JP2000008190A - Electroplated base - Google Patents

Electroplated base

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JP2000008190A
JP2000008190A JP10179074A JP17907498A JP2000008190A JP 2000008190 A JP2000008190 A JP 2000008190A JP 10179074 A JP10179074 A JP 10179074A JP 17907498 A JP17907498 A JP 17907498A JP 2000008190 A JP2000008190 A JP 2000008190A
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JP
Japan
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electroplating
plating base
substrate
metal
thickness
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JP10179074A
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Kenji Sato
健治 佐藤
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Tokin Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electroplated base which is manufactured with an easy operation, is excellent in yield and is high in reliability. SOLUTION: In the electroplated base 1 incorporating a base body 11, the plating base 13 consisting of 2 or more kinds of metallic films laminated on the base body 11 and a metallic layer 14 formed on the plating base 13 by electroplating, a metal constituting the uppermost layer 13b on the plating base 13 is a same metal as the metallic layer 14, the thickness of the plating base 13 is <=1/2 of the thickness of the metallic layer 14, and further, the plating base 13 is exposed on the outer circumferential edge part of the base body 11.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気部品(表面実
装部品、リード部品)の基礎部品と成る電気メッキ基板
に属し、更に詳しくは、製造プロセスにメッキプロセス
を用いたインダクタ(L)、キャパシタ(C)、抵抗素
子(R)等の単一素子部品、又はEMIフィルタ、コモ
ンモードチョークコイル、カレントセンサ、信号トラン
ス等の複合素子部品等に用いられる電気メッキ基板に属
し、特に、メッキ下地に特徴を有する電気メッキ基板に
属する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroplating substrate serving as a basic component of an electric component (surface mount component, lead component), and more particularly, to an inductor (L) and a capacitor using a plating process in a manufacturing process. (C), a single element component such as a resistance element (R), or an electroplating substrate used for a composite element component such as an EMI filter, a common mode choke coil, a current sensor, a signal transformer, etc. It belongs to the electroplating substrate having the characteristic.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来の電気メッキ基板の一例を示
し、(a)は平面図、(b)は(a)に示すC部の拡大
図、(c)は(b)に示すD−D線での断面図である。
2. Description of the Related Art FIGS. 3A and 3B show an example of a conventional electroplating substrate, wherein FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is an enlarged view of a portion C shown in FIG. It is sectional drawing in the -D line.

【0003】従来、図3に示すCuの電気メッキ基板1
が知られている。この従来の電気メッキ基板1では、基
板本体11上に絶縁樹脂層12を作成し、この絶縁樹脂
層12上にスパッタ法によってCr−Pdから成るメッ
キ下地19(Cr層を19aで示し、Pd層を19bで
示す)を形成し、このメッキ下地19上にレジスト2を
塗布し、これを露光等により所定形状に硬化させること
で、回路素子のメタルパターンや接点を形成するための
パターン2aを形成し、この所定形状のパターン2aを
有するレジスト2をマスクとして、メッキ下地19上に
Cuの電気メッキを行ってメタルパターン等のメタル層
14を形成している。
Conventionally, a Cu electroplated substrate 1 shown in FIG.
It has been known. In this conventional electroplating substrate 1, an insulating resin layer 12 is formed on a substrate body 11, and a plating base 19 made of Cr-Pd is formed on the insulating resin layer 12 by a sputtering method (Cr layer is indicated by 19a, Pd layer is indicated by 19a). Is indicated by 19b), a resist 2 is applied on the plating base 19, and the resist 2 is cured into a predetermined shape by exposure or the like to form a pattern 2a for forming a metal pattern or a contact of a circuit element. Then, using the resist 2 having the pattern 2a of a predetermined shape as a mask, the electroplating of Cu is performed on the plating base 19 to form a metal layer 14 such as a metal pattern.

【0004】また、従来、メッキ下地19を覆うレジス
ト2(図3(a)においてハッチングで示す部分)は、
電気メッキ基板1の外周縁部において、所定間隔に除去
されている。これにより、メッキ下地19が、電気メッ
キ基板1の外周縁部において部分的に露出しており、こ
の露出した部分は、電気メッキ時に一方の電極に接続さ
れる端子と成る。
Conventionally, a resist 2 (a portion shown by hatching in FIG. 3A) covering a plating base 19 is
At the outer peripheral edge of the electroplating substrate 1, it is removed at predetermined intervals. As a result, the plating base 19 is partially exposed at the outer peripheral edge of the electroplating substrate 1, and this exposed portion becomes a terminal connected to one electrode during electroplating.

【0005】尚、レジスト2は、Cuメタルパターン形
成時のみ使用され、電気メッキ後、除去される。また、
レジスト除去により露出した未電気メッキ部のメッキ下
地19もドライエッチング又はウェットエッチングにて
除去される。
The resist 2 is used only when a Cu metal pattern is formed, and is removed after electroplating. Also,
The plating base 19 of the non-electroplated portion exposed by removing the resist is also removed by dry etching or wet etching.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メッキ
下地と成るCr−Pdは、スパッタのコストが高く、か
つレジスト除去により露出した未電気メッキ部のドライ
エッチングについては、設備が高額であり、また、Cr
−Pdのウェットエッチングについては危険性の高い薬
品を使用するので作業性、安全性が低いと言う欠点があ
った。
However, Cr-Pd as a plating base is expensive in spattering, and the equipment for dry etching of the non-electroplated portion exposed by removing the resist is expensive. Cr
The wet etching of -Pd has a drawback that workability and safety are low because a highly dangerous chemical is used.

【0007】更に、Cuの電気メッキによって得られる
メタルパターン厚みのバラツキが20%程度あり、電気
特性のバラツキが大きく、電気特性の信頼性が低いと言
う欠点があった。
Further, there is a disadvantage that the variation in the thickness of the metal pattern obtained by the electroplating of Cu is about 20%, the variation in the electrical characteristics is large, and the reliability of the electrical characteristics is low.

【0008】そこで本発明の技術的課題は、製造が容易
で歩留まりに優れ、かつ信頼性の高い電気メッキ基板を
提供することにある。
Therefore, a technical object of the present invention is to provide an electroplated substrate which is easy to manufacture, has excellent yield, and has high reliability.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板本
体と、該基板本体上に積層された2種以上の金属膜から
成るメッキ下地と、該メッキ下地上に電気メッキにて形
成されたメタル層とを含む電気メッキ基板において、前
記メッキ下地の最上層と成る金属は、前記メタル層と同
じ金属であり、前記メッキ下地の厚みは、前記メタル層
の厚みの1/2以下であり、更に、前記メッキ下地は、
前記基板本体の外周縁部の全周で露出していることを特
徴とする電気メッキ基板が得られる。
According to the present invention, a substrate body, a plating base made of two or more metal films laminated on the substrate body, and an electroplating formed on the plating base. In the electroplating substrate including the metal layer, the metal serving as the uppermost layer of the plating base is the same metal as the metal layer, and the thickness of the plating base is 以下 or less of the thickness of the metal layer. And further, the plating base is:
An electroplated substrate is obtained, which is exposed all around the outer peripheral edge of the substrate body.

【0010】また、本発明によれば、前記メタル層がC
uであり、前記メッキ下地がTi−Cuであることを特
徴とする電気メッキ基板が得られる。
Further, according to the present invention, the metal layer is formed of C
u, and the plating base is Ti-Cu, thereby obtaining an electroplating substrate.

【0011】また、前記メッキ下地の厚みが、0.5μ
m以下であり、前記メタル層の厚みが、1.0μm以上
であることを特徴とする電気メッキ基板が得られる。
Further, the thickness of the plating base is 0.5 μm.
m or less, and the thickness of the metal layer is 1.0 μm or more.

【0012】更に、本発明によれば、上記電気メッキ基
板を用いて構成されたことを特徴とする電子部品が得ら
れる。
Further, according to the present invention, there is provided an electronic component characterized by being constructed using the above-mentioned electroplated substrate.

【0013】[0013]

【作用】Cr−Pd以外のメッキ下地を用いることによ
り、スパッタのコストと、レジスト除去後のエッチング
のコスト、作業性、及び安全性に対して著しく向上が図
られた。
By using a plating base other than Cr-Pd, the cost of sputtering and the cost, workability, and safety of etching after removal of the resist are significantly improved.

【0014】基板本体の外周縁部の全周においてメッキ
下地を露出させ、この露出部分を電気メッキの際の一方
の電極に接続される端子としたので、電気メッキによっ
て得られるメタルパターンの厚みのバラツキが低減し、
この結果、電気特性のバラツキも著しく向上し、電気特
性の信頼性の改善が図られた。
The plating base is exposed on the entire periphery of the outer peripheral edge of the substrate body, and this exposed portion is used as a terminal connected to one electrode during electroplating. Therefore, the thickness of the metal pattern obtained by electroplating is reduced. Variation is reduced,
As a result, the variation in the electrical characteristics was significantly improved, and the reliability of the electrical characteristics was improved.

【0015】上述の構成により、製造が容易で歩留まり
に優れ、かつ信頼性の高い電子部品を安価に提供するこ
とが可能と成った。
With the above-described structure, it has become possible to provide an electronic component which is easy to manufacture, has excellent yield and high reliability and is inexpensive.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】例えば、基板本体に電気メッキに
てCuのメタル層を形成する場合、メッキ下地をTi−
Cuとし、この最上層は、電気メッキを行うメタルと同
じCu金属であり、このメッキ下地の厚みを0.5μm
以下とし、電気メッキにて形成するメタル層の厚みを
1.0μm以上とし、メッキ下地及びメタル層のエッチ
ングとしてウェットエッチングを使用するようにした。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS For example, when a Cu metal layer is formed on a substrate body by electroplating, the plating base is made of Ti-
The uppermost layer is Cu metal which is the same as the metal to be electroplated.
In the following, the thickness of the metal layer formed by electroplating was set to 1.0 μm or more, and wet etching was used as the etching of the plating base and the metal layer.

【0017】Cuの電気メッキによって得られるメタル
層のパターン厚みのバラツキに対しては、メッキ下地を
基板本体の外周縁部の全周において露出させ、このメッ
キ下地の露出部分を一方の電極に接続される端子として
用いて電気メッキすることによりメタル層の厚みのバラ
ツキを防いだ。
With respect to the variation in the pattern thickness of the metal layer obtained by the electroplating of Cu, the plating base is exposed over the entire outer periphery of the substrate body, and the exposed portion of the plating base is connected to one electrode. The thickness of the metal layer was prevented from being varied by electroplating using the terminal as a terminal.

【0018】以下、具体的に本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

【0019】図1は本発明の一実施形態による電気メッ
キ基板を示し、(a)は平面図、(b)は(a)に示す
A部の拡大図、(c)は(b)に示すB−B線での断面
図である。
FIG. 1 shows an electroplating substrate according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a plan view, (b) is an enlarged view of a portion A shown in (a), and (c) is shown in (b). It is sectional drawing in the BB line.

【0020】電気メッキ基板1は、基板本体11と、こ
の基板本体11の上面に形成された絶縁樹脂12と、こ
の絶縁樹脂12の上面にスパッタ法により形成された複
数の金属膜から成るメッキ下地13とを有している。メ
ッキ下地13の上面は、レジスト2で覆われており、こ
のレジスト2には、電気メッキで得たい回路素子15
(絶縁樹脂12とメタルパターン14とから成る;図2
参照)のメタルパターン14を形成するためのパターン
2aが形成されている。
The electroplating substrate 1 includes a substrate main body 11, an insulating resin 12 formed on the upper surface of the substrate main body 11, and a plurality of metal films formed on the upper surface of the insulating resin 12 by sputtering. 13 are provided. The upper surface of the plating base 13 is covered with a resist 2, and the resist 2 has a circuit element 15 to be obtained by electroplating.
(Consisting of insulating resin 12 and metal pattern 14; FIG. 2
2) for forming the metal pattern 14 of FIG.

【0021】ここで、電気メッキでCuのメタルパター
ン(メタル層)14を形成するので、メッキ下地13の
最上層13bには、メタルパターン14と同じ金属であ
るCuを用いており、その下層13aには、Tiを用い
ている。また、電気メッキで形成するCuのメタルパタ
ーン14の厚みは、1.0μm以上であり、メッキ下地
13の厚みは、0.5μm以下としている。
Here, since the Cu metal pattern (metal layer) 14 is formed by electroplating, the same metal as that of the metal pattern 14 is used for the uppermost layer 13b of the plating base 13, and the lower layer 13a Is made of Ti. The thickness of the Cu metal pattern 14 formed by electroplating is 1.0 μm or more, and the thickness of the plating base 13 is 0.5 μm or less.

【0022】Ti−Cuのスパッタリングは、安価に行
うことができ、また、Ti−Cuから成るメッキ下地1
3のウェットエッチングは、安全な薬品を用いて行うこ
とができる。このように、製造コストと製造プロセス上
の作業性・安全性に対して改善が図られた。
The sputtering of Ti—Cu can be performed at a low cost, and the plating base 1 made of Ti—Cu can be used.
The wet etching of No. 3 can be performed using a safe chemical. In this way, improvements were made in manufacturing cost and workability and safety in the manufacturing process.

【0023】電気メッキ基板1には、上述のように、レ
ジスト2にて電気メッキで得たい回路素子15のメタル
パターン14を形成するためのパターン2aが形成てい
るが、更に、レジスト2は、基板本体11の外周縁部で
リング状に除去され、これにより、図1(a)に示すよ
うに、基板本体11の外周縁部の全周でメッキ下地13
が露出している。この基板本体11の外周縁部で露出し
たメッキ下地13は、電気メッキを行う際の陰極に接続
される端子と成る。このように、電気メッキを行う際の
陰極に接続される端子が、基板本体11の外周縁部の全
周に形成されているので、電気メッキ基板1の全体に均
等に電圧が印加され、メタルパターン14の厚みのバラ
ツキが低減される。このように、電気メッキ基板1に形
成された回路素子15のメタルパターン14の厚みのバ
ラツキを著しく低減することで、回路素子15の電気特
性のバラツキが低減し、かつ製品としての品質、信頼性
が向上した。
As described above, the pattern 2a for forming the metal pattern 14 of the circuit element 15 to be obtained by electroplating with the resist 2 is formed on the electroplating substrate 1; The ring is removed at the outer peripheral edge of the substrate main body 11, and as a result, as shown in FIG.
Is exposed. The plating base 13 exposed at the outer peripheral edge of the substrate body 11 serves as a terminal connected to a cathode when performing electroplating. As described above, since the terminals connected to the cathode during the electroplating are formed on the entire outer peripheral edge of the substrate main body 11, a voltage is uniformly applied to the entire electroplating substrate 1, and the metal is applied. Variations in the thickness of the pattern 14 are reduced. In this way, by significantly reducing the variation in the thickness of the metal pattern 14 of the circuit element 15 formed on the electroplating substrate 1, the variation in the electrical characteristics of the circuit element 15 is reduced, and the quality and reliability as a product are reduced. Improved.

【0024】尚、電気メッキ基板1では、メタルパター
ン14を形成した後に、レジスト除去が行われ、露出し
たメッキ下地13をエッチングしてメタルパターン14
と同形状にし、かつ絶縁樹脂12とメタルパターン14
の形成を繰り返して重畳させ、これにより回路素子15
が形成されることは言うまでもない。
In the electroplating substrate 1, after the metal pattern 14 is formed, the resist is removed, and the exposed plating base 13 is etched to remove the metal pattern 14.
The same shape as above, and the insulating resin 12 and the metal pattern 14
Are repeatedly superimposed to form a circuit element 15
Needless to say, is formed.

【0025】図2は図1に示す電気メッキ基板を用いて
構成した電子部品(EMIフィルタ)の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of an electronic component (EMI filter) constructed using the electroplated substrate shown in FIG.

【0026】上述のようにして形成した電気メッキ基板
1を、回路素子単位で切断し、この切断した電気メッキ
基板1′に外部電極端子部16を形成して電子部品10
0としてある。
The electroplated substrate 1 formed as described above is cut in units of circuit elements, and external electrode terminals 16 are formed on the cut electroplated substrate 1 ′ to form electronic components 10.
It is set to 0.

【0027】尚、本実施形態においては、電子部品10
0としてEMIフィルタを例示したが、インダクタ
(L)、キャパシタ(C)、抵抗素子(R)等の単一素
子部品、又はコモンモードチョークコイル、カレントセ
ンサ、信号トタンス等の複合素子部品等の電子部品(表
面実装部品、リード部品)の回路素子等にも適用できる
ことは明白であり、広くはメッキプロセス分野での有効
な手段である。
In this embodiment, the electronic component 10
Although an EMI filter is illustrated as 0, electronic devices such as a single element component such as an inductor (L), a capacitor (C), and a resistance element (R), or a composite element component such as a common mode choke coil, a current sensor, and a signal capacitance are used. It is obvious that the present invention can be applied to circuit elements of components (surface mount components, lead components) and the like, and is an effective means in the field of plating processes.

【0028】また、本実施形態では、メタル層がCuで
あるので、Ti−Cuのメッキ下地を組み合わせたが、
メタル層とメッキ下地の組合せとしては、これ以外に、
例えば、Niメタル層とTi−Niメッキ下地の組合せ
等がある。
In this embodiment, since the metal layer is made of Cu, a plating underlayer of Ti-Cu is combined.
Other than this, the combination of metal layer and plating base
For example, there is a combination of a Ni metal layer and a Ti-Ni plating base.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、基板本体に電気メッキにてメタル層を形成する場合
において、メッキ下地の最上層は電気メッキを行うメタ
ルと同じ金属とし、かつメッキ下地の厚みを、電気メッ
キにて形成するメタル層の厚みの1/2以下として、ウ
ェットエッチングすることで、製造コスト、製造プロセ
ス上の作業性、安全性に対して改善が図られ、なおか
つ、電気メッキ基板の外周縁部の全周にメッキ下地をリ
ング状に露出させることで回路素子のパターン厚みのバ
ラツキが低減し、この結果、電気特性のバラツキを抑え
ることが可能となり、製造が容易で歩留まりに優れ、品
質、信頼性の高い電子部品を安価に提供することができ
る。
As described above, according to the present invention, when a metal layer is formed on a substrate body by electroplating, the uppermost layer of the plating base is made of the same metal as the metal to be electroplated, and By reducing the thickness of the plating base to half or less of the thickness of the metal layer formed by electroplating, the wet etching is performed to improve the manufacturing cost, workability in the manufacturing process, and safety, and By exposing the plating base in a ring shape all around the outer peripheral edge of the electroplated substrate, the variation in the pattern thickness of the circuit element is reduced, and as a result, the variation in the electrical characteristics can be suppressed, and the manufacturing is easy. Thus, it is possible to provide an electronic component having excellent yield, high quality and high reliability at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態による電気メッキ基板を示
し、(a)は平面図、(b)は(a)に示すA部の拡大
図、(c)は(b)に示すB−B線での断面図である。
1A and 1B show an electroplating substrate according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 1A, and FIG. It is sectional drawing in the B line.

【図2】図1に示す電気メッキ基板を用いて構成した電
子部品の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of an electronic component configured using the electroplating substrate shown in FIG.

【図3】図3は従来の電気メッキ基板の一例を示し、
(a)は平面図、(b)は(a)に示すC部の拡大図、
(c)は(b)に示すD−D線での断面図である。
FIG. 3 shows an example of a conventional electroplated substrate,
(A) is a plan view, (b) is an enlarged view of a portion C shown in (a),
(C) is a sectional view taken along line DD shown in (b).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電気メッキ基板 11 基板本体 12 絶縁樹脂 13 メッキ下地(Ti−Cu) 13a 最下層(Ti層) 13b 最上層(Cu層) 14 メタルパターン(メタル層) 15 回路素子 16 外部電極 100 電子部品 2 レジスト 2a パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electroplating board 11 Substrate main body 12 Insulating resin 13 Plating base (Ti-Cu) 13a Lowermost layer (Ti layer) 13b Uppermost layer (Cu layer) 14 Metal pattern (metal layer) 15 Circuit element 16 External electrode 100 Electronic component 2 Resist 2a pattern

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板本体と、該基板本体上に積層された
2種以上の金属膜から成るメッキ下地と、該メッキ下地
上に電気メッキにて形成されたメタル層とを含む電気メ
ッキ基板において、 前記メッキ下地の最上層と成る金属は、前記メタル層と
同じ金属であり、 前記メッキ下地の厚みは、前記メタル層の厚みの1/2
以下であり、 更に、前記メッキ下地は、前記基板本体の外周縁部の全
周で露出していることを特徴とする電気メッキ基板。
1. An electroplating substrate comprising: a substrate body; a plating base made of two or more metal films laminated on the substrate body; and a metal layer formed by electroplating on the plating base. The metal serving as the uppermost layer of the plating base is the same metal as the metal layer, and the thickness of the plating base is の of the thickness of the metal layer.
The electroplating substrate according to claim 1, wherein the plating base is exposed all around an outer peripheral edge of the substrate body.
【請求項2】 前記メタル層がCuであり、前記メッキ
下地がTi−Cuであることを特徴とする請求項1記載
の電気メッキ基板。
2. The electroplating substrate according to claim 1, wherein said metal layer is Cu, and said plating underlayer is Ti-Cu.
【請求項3】 前記メッキ下地の厚みが、0.5μm以
下であり、前記メタル層の厚みが、1.0μm以上であ
ることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気メッキ
基板。
3. The electroplating substrate according to claim 1, wherein a thickness of the plating base is 0.5 μm or less, and a thickness of the metal layer is 1.0 μm or more.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか一つの請求項
に記載の電気メッキ基板を用いて構成されたことを特徴
とする電子部品。
4. An electronic component comprising the electroplated substrate according to claim 1. Description:
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8163637B2 (en) 2009-12-22 2012-04-24 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Forming impurity regions in silicon carbide devices

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