JP2000010057A - 光送信モジュール及び光インターコネクションシステム - Google Patents
光送信モジュール及び光インターコネクションシステムInfo
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- JP2000010057A JP2000010057A JP10175484A JP17548498A JP2000010057A JP 2000010057 A JP2000010057 A JP 2000010057A JP 10175484 A JP10175484 A JP 10175484A JP 17548498 A JP17548498 A JP 17548498A JP 2000010057 A JP2000010057 A JP 2000010057A
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 変調器駆動ＩＣの出力ハイレベルの調整を可
能とするための技術を提供することにある。 【解決手段】 光変調器と変調器駆動ＩＣ４２とを結合
するためのストリップ線路方向性結合器４８を設け、こ
のストリップ線路方向性結合器４８によって、上記光変
調器と上記変調器駆動ＩＣとを直流的に分離する。これ
により、ストリップ線路方向性結合器４８の上記光変調
器４４側に供給される直流バイアスを変化させても、上
記光変調器４２に影響を与えないで、変調器駆動信号の
出力ハイレベルの調整が可能となる。
能とするための技術を提供することにある。 【解決手段】 光変調器と変調器駆動ＩＣ４２とを結合
するためのストリップ線路方向性結合器４８を設け、こ
のストリップ線路方向性結合器４８によって、上記光変
調器と上記変調器駆動ＩＣとを直流的に分離する。これ
により、ストリップ線路方向性結合器４８の上記光変調
器４４側に供給される直流バイアスを変化させても、上
記光変調器４２に影響を与えないで、変調器駆動信号の
出力ハイレベルの調整が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光送信モジュール
に関し、例えば光インターコネクションシステムに適用
して有効な技術に関する。
に関し、例えば光インターコネクションシステムに適用
して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気的な配線が通信性能向上のボトルネ
ックになっている。装置間あるいはボード間での信号の
やり取りを光によって行う技術は光インターコネクショ
ンと称され、高速高密度配線を実現するキーテクノロジ
ーとして、研究開発が活発である。
ックになっている。装置間あるいはボード間での信号の
やり取りを光によって行う技術は光インターコネクショ
ンと称され、高速高密度配線を実現するキーテクノロジ
ーとして、研究開発が活発である。
【０００３】光インターコネクション技術は、情報処理
装置の階層に応じて幅広い適用範囲を持ち、このため、
様々なシステム及びデバイス技術が必要である。近年で
は、光ファイバの広帯域、低損失、軽量、細径で耐ＥＭ
Ｉ性に優れ、接地フリーな配線に適した特性を利用し、
情報処理装置の高性能化、コンパクト化、スマート化を
図るため、固定接続、空間多重装置間・ボード間光イン
ターコネクトの研究開発が行われている。
装置の階層に応じて幅広い適用範囲を持ち、このため、
様々なシステム及びデバイス技術が必要である。近年で
は、光ファイバの広帯域、低損失、軽量、細径で耐ＥＭ
Ｉ性に優れ、接地フリーな配線に適した特性を利用し、
情報処理装置の高性能化、コンパクト化、スマート化を
図るため、固定接続、空間多重装置間・ボード間光イン
ターコネクトの研究開発が行われている。
【０００４】尚、光インターコネクト技術について記載
された文献の例としては、電子通信学会、信学技報、ED
95-58,OPE95-30,LQE95-34(1995-07)がある。
された文献の例としては、電子通信学会、信学技報、ED
95-58,OPE95-30,LQE95-34(1995-07)がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】１０Ｇｂｉｔ（ギガ・
ビット）／毎秒の速度で光通信を可能とする光送信モジ
ュールが試作されている。このモジュールには、半導体
レーザダイオードから出力されたレーザ光（連続光）を
通過／遮断する光変調器、及びこの光変調器を、送信す
べきデータに基づいて上記光変調器を駆動するための変
調器駆動ＩＣとが設けられる。この変調駆動ＩＣには、
出力段を形成するための差動回路と、この差動回路を駆
動するためのアンプとが設けられる。上記差動回路やア
ンプに用いられる素子には、高速動作可能なＧａＡｓ・
ＭＥＳ・ＦＥＴ(metal semiconductor FET)が適用され
る。
ビット）／毎秒の速度で光通信を可能とする光送信モジ
ュールが試作されている。このモジュールには、半導体
レーザダイオードから出力されたレーザ光（連続光）を
通過／遮断する光変調器、及びこの光変調器を、送信す
べきデータに基づいて上記光変調器を駆動するための変
調器駆動ＩＣとが設けられる。この変調駆動ＩＣには、
出力段を形成するための差動回路と、この差動回路を駆
動するためのアンプとが設けられる。上記差動回路やア
ンプに用いられる素子には、高速動作可能なＧａＡｓ・
ＭＥＳ・ＦＥＴ(metal semiconductor FET)が適用され
る。
【０００６】ところで、ギガ・ビット帯用の光変調器を
駆動するための変調器駆動ＩＣには、その出力信号を受
ける光変調器における論理スレッショルドとの関係で、
出力ハイレベルを、−０．１〜−０．６Ｖの範囲で調整
できることが要求される。
駆動するための変調器駆動ＩＣには、その出力信号を受
ける光変調器における論理スレッショルドとの関係で、
出力ハイレベルを、−０．１〜−０．６Ｖの範囲で調整
できることが要求される。
【０００７】このレベル調整は、変調器駆動ＩＣがパッ
ケージされた後に行われるから、ＩＣの外部に配置され
た可変抵抗器によって行えるのが望ましい。
ケージされた後に行われるから、ＩＣの外部に配置され
た可変抵抗器によって行えるのが望ましい。
【０００８】しかしながら、ギガ・ビット帯用の光変調
器と変調器駆動ＩＣとの間は、所定の特性インピーダン
スで整合されており、そこに可変抵抗器を設け、抵抗値
を変化させることは上記特性インピーダンスの不整合を
招来するおそれがある。従って、単純に可変抵抗器を設
けることで、変調器駆動信号のレベル調整を行うことが
できない。
器と変調器駆動ＩＣとの間は、所定の特性インピーダン
スで整合されており、そこに可変抵抗器を設け、抵抗値
を変化させることは上記特性インピーダンスの不整合を
招来するおそれがある。従って、単純に可変抵抗器を設
けることで、変調器駆動信号のレベル調整を行うことが
できない。
【０００９】本発明の目的は、変調器駆動信号のハイレ
ベルの調整を可能とするための技術を提供することにあ
る。
ベルの調整を可能とするための技術を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【００１１】すなわち、レーザ光を変調する光変調器
（４４）と、上記光変調器を駆動するための変調器駆動
回路（４２）とを含んで光インターコネクションシステ
ムが形成されるとき、上記光変調器と上記変調器駆動回
路とを結合するためのストリップ線路方向性結合器（４
８）を設ける。
（４４）と、上記光変調器を駆動するための変調器駆動
回路（４２）とを含んで光インターコネクションシステ
ムが形成されるとき、上記光変調器と上記変調器駆動回
路とを結合するためのストリップ線路方向性結合器（４
８）を設ける。
【００１２】上記した手段によれば、ストリップ線路方
向性結合器は、上記光変調器と上記変調器駆動回路とを
直流的に分離することができ、ストリップ線路方向性結
合器の上記光変調器側に供給される直流バイアスを変化
