IT956185B - Procedimento per fabbricare bacchet te monocristalline di materiale semi conduttore specie di silicio che non presentano dislocazioni cri stalline specie nella forma di swir ls - Google Patents
Procedimento per fabbricare bacchet te monocristalline di materiale semi conduttore specie di silicio che non presentano dislocazioni cri stalline specie nella forma di swir lsInfo
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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