IT1162513B - Apparecchiatura per la fabbricazione di elementi semiconduttori a piu' strati - Google Patents
Apparecchiatura per la fabbricazione di elementi semiconduttori a piu' stratiInfo
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- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH345578A CH629034A5 (de) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Vorrichtung zum herstellen mehrschichtiger halbleiterelemente mittels fluessigphasen-epitaxie. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
IT7921363A0 IT7921363A0 (it) | 1979-03-28 |
IT1162513B true IT1162513B (it) | 1987-04-01 |
Family
ID=4256307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
IT21363/79A IT1162513B (it) | 1978-03-31 | 1979-03-28 | Apparecchiatura per la fabbricazione di elementi semiconduttori a piu' strati |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4258647A (it) |
JP (1) | JPS54134556A (it) |
CH (1) | CH629034A5 (it) |
DE (1) | DE2912327A1 (it) |
FR (1) | FR2421292A1 (it) |
GB (1) | GB2017528B (it) |
IT (1) | IT1162513B (it) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58138486U (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | 日本ビクター株式会社 | マイクロホンの接続回路 |
US4597823A (en) * | 1983-09-12 | 1986-07-01 | Cook Melvin S | Rapid LPE crystal growth |
DE3509746A1 (de) * | 1985-03-18 | 1986-09-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum verfuellen von evakuierten hohlraeumen in material bzw. in koerpern |
US5326716A (en) * | 1986-02-11 | 1994-07-05 | Max Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. | Liquid phase epitaxial process for producing three-dimensional semiconductor structures by liquid phase expitaxy |
EP1004015B1 (en) * | 1997-08-15 | 2004-01-02 | Alexion Pharmaceuticals, Inc. | Apparatus for performing assays at reaction sites |
US6875276B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-04-05 | Chiral Photonics, Inc. | Apparatus and method for fabricating layered periodic media |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US450391A (en) * | 1891-04-14 | Adolph wahlin | ||
US3974797A (en) * | 1974-07-08 | 1976-08-17 | Hutson Jearld L | Apparatus for applying a film of material to substrates or slices |
DE2445146C3 (de) * | 1974-09-20 | 1979-03-08 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung epitaktischer Schichten |
IL49750A0 (en) * | 1975-07-08 | 1976-08-31 | Ict Inc | Method and apparatus for centrifugally forming thin singlecrystal layers |
-
1978
- 1978-03-31 CH CH345578A patent/CH629034A5/de not_active IP Right Cessation
-
1979
- 1979-02-20 FR FR7905101A patent/FR2421292A1/fr active Granted
- 1979-03-23 US US06/023,118 patent/US4258647A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-03-27 GB GB7910729A patent/GB2017528B/en not_active Expired
- 1979-03-28 IT IT21363/79A patent/IT1162513B/it active
- 1979-03-28 DE DE19792912327 patent/DE2912327A1/de not_active Withdrawn
- 1979-03-30 JP JP3713779A patent/JPS54134556A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2912327A1 (de) | 1979-10-11 |
FR2421292B1 (it) | 1982-10-22 |
IT7921363A0 (it) | 1979-03-28 |
US4258647A (en) | 1981-03-31 |
JPS567291B2 (it) | 1981-02-17 |
CH629034A5 (de) | 1982-03-31 |
JPS54134556A (en) | 1979-10-19 |
GB2017528A (en) | 1979-10-10 |
FR2421292A1 (fr) | 1979-10-26 |
GB2017528B (en) | 1982-03-31 |
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