させても、上記光変調器に影響を与えない。このこと
が、変調器駆動回路の出力ハイレベルの調整を可能とす
る。
向性結合器は、上記光変調器と上記変調器駆動回路とを
直流的に分離することができ、ストリップ線路方向性結
合器の上記光変調器側に供給される直流バイアスを変化
させても、上記光変調器に影響を与えない。このこと
が、変調器駆動回路の出力ハイレベルの調整を可能とす
る。
【００１３】また、上記光変調器と上記変調器駆動回路
とを結合するためのストリップ線路方向性結合器（４
８）と、上記ストリップ線路方向性結合器の出力端子に
供給されるバイアス電圧を調整することにより論理信号
のハイレベルを調整可能なハイレベル調整回路（４９）
とを含んで光送信モジュールを形成することができる。
とを結合するためのストリップ線路方向性結合器（４
８）と、上記ストリップ線路方向性結合器の出力端子に
供給されるバイアス電圧を調整することにより論理信号
のハイレベルを調整可能なハイレベル調整回路（４９）
とを含んで光送信モジュールを形成することができる。
【００１４】上記ストリップ線路方向性結合器は、上記
変調器駆動回路に結合された第１線路（Ｌ１）と、上記
光変調器に結合された第２線路（Ｌ２）とが分布結合さ
れて成るものを適用することができる。
変調器駆動回路に結合された第１線路（Ｌ１）と、上記
光変調器に結合された第２線路（Ｌ２）とが分布結合さ
れて成るものを適用することができる。
【００１５】また、その場合において、上記第１線路の
一端を第１開口部（Ｍ１）、上記第１線路の他端を第２
開口部（Ｍ２）、上記第２線路における一端を第３開口
部（Ｍ３）、上記第２線路の他端を第４開口部（Ｍ４）
とするとき、上記第２開口部及び第３開口部にはそれぞ
れ所定の終端抵抗（１８，１９）を結合し、上記第１開
口部に上記変調器駆動回路を結合し、上記第４開口部に
上記光変調器及び上記レベル調整回路を結合することが
できる。
一端を第１開口部（Ｍ１）、上記第１線路の他端を第２
開口部（Ｍ２）、上記第２線路における一端を第３開口
部（Ｍ３）、上記第２線路の他端を第４開口部（Ｍ４）
とするとき、上記第２開口部及び第３開口部にはそれぞ
れ所定の終端抵抗（１８，１９）を結合し、上記第１開
口部に上記変調器駆動回路を結合し、上記第４開口部に
上記光変調器及び上記レベル調整回路を結合することが
できる。
【００１６】さらに、そのような光送信モジュールと、
当該モジュールから出力された光を伝達するための光フ
ァイバとを含んで光インターコネクションシステムを構
成することができる。
当該モジュールから出力された光を伝達するための光フ
ァイバとを含んで光インターコネクションシステムを構
成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図４には本発明にかかる光インタ
コネクションシステムの主要構成が示される。
コネクションシステムの主要構成が示される。
【００１８】図４に示される光インタコネクションシス
テムは、特に制限されないが、多重化器４１、変調器駆
動ＩＣ４２、レーザダイオード４３、変調器４４、光増
幅器４５を含んで成る光送信モジュール４０と、この光
送信モジュール４０から出力された光信号を図示されな
い受信モジュールにまで伝達するための光ファイバ４６
を含む。
テムは、特に制限されないが、多重化器４１、変調器駆
動ＩＣ４２、レーザダイオード４３、変調器４４、光増
幅器４５を含んで成る光送信モジュール４０と、この光
送信モジュール４０から出力された光信号を図示されな
い受信モジュールにまで伝達するための光ファイバ４６
を含む。
【００１９】多重化器４１は、特に制限されないが、
２．４Ｇｂ／毎秒の信号４チャンネル分のデータ多重化
処理を行う。この多重化器４１で多重化された信号は、
後段の変調器駆動ＩＣ４２に伝達される。変調器駆動Ｉ
Ｃ４２の出力端子にはストリップ線路方向性結合器４８
が設けられ、このストリップ線路方向性結合器４８を介
して光変調器４４が結合される。変調器駆動ＩＣ４２
は、上記多重化器４１から伝達された信号に基づいて上
