JP2000005709A - 基板洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多量の純水を使用することなく、基板を清浄
に洗浄処理することができる基板洗浄装置を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置１は、そこに貯留した純水
により基板Ｗを洗浄処理するための処理槽１１と、処理
槽１１内に供給ノズル１２を介して純水を供給するため
の純水供給路１３と、処理槽１１内に貯留された純水を
急速に排出するための排出口１４と、処理槽１１の上方
に配設された一対の蓋部材１５と、蓋部材１５に配設さ
れた純水ノズルを介して基板Ｗに純水を供給するための
純水供給路１６と、蓋部材１５に配設された窒素ガスノ
ズルを介して処理槽内１１に窒素ガスを供給するための
窒素ガス供給路１７とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を純水により洗浄処理する基板洗浄
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】このような基板洗浄装置としては、従来
より、ＱＤＲ（クイック・ダンプ・リンス）槽と呼称さ
れる急速排液リンス槽が使用されている。

【０００３】この急速排液リンス槽は、そこに貯留した
純水により基板を洗浄処理するための処理槽と、この処
理槽に純水を供給するための純水供給路と、処理槽から
純水を急速に排出するための比較的大径の排出口と、処
理槽内の基板の乾燥を防止するため基板に純水等の乾燥
防止液を供給するためのノズルとを備える。

【０００４】この急速排液リンス槽を使用して例えばシ
リコン製の基板の洗浄処理を行う場合においては、純水
供給路から処理槽に純水を供給し、純水を処理槽の上端
部からオーバフローさせた状態で、基板をこの純水中に
浸漬する。そして、一定時間経過後、処理槽内の純水を
排出口から急速に排出する。このとき、基板の乾燥を防
止するため、ノズルより、基板に対して純水等の乾燥防
止液を供給する。そして、上述した純水の供給と急速な
排出とを数回〜十回程度繰り返すことにより、基板を効
率的に洗浄処理する。

【０００５】このような急速排液リンス槽を使用した場
合においては、より少量の純水を使用して、高速に基板
を洗浄処理することが可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような急速排液リ
ンス槽を使用した洗浄処理においては、洗浄処理中にお
いて基板が大気と接触することから、基板が酸化し、こ
れに起因してパーティクルが発生するという問題が生ず
る。

【０００７】すなわち、一般にＳＣ１と呼称されるアン
モニアと過酸化水素を使用した薬液処理や、一般にＳＣ
２と呼称される塩酸と過酸化水素を使用した薬液処理を
行った後の基板は、親水性の酸化膜で覆われている。し
かしながら、この基板が大気中の酸素と接触した場合に
おいては、基板の表面に新たな酸化膜が生じ、この新た
な酸化膜がパーティクル発生の原因となる。また、フッ
酸を使用した薬液処理後の基板の表面はシリコンが露出
していることから、フッ酸による薬液処理後の基板が大
気と接触した場合においては、酸化膜が生じ、多量のパ
ーティクルが発生する。

【０００８】さらには、上述した酸化に起因するパーテ
ィクル発生の問題以外にも、大気中に含まれるパーティ
クルやガス等により、基板が汚染されるという問題も発
生する。

【０００９】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、多量の純水を使用することなく、基板
を清浄に洗浄処理することができる基板洗浄装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を純水により洗浄処理する基板洗浄装置であっ
て、そこに貯留した純水により基板を洗浄処理するため
の処理槽と、前記処理槽に純水を供給するための純水供
給手段と、前記処理槽から純水を排出するための排出手
段と、前記処理槽内の基板に乾燥防止液を供給するため
の乾燥防止液供給手段と、前記処理槽内に不活性ガスを
供給するための不活性ガス供給手段とを備えたことを特
徴とする。

【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記処理槽の上部を覆う遮蔽部材をさ
らに有する。

【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、前記遮蔽部材は、前記処理槽内に基板
を搬入し、あるいは、前記処理槽内から基板を搬出する
ための開放位置と、前記処理槽の上部を覆う遮蔽位置と
の間を移動可能な処理槽の蓋部材から構成される。

【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、前記乾燥防止液供給手段が前記蓋部材
に配設された乾燥防止液供給口を有すると共に、前記不
活性ガス供給手段が前記蓋部材に配設された不活性ガス
供給口を有する。

【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３いずれかに記載の発明において、前記乾燥防止液
供給手段より供給される乾燥防止液と前記不活性ガス供
給手段より供給される不活性ガスとを混合する混合室
と、前記混合室において混合された乾燥防止液と不活性
ガスの混合体を基板に供給するための混合体供給口とを
さらに備えている。

【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請
求項５いずれかに記載の発明において、前記処理槽内に
基板を薬液処理するための薬液を供給する薬液供給手段
をさらに備える。

【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至請
求項５いずれかに記載の発明において、前記処理槽の近
傍には、そこに貯留した薬液により基板を薬液処理する
ための薬液槽が配設されており、前記薬液槽において薬
液処理された基板に対し、前記処理槽において洗浄処理
を行う。

【００１７】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の発明において、前記薬液槽はエッチング液を貯留する
ものであり、前記薬液槽においてエッチング処理された
基板に対し、前記処理槽において洗浄処理を行う。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態
に係る基板洗浄装置１の概要図である。

【００１９】この基板処理装置１は、その外周にオーバ
フロー部１８を有し、そこに貯留した純水により基板Ｗ
を洗浄処理するための処理槽１１と、処理槽１１内に供
給ノズル１２を介して純水を供給するための純水供給路
１３と、処理槽１１内に貯留された純水を急速に排出す
るための処理槽１１の底部に形成された比較的大径の排
出口１４と、処理槽１１の上方に配設された一対の蓋部
材１５を介して基板Ｗに乾燥防止液としての純水を供給
するための純水供給路１６と、一対の蓋部材１５を介し
て処理槽内１１に不活性ガスとしての窒素ガスを供給す
るための窒素ガス供給路１７とを備える。

【００２０】純水供給路１３は、図示しない純水供給源
と接続されている。この純水供給路１３を通過した純水
は、処理槽１１の底部に配設された一対の供給ノズル１
２における多数の噴出口から、基板Ｗに向けて噴出され
る。そして、この純水は、基板Ｗを洗浄した後、処理槽
１１の上端部よりオーバフローする。基板Ｗは、この純
水の上昇流によって均一に洗浄される。

【００２１】基板Ｗの洗浄処理に供され、処理槽１１の
上端部からオーバフローした純水は、処理槽１１の外周
に形成されたオーバフロー部１８に一時的に貯留され
る。そして、オーバフロー部１８に一時的に貯留された
純水は、比抵抗計２０を通過した後、ドレインに排出さ
れる。

【００２２】なお、この比抵抗計２０は、基板Ｗの洗浄
に供された純水の比抵抗値を測定することにより、純水
の清浄度を測定し、この測定値に基づいて基板Ｗの洗浄
度を判断する目的で使用される。

【００２３】処理槽１１の底部に形成された排出口１４
は、電磁弁１９と接続されている。処理槽１１に貯留さ
れた純水を急速に排出する際には、この電磁弁１９を開
放する。これにより、処理槽１１内に貯留された純水
は、比較的大径の排出口１４を通過して、ドレインに急
速に排出される。

【００２４】次に、上述した蓋部材１５の構成について
説明する。

【００２５】この蓋部材１５は、処理槽１１の上部を覆
う遮蔽部材として機能するものであり、処理槽１１内に
基板Ｗを搬入し、あるいは、処理槽１１内から基板Ｗを
搬出するための図１において二点差線で示す開放位置
と、処理槽１１の上部を覆う図１において実線で示す遮
蔽位置との間を移動可能となっている。また、この蓋部
材１５は、蓋部材１５の開閉のために要するクリアラン
スを縮小するため、例えば実開平７−７１４１号公報に
記載されているように、蓋部材１５から下方に離れた位
置を回動中心として蓋部材１５の端部を下方に沈めつつ
回動させる図示しない回動機構と連結されている。

【００２６】図２は、蓋部材１５付近の部分断面図であ
る。

【００２７】この蓋部材１５は、上述した純水供給路１
６と連通する連通路２２に接続された純水ノズル２１
と、上述した窒素ガス供給路１７と連通する複数の連通
路２４に各々接続された複数の窒素ガスノズル２３とを
有する。この純水ノズル２１は、後述する処理槽１１か
らの純水の急速排出時に、処理槽１１内に配置された基
板Ｗに対して乾燥防止液としての純水を供給する純水供
給口として機能する。また、窒素ガスノズル２３は、後
述する処理槽１１からの純水の急速排出時に、処理槽１
１内に不活性ガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス
供給口として機能する。

【００２８】このように、蓋部材１５に純水ノズル２１
と窒素ガスノズル２３とを配設した構成を採用すること
により、処理槽１１と蓋部材１５からなる上下方向のス
ペースを小さくすることができ、基板洗浄装置１全体が
大型化することを防止することが可能となる。また、処
理槽１１に貯留される純水の液面と蓋部材１５の下面と
の距離を小さくすることが可能となるので、処理槽１１
内に供給する窒素ガスの量をより少なくすることが可能
となる。

【００２９】次に、この基板洗浄装置１による基板Ｗの
洗浄動作について説明する。

【００３０】先ず、基板Ｗを洗浄処理するに先立って、
純水供給路１３から供給ノズル１２を介して処理槽１１
内に純水を供給する。そして、純水が処理槽１１の上端
部からオーバフロー部１８へオーバフローすれば、処理
槽１１への純水の供給量を少量に切り替える。また、窒
素ガス供給路１７から蓋部材１５に形成された窒素ガス
ノズル２３を介して処理槽１１内に窒素ガスを供給し、
処理槽１１内における純水の上方の空間を窒素ガスでパ
ージする。

【００３１】この状態において、洗浄処理すべき基板Ｗ
が搬送されるまで待機する。なお、待機中においても、
供給ノズル１２からの純水の供給を継続するのは、純水
が汚染されることを防止するためである。

【００３２】前段の薬液処理工程から基板Ｗが搬送され
れば、蓋部材１５を図１において二点差線で示す開放位
置に移動させる。また、供給ノズル１２からの処理槽１
１内への純水の供給量を洗浄処理に必要な量まで増加さ
せる。そして、基板Ｗを処理槽１１内に搬送する。

【００３３】図３は、基板Ｗを処理槽１１内に搬送する
ための基板搬送機構としてのリフタ５１およびチャック
５２を示す説明図である。

【００３４】チャック５２は、複数枚の基板Ｗを一括し
て保持した状態で、前段の薬液処理工程から処理槽１１
の上方まで搬送するものである。また、リフタ５１は、
処理槽１１の上方においてチャック５２から複数枚の基
板Ｗを受け取り、これらの複数枚の基板Ｗを一括して支
持した状態で下降し、処理槽１１に貯留された純水中に
浸漬するものである。

【００３５】図３に示すリフタ５１およびチャック５２
を利用して複数枚の基板Ｗを純水中に浸漬するかわり
に、図４に示すチャック５５を利用して基板を純水中に
浸漬してもよい。図４に示すチャック５５は、複数枚の
基板Ｗを一括して挟持した状態で、前段の薬液処理工程
から処理槽１１の上方まで搬送した後、処理槽１１に貯
留された純水中に浸漬するものである。なお、図４にお
ける符号５４は、処理槽１１内において複数枚の基板Ｗ
を起立状態で支持するための支持部を示している。但
し、基板Ｗをチャック５５で支持したままの状態でチャ
ック５５を下降させて基板Ｗを純水中に浸漬して洗浄処
理する場合においては、この支持部５４は不要である。

【００３６】なお、上述したように、蓋部材１５に純水
ノズル２１と窒素ガスノズル２３とを配設した構成を採
用することにより、処理槽１１と蓋部材１５からなる上
下方向のスペースを小さくすることができる。このた
め、図３に示すリフタ５１およびチャック５２を使用し
て基板Ｗを処理槽１１内に搬送する場合においては、リ
フタ５１の昇降距離を小さくすることができる。従っ
て、リフタ５１の駆動源から伝わる振動によって、基板
Ｗの端縁とリフタ５１の表面とが摺動してパーティクル
が発生する現象を低減することが可能となる。同様に、
図４に示すチャック５５を使用して基板Ｗを処理槽１１
内に搬送する場合においては、チャック５５の長さを短
くすることができ、基板搬送機構を軽量化することがで
きる。また、チャック５５を短くできることから、基板
Ｗの搬送時に発生するチャック５５の振動を低減して、
基板Ｗの端縁とチャック５５の表面との摺動によるパー
ティクルの発生を低減することが可能となる。

【００３７】再度図１を参照して、基板Ｗが処理槽１１
内に搬送されれば、蓋部材１５を図１において実線で示
す遮蔽位置に再度移動させる。

【００３８】この状態で所定の時間が経過し、基板Ｗが
純水による上昇流で洗浄されれば、供給ノズル１２より
の純水の供給を停止すると共に、電磁弁１９を開放す
る。これにより、処理槽１１内に貯留された純水は、比
較的大径の排出口１４を通過して、ドレインに急速に排
出される。また、これと並行して、純水供給路１６から
純水ノズル２１を介して処理槽１１内の基板Ｗに純水を
供給することにより、純水排出時の基板Ｗの乾燥を防止
する。

【００３９】この純水の排出時においては、基板Ｗは純
水中に浸漬された状態から、純水の液面より上方に露出
された状態となる。しかしながら、処理槽１１内は、窒
素ガスノズル２３より供給された窒素ガスによりパージ
されているため、基板Ｗが酸素と接触することはない。
従って、基板Ｗの表面に酸化膜が生ずることや、基板Ｗ
にパーティクルが付着することを有効に防止することが
可能となる。

【００４０】処理槽１１内の純水が全て排出されれば、
再度、純水供給路１３から供給ノズル１２を介して処理
槽１１内に純水を供給し、基板Ｗを純水の上昇流により
洗浄する。このような動作を数回乃至十回程度繰り返
す。また、基板Ｗを純水の上昇流で洗浄しているとき
に、処理槽１１よりオーバフロー部１８にオーバフロー
した純水の比抵抗値を比抵抗計２０で測定し、この比抵
抗値が所定の値以上となれば、基板Ｗが十分に洗浄され
たものと判断する。そして、蓋部材１５を開放位置に移
動させると共に、図３に示すリフタ５１およびチャック
５２、または、図４に示すチャック５５を使用して、基
板Ｗを後段の基板乾燥装置に搬送する。

【００４１】なお、上述した基板Ｗの洗浄処理時におけ
る窒素ガスノズル２３からの窒素ガスの供給量は、処理
槽１１と蓋部材１５との間に形成される隙間の大きさ等
に基づいて決定すればよい。例えば、図１に示す処理槽
１１の場合においては、処理槽１１の外周に形成された
オーバフロー部１８の上端部と蓋部材１５の下面との隙
間を１ｃｍとし、オーバフロー部１８の外周を１００ｃ
ｍとした場合、窒素ガスノズル２３から処理槽１１内へ
の窒素ガスの供給量は、毎分５０リットル以上とするこ
とが好ましい。言い換えれば、処理槽１１と遮蔽部材と
しての蓋部材１５との間に形成される隙間の総面積１０
０平方ｃｍあたり毎分５０リットル以上とすることが好
ましい。

【００４２】また、この窒素ガスの単位時間当たりの供
給量は、上述した純水の排出工程においては、排出口１
４から排出される純水の単位時間当たりの排出量より大
きな値とする必要がある。純水の排出工程において、窒
素ガスの単位時間当たりの供給量が排出口１４からの純
水の単位時間当たりの排出量より小さな値となった場合
には、処理槽１１内に負圧が発生し、処理槽１１の外部
に存在する気体が処理槽１１内に侵入してしまうためで
ある。

【００４３】上述した実施の形態においては、純水の排
出工程において、処理槽１１内に純水と窒素ガスとを別
々に供給しているが、これらを混合した状態で処理槽内
に供給するようにしてもよい。図５はこのような実施形
態に係る蓋部材１５付近の部分断面図であり、図６はそ
の要部拡大図である。

【００４４】この実施の形態においては、純水供給路１
６と連通する連通路２２と窒素ガス供給路１７と連通す
る連通路２４とを、純水と窒素ガスとを混合して純水と
窒素ガスの混合体を形成するための混合室２６に接続
し、さらにこの混合室２６を混合体供給口としてのノズ
ル２５に接続した構成を有する。

【００４５】このような構成を採用した場合において
は、混合室２６内において純水が窒素ガスにより細かい
液滴にアトマイズされる。このため、基板Ｗに対して純
水を均一に噴霧することが可能となる。

【００４６】なお、このような構成を採用した場合にお
いて、基板Ｗに対して乾燥防止液としての純水を供給し
ない状態では、ノズル２５からは窒素ガスのみが噴出さ
れる。

【００４７】このように、蓋部材１５にノズル２５を配
設した構成を採用する場合においても、図２に示す実施
形態の場合と同様、処理槽１１と蓋部材１５からなる上
下方向のスペースを小さくすることができ、基板洗浄装
置１全体が大型化することを防止することが可能とな
る。また、処理槽１１に貯留される純水の液面と蓋部材
１５の下面との距離を小さくすることが可能となるの
で、図２に示す実施形態の場合と同様、処理槽１１内に
供給する窒素ガスの量をより少なくすることが可能とな
る。

【００４８】また、図２に示す実施形態の場合と同様、
図３に示すリフタ５１およびチャック５２を使用して基
板Ｗを処理槽１１内に搬送する場合においては、リフタ
５１の昇降距離を小さくすることができる。このため、
リフタ５１の駆動源から伝わる振動によって、基板Ｗの
端縁とリフタ５１の表面とが摺動してパーティクルが発
生する現象を低減することが可能となる。同様に、図４
に示すチャック５５を使用して基板Ｗを処理槽１１内に
搬送する場合においては、チャック５５の長さを短くす
ることができ、基板搬送機構を軽量化することができ
る。また、チャック５５短くできることから、基板Ｗの
搬送時に発生するチャック５５の振動を低減して、基板
Ｗの端縁とチャック５５の表面との摺動によるパーティ
クルの発生を低減することが可能となる。

【００４９】図７は、この基板洗浄装置１を、他の薬液
処理装置等と共に列設することにより、基板Ｗに一連の
処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。

【００５０】この基板処理ユニットは、基板Ｗに対して
ＳＣ１と呼称されるアンモニアと過酸化水素を使用した
薬液処理を行う薬液処理装置３と、フッ酸を使用した薬
液処理を行う薬液処理装置４と、ＳＣ２と呼称される塩
酸と過酸化水素を使用した薬液処理を行う薬液処理装置
５と、基板乾燥装置７との間に、各々、上述した基板洗
浄装置１を配設した構成を有する。

【００５１】この基板処理ユニットにおいては、前段の
処理工程から搬入された基板Ｗは、薬液処理装置３にお
いてアンモニアと過酸化水素により薬液処理され、薬液
処理装置３の右側に隣接する基板洗浄装置１において洗
浄処理され、薬液処理装置４においてフッ酸により薬液
処理され、薬液処理装置４の右側に隣接する基板洗浄装
置１において洗浄処理され、薬液処理装置５において塩
酸と過酸化水素により薬液処理され、薬液処理装置５の
右側に隣接する基板洗浄装置１において洗浄処理され、
さらに、基板乾燥装置７において乾燥処理されて搬出さ
れる。

【００５２】このような基板処理ユニットにおいては、
各薬液処理装置３、４、５の後に配設される基板洗浄装
置１の構成を共通化することにより、基板処理ユニット
全体の製造コストを削減することが可能となる。

【００５３】図８は、上述した基板洗浄装置１を、他の
薬液処理装置等と共に列設することにより、基板Ｗに一
連の処理を行う基板処理ユニットの他の実施形態を示す
平面概要図である。

【００５４】この基板処理ユニットにおいては、前段の
処理工程から搬入された基板Ｗは、基板Ｗに対してＳＣ
１と呼称されるアンモニアと過酸化水素を使用した薬液
処理を行う薬液処理装置３により薬液処理され、基板洗
浄装置１により洗浄処理され、フッ酸を使用した薬液処
理を行う薬液処理装置４により薬液処理され、基板洗浄
装置１により再度洗浄処理され、さらに、基板乾燥装置
７により乾燥処理されて搬出される。

【００５５】このような基板処理ユニットにおいては、
各薬液処理装置３、４による薬液処理後の洗浄処理を単
一の基板洗浄装置１により実行することで、基板処理ユ
ニットの占有面積を最小化し、また、基板処理ユニット
全体の製造コストを削減することが可能となる。

【００５６】次に、この発明の他の実施の形態について
説明する。図９はこの発明の第２実施形態に係る基板洗
浄装置２の概要図である。なお、上述した第１実施形態
と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説
明を省略する。

【００５７】この第２実施形態に係る基板洗浄装置２
は、基板Ｗの洗浄処理のみならず、基板Ｗの薬液処理を
も行うものである。すなわち、この基板洗浄装置２にお
いては、処理槽１１内に純水を供給するための純水供給
路１３中に、この純水供給路１３を通過する純水中に薬
液を混合するための薬液混合部３１を配設した点が、上
述した第１実施形態に係る基板洗浄装置１とは異なる。

【００５８】この薬液混合部３１は、複数の薬液導入弁
３２、３３、３４を介して、各々異なる薬液を貯留する
図示しない薬液タンクと接続されている。このため、各
薬液導入弁３２、３３、３４を選択的に開放することに
より、純水供給路１３を通過する純水中に必要な薬液を
混合し、この純水と薬液との混合物を供給ノズル１２を
介して処理槽１１中に供給することが可能となる。従っ
て、単一の処理槽１１中において、基板Ｗに対する複数
種の薬液を使用した薬液処理を実行することが可能とな
る。

【００５９】この基板洗浄装置２を利用して基板Ｗの薬
液処理と洗浄処理を行う場合においては、薬液混合部３
１により最初の薬液を純水中に混合して処理槽１１に供
給し、基板Ｗを処理槽１１に貯留された薬液と純水との
混合液中に浸漬することにより、基板Ｗに対する薬液処
理を実行する。そして、基板Ｗに対する最初の薬液での
薬液処理が終了すれば、純水中への薬液の混合を停止す
ると共に、上述した第１実施形態の場合と同様の動作に
より、基板Ｗの洗浄処理を実行する。

【００６０】基板Ｗの洗浄処理が終了すれば、薬液混合
部３１により次の薬液を純水中に混合して処理槽１１に
供給し、基板Ｗを処理槽１１に貯留された薬液と純水と
の混合液中に浸漬することにより、基板Ｗに対する第２
の薬液処理を実行する。そして、基板Ｗに対する次の薬
液での薬液処理が終了すれば、純水中への薬液の混合を
停止すると共に、再度、基板Ｗの洗浄処理を実行する。

【００６１】このような動作を繰り返すことにより、基
板Ｗに対する複数の薬液を利用しての薬液処理と洗浄処
理とを、処理槽１１内で実行することができる。このた
め、基板Ｗに対して複数の薬液を使用した薬液処理と洗
浄処理とを単一の処理槽１１内で実行することが可能と
なることから、これらの処理を実行するための基板処理
装置２の占有面積を最小化し、また、その製造コストを
削減することが可能となる。

【００６２】図１０は、３個の基板洗浄装置２を単一の
基板乾燥装置７と共に列設することにより、基板Ｗに一
連の処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。

【００６３】この基板処理ユニットにおいては、前段の
処理工程から搬入された基板Ｗは、３個の基板洗浄装置
２のいずれかにより、複数の薬液を使用した薬液処理と
洗浄処理とを施され、基板乾燥装置７により乾燥処理さ
れて搬出される。

【００６４】図１１は、２個の基板洗浄装置２を、２個
の高温薬液処理装置６と共に列設することにより、基板
Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの他の実施形態
を示す平面概要図である。

【００６５】この基板処理ユニットにおいては、前段の
処理工程から搬入された基板Ｗは、ＣＨＢ（ケミカル・
ホット・バス）と呼称される高温薬液処理装置６におい
て高温薬液処理された後、基板洗浄装置２により複数の
薬液を使用した薬液処理と洗浄処理とを施され、基板乾
燥装置７により乾燥処理された後、搬出される。

【００６６】上述の基板洗浄装置は、処理槽１１内の雰
囲気を窒素ガスによってパージしているので基板Ｗ上に
不要な酸化膜が生じない。このため、シリコン製の基板
にＳＣ１やＳＣ２による薬液処理を施した後、当該シリ
コン製の基板を洗浄処理するためには好適である。

【００６７】また、シリコン製の基板にフッ酸等による
エッチング処理を施した場合はシリコン単体が露出して
おり、その表面が活性化している。このため表面に不要
な酸化膜が生じ易い状態になっている。よって、このよ
うな、エッチング処理後のシリコン製の基板に対して洗
浄処理をするためには上述の基板洗浄装置は特に好適で
ある。

【００６８】上述した第１、第２実施形態においては、
いずれも、処理槽１１からの純水の急速排出時に、処理
槽１１内に配置された基板Ｗに乾燥防止液として純水を
供給しているが、オゾン含有水や電解イオン水、あるい
は、界面活性剤と純水との混合液等の他の乾燥防止液を
使用するようにしてもよい。

【００６９】また、上述した第１、第２実施形態におい
ては、いずれも、処理槽１１内に基板Ｗを搬入し、ある
いは、処理槽１１内から基板Ｗを搬出するための開放位
置と、処理槽１１の上部を覆う遮蔽位置との間を移動可
能な蓋部材１５を、処理槽１５の上部を覆う遮蔽部材と
兼用し、装置構成の簡易化を図っている。しかしなが
ら、上記遮蔽部材と蓋部材１５とを個別に配設するよう
にしてもよく、蓋部材１５を省略するようにしてもよ
い。

【００７０】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、処理槽
に純水を供給するための純水供給手段と、処理槽から純
水を排出するための排出手段と、処理槽内の基板に乾燥
防止液を供給するための乾燥防止液供給手段と、処理槽
内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給手段と
を備えたことから、純水の排出時において処理槽内に不
活性ガスを供給することにより、多量の純水を使用する
ことなく、基板を清浄に洗浄処理することが可能とな
る。

【００７１】請求項２に記載の発明によれば、処理槽の
上部を覆う遮蔽部材を有することから、不活性ガスの外
部への拡散を防止して、処理槽内を不活性ガスで充満さ
せることが可能となり、基板をより清浄に洗浄処理する
ことが可能となる。

【００７２】請求項３に記載の発明によれば、遮蔽部材
が開放位置と遮蔽位置との間を移動可能な処理槽の蓋部
材から構成されることから、蓋部材の他に遮蔽部材を配
設する必要がなく、装置構成を簡易化することが可能と
なる。

【００７３】請求項４に記載の発明によれば、乾燥防止
液供給手段が蓋部材に配設された乾燥防止液供給口を有
すると共に、不活性ガス供給手段が蓋部材に配設された
不活性ガス供給口を有することから、処理槽と蓋部材か
らなる上下方向のスペースを小さくすることができ、基
板洗浄装置全体が大型化することを防止することが可能
となる。また、処理槽に貯留される純水の液面と蓋部材
の下面との距離を小さくすることが可能となるので、処
理槽内に供給する不活性ガスの量をより少なくすること
が可能となる。

【００７４】請求項５に記載の発明によれば、乾燥防止
液供給手段より供給される乾燥防止液と不活性ガス供給
手段より供給される不活性ガスとを混合する混合室と、
混合室において混合された乾燥防止液と不活性ガスの混
合体を基板に供給するための混合体供給口とをそなえる
ことから、混合室内において純水を不活性ガスにより細
かい液滴にアトマイズすることができ、基板に対して純
水を均一に噴霧することが可能となる。

【００７５】請求項６に記載の発明によれば、処理槽内
に基板を薬液処理するための薬液を供給する薬液供給手
段をさらに備えることから、基板に対する薬液処理と洗
浄処理とを単一の処理槽内で実行することができ、これ
らの処理を実行するための装置の占有面積を最小化する
ことが可能となる。

【００７６】請求項７に記載の発明によれば、処理槽の
近傍にそこに貯留した薬液により基板を薬液処理するた
めの薬液槽が配設されており、薬液槽において薬液処理
された基板に対し処理槽において洗浄処理を行うことか
ら、薬液処理後の基板を清浄に洗浄処理することが可能
となる。

【００７７】請求項８に記載の発明によれば、薬液槽に
おいてエッチング処理された基板に対し処理槽において
洗浄処理を行うことから、エッチング処理によりその表
面が活性化された基板を清浄に洗浄処理することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施形態に係る基板洗浄装置１
の概要図である。

【図２】蓋部材１５付近の部分断面図である。

【図３】基板搬送機構としてのリフタ５１およびチャッ
ク５２を示す説明図である。

【図４】基板搬送機構としてのチャック５５を示す説明
図である。

【図５】他の実施形態に係る蓋部材１５付近の部分断面
図である。

【図６】図５の要部拡大図である。

【図７】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの
平面概要図である。

【図８】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの
平面概要図である。

【図９】この発明の第２実施形態に係る基板洗浄装置２
の概要図である。

【図１０】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニット
の平面概要図である。

【図１１】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニット
の平面概要図である。

【符号の説明】

１、２ 基板洗浄装置 ３、４、５、６ 薬液処理装置 ７ 基板乾燥装置 １１ 処理槽 １２ 供給ノズル １３ 純水供給路 １４ 排出口 １５ 蓋部材 １６ 純水供給路 １７ 窒素ガス供給路 １８ オーバフロー部 １９ 電磁弁 ２０ 比抵抗計 ２１ 純水ノズル ２３ 窒素ガスノズル ２５ ノズル ２６ 混合室 ５１ リフタ ５２、５５ チャック

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を純水により洗浄処理する基板洗浄
   装置であって、 そこに貯留した純水により基板を洗浄処理するための処
   理槽と、 前記処理槽に純水を供給するための純水供給手段と、 前記処理槽から純水を排出するための排出手段と、 前記処理槽内の基板に乾燥防止液を供給するための乾燥
   防止液供給手段と、 前記処理槽内に不活性ガスを供給するための不活性ガス
   供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板洗浄装置におい
   て、 前記処理槽の上部を覆う遮蔽部材をさらに有する基板洗
   浄装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板洗浄装置におい
   て、 前記遮蔽部材は、前記処理槽内に基板を搬入し、あるい
   は、前記処理槽内から基板を搬出するための開放位置
   と、前記処理槽の上部を覆う遮蔽位置との間を移動可能
   な処理槽の蓋部材から構成される基板洗浄装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板洗浄装置におい
   て、 前記乾燥防止液供給手段が前記蓋部材に配設された乾燥
   防止液供給口を有すると共に、前記不活性ガス供給手段
   が前記蓋部材に配設された不活性ガス供給口を有する基
   板洗浄装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項３いずれかに記載の
   基板洗浄装置において、 前記乾燥防止液供給手段より供給される乾燥防止液と前
   記不活性ガス供給手段より供給される不活性ガスとを混
   合する混合室と、 前記混合室において混合された乾燥防止液と不活性ガス
   の混合体を基板に供給するための混合体供給口と、 をさらに備えた基板洗浄装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５いずれかに記載の
   基板洗浄装置において、 前記処理槽内に基板を薬液処理するための薬液を供給す
   る薬液供給手段をさらに備えた基板洗浄装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項５いずれかに記載の
   基板洗浄装置において、 前記処理槽の近傍には、そこに貯留した薬液により基板
   を薬液処理するための薬液槽が配設されており、前記薬
   液槽において薬液処理された基板に対し、前記処理槽に
   おいて洗浄処理を行う基板洗浄装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板洗浄装置におい
   て、 前記薬液槽はエッチング液を貯留するものであり、前記
   薬液槽においてエッチング処理された基板に対し、前記
   処理槽において洗浄処理を行う基板洗浄装置。