IT956185B - Procedimento per fabbricare bacchet te monocristalline di materiale semi conduttore specie di silicio che non presentano dislocazioni cri stalline specie nella forma di swir ls - Google Patents

Procedimento per fabbricare bacchet te monocristalline di materiale semi conduttore specie di silicio che non presentano dislocazioni cri stalline specie nella forma di swir ls

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IT956185B IT2531372A IT2531372A IT956185B IT 956185 B IT956185 B IT 956185B IT 2531372 A IT2531372 A IT 2531372A IT 2531372 A IT2531372 A IT 2531372A IT 956185 B IT956185 B IT 956185B
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    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique

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IT2531372A 1971-06-08 1972-06-07 Procedimento per fabbricare bacchet te monocristalline di materiale semi conduttore specie di silicio che non presentano dislocazioni cri stalline specie nella forma di swir ls IT956185B (it)

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DE19712128506 DE2128506A1 (de) 1971-06-08 1971-06-08 Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben, insbesondere aus Silicium, welche frei von Kristallversetzungen, insbesondere in Form von Swirls, sind

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