記光変調器４４を駆動する。光変調器４４では、レーザ
ダイオード４３から出力されたレーザ光を、変調器駆動
ＩＣ４２の出力信号に基づいて変調する。変調されたレ
ーザ光は後段の光増幅器４５で増幅されてから、光伝送
路である光ファイバ４６に伝達される。図示されない
が、この光ファイバ４６の他端側には光受信モジュール
が配置され、光ファイバ４６を介して伝達された光信号
が、そこで復調されるようになっている。
２．４Ｇｂ／毎秒の信号４チャンネル分のデータ多重化
処理を行う。この多重化器４１で多重化された信号は、
後段の変調器駆動ＩＣ４２に伝達される。変調器駆動Ｉ
Ｃ４２の出力端子にはストリップ線路方向性結合器４８
が設けられ、このストリップ線路方向性結合器４８を介
して光変調器４４が結合される。変調器駆動ＩＣ４２
は、上記多重化器４１から伝達された信号に基づいて上
記光変調器４４を駆動する。光変調器４４では、レーザ
ダイオード４３から出力されたレーザ光を、変調器駆動
ＩＣ４２の出力信号に基づいて変調する。変調されたレ
ーザ光は後段の光増幅器４５で増幅されてから、光伝送
路である光ファイバ４６に伝達される。図示されない
が、この光ファイバ４６の他端側には光受信モジュール
が配置され、光ファイバ４６を介して伝達された光信号
が、そこで復調されるようになっている。
【００２０】上記ストリップ線路方向性結合器４８に
は、ハイレベル調整回路４９が結合され、このハイレベ
ル調整回路４９において、変調器駆動ＩＣ４２からの出
力ハイレベルを、−０．１〜−０．６Ｖの範囲で調整で
きるようになっている。
は、ハイレベル調整回路４９が結合され、このハイレベ
ル調整回路４９において、変調器駆動ＩＣ４２からの出
力ハイレベルを、−０．１〜−０．６Ｖの範囲で調整で
きるようになっている。
【００２１】図１には上記変調器駆動ＩＣ４２の構成例
が示される。
が示される。
【００２２】変調器駆動ＩＣ４２は、特に制限されない
が、変調器４４を駆動するための差動回路２１と、この
差動回路２１を駆動するためのアンプ１１とを含む。
が、変調器４４を駆動するための差動回路２１と、この
差動回路２１を駆動するためのアンプ１１とを含む。
【００２３】差動回路２１は、差動結合されたＧａＡｓ
・ＭＥＳ・ＦＥＴ（「ＦＥＴ」と略記する）１４，１５
と、それの定電流源を形成する定電流源ＦＥＴ１６と、
負荷抵抗１２，１３とを含んで成る。ＦＥＴ１４，１５
のドレイン電極は、それぞれ抵抗１２，１３を介してグ
ランドＧＮＤに結合される。また、ＦＥＴ１４，１５の
ソース電極は、定電流源を形成するＦＥＴ１６に共通接
続され、さらにこのＦＥＴ１６を介して低電位側電源Ｖ
ｓｓに結合される。ＦＥＴ１６のゲート電極には、端子
Ｔ６を介して所定のバイアス電圧ＶＢが供給される。Ｆ
ＥＴＱ３，ＦＥＴＱ４のドレイン電極から出力端子Ｔ
３，Ｔ４が引き出される。出力端子Ｔ４は変調器４４を
駆動するためにストリップ線路方向性結合器４８に結合
され、出力端子Ｔ３は変調器駆動信号のモニタ用とされ
る。
・ＭＥＳ・ＦＥＴ（「ＦＥＴ」と略記する）１４，１５
と、それの定電流源を形成する定電流源ＦＥＴ１６と、
負荷抵抗１２，１３とを含んで成る。ＦＥＴ１４，１５
のドレイン電極は、それぞれ抵抗１２，１３を介してグ
ランドＧＮＤに結合される。また、ＦＥＴ１４，１５の
ソース電極は、定電流源を形成するＦＥＴ１６に共通接
続され、さらにこのＦＥＴ１６を介して低電位側電源Ｖ
ｓｓに結合される。ＦＥＴ１６のゲート電極には、端子
Ｔ６を介して所定のバイアス電圧ＶＢが供給される。Ｆ
ＥＴＱ３，ＦＥＴＱ４のドレイン電極から出力端子Ｔ
３，Ｔ４が引き出される。出力端子Ｔ４は変調器４４を
駆動するためにストリップ線路方向性結合器４８に結合
され、出力端子Ｔ３は変調器駆動信号のモニタ用とされ
る。
【００２４】上記アンプ１１は、反転出力端子Ｔ１及び
非反転出力端子Ｔ２を有し、入力端子Ｔ１，Ｔ２から入
力された信号に基づいて上記差動回路２１を駆動する。
非反転出力端子Ｔ２を有し、入力端子Ｔ１，Ｔ２から入
力された信号に基づいて上記差動回路２１を駆動する。
【００２５】次に、ストリップ線路方向性結合器４８に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２６】ストリップ線路方向性結合器４８は、図２
に拡大して示されるように、ボード上に形成された２本
のストリップ線路Ｌ１，Ｌ２がλ／４（λは波長）程度
の間隔にわたって分布結合することにより形成されてい
る。ストリップ線路Ｌ２の中央部が屈曲形成されて、ス
トリップ線Ｌ１と結合するためのλ／４程度の結合部が
形成される。開口部Ｍ１からマイクロ波が入射すると
き、結合線路の中央で電界が、紙面と直交する方向に最
大になっている瞬間を考える。磁界はこのとき、ストリ
ップ線路Ｌ１を取り巻いているので、ストリップ線路Ｌ
２の電界は、反対称となる。一方、ストリップ線路Ｌ１
の電界より直接静電誘導される電界は左右対称であるか
ら、結局、電磁波は開口部Ｍ４に現れて開口部Ｍ３へは
出力されない。開口部Ｍ１は端子Ｔ４を介して変調器駆
動ＩＣ４２が結合される。開口部Ｍ２，Ｍ３は、それぞ
れ特性インピーダンス５０Ωの抵抗器１８，１９によっ
て終端されている。開口部Ｍ４は端子Ｔ７を介してレベ
ル調整回路４９に結合され、また、端子Ｔ５を介して光
変調器４４に結合される。つまり、開口部Ｍ１に変調器
駆動ＩＣ４２からのマイクロ波が与えられると、それに
応じて開口部Ｍ４に信号が誘起されて、それが、光変調
器４４へ伝達される。変調器駆動ＩＣ４２と光変調器４
４とは、ストリップ線路方向性結合器４８により高周波
的には結合されているが、直流的には結合されない。こ
のため、マイクロ波の信号伝達は行い得るが、開口部Ｍ
４における直流的なレベルの変化は、開口部Ｍ１に何等
影響を与えない。
に拡大して示されるように、ボード上に形成された２本
のストリップ線路Ｌ１，Ｌ２がλ／４（λは波長）程度
の間隔にわたって分布結合することにより形成されてい
る。ストリップ線路Ｌ２の中央部が屈曲形成されて、ス
トリップ線Ｌ１と結合するためのλ／４程度の結合部が
形成される。開口部Ｍ１からマイクロ波が入射すると
き、結合線路の中央で電界が、紙面と直交する方向に最
大になっている瞬間を考える。磁界はこのとき、ストリ
ップ線路Ｌ１を取り巻いているので、ストリップ線路Ｌ
２の電界は、反対称となる。一方、ストリップ線路Ｌ１
の電界より直接静電誘導される電界は左右対称であるか
ら、結局、電磁波は開口部Ｍ４に現れて開口部Ｍ３へは
出力されない。開口部Ｍ１は端子Ｔ４を介して変調器駆
動ＩＣ４２が結合される。開口部Ｍ２，Ｍ３は、それぞ
れ特性インピーダンス５０Ωの抵抗器１８，１９によっ
て終端されている。開口部Ｍ４は端子Ｔ７を介してレベ
ル調整回路４９に結合され、また、端子Ｔ５を介して光
変調器４４に結合される。つまり、開口部Ｍ１に変調器
駆動ＩＣ４２からのマイクロ波が与えられると、それに
応じて開口部Ｍ４に信号が誘起されて、それが、光変調
器４４へ伝達される。変調器駆動ＩＣ４２と光変調器４
４とは、ストリップ線路方向性結合器４８により高周波
的には結合されているが、直流的には結合されない。こ
のため、マイクロ波の信号伝達は行い得るが、開口部Ｍ
４における直流的なレベルの変化は、開口部Ｍ１に何等
影響を与えない。
【００２７】図３にはレベル調整回路４９の構成例が示
される。
される。
【００２８】ＦＥＴ３３とＦＥＴ３４とは、それらのソ
ース電極が定電流源用ＦＥＴ３５を介して低電位側電源
Ｖｓｓに結合されることで差動結合される。定電流源用
ＦＥＴ３５のゲート電極には、端子Ｔ３３を介して所定
のバイアス電圧が供給されるようになっている。
ース電極が定電流源用ＦＥＴ３５を介して低電位側電源
Ｖｓｓに結合されることで差動結合される。定電流源用
ＦＥＴ３５のゲート電極には、端子Ｔ３３を介して所定
のバイアス電圧が供給されるようになっている。
【００２９】ＦＥＴ３３のドレイン電極はグランドＧＮ
Ｄに結合される。ＦＥＴ３４のドレイン電極は端子Ｔ７
