HU219305B - Non-linear crystals and using them - Google Patents

Non-linear crystals and using them Download PDF

Info

Publication number
HU219305B
HU219305B HU9602910A HUP9602910A HU219305B HU 219305 B HU219305 B HU 219305B HU 9602910 A HU9602910 A HU 9602910A HU P9602910 A HUP9602910 A HU P9602910A HU 219305 B HU219305 B HU 219305B
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
single crystal
crystals
frequency
general formula
laser
Prior art date
Application number
HU9602910A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerard Aka
Laurence Bloch
Jean Godard
Andree Kahn-Harari
Francois Salin
Daniel Vivien
Original Assignee
Crismatec
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Crismatec filed Critical Crismatec
Publication of HUP9602910A2 publication Critical patent/HUP9602910A2/hu
Publication of HUP9602910A3 publication Critical patent/HUP9602910A3/hu
Publication of HU219305B publication Critical patent/HU219305B/hu

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3551—Crystals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/39—Non-linear optics for parametric generation or amplification of light, infrared or ultraviolet waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H01S3/1095—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation self doubling, e.g. lasing and frequency doubling by the same active medium

Abstract

A találmány tárgya kongruens olvasztott készítmény kristályosításávalelőállított nemlineáris egykristály, amelynek általános képleteM4LnO(BO3)3 ahol M jelentése Ca, vagy részlegesen Sr-rel vagy Ba-valszubsztituált Ca, Ln jelentése valamely következő csoportba tartozófém vagy fémkeverék: Y, Gd, La, Lu és Nd. A találmány szerintikristályokat a nemlineáris optikában lehet használnifrekvenciakettőzőként és -keverőként, optikai parametrikusoszcillátorként, vagy amikor részlegesen Nd3+ ionnal helyettesítvevannak, lézerfrekvencia-- kettőzőként. ŕ

Description

A találmány tárgya nemlineáris optika számára használható kristályok, ezen kristályok előállítása és a kristályok alkalmazása.
A nemlineáris optikában használatos kristályok különböző csoportokba oszthatók, ezek valamennyien meghatározott és jellemző sajátosságokkal rendelkeznek. Ezen a területen az egyik, elsőnek megjelent termék a kálium-dihidrogén-foszfát (KDP). Ezt az anyagot még mindig széleskörűen használják, mivel viszonylag könnyű előállítani, következésképpen viszonylag alacsony az ára. A KDP azonban igen érzékeny vízzel szemben, és emiatt bizonyos nehézségek merülnek fel a használatában. Alacsony a második harmonikus tényezője, és ennek az a következménye, hogy a kettőzött frekvenciájú sugárzás emissziója viszonylag alacsony. Bár a KDP képes könnyen kialakítani megfelelő méretű monokristályokat, ami szükséges lehet, amikor viszonylag magas teljesítményeket kellhet kezelni, gyakorlatilag a nemlineáris optikában használatos kristályok legnagyobb része kisméretű. A gyakorlatban ugyanis ezeket legtöbbször olvadékból növekedéssel állítják elő. Ez történik a BBO, LBO és KTP esetében. Ily módon a növekedés nagyon lassú és több hétig, sőt több hónapig is tart, amíg a legtöbb felhasználási célra megfelelő méretet elérik.
Ismert a kristályok előállítása kongruens olvasztással Czochralski vagy Bridgeman-Stockbarger eljárása szerint. így történik ez például az LiNbO3 kristályok esetében. Az LiNbO3 kristályokra az jellemző, hogy fényvisszaverők, ami a második harmonikus generálása szempontjából hátrány. Végül az LiNbO3 kristályok nagyon törékenyek. Olvasztással az LaBGeO5 szintén előállítható. Azonban előállítása nehéz, mert nemkívánatos fázisok jelennek meg, ha a kristályosítási műveletet nem tökéletesen szabályozva végzik. Egyébként ennek a kristálynak a nemlineáris szuszceptibilitási tényezője viszonylag alacsony.
A nemlineáris optikai célú felhasználáshoz különböző bórtartalmú kristálykészítmények ismertek. Lásd például a Cs B3O5 képletű kristályt az US 5 381 754 számú szabadalmi leírásban vagy a (RE)X Yi_xAl3(BO3)4 képletű kristályt, ahol RE jelentése ritkaföldfém, az US5O3O851 számú szabadalmi leírásban.
A találmány tárgya tehát kristályok előállítása a nemlineáris optika számára olvasztott komponenseikből, ahol az olvasztás kongruens. A találmány további tárgya ezeknek a nemlineáris kristályoknak a felhasználása frekvenciakettőzőként vagy -keverőként, vagy optikai parametrikus oszcillátorként. A találmány további tárgya az ilyen, hatékony mennyiségben lézerhatást generáló iont tartalmazó kristályok felhasználása önfrekvencia-kettőző lézerkristályok előállítására.
A találmány szerinti kristályok a következő általános képlettel jellemezhetők:
M4LnO(BO3)3 ahol
M jelentése Ca, vagy részlegesen Sr-rel vagy Ba-val szubsztituált Ca,
Ln jelentése valamely következő csoportba tartozó fém vagy fémkeverék: Y, Gd, La, Lu, Nd.
Amikor a kalciumot részlegesen Sr-rel vagy Ba-val helyettesítjük, ennek a helyettesítésnek az a koncentráció szab határt, amelynél az olvasztott fürdőben a kristