジの太さの読み取り装置のMTFへの依存性を大幅に低
減でき、ブロック内の画素すべてに対しエッジ判定を行
うため、文字エッジの連結性が向上するという作用を有
する。
【0030】本発明の請求項4に記載の発明は、濃淡デ
ータを3×3のマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクさ
れた前記画素エリアが、前記領域判別手段により文字を
含むエリアであると判断された場合に、前記画素エリア
の右上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画
素の明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素
エリアの右上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ
左下画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前
記画素エリアの右上画素の明度成分、左下画素の明度成
分が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度
成分の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いず
れかの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッ
ジを含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エ
ッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定された前
記画素エリアに関し、そのエリア内の中心画素の位置に
対し、上下画素の明度成分の差分値、左右画素の明度成
分の差分値、+45度方向にある2画素の明度成分の差
分値、−45度方向にある2画素の明度成分の差分値を
求め、最も大きい差分値を持つ方向をエッジ方向と判定
するエッジ方向検出手段と、前記エッジ方向が上下方向
と判断された場合に、右上画素、左下画素のうち明度成
分の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方向の3画
素をエッジとし、前記エッジ方向が左右方向と判断され
た場合には右上画素、左下画素の明度成分の低い方の画
素を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエッジと
し、エッジが斜め方向と判断された場合にはウインドウ
中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジとする
エッジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装置であり、
エッジの太さの読み取り装置のMTFへの依存性を大幅
に低減でき、ブロック内の画素すべてに対しエッジ判定
を行うため、文字エッジの連結性が向上するという作用
を有する。
ータを3×3のマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクさ
れた前記画素エリアが、前記領域判別手段により文字を
含むエリアであると判断された場合に、前記画素エリア
の右上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画
素の明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素
エリアの右上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ
左下画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前
記画素エリアの右上画素の明度成分、左下画素の明度成
分が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度
成分の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いず
れかの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッ
ジを含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エ
ッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定された前
記画素エリアに関し、そのエリア内の中心画素の位置に
対し、上下画素の明度成分の差分値、左右画素の明度成
分の差分値、+45度方向にある2画素の明度成分の差
分値、−45度方向にある2画素の明度成分の差分値を
求め、最も大きい差分値を持つ方向をエッジ方向と判定
するエッジ方向検出手段と、前記エッジ方向が上下方向
と判断された場合に、右上画素、左下画素のうち明度成
分の低い方の画素を含むウインドウ中の左右方向の3画
素をエッジとし、前記エッジ方向が左右方向と判断され
た場合には右上画素、左下画素の明度成分の低い方の画
素を含むウインドウ中の上下方向の3画素をエッジと
し、エッジが斜め方向と判断された場合にはウインドウ
中の中心画素を含むエッジ方向の3画素をエッジとする
エッジ判定手段とを備えた文字エッジ検出装置であり、
エッジの太さの読み取り装置のMTFへの依存性を大幅
に低減でき、ブロック内の画素すべてに対しエッジ判定
を行うため、文字エッジの連結性が向上するという作用
を有する。
【0031】本発明の請求項5に記載の発明は、請求項
1〜4のいずれか1項に記載の発明において、前記デー
タマスク手段が、前記画素エリアを包含するj×k(j
≧m,k≧n)のマトリクスによりデータのマスクを行
い、前記データマスク手段によりマスクされたデータに
おける画素データの明度成分の低い方からロー画素の明
度成分の平均をとり、この平均値を前記第1の閾値とす
る文字エッジ検出装置であり、閾値をエッジ近傍のオブ
ジェクト内部の平坦部における明度値に近い値で閾値を
適応的に設定するので、オブジェクトの濃度値に依存し
にくいエッジ検出が可能となり、イメージ部のエッジ検
出にも拡張することが可能となるという作用を有する。
1〜4のいずれか1項に記載の発明において、前記デー
タマスク手段が、前記画素エリアを包含するj×k(j
≧m,k≧n)のマトリクスによりデータのマスクを行
い、前記データマスク手段によりマスクされたデータに
おける画素データの明度成分の低い方からロー画素の明
度成分の平均をとり、この平均値を前記第1の閾値とす
る文字エッジ検出装置であり、閾値をエッジ近傍のオブ
ジェクト内部の平坦部における明度値に近い値で閾値を
適応的に設定するので、オブジェクトの濃度値に依存し
にくいエッジ検出が可能となり、イメージ部のエッジ検
出にも拡張することが可能となるという作用を有する。
【0032】本発明の請求項6に記載の発明は、濃淡デ
ータをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクさ
れた前記画素エリアが前記領域判別手段により文字を含
むエリアであると判断された場合に、前記画素エリアの
左上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素
の明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エ
リアの左上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ右
下画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記
画素エリアの左上画素の明度成分、右下画素の明度成分
が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成
分の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いずれ
かの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッジ
を含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッ
ジエリア検出手段によりエッジを含むと判定された前記
画素エリア内の明度成分の平均値を求め、前記画素エリ
ア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ幅パラメータ
と、前記画素エリア内の明度成分の平均値と前記エッジ
幅パラメータを乗じた値よりも低い明度値を有する前記
画素エリア内の画素を文字エッジと判定するエッジ判定
手段と、前記エッジ幅パラメータを設定するエッジ幅パ
ラメータ設定手段とを備えた文字エッジ検出装置であ
り、エッジ幅パラメータ設定手段によりユーザーがエッ
ジの太さを調整することが可能となるという作用を有す
る。
ータをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と、前記データマスク手段によりマスクさ
れた前記画素エリアが前記領域判別手段により文字を含
むエリアであると判断された場合に、前記画素エリアの
左上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ右下画素
の明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エ
リアの左上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ右
下画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記
画素エリアの左上画素の明度成分、右下画素の明度成分
が共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成
分の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いずれ
かの条件を満たしたとき、前記画素エリアを文字エッジ
を含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッ
ジエリア検出手段によりエッジを含むと判定された前記
画素エリア内の明度成分の平均値を求め、前記画素エリ
ア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ幅パラメータ
と、前記画素エリア内の明度成分の平均値と前記エッジ
幅パラメータを乗じた値よりも低い明度値を有する前記
画素エリア内の画素を文字エッジと判定するエッジ判定
手段と、前記エッジ幅パラメータを設定するエッジ幅パ
ラメータ設定手段とを備えた文字エッジ検出装置であ
り、エッジ幅パラメータ設定手段によりユーザーがエッ
ジの太さを調整することが可能となるという作用を有す
る。
【0033】本発明の請求項7に記載の発明は、濃淡デ
ータをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と前記データマスク手段によりマスクされ
た前記画素エリアが前記領域判別手段により文字を含む
エリアであると判断された場合に、前記画素エリアの右
上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の
明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エリ
アの右上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下
画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記画
素エリアの右上画素の明度成分、左下画素の明度成分が
共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成分
の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いずれか
の条件を満たしたときに前記画素エリアを文字エッジを
含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッジ
エリア検出手段によりエッジを含むと判定された前記画
素エリア内の明度成分の平均値を求め、前記画素エリア
内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ幅パラメータと前
記画素エリア内の明度成分の平均値とを乗じた値よりも
低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を文字エッジ
と判定するエッジ判定手段と、前記エッジ幅パラメータ
を設定するエッジ幅パラメータ設定手段とを備えた文字
エッジ検出装置であり、エッジ幅パラメータ設定手段に
よりユーザーがエッジの太さを調整することが可能とな
るという作用を有する。
ータをm×nのマトリクスでマスクするデータマスク手
段と、少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る
領域判別手段と前記データマスク手段によりマスクされ
た前記画素エリアが前記領域判別手段により文字を含む
エリアであると判断された場合に、前記画素エリアの右
上画素の明度成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の
明度成分が第1の閾値以上である条件と、前記画素エリ
アの右上画素の明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下
画素の明度成分が第1の閾値未満である条件と、前記画
素エリアの右上画素の明度成分、左下画素の明度成分が
共に第1の閾値未満で、かつ前記画素エリアの明度成分
の平均値が第2の閾値を超える条件とのうち、いずれか
の条件を満たしたときに前記画素エリアを文字エッジを
含むエリアとするエッジエリア検出手段と、前記エッジ
エリア検出手段によりエッジを含むと判定された前記画
素エリア内の明度成分の平均値を求め、前記画素エリア
内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ幅パラメータと前
記画素エリア内の明度成分の平均値とを乗じた値よりも
低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を文字エッジ
と判定するエッジ判定手段と、前記エッジ幅パラメータ
を設定するエッジ幅パラメータ設定手段とを備えた文字
エッジ検出装置であり、エッジ幅パラメータ設定手段に
よりユーザーがエッジの太さを調整することが可能とな
るという作用を有する。
【0034】以下、本発明の実施の形態について、図1
〜図15を用いて説明する。なお、これらの図面におい
て同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複
した説明は省略されている。
〜図15を用いて説明する。なお、これらの図面におい
て同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複
した説明は省略されている。
【0035】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1における文字エッジ検出装置の構成を示すブロック
図、図2は本発明の実施の形態1におけるエッジエリア
検出手段におけるエッジエリア検出の手順を示すフロー
チャート、図3は本発明の実施の形態1におけるエッジ
判定手段におけるエッジ判定の手順を示すフローチャー
ト、図4は本発明の実施の形態1におけるウインドウに
画像データを取り込むデータマスク手段を示す説明図、
図5は本発明の実施の形態1におけるエッジエリア検出
手段の構成を示すブロック図、図6は本発明の実施の形
態1におけるエッジ判定手段の構成を示すブロック図、
図7は本発明の実施の形態1におけるハイパスフィルタ
の構成を示すブロック図である。
態1における文字エッジ検出装置の構成を示すブロック
図、図2は本発明の実施の形態1におけるエッジエリア
検出手段におけるエッジエリア検出の手順を示すフロー
チャート、図3は本発明の実施の形態1におけるエッジ
判定手段におけるエッジ判定の手順を示すフローチャー
ト、図4は本発明の実施の形態1におけるウインドウに
画像データを取り込むデータマスク手段を示す説明図、
図5は本発明の実施の形態1におけるエッジエリア検出
手段の構成を示すブロック図、図6は本発明の実施の形
態1におけるエッジ判定手段の構成を示すブロック図、
図7は本発明の実施の形態1におけるハイパスフィルタ
の構成を示すブロック図である。
【0036】本実施の形態1において、文字エッジ検出
装置には、図1に示すように、データマスク手段2が設
けられている。このデータマスク手段2は、画像データ
における濃淡データをm×nのマトリクスでマスクす
る。
装置には、図1に示すように、データマスク手段2が設
けられている。このデータマスク手段2は、画像データ
における濃淡データをm×nのマトリクスでマスクす
る。
【0037】また、データマスク手段2には、ハイパス
フィルタ7、ラインメモリ8、セレクタ9、エッジ判定
手段15、ならびにエッジエリア検出手段16が接続さ
れている。
フィルタ7、ラインメモリ8、セレクタ9、エッジ判定
手段15、ならびにエッジエリア検出手段16が接続さ
れている。
【0038】ハイパスフィルタ7は、画像データのフィ
ルタ演算を行い、ラインメモリ8は、所定の画像データ
の取り込みを行う。エッジ判定手段15は、所定のエリ
ア画素において、各画素に対し、エッジかどうかの特定
を行い、エッジエリア検出手段16は、所定画素のエリ
アがエッジを含むかを判断する。
ルタ演算を行い、ラインメモリ8は、所定の画像データ
の取り込みを行う。エッジ判定手段15は、所定のエリ
ア画素において、各画素に対し、エッジかどうかの特定
を行い、エッジエリア検出手段16は、所定画素のエリ
アがエッジを含むかを判断する。
【0039】また、ハイパスフィルタ7には、ラインメ
モリ19が接続されており、このラインメモリ19は、
ハイパスフィルタ7によって演算されたデータの取り込
みを行う。
モリ19が接続されており、このラインメモリ19は、
ハイパスフィルタ7によって演算されたデータの取り込
みを行う。
【0040】ラインメモリ19には、ラッチ18が接続
されており、このラッチ18は、ラインメモリ19にデ
ータのラッチを行う。ラッチ18には、セレクタ9が接
続されており、当該セレクタ9には、データマスク手段
2、エッジ判定手段15、および画像データ記憶手段4
が接続されている。セレクタ9は、セレクト信号に基づ
いて入力された信号のセレクトを行い、画像データ記憶
手段4は、該セレクタ9から出力された画像データをメ
モリする。
されており、このラッチ18は、ラインメモリ19にデ
ータのラッチを行う。ラッチ18には、セレクタ9が接
続されており、当該セレクタ9には、データマスク手段
2、エッジ判定手段15、および画像データ記憶手段4
が接続されている。セレクタ9は、セレクト信号に基づ
いて入力された信号のセレクトを行い、画像データ記憶
手段4は、該セレクタ9から出力された画像データをメ
モリする。
【0041】さらに、エッジエリア検出手段16には、
エッジ判定手段15ならびに領域判定手段5が接続され
ている。この領域判定手段5は、所定のサイズで文字を
含むエリアかどうかを判別する。エッジ判定手段15に
は、エッジマップ記憶手段17が接続されており、この
エッジマップ記憶手段17は、エッジ検出結果の記憶を
行う。
エッジ判定手段15ならびに領域判定手段5が接続され
ている。この領域判定手段5は、所定のサイズで文字を
含むエリアかどうかを判別する。エッジ判定手段15に
は、エッジマップ記憶手段17が接続されており、この
エッジマップ記憶手段17は、エッジ検出結果の記憶を
行う。
【0042】次に、本実施の形態1における文字エッジ
検出装置に動作について図1〜図7を用いて説明する。
検出装置に動作について図1〜図7を用いて説明する。
【0043】主走査方向の同期有効期間NHSZ、副走
査方向の同期有効期間NVSZが有効な間、画素同期信
号VCLKに同期して、nライン目の画像データが3×
3のデータマスク手段2のレジスタ10に取り込まれ
る。同様にn−2,n−1ライン目のデータがラインメ
モリ8よりデータマスク手段2のレジスタ10に取り込
まれる(ステップS101)。
査方向の同期有効期間NVSZが有効な間、画素同期信
号VCLKに同期して、nライン目の画像データが3×
3のデータマスク手段2のレジスタ10に取り込まれ
る。同様にn−2,n−1ライン目のデータがラインメ
モリ8よりデータマスク手段2のレジスタ10に取り込
まれる(ステップS101)。
【0044】ここで、画像データは、YUV系列であ
り、点順次にY,U,Vの順に入力するものとし、現
在、図4のようにレジスタ10に画像データがラッチさ
れており、A,B,Cの列にある明度成分Yのデータが
エッジ検出の対象となっているものとする。また以下に
示すエッジ検出・判定の際、ウインドウは主走査方向に
1画素ずつ移動し、副走査方向に1画素ずつ移動させる
ものとする。
り、点順次にY,U,Vの順に入力するものとし、現
在、図4のようにレジスタ10に画像データがラッチさ
れており、A,B,Cの列にある明度成分Yのデータが
エッジ検出の対象となっているものとする。また以下に
示すエッジ検出・判定の際、ウインドウは主走査方向に
1画素ずつ移動し、副走査方向に1画素ずつ移動させる
ものとする。
【0045】図5に沿って、データマスク手段2中のレ
ジスタ10に取り込まれた3×3画素のエリアがエッジ
を含むかを判断するエッジエリア検出手段16について
説明する。
ジスタ10に取り込まれた3×3画素のエリアがエッジ
を含むかを判断するエッジエリア検出手段16について
説明する。
【0046】データマスク手段2中のレジスタ10にラ
ッチされたデータをエッジエリア検出手段16で参照す
る。このとき、比較器23は、ウインドウの左上画素Y
00を第1の閾値レジスタ25に設定されている第1の
閾値と比較し(ステップS102)、第1の閾値未満の
場合、ハイレベルを出力し、第1の閾値以上の場合に
は、ローレベルを出力する。
ッチされたデータをエッジエリア検出手段16で参照す
る。このとき、比較器23は、ウインドウの左上画素Y
00を第1の閾値レジスタ25に設定されている第1の
閾値と比較し(ステップS102)、第1の閾値未満の
場合、ハイレベルを出力し、第1の閾値以上の場合に
は、ローレベルを出力する。
【0047】比較器24は、右下画Y22を第1の閾値
と比較し(ステップS102)、第1の閾値未満の場合
にはハイレベルを出力し、第1の閾値以上の場合には、
ローレベルを出力する。
と比較し(ステップS102)、第1の閾値未満の場合
にはハイレベルを出力し、第1の閾値以上の場合には、
ローレベルを出力する。
【0048】比較器30は、平均値算出手段31により
得た9画素の明度値Yの平均値と(ステップS10
3)、第2の閾値設定レジスタ29に設定されている第
2の閾値を比較し(ステップS104)、第2の閾値以
上のときハイレベルを出力し、第2の閾値以下のときロ
ーレベルを出力する。
得た9画素の明度値Yの平均値と(ステップS10
3)、第2の閾値設定レジスタ29に設定されている第
2の閾値を比較し(ステップS104)、第2の閾値以
上のときハイレベルを出力し、第2の閾値以下のときロ
ーレベルを出力する。
【0049】Y00≦第2の閾値とY22≦第2の閾値
のどちらかが成立するとき、すなわち比較器23、比較
器24のどちらか一方がハイレベルのとき、排他的論理
和回路であるEX−OR回路26はハイレベルとなり、
OR回路28もエッジエリア信号としてハイレベル(エ
ッジを含むエリアである)を出力する。
のどちらかが成立するとき、すなわち比較器23、比較
器24のどちらか一方がハイレベルのとき、排他的論理
和回路であるEX−OR回路26はハイレベルとなり、
OR回路28もエッジエリア信号としてハイレベル(エ
ッジを含むエリアである)を出力する。
【0050】また、Y00≦第2の閾値かつY22≦第
2の閾値かつ9画素の平均値≧第2の閾値が成り立つと
き、すなわち比較器23、比較器24、比較器30すべ
てハイレベルであるとき、AND回路27はハイレベル
となり、OR回路28もハイレベルを出力する。
2の閾値かつ9画素の平均値≧第2の閾値が成り立つと
き、すなわち比較器23、比較器24、比較器30すべ
てハイレベルであるとき、AND回路27はハイレベル
となり、OR回路28もハイレベルを出力する。
【0051】領域判別手段5は、6×6のサイズで文字
を含むエリアかどうかを判別し、注目エリアが文字エリ
アである場合、ハイレベルを出力し、文字エリアでない
場合ローレベルを出力する。
を含むエリアかどうかを判別し、注目エリアが文字エリ
アである場合、ハイレベルを出力し、文字エリアでない
場合ローレベルを出力する。
【0052】ステート信号は、Y,U,V成分のうち、
Y成分がレジスタ10(図4)のA,B,C列にあると
きハイレベルを、U,V成分がレジスタ10のA,B,
C列にあるときローレベルを出力する。
Y成分がレジスタ10(図4)のA,B,C列にあると
きハイレベルを、U,V成分がレジスタ10のA,B,
C列にあるときローレベルを出力する。
【0053】AND回路41は、領域判別信号がハイレ
ベルでY成分注目時に、OR回路28がハイレベルを出
力したとき(ステップS105)、エッジエリア信号と
してハイレベル(エッジを含むエリアである)を出力す
る(ステップS106)。
ベルでY成分注目時に、OR回路28がハイレベルを出
力したとき(ステップS105)、エッジエリア信号と
してハイレベル(エッジを含むエリアである)を出力す
る(ステップS106)。
【0054】また、前述したY00≦第2の閾値とY2
2≦第2の閾値のどちらか、あるいはY00≦第2の閾
値かつY22≦第2の閾値かつ9画素の平均値≧第2の
閾値が成り立たないときには、OR回路28はエッジエ
リア信号としてローレベル(エッジを含まないエリアで
ある)を出力する(ステップS107)。
2≦第2の閾値のどちらか、あるいはY00≦第2の閾
値かつY22≦第2の閾値かつ9画素の平均値≧第2の
閾値が成り立たないときには、OR回路28はエッジエ
リア信号としてローレベル(エッジを含まないエリアで
ある)を出力する(ステップS107)。
【0055】なお、上記説明では、比較器23、比較器
24で比較される対象画素をそれぞれY00,Y22と
選んでいるが、比較器23、比較器24で比較される対
象画素をそれぞれY02,Y20と配置を変えて選んで
も同様の効果が得られる。
24で比較される対象画素をそれぞれY00,Y22と
選んでいるが、比較器23、比較器24で比較される対
象画素をそれぞれY02,Y20と配置を変えて選んで
も同様の効果が得られる。
【0056】ウインドウの左上画素Y00を第1の閾値
レジスタ25に設定されている第1の閾値と比較し、第
1の閾値未満の場合にはハイレベルを出力し、第1の閾
値以上の場合、ローレベルを出力する。
レジスタ25に設定されている第1の閾値と比較し、第
1の閾値未満の場合にはハイレベルを出力し、第1の閾
値以上の場合、ローレベルを出力する。
【0057】比較器24は、右下画Y22を第1の閾値
と比較し、第1の閾値未満の場合ハイレベルを出力し
(ステップS201)、第1の閾値以上の場合には、ロ
ーレベルを出力する。
と比較し、第1の閾値未満の場合ハイレベルを出力し
(ステップS201)、第1の閾値以上の場合には、ロ
ーレベルを出力する。
【0058】次に、エッジエリア検出手段16によりエ
ッジを含むと判断された3×3エリア画素において、各
画素に対し、エッジかどうかを特定するエッジ判定手段
15について図6を用いて説明する。
ッジを含むと判断された3×3エリア画素において、各
画素に対し、エッジかどうかを特定するエッジ判定手段
15について図6を用いて説明する。
【0059】データマスク手段2によりレジスタ10に
ラッチしたデータを参照し、またエッジエリア検出手段
16が出力する3×3エリア画素の明度値Yの平均値を
平均値レジスタ33に格納する(ステップS202)。
ラッチしたデータを参照し、またエッジエリア検出手段
16が出力する3×3エリア画素の明度値Yの平均値を
平均値レジスタ33に格納する(ステップS202)。
【0060】比較手段34でY00,Y01,・・・,
Y22の9画素をそれぞれ平均値レジスタ33に格納さ
れた値と比較を行う(ステップS203)。Yijが平
均値以下であれば、対応する画素をエッジと判定し(ス
テップS204)、Cij=ハイレベルとしてエッジレ
ジスタ35に格納する。
Y22の9画素をそれぞれ平均値レジスタ33に格納さ
れた値と比較を行う(ステップS203)。Yijが平
均値以下であれば、対応する画素をエッジと判定し(ス
テップS204)、Cij=ハイレベルとしてエッジレ
ジスタ35に格納する。
【0061】Yijが平均値より大であれば、対応する
画素をエッジでないと判定し、Cij=ローレベルとし
てエッジレジスタ35に格納する(ステップS20
5)。3×3エリア画素すべてにこのエッジ判定を行っ
た後(ステップS206)、エッジ判定手段15は、図
1のセレクタ9にセレクト信号としてエッジ信号(=C
00)を出力するとともに、エッジマップ記憶手段17
にC10,C20の結果を書き込む。
画素をエッジでないと判定し、Cij=ローレベルとし
てエッジレジスタ35に格納する(ステップS20
5)。3×3エリア画素すべてにこのエッジ判定を行っ
た後(ステップS206)、エッジ判定手段15は、図
1のセレクタ9にセレクト信号としてエッジ信号(=C
00)を出力するとともに、エッジマップ記憶手段17
にC10,C20の結果を書き込む。
【0062】また、エッジエリア検出手段16より出さ
れるエッジエリア信号がローレベルのときには、エッジ
レジスタ35への書き込みは行わず、セレクタ9にセレ
クト信号としてC00を出力するとともに、エッジマッ
プ記憶手段17にC10,C20の結果を書き込む。
れるエッジエリア信号がローレベルのときには、エッジ
レジスタ35への書き込みは行わず、セレクタ9にセレ
クト信号としてC00を出力するとともに、エッジマッ
プ記憶手段17にC10,C20の結果を書き込む。
【0063】次のエッジ判定を行う前には、エッジマッ
プ記憶手段17より、C02,C12に相当するエッジ
検出結果をエッジレジスタ35に書き込んでおく。エッ
ジエリア信号がハイレベルのときには、エッジマップ記
憶手段17からエッジレジスタ35への書き込みデータ
C10,C20(前判定の結果)に判定結果を上書きす
ることになる。
プ記憶手段17より、C02,C12に相当するエッジ
検出結果をエッジレジスタ35に書き込んでおく。エッ
ジエリア信号がハイレベルのときには、エッジマップ記
憶手段17からエッジレジスタ35への書き込みデータ
C10,C20(前判定の結果)に判定結果を上書きす
ることになる。
【0064】また、このエッジ検出、判定と並行して、
図7に示すハイパスフィルタ7では、レジスタ10のラ
ッチデータとフィルタ係数レジスタ37と対応する画素
同士の積和演算を行い、画素Y11に対応するハイパス
出力をラインメモリ19に出力する。同時にラインメモ
リ19では、Y10に対応するハイパスデータをラッチ
18に出力する。
図7に示すハイパスフィルタ7では、レジスタ10のラ
ッチデータとフィルタ係数レジスタ37と対応する画素
同士の積和演算を行い、画素Y11に対応するハイパス
出力をラインメモリ19に出力する。同時にラインメモ
リ19では、Y10に対応するハイパスデータをラッチ
18に出力する。
【0065】図1において、セレクタ9は、エッジ判定
手段より出力されるエッジ信号がハイレベル(エッジで
ある)のとき、エッジ強調データとしてハイパスフィル
タ7のパスからの出力データをラッチ18のデータをセ
レクトし、エッジ信号がローレベル(エッジでない)を
出力した場合にはデータマスク手段2から出力されるオ
リジナルデータY00をセレクトし、画像データ記憶手
段4に出力する。
手段より出力されるエッジ信号がハイレベル(エッジで
ある)のとき、エッジ強調データとしてハイパスフィル
タ7のパスからの出力データをラッチ18のデータをセ
レクトし、エッジ信号がローレベル(エッジでない)を
出力した場合にはデータマスク手段2から出力されるオ
リジナルデータY00をセレクトし、画像データ記憶手
段4に出力する。
【0066】U,V成分については、図5に示すよう、
U,V成分注目時にはステート信号をローレベルにして
いるため、ハイパスフィルタでのエッジ強調は施され
ず、オリジナルのU00,V00成分がスルーで画像デ
ータ記憶手段4に出力される。
U,V成分注目時にはステート信号をローレベルにして
いるため、ハイパスフィルタでのエッジ強調は施され
ず、オリジナルのU00,V00成分がスルーで画像デ
ータ記憶手段4に出力される。
【0067】それにより、本実施の形態1では、エッジ
判定手段15およびエッジエリア検出手段16により、
読み取り装置のMTFでなまったエッジに対し、実際の
エッジより外側でエッジエリアと判断して、そのエリア
内で各画素エッジ判定しても、そのエリアより内側のエ
リアでは必ずエッジエリアと判断されるので、エッジの
太さにおける読み取り装置のMTFへの依存性を大幅に
低減することが可能となる。
判定手段15およびエッジエリア検出手段16により、
読み取り装置のMTFでなまったエッジに対し、実際の
エッジより外側でエッジエリアと判断して、そのエリア
内で各画素エッジ判定しても、そのエリアより内側のエ
リアでは必ずエッジエリアと判断されるので、エッジの
太さにおける読み取り装置のMTFへの依存性を大幅に
低減することが可能となる。
【0068】また、ブロック内の画素すべてに対しエッ
ジ判定を行うので、文字エッジの連結性を向上させるこ
とが可能となる。
ジ判定を行うので、文字エッジの連結性を向上させるこ
とが可能となる。
【0069】(実施の形態2)図8は本発明の実施の形
態2におけるエッジ判定手段におけるエッジ判定の手順
を示すフローチャート、図9は本発明の実施の形態2に
おけるエッジ判定手段の構成を示すブロック図、図10
は本発明の実施の形態2におけるエッジ方向検出手段の
エッジ方向検出オペレータを示す説明図である。
態2におけるエッジ判定手段におけるエッジ判定の手順
を示すフローチャート、図9は本発明の実施の形態2に
おけるエッジ判定手段の構成を示すブロック図、図10
は本発明の実施の形態2におけるエッジ方向検出手段の
エッジ方向検出オペレータを示す説明図である。
【0070】本実施の形態2においては、文字エッジ検
出装置が前記実施の形態1の図1と同様の構成となって
いる。
出装置が前記実施の形態1の図1と同様の構成となって
いる。
【0071】エッジエリア検出手段16でエッジを含む
と判断された3×3エリア画素において、各画素に対
し、エッジかどうかを特定する図9に示すエッジ判定手
段15について説明する。
と判断された3×3エリア画素において、各画素に対
し、エッジかどうかを特定する図9に示すエッジ判定手
段15について説明する。
【0072】エッジ判定手段15内のエッジ方向検出手
段36は、データマスク手段2によりレジスタ10にラ
ッチした3×3のデータに関して、エッジの方向を検出
し、各画素がエッジであるかの結果をエッジレジスタ3
5に書き込みを行う。
段36は、データマスク手段2によりレジスタ10にラ
ッチした3×3のデータに関して、エッジの方向を検出
し、各画素がエッジであるかの結果をエッジレジスタ3
5に書き込みを行う。
【0073】具体的には、レジスタ10にラッチした3
×3のデータと、エッジ方向検出手段36内のオペレー
タ設定レジスタ40内の3×3の4個のオペレータと対
応する画素の積和演算を行い、4個のオペレータに対応
するエッジ量を算出する。
×3のデータと、エッジ方向検出手段36内のオペレー
タ設定レジスタ40内の3×3の4個のオペレータと対
応する画素の積和演算を行い、4個のオペレータに対応
するエッジ量を算出する。
【0074】オペレータ設定レジスタ40内の各オペレ
ータは、従来の技術において説明した図10(a)〜
(d)に示す4通りでそれぞれ上下方向、左右方向、左
斜め方向、右斜め方向に対応するエッジ量を求めるため
のオペレータである。
ータは、従来の技術において説明した図10(a)〜
(d)に示す4通りでそれぞれ上下方向、左右方向、左
斜め方向、右斜め方向に対応するエッジ量を求めるため
のオペレータである。
【0075】このオペレータによりエッジ量を算出し、
以降エッジ判定結果をエッジレジスタ35に書き込むま
での経過を図8に示すフローチャートに沿って説明す
る。
以降エッジ判定結果をエッジレジスタ35に書き込むま
での経過を図8に示すフローチャートに沿って説明す
る。
【0076】上下方向(以下エッジ量Aと称す)、左右
方向(以下エッジ量Bと称す)、左斜方向(以下エッジ
量Cと称す)、右斜方向のエッジ量(以下エッジ量Dと
称す)を計算し(ステップS301)、一般説明のため
にY00(左上画素)≧Y22(右下画素)のときエッ
ジレジスタ35の行または列ナンバを示すP=0、Y0
0(左上画素)<Y22(右下画素)のとき、エッジレ
ジスタ35のP=2とする(ステップS302)。
方向(以下エッジ量Bと称す)、左斜方向(以下エッジ
量Cと称す)、右斜方向のエッジ量(以下エッジ量Dと
称す)を計算し(ステップS301)、一般説明のため
にY00(左上画素)≧Y22(右下画素)のときエッ
ジレジスタ35の行または列ナンバを示すP=0、Y0
0(左上画素)<Y22(右下画素)のとき、エッジレ
ジスタ35のP=2とする(ステップS302)。
【0077】そして、エッジ量Aが最大であるとき(上
下エッジ)、主走査に平行な3画素Yp0,Yp1,Y
p2をエッジと判定し、対応するCp0,Cp1,Cp
2をハイレベル、それ以外をローレベルとしてエッジレ
ジスタ35書き込む(ステップS303)。
下エッジ)、主走査に平行な3画素Yp0,Yp1,Y
p2をエッジと判定し、対応するCp0,Cp1,Cp
2をハイレベル、それ以外をローレベルとしてエッジレ
ジスタ35書き込む(ステップS303)。
【0078】また、エッジ量Bが最大であるとき(左右
エッジ)、副走査に平行な3画素Y0p,Y1p,Y2
pをエッジと判定し、対応するC0p,C1p,C2p
をハイレベル、それ以外をローレベルとしてエッジレジ
スタ35書き込む(ステップS304)。
エッジ)、副走査に平行な3画素Y0p,Y1p,Y2
pをエッジと判定し、対応するC0p,C1p,C2p
をハイレベル、それ以外をローレベルとしてエッジレジ
スタ35書き込む(ステップS304)。
【0079】さらに、エッジ量Cが最大であるとき(左
斜エッジ)、左斜方向の対角要素3画素Y00,Y1
1,Y22をエッジと判定し、対応するC00,C1
1,C22をハイレベル、それ以外をローレベルとして
エッジレジスタ35書き込む(ステップS305)。
斜エッジ)、左斜方向の対角要素3画素Y00,Y1
1,Y22をエッジと判定し、対応するC00,C1
1,C22をハイレベル、それ以外をローレベルとして
エッジレジスタ35書き込む(ステップS305)。
【0080】また、エッジ量Dが最大であるとき(右斜
エッジ)、右斜方向の対角要素3画素Y02,Y11,
Y20をエッジと判定し、対応するC02,C11,C
20をハイレベル、それ以外をローレベルとしてエッジ
レジスタ35書き込各画素のエッジ判定を行う(ステッ
プS306)。
エッジ)、右斜方向の対角要素3画素Y02,Y11,
Y20をエッジと判定し、対応するC02,C11,C
20をハイレベル、それ以外をローレベルとしてエッジ
レジスタ35書き込各画素のエッジ判定を行う(ステッ
プS306)。
【0081】エッジ判定手段15は、図1のセレクタ9
にセレクト信号としてC00を出力するとともに、図9
のエッジマップ記憶手段17にC10,C20の結果を
書き込む。
にセレクト信号としてC00を出力するとともに、図9
のエッジマップ記憶手段17にC10,C20の結果を
書き込む。
【0082】また、エッジエリア検出手段16より出さ
れるエッジエリア信号がローレベルのときには、エッジ
レジスタ35への書き込みは行わず、図1のセレクタ9
にセレクト信号としてC00を出力するとともに、エッ
ジマップ記憶手段17にC10,C20の結果を書き込
む。
れるエッジエリア信号がローレベルのときには、エッジ
レジスタ35への書き込みは行わず、図1のセレクタ9
にセレクト信号としてC00を出力するとともに、エッ
ジマップ記憶手段17にC10,C20の結果を書き込
む。
【0083】次のエッジ判定を行う前には、エッジマッ
プ記憶手段17より、C02,C12に相当するエッジ
検出結果をエッジレジスタ35に書き込んでおく。エッ
ジエリア信号がハイレベルのときには、エッジマップ記
憶手段17からエッジレジスタ35への書き込みデータ
C10,C20(前判定の結果)に判定結果を上書きす
る。
プ記憶手段17より、C02,C12に相当するエッジ
検出結果をエッジレジスタ35に書き込んでおく。エッ
ジエリア信号がハイレベルのときには、エッジマップ記
憶手段17からエッジレジスタ35への書き込みデータ
C10,C20(前判定の結果)に判定結果を上書きす
る。
【0084】また、このエッジ検出、判定と並行して、
図7に示すハイパスフィルタ7では、レジスタ10のラ
ッチデータとフィルタ係数レジスタ37と対応する画素
同士の積和演算を行い、画素Y11に対応するハイパス
出力をラインメモリ19に出力する。同時にラインメモ
リ19では、Y10に対応するハイパスデータをラッチ
18に出力する。
図7に示すハイパスフィルタ7では、レジスタ10のラ
ッチデータとフィルタ係数レジスタ37と対応する画素
同士の積和演算を行い、画素Y11に対応するハイパス
出力をラインメモリ19に出力する。同時にラインメモ
リ19では、Y10に対応するハイパスデータをラッチ
18に出力する。
【0085】図1においてセレクタ9は、エッジ判定手
段15より出力されるエッジ信号がハイレベル(エッジ
である)のときエッジ強調データとしてハイパスフィル
タ7の出力データを、エッジ信号がローレベル(エッジ
である)を出力した場合にはデータマスク手段2から出
力されるオリジナルデータY00をラッチし、画像デー
タ記憶手段4に出力する。U,V成分については、図5
に示すよう、U,V成分注目時にはステート信号をロー
レベルにしているため、ハイパスフィルタ7でのエッジ
強調は施されず、オリジナルのU00,V00成分がス
ルーで画像データ記憶手段4に出力される。
段15より出力されるエッジ信号がハイレベル(エッジ
である)のときエッジ強調データとしてハイパスフィル
タ7の出力データを、エッジ信号がローレベル(エッジ
である)を出力した場合にはデータマスク手段2から出
力されるオリジナルデータY00をラッチし、画像デー
タ記憶手段4に出力する。U,V成分については、図5
に示すよう、U,V成分注目時にはステート信号をロー
レベルにしているため、ハイパスフィルタ7でのエッジ
強調は施されず、オリジナルのU00,V00成分がス
ルーで画像データ記憶手段4に出力される。
【0086】それにより、本実施の形態2においても、
エッジ判定手段15およびエッジエリア検出手段16に
より、読み取り装置のMTFでなまったエッジに対し、
実際のエッジより外側でエッジエリアと判断して、その
エリア内で各画素エッジ判定しても、そのエリアより内
側のエリアでは必ずエッジエリアと判断されるので、エ
ッジの太さにおける読み取り装置のMTFへの依存性を
大幅に低減することが可能となる。
エッジ判定手段15およびエッジエリア検出手段16に
より、読み取り装置のMTFでなまったエッジに対し、
実際のエッジより外側でエッジエリアと判断して、その
エリア内で各画素エッジ判定しても、そのエリアより内
側のエリアでは必ずエッジエリアと判断されるので、エ
ッジの太さにおける読み取り装置のMTFへの依存性を
大幅に低減することが可能となる。
【0087】また、ブロック内の画素すべてに対しエッ
ジ判定を行うので、文字エッジの連結性を向上させるこ
とが可能となる。
ジ判定を行うので、文字エッジの連結性を向上させるこ
とが可能となる。
【0088】(実施の形態3)図11は本発明の実施の
形態3における文字エッジ検出装置の構成を示すブロッ
ク図、図12は同第1の閾値設定の手順を示すフローチ
ャート、図13は同ウインドウに画像データを取り込む
データマスク手段を示す説明図である。
形態3における文字エッジ検出装置の構成を示すブロッ
ク図、図12は同第1の閾値設定の手順を示すフローチ
ャート、図13は同ウインドウに画像データを取り込む
データマスク手段を示す説明図である。
【0089】本実施の形態3においては、文字エッジ検
出装置が、データマスク手段2、画像データ記憶手段
4、領域判別手段5、ハイパスフィルタ7、ラインメモ
リ8、セレクタ9、エッジ判定手段15、エッジエリア
検出手段16、エッジマップ記憶手段17、ラッチ1
8、ラインメモリ19、ならびに第1の閾値決定手段2
0によって構成されている。
出装置が、データマスク手段2、画像データ記憶手段
4、領域判別手段5、ハイパスフィルタ7、ラインメモ
リ8、セレクタ9、エッジ判定手段15、エッジエリア
検出手段16、エッジマップ記憶手段17、ラッチ1
8、ラインメモリ19、ならびに第1の閾値決定手段2
0によって構成されている。
【0090】第1の閾値決定手段20には、データマス
ク手段2およびエッジエリア検出手段16が接続されて
おり、この第1の閾値決定手段20は、第1の閾値設定
レジスタ25(図5)に書き込む第1の閾値の設定を行
う。
ク手段2およびエッジエリア検出手段16が接続されて
おり、この第1の閾値決定手段20は、第1の閾値設定
レジスタ25(図5)に書き込む第1の閾値の設定を行
う。
【0091】図11、図13において、主走査方向の同
期有効期間NHSZ、副走査方向の同期有効期間NVS
Zが有効な間、画素同期信号VCLKに同期して、n+
1ライン目の画像データが5×5のデータマスク手段2
のレジスタ10に取り込まれる。
期有効期間NHSZ、副走査方向の同期有効期間NVS
Zが有効な間、画素同期信号VCLKに同期して、n+
1ライン目の画像データが5×5のデータマスク手段2
のレジスタ10に取り込まれる。
【0092】同様に、n−3,n−2,n−1,nライ
ン目のデータがラインメモリ8よりデータマスク手段2
のレジスタ10に取り込まれる。n−2,n−1,nラ
イン目のデータはエッジ検出・判定のためにラッチした
もので、それに加えn−3,n+1ライン目のデータは
以下に説明する第1の閾値を決定するために取り込まれ
たものである。
ン目のデータがラインメモリ8よりデータマスク手段2
のレジスタ10に取り込まれる。n−2,n−1,nラ
イン目のデータはエッジ検出・判定のためにラッチした
もので、それに加えn−3,n+1ライン目のデータは
以下に説明する第1の閾値を決定するために取り込まれ
たものである。
【0093】ここで、画像データは、YUV系列であ
り、点順次にY,U,Vの順に入力するものとし、現
在、図13のようにレジスタ10に画像データがラッチ
されており、A,B,Cの列にある明度成分Yのデータ
がエッジ検出の対象となっているものとする。また以下
に示すエッジ検出、判定の際、ウインドウは主走査方向
に1画素ずつ移動し、副走査方向に1画素ずつ移動させ
る。
り、点順次にY,U,Vの順に入力するものとし、現
在、図13のようにレジスタ10に画像データがラッチ
されており、A,B,Cの列にある明度成分Yのデータ
がエッジ検出の対象となっているものとする。また以下
に示すエッジ検出、判定の際、ウインドウは主走査方向
に1画素ずつ移動し、副走査方向に1画素ずつ移動させ
る。
【0094】まず、データマスク手段2中のレジスタ1
0に取り込まれた3×3画素エリアがエッジを含むかを
判断するエッジエリア検出手段16について説明する。
データマスク手段2中のレジスタ10にラッチされたデ
ータをエッジエリア検出手段16(図5)で参照する。
0に取り込まれた3×3画素エリアがエッジを含むかを
判断するエッジエリア検出手段16について説明する。
データマスク手段2中のレジスタ10にラッチされたデ
ータをエッジエリア検出手段16(図5)で参照する。
【0095】次に、第1の閾値決定手段20に設定され
る第1の閾値を、図13に示すレジスタ10に取り込ま
れた5×5画素(Y00,Y01,・・・,Y23,Y
a,Yb,・・・Ym)第1の閾値決定手段20により
決定する流れを図12のフローチャートに沿って説明す
る。
る第1の閾値を、図13に示すレジスタ10に取り込ま
れた5×5画素(Y00,Y01,・・・,Y23,Y
a,Yb,・・・Ym)第1の閾値決定手段20により
決定する流れを図12のフローチャートに沿って説明す
る。
【0096】この5×5画素の内、Y成分の低いものか
ら5画素を選択し(ステップS401)、この5画素の
平均値Ybarを計算する(ステップS402)。この
値を第1の閾値として第1の閾値設定レジスタ25(図
5)に書き込む(ステップS403)。
ら5画素を選択し(ステップS401)、この5画素の
平均値Ybarを計算する(ステップS402)。この
値を第1の閾値として第1の閾値設定レジスタ25(図
5)に書き込む(ステップS403)。
【0097】こうして、第1の閾値設定レジスタ25の
設定値を、エッジ検出のウインドウが移動する度に書き
換える。図5において、比較器23は、ウインドウの左
上画素Y00を第1の閾値設定レジスタ25に設定され
ている第1の閾値と比較し、第1の閾値以下の場合ハイ
レベルを出力し、第1の閾値以上の場合、ローレベルを
出力する。
設定値を、エッジ検出のウインドウが移動する度に書き
換える。図5において、比較器23は、ウインドウの左
上画素Y00を第1の閾値設定レジスタ25に設定され
ている第1の閾値と比較し、第1の閾値以下の場合ハイ
レベルを出力し、第1の閾値以上の場合、ローレベルを
出力する。
【0098】比較器24は、右下画素Y22を第1の閾
値と比較し、第1の閾値以下の場合ハイレベルを出力
し、第1の閾値以上の場合には、ローレベルを出力す
る。
値と比較し、第1の閾値以下の場合ハイレベルを出力
し、第1の閾値以上の場合には、ローレベルを出力す
る。
【0099】比較器30は、平均値算出手段31により
得た9画素の明度値Yの平均値と、第2の閾値設定レジ
スタ29に設定されている第2の閾値とを比較し、第2
の閾値以上のときハイレベルを出力し、第2の閾値以下
のときにはローレベルを出力する。
得た9画素の明度値Yの平均値と、第2の閾値設定レジ
スタ29に設定されている第2の閾値とを比較し、第2
の閾値以上のときハイレベルを出力し、第2の閾値以下
のときにはローレベルを出力する。
【0100】そして、Y00≦第2の閾値とY22≦第
2の閾値のどちらかが成立するときすなわち比較器2
3、比較器24のどちらか一方がハイレベルのとき、E
X−OR回路26はハイレベルとなり、OR回路28も
エッジエリア信号としてハイレベル(エッジを含むエリ
アである)を出力する。
2の閾値のどちらかが成立するときすなわち比較器2
3、比較器24のどちらか一方がハイレベルのとき、E
X−OR回路26はハイレベルとなり、OR回路28も
エッジエリア信号としてハイレベル(エッジを含むエリ
アである)を出力する。
【0101】また、Y00≦第2の閾値かつY22≦第
2の閾値かつ9画素の平均値≧第2の閾値が成り立つと
きすなわち比較器23、比較器24、比較器30すべて
ハイレベルであるとき、AND回路27はハイレベルと
なり、OR回路28もハイレベルとなる。
2の閾値かつ9画素の平均値≧第2の閾値が成り立つと
きすなわち比較器23、比較器24、比較器30すべて
ハイレベルであるとき、AND回路27はハイレベルと
なり、OR回路28もハイレベルとなる。
【0102】領域判別手段5は、6×6のサイズで文字
を含むエリアかどうかを判別する。領域判別手段5より
出力される領域判別信号は、注目エリアが文字エリアで
ある場合ハイレベルを、ステート信号は、Y,U,V成
分のうち、Y成分がレジスタ10(図4)のA,B,C
列にあるときハイレベルを、U,V成分がレジスタ10
のA,B,C列にあるときローレベルを出力する。
を含むエリアかどうかを判別する。領域判別手段5より
出力される領域判別信号は、注目エリアが文字エリアで
ある場合ハイレベルを、ステート信号は、Y,U,V成
分のうち、Y成分がレジスタ10(図4)のA,B,C
列にあるときハイレベルを、U,V成分がレジスタ10
のA,B,C列にあるときローレベルを出力する。
【0103】AND回路41は、領域判別信号がハイレ
ベルでY成分注目時に、OR回路28がハイレベルを出
力したとき、エッジエリア信号としてハイレベル(エッ
ジを含むエリアである)を出力する。
ベルでY成分注目時に、OR回路28がハイレベルを出
力したとき、エッジエリア信号としてハイレベル(エッ
ジを含むエリアである)を出力する。
【0104】さらに、前述したY00≦第2の閾値とY
22≦第2の閾値のどちらかが成立するとき、またはY
00≦第2の閾値かつY22≦第2の閾値かつ9画素の
平均値≧第2の閾値が成立するとき以外の場合、OR回
路28はエッジエリア信号としてローレベル(エッジを
含まないエリアである)を出力すると同時に、9画素の
平均値をエッジ判定手段15に出力する。
22≦第2の閾値のどちらかが成立するとき、またはY
00≦第2の閾値かつY22≦第2の閾値かつ9画素の
平均値≧第2の閾値が成立するとき以外の場合、OR回
路28はエッジエリア信号としてローレベル(エッジを
含まないエリアである)を出力すると同時に、9画素の
平均値をエッジ判定手段15に出力する。
【0105】なお、上記説明では、比較器23、比較器
24で比較される対象画素をそれぞれY00,Y22と
選んでいるが、比較器23、比較器24で比較される対
象画素をそれぞれY02,Y20と配置を変えて選んで
も同様の効果が得られる。
24で比較される対象画素をそれぞれY00,Y22と
選んでいるが、比較器23、比較器24で比較される対
象画素をそれぞれY02,Y20と配置を変えて選んで
も同様の効果が得られる。
【0106】その後、前記実施の形態1と同様の動作に
よって、オリジナルのU,V成分がスルーで画像データ
記憶手段4に出力される。
よって、オリジナルのU,V成分がスルーで画像データ
記憶手段4に出力される。
【0107】それにより、本実施の形態3においては、
第1の閾値決定手段25により、閾値をエッジ近傍のオ
ブジェクト内部の平坦部における明度値に近い値で適応
的に設定できるので、オブジェクトの濃度値に依存しに
くいエッジ検出が可能となる。
第1の閾値決定手段25により、閾値をエッジ近傍のオ
ブジェクト内部の平坦部における明度値に近い値で適応
的に設定できるので、オブジェクトの濃度値に依存しに
くいエッジ検出が可能となる。
【0108】また、閾値を適応的に設定するため、文字
部のエッジ検出だけでなく、イメージ部のエッジ検出に
も拡張することが可能となる。
部のエッジ検出だけでなく、イメージ部のエッジ検出に
も拡張することが可能となる。
【0109】(実施の形態4)図14は本発明の実施の
形態4における輪郭検出装置の構成を示すブロック図、
図15は本発明の実施の形態4におけるエッジ判定手段
の構成を示すブロック図である。
形態4における輪郭検出装置の構成を示すブロック図、
図15は本発明の実施の形態4におけるエッジ判定手段
の構成を示すブロック図である。
【0110】本実施の形態4においては、文字エッジ検
出装置が、前記実施の形態1と同様構成であるデータマ
スク手段2、画像データ記憶手段4、領域判別手段5、
ハイパスフィルタ7、ラインメモリ8、セレクタ9、エ
ッジ判定手段15、エッジエリア検出手段16、エッジ
マップ記憶手段17、ラッチ18、ラインメモリ19に
エッジ幅パラメータ設定手段6が設けられている。この
エッジ幅パラメータ設定手段6は、エッジ判定手段15
に接続されており、エッジ幅パラメータEPの設定を行
う。
出装置が、前記実施の形態1と同様構成であるデータマ
スク手段2、画像データ記憶手段4、領域判別手段5、
ハイパスフィルタ7、ラインメモリ8、セレクタ9、エ
ッジ判定手段15、エッジエリア検出手段16、エッジ
マップ記憶手段17、ラッチ18、ラインメモリ19に
エッジ幅パラメータ設定手段6が設けられている。この
エッジ幅パラメータ設定手段6は、エッジ判定手段15
に接続されており、エッジ幅パラメータEPの設定を行
う。
【0111】図14において、エッジ幅パラメータ設定
手段6でエッジ幅パラメータEPを設定し、図15に示
すエッジ判定手段15に入力する。エッジ幅パラメータ
EPと、平均値レジスタ33に格納されている値とを乗
算し、比較手段34に出力する。
手段6でエッジ幅パラメータEPを設定し、図15に示
すエッジ判定手段15に入力する。エッジ幅パラメータ
EPと、平均値レジスタ33に格納されている値とを乗
算し、比較手段34に出力する。
【0112】エッジ幅パラメータ設定手段6によりエッ
ジ幅パラメータEPを1より大きく設定することで、実
施の形態1と比較し、エッジと判断される画素は多くな
るため、文字エッジは太目に再現される。
ジ幅パラメータEPを1より大きく設定することで、実
施の形態1と比較し、エッジと判断される画素は多くな
るため、文字エッジは太目に再現される。
【0113】一方、エッジ幅パラメータEPを1より小
さく設定することで、実施の形態1と比較し、エッジと
判断される画素は少なくなるため文字は細目に再現され
る。エッジ幅パラメータEPを1と設定することは、実
施の形態1で得られる結果と等価である。
さく設定することで、実施の形態1と比較し、エッジと
判断される画素は少なくなるため文字は細目に再現され
る。エッジ幅パラメータEPを1と設定することは、実
施の形態1で得られる結果と等価である。
【0114】それにより、本実施の形態4によれば、エ
ッジ幅パラメータ設定手段によりユーザーがエッジの太
さを調整することが可能となる。
ッジ幅パラメータ設定手段によりユーザーがエッジの太
さを調整することが可能となる。
【0115】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、エッジ
判定手段およびエッジエリア検出手段により、エッジの
太さの読み取り装置のMTFへの依存性を大幅に低減で
き、文字エッジの連結性を向上させることが可能となる
という有効な効果が得られる。
判定手段およびエッジエリア検出手段により、エッジの
太さの読み取り装置のMTFへの依存性を大幅に低減で
き、文字エッジの連結性を向上させることが可能となる
という有効な効果が得られる。
【0116】また、本発明によれば、閾値をエッジ近傍
のオブジェクト内部の平坦部における明度値に近い値で
閾値を適応的に設定するため、オブジェクトの濃度値に
依存しにくいエッジ検出が可能となり、閾値を適応的に
設定するために文字部のエッジ検出だけでなく、イメー
ジ部のエッジ検出にも拡張することが可能となるという
有効な効果が得られる。
のオブジェクト内部の平坦部における明度値に近い値で
閾値を適応的に設定するため、オブジェクトの濃度値に
依存しにくいエッジ検出が可能となり、閾値を適応的に
設定するために文字部のエッジ検出だけでなく、イメー
ジ部のエッジ検出にも拡張することが可能となるという
有効な効果が得られる。
【0117】さらに、本発明によれば、エッジ幅パラメ
ータ設定手段によりユーザーがエッジの太さを調整する
ことが可能となるという有効な効果が得られる。
ータ設定手段によりユーザーがエッジの太さを調整する
ことが可能となるという有効な効果が得られる。
【図1】本発明の実施の形態1における文字エッジ検出
装置の構成を示すブロック図
装置の構成を示すブロック図
【図2】本発明の実施の形態1におけるエッジエリア検
出手段におけるエッジエリア検出の手順を示すフローチ
ャート
出手段におけるエッジエリア検出の手順を示すフローチ
ャート
【図3】本発明の実施の形態1におけるエッジ判定手段
におけるエッジ判定の手順を示すフローチャート
におけるエッジ判定の手順を示すフローチャート
【図4】本発明の実施の形態1におけるウインドウに画
像データを取り込むデータマスク手段を示す説明図
像データを取り込むデータマスク手段を示す説明図
【図5】本発明の実施の形態1におけるエッジエリア検
出手段の構成を示すブロック図
出手段の構成を示すブロック図
【図6】本発明の実施の形態1におけるエッジ判定手段
の構成を示すブロック図
の構成を示すブロック図
【図7】本発明の実施の形態1におけるハイパスフィル
タの構成を示すブロック図
タの構成を示すブロック図
【図8】本発明の実施の形態2におけるエッジ判定手段
におけるエッジ判定の手順を示すフローチャート
におけるエッジ判定の手順を示すフローチャート
【図9】本発明の実施の形態2におけるエッジ判定手段
の構成を示すブロック図
の構成を示すブロック図
【図10】本発明の実施の形態2におけるエッジ方向検
出手段のエッジ方向検出オペレータを示す説明図
出手段のエッジ方向検出オペレータを示す説明図
【図11】本発明の実施の形態3における文字エッジ検
出装置の構成を示すブロック図
出装置の構成を示すブロック図
【図12】本発明の実施の形態3における第1の閾値設
定の手順を示すフローチャート
定の手順を示すフローチャート
【図13】本発明の実施の形態3におけるウインドウに
画像データを取り込むデータマスク手段を示す説明図
画像データを取り込むデータマスク手段を示す説明図
【図14】本発明の実施の形態4における輪郭検出装置
の構成を示すブロック図
の構成を示すブロック図
【図15】本発明の実施の形態4におけるエッジ判定手
段の構成を示すブロック図
段の構成を示すブロック図
【図16】従来の輪郭検出装置の構成を示すブロック図
【図17】従来の輪郭検出装置のデータマスク手段の構
成を示す説明図
成を示す説明図
【図18】従来のエッジ検出部の構成を示すブロック図
【図19】従来のハイパスフィルタの構成を示すブロッ
ク図
ク図
1 エッジ幅パラメータ 2 データマスク手段 5 領域判別手段 6 エッジ幅パラメータ設定手段 15 エッジ判定手段 16 エッジエリア検出手段 17 エッジマップ記憶手段 36 エッジ方向検出手段
Claims (7)
- 【請求項1】濃淡データをm×nのマトリクスでマスク
するデータマスク手段と、 少なくとも文字を含むエリアか否かを判別する領域判別
手段と、 前記データマスク手段によりマスクされた画素エリア
が、前記領域判別手段により文字を含むエリアであると
判断された場合に、前記画素エリアの左上画素の明度成
分が第1の閾値未満で、かつ右下画素の明度成分が第1
の閾値以上となる条件と、前記画素エリアの左上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ右下画素の明度成分
が第1の閾値未満となる条件と、前記画素エリアの左上
画素の明度成分、右下画素の明度成分が共に第1の閾値
未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第2
の閾値を超える条件のうち、いずれかの条件を満たした
とき、前記画素エリアを文字エッジを含むエリアとする
エッジエリア検出手段と、 前記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定さ
れた前記画素エリア内の明度成分の平均値を求め、この
平均値よりも低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素
を文字エッジと判定するエッジ判定手段と、 前記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定さ
れた前記画素エリア内の明度成分の平均値を求め、この
平均値よりも低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素
を文字エッジと判定するエッジ判定手段とを備えたこと
を特徴とする文字エッジ検出装置。 - 【請求項2】濃淡データをm×nのマトリクスでマスク
するデータマスク手段と、 少なくとも文字を含むエリアか否かを判別する領域判別
手段と、 前記データマスク手段によりマスクされた画素エリア
が、前記領域判別手段により文字を含むエリアであると
判断された場合に、前記画素エリアの右上画素の明度成
分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が第1
の閾値以上である条件と、前記画素エリアの右上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、前記画素エリアの右上
画素の明度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値
未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第2
の閾値を超える条件のうち、いずれかの条件を満たした
とき、前記画素エリアを文字エッジを含むエリアとする
エッジエリア検出手段と、 前記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定さ
れた前記画素エリア内の明度成分の平均値を求め、この
平均値よりも低い明度値を有する前記画素エリア内の画
素を文字エッジと判定するエッジ判定手段とを備えたこ
とを特徴とする文字エッジ検出装置。 - 【請求項3】濃淡データを3×3のマトリクスでマスク
するデータマスク手段と、 少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領域判
別手段と、 前記データマスク手段によりマスクされた前記画素エリ
アが前記領域判別手段により文字を含むエリアであると
判断された場合に、前記画素エリアの左上画素の明度成
分が第1の閾値未満で、かつ右下画素の明度成分が第1
の閾値以上である条件と、前記画素エリアの左上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ右下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、前記画素エリアの左上
画素の明度成分、右下画素の明度成分が共に第1の閾値
未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第2
の閾値を超える条件とのうち、いずれかの条件を満たし
たとき、前記画素エリアを文字エッジを含むエリアとす
るエッジエリア検出手段と、 前記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定さ
れた前記画素エリアに関し、そのエリア内の中心画素の
位置に対し、上下画素の明度成分の差分値、左右画素の
明度成分の差分値、+45度方向にある2画素の明度成
分の差分値、−45度方向にある2画素の明度成分の差
分値を求め、最も大きい差分値を持つ方向をエッジ方向
と判定するエッジ方向検出手段と、 前記エッジ方向が上下方向と判断された場合に、左上画
素、右下画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウイ
ンドウ中の左右方向の3画素をエッジ方向とし、前記エ
ッジ方向が左右方向と判断された場合には、左上画素と
右下画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウインド
ウ中の上下方向の3画素をエッジとし、エッジが斜め方
向と判断された場合にはウインドウ中の中心画素を含む
エッジ方向の3画素をエッジとするエッジ判定手段と、 前記エッジ方向が上下方向と判断された場合に、右上画
素、左下画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウイ
ンドウ中の左右方向の3画素をエッジとし、前記エッジ
方向が左右方向と判断された場合には右上画素、左下画
素の明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中の上下
方向の3画素をエッジとし、エッジが斜め方向と判断さ
れた場合にはウインドウ中の中心画素を含むエッジ方向
の3画素をエッジとするエッジ判定手段とを備えたこと
を特徴とする文字エッジ検出装置。 - 【請求項4】濃淡データを3×3のマトリクスでマスク
するデータマスク手段と、 少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領域判
別手段と、 前記データマスク手段によりマスクされた前記画素エリ
アが、前記領域判別手段により文字を含むエリアである
と判断された場合に、前記画素エリアの右上画素の明度
成分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が第
1の閾値以上である条件と、前記画素エリアの右上画素
の明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成
分が第1の閾値未満である条件と、前記画素エリアの右
上画素の明度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾
値未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第
2の閾値を超える条件とのうち、いずれかの条件を満た
したとき、前記画素エリアを文字エッジを含むエリアと
するエッジエリア検出手段と、 前記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定さ
れた前記画素エリアに関し、そのエリア内の中心画素の
位置に対し、上下画素の明度成分の差分値、左右画素の
明度成分の差分値、+45度方向にある2画素の明度成
分の差分値、−45度方向にある2画素の明度成分の差
分値を求め、最も大きい差分値を持つ方向をエッジ方向
と判定するエッジ方向検出手段と、 前記エッジ方向が上下方向と判断された場合に、右上画
素、左下画素のうち明度成分の低い方の画素を含むウイ
ンドウ中の左右方向の3画素をエッジとし、前記エッジ
方向が左右方向と判断された場合には右上画素、左下画
素の明度成分の低い方の画素を含むウインドウ中の上下
方向の3画素をエッジとし、エッジが斜め方向と判断さ
れた場合にはウインドウ中の中心画素を含むエッジ方向
の3画素をエッジとするエッジ判定手段とを備えたこと
を特徴とする文字エッジ検出装置。 - 【請求項5】前記データマスク手段が、前記画素エリア
を包含するj×k(j≧m,k≧n)のマトリクスによ
りデータのマスクを行い、前記データマスク手段により
マスクされたデータにおける画素データの明度成分の低
い方からロー画素の明度成分の平均をとり、この平均値
を前記第1の閾値とすることを特徴とする請求項第1〜
4のいずれか1項に記載の文字エッジ検出装置。 - 【請求項6】濃淡データをm×nのマトリクスでマスク
するデータマスク手段と、 少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領域判
別手段と、 前記データマスク手段によりマスクされた前記画素エリ
アが前記領域判別手段により文字を含むエリアであると
判断された場合に、前記画素エリアの左上画素の明度成
分が第1の閾値未満で、かつ右下画素の明度成分が第1
の閾値以上である条件と、前記画素エリアの左上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ右下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、前記画素エリアの左上
画素の明度成分、右下画素の明度成分が共に第1の閾値
未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第2
の閾値を超える条件とのうち、いずれかの条件を満たし
たとき、前記画素エリアを文字エッジを含むエリアとす
るエッジエリア検出手段と、 前記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定さ
れた前記画素エリア内の明度成分の平均値を求め、前記
画素エリア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ幅パラ
メータと、前記画素エリア内の明度成分の平均値と前記
エッジ幅パラメータを乗じた値よりも低い明度値を有す
る前記画素エリア内の画素を文字エッジと判定するエッ
ジ判定手段と、 前記エッジ幅パラメータを設定するエッジ幅パラメータ
設定手段とを備えたことを特徴とする文字エッジ検出装
置。 - 【請求項7】濃淡データをm×nのマトリクスでマスク
するデータマスク手段と、 少なくとも文字を含むエリアか否かを判別し得る領域判
別手段と、 前記データマスク手段によりマスクされた前記画素エリ
アが前記領域判別手段により文字を含むエリアであると
判断された場合に、前記画素エリアの右上画素の明度成
分が第1の閾値未満で、かつ左下画素の明度成分が第1
の閾値以上である条件と、前記画素エリアの右上画素の
明度成分が第1の閾値以上で、かつ左下画素の明度成分
が第1の閾値未満である条件と、前記画素エリアの右上
画素の明度成分、左下画素の明度成分が共に第1の閾値
未満で、かつ前記画素エリアの明度成分の平均値が第2
の閾値を超える条件とのうち、いずれかの条件を満たし
たときに前記画素エリアを文字エッジを含むエリアとす
るエッジエリア検出手段と、 前記エッジエリア検出手段によりエッジを含むと判定さ
れた前記画素エリア内の明度成分の平均値を求め、前記
画素エリア内の明度成分の平均値に乗ずるエッジ幅パラ
メータと前記画素エリア内の明度成分の平均値とを乗じ
た値よりも低い明度値を持つ前記画素エリア内の画素を
文字エッジと判定するエッジ判定手段と、 前記エッジ幅パラメータを設定するエッジ幅パラメータ
設定手段とを備えたことを特徴とする文字エッジ検出装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10169639A JP2000011186A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 文字エッジ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10169639A JP2000011186A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 文字エッジ検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000011186A true JP2000011186A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15890229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10169639A Pending JP2000011186A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 文字エッジ検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000011186A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003087570A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Ricoh Co Ltd | 画像圧縮装置及び画像圧縮方法 |
JP2006242759A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンのムラ検査方法 |
-
1998
- 1998-06-17 JP JP10169639A patent/JP2000011186A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003087570A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Ricoh Co Ltd | 画像圧縮装置及び画像圧縮方法 |
JP4699654B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2011-06-15 | 株式会社リコー | 画像圧縮装置及び画像圧縮方法 |
JP2006242759A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンのムラ検査方法 |
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