を介してストリップ線路方向性結合器４８の開口部Ｍ４
に結合される。グランドＧＮＤと低電位側電源Ｖｓｓと
の間に抵抗３１と抵抗３２とが直列接続され、この直列
接続ノードの電位がＦＥＴ３３のゲート電極に供給され
るようになっている。また、ＦＥＴ３３のゲート電極に
は端子Ｔ３１を介して可変抵抗器３８の摺動端子が結合
される。可変抵抗器３８の一端はグランドＧＮＤに結合
され、他端は低電位側電源Ｖｓｓに結合される。グラン
ドＧＮＤと低電位側電源Ｖｓｓとの間に抵抗３６と抵抗
３７とが直列接続され、この直列接続ノードの電位がＦ
ＥＴ３４のゲート電極に供給されるようになっている。
可変抵抗器３８の摺動端子を動かすことにより、ＦＥＴ
３３のゲート電位を制御することができる。ＦＥＴ３３
のゲート電位の制御により、端子Ｔ７の電位レベルが、
−０．１〜−０．６Ｖの範囲で制御される。
Ｄに結合される。ＦＥＴ３４のドレイン電極は端子Ｔ７
を介してストリップ線路方向性結合器４８の開口部Ｍ４
に結合される。グランドＧＮＤと低電位側電源Ｖｓｓと
の間に抵抗３１と抵抗３２とが直列接続され、この直列
接続ノードの電位がＦＥＴ３３のゲート電極に供給され
るようになっている。また、ＦＥＴ３３のゲート電極に
は端子Ｔ３１を介して可変抵抗器３８の摺動端子が結合
される。可変抵抗器３８の一端はグランドＧＮＤに結合
され、他端は低電位側電源Ｖｓｓに結合される。グラン
ドＧＮＤと低電位側電源Ｖｓｓとの間に抵抗３６と抵抗
３７とが直列接続され、この直列接続ノードの電位がＦ
ＥＴ３４のゲート電極に供給されるようになっている。
可変抵抗器３８の摺動端子を動かすことにより、ＦＥＴ
３３のゲート電位を制御することができる。ＦＥＴ３３
のゲート電位の制御により、端子Ｔ７の電位レベルが、
−０．１〜−０．６Ｖの範囲で制御される。
【００３０】上記した例によれば、以下の作用効果を得
ることができる。
ることができる。
【００３１】（１）光変調器４４と変調器駆動ＩＣ４２
とを結合するためのストリップ線路方向性結合器４８が
設けられているので、ストリップ線路方向性結合器によ
って、上記光変調器と上記変調器駆動ＩＣとが直流的に
分離されている。このため、ストリップ線路方向性結合
器４８の上記光変調器４４側に供給される直流バイアス
を変化させても、上記光変調器４２の特性に影響を与え
ないで、変調器駆動信号のハイレベルの調整が可能とな
る。
とを結合するためのストリップ線路方向性結合器４８が
設けられているので、ストリップ線路方向性結合器によ
って、上記光変調器と上記変調器駆動ＩＣとが直流的に
分離されている。このため、ストリップ線路方向性結合
器４８の上記光変調器４４側に供給される直流バイアス
を変化させても、上記光変調器４２の特性に影響を与え
ないで、変調器駆動信号のハイレベルの調整が可能とな
る。
【００３２】（２）上記光変調器４４と上記変調器駆動
ＩＣ４２とを結合するためのストリップ線路方向性結合
器４８と、上記ストリップ線路方向性結合器の出力端子
に供給されるバイアス電圧を調整することにより論理信
号のハイレベルを調整可能なハイレベル調整回路４９と
を含むことにより、このハイレベル調整回路４９を操作
することで、上記光変調器４２に影響を与えることな
く、変調器駆動信号のハイレベルの調整を行うことがで
きる。
ＩＣ４２とを結合するためのストリップ線路方向性結合
器４８と、上記ストリップ線路方向性結合器の出力端子
に供給されるバイアス電圧を調整することにより論理信
号のハイレベルを調整可能なハイレベル調整回路４９と
を含むことにより、このハイレベル調整回路４９を操作
することで、上記光変調器４２に影響を与えることな
く、変調器駆動信号のハイレベルの調整を行うことがで
きる。
【００３３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３４】例えば、レーザダイオード４３と光変調器
４４とが一体的に構成される場合があるが、その場合に
おいても、本発明を適用することができる。
４４とが一体的に構成される場合があるが、その場合に
おいても、本発明を適用することができる。
【００３５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である光イン
ターコネクションシステムに適用した場合について説明
したが、本発明はそれに限定されるものではなく、各種
光通信装置に広く適用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野である光イン
ターコネクションシステムに適用した場合について説明
したが、本発明はそれに限定されるものではなく、各種
光通信装置に広く適用することができる。
【００３６】本発明は、少なくともレーザ光を変調する
光変調器と、この光変調器を駆動するための変調器駆動
ＩＣとを含むことを条件に適用することができる。
光変調器と、この光変調器を駆動するための変調器駆動
ＩＣとを含むことを条件に適用することができる。
【００３７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【００３８】すなわち、光変調器と変調器駆動回路とを
結合するためのストリップ線路方向性結合器が設けられ
ているので、ストリップ線路方向性結合器によって、上
記光変調器と上記変調器駆動回路とが直流的に分離さ
れ、ストリップ線路方向性結合器の上記光変調器側に供
給される直流バイアスを変化させても、上記光変調器に
影響を与えないで、変調器駆動回路の出力ハイレベルの
調整が可能となる。
結合するためのストリップ線路方向性結合器が設けられ
ているので、ストリップ線路方向性結合器によって、上
記光変調器と上記変調器駆動回路とが直流的に分離さ
れ、ストリップ線路方向性結合器の上記光変調器側に供
給される直流バイアスを変化させても、上記光変調器に
影響を与えないで、変調器駆動回路の出力ハイレベルの
調整が可能となる。
【００３９】上記光変調器と上記変調器駆動回路とを結
合するためのストリップ線路方向性結合器と、上記スト
リップ線路方向性結合器の出力端子に供給されるバイア
ス電圧を調整することにより論理信号のハイレベルを調
整可能なハイレベル調整回路とを含んで光インターコネ
クションシステムを形成することにより、上記光変調器
に影響を与えないで、変調器駆動信号のハイレベルの調
整を行うことができる。
合するためのストリップ線路方向性結合器と、上記スト
リップ線路方向性結合器の出力端子に供給されるバイア
ス電圧を調整することにより論理信号のハイレベルを調
整可能なハイレベル調整回路とを含んで光インターコネ
クションシステムを形成することにより、上記光変調器
に影響を与えないで、変調器駆動信号のハイレベルの調
整を行うことができる。
【図１】本発明にかかる光インターコネクションシステ
ムにおける主要部の構成例回路図である。
ムにおける主要部の構成例回路図である。
【図２】上記光インターコネクションシステムに含まれ
るストリップ線路方向性結合器の拡大説明図である。
るストリップ線路方向性結合器の拡大説明図である。
【図３】上記光インターコネクションシステムに含まれ
るレベル調整回路の構成例回路図である。
るレベル調整回路の構成例回路図である。
【図４】上記光インターコネクションシステムにおける
送信系の全体的な構成例ブロック図である。
送信系の全体的な構成例ブロック図である。
４０ 光送信モジュール ４１ 多重化器 ４２ 変調器駆動ＩＣ ４３ レーザダイオード ４４ 光変調器 ４５ 光増幅器 ４８ ストリップ線路方向性結合器 ４９ レベル調整回路 Ｌ１，Ｌ２ ストリップ線路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/06
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ光を変調する光変調器と、上記光
変調器を駆動するための変調器駆動回路とを含む光送信
モジュールにおいて、 上記光変調器と上記変調器駆動回路とを結合するための
ストリップ線路方向性結合器を含むことを特徴とする光
送信モジュール。 - 【請求項２】 レーザ光を変調する光変調器と、上記光
変調器を駆動するための変調器駆動回路とを含む光送信
モジュールにおいて、 上記光変調器と上記変調器駆動回路とを結合するための
ストリップ線路方向性結合器と、 上記ストリップ線路方向性結合器の出力端子に供給され
るバイアス電圧を調整することにより論理信号のハイレ
ベルを調整可能なハイレベル調整回路と、を含むことを
特徴とする光送信モジュール。 - 【請求項３】 上記ストリップ線路方向性結合器は、上
記変調器駆動回路に結合された第１線路と、上記光変調
器に結合された第２線路とが分布結合されて成る請求項
１又は２記載の光送信モジュール。 - 【請求項４】 上記ストリップ線路方向性結合器は、上
記変調器駆動回路に結合された第１線路と、上記光変調
器に結合された第２線路とが分布結合され、上記第１線
路の一端を第１開口部、上記第１線路の他端を第２開口
部、上記第２線路における一端を第３開口部、上記第２
線路の他端を第４開口部とするとき、 上記第２開口部及び第３開口部にはそれぞれ所定の終端
抵抗が結合され、 上記第１開口部に上記変調器駆動回路が結合され、 上記第４開口部に上記光変調器及び上記レベル調整回路
が結合されて成る請求項１又は２記載の光送信モジュー
ル。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の光
送信モジュールと、上記光送信モジュールから出力され
た光を伝達するための光ファイバとを含んで成る光イン
ターコネクションシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175484A JP2000010057A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 光送信モジュール及び光インターコネクションシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175484A JP2000010057A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 光送信モジュール及び光インターコネクションシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000010057A true JP2000010057A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15996857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10175484A Withdrawn JP2000010057A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | 光送信モジュール及び光インターコネクションシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000010057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015215555A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 日本電信電話株式会社 | 光送信器及び光送信器の制御方法 |
-
1998
- 1998-06-23 JP JP10175484A patent/JP2000010057A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015215555A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 日本電信電話株式会社 | 光送信器及び光送信器の制御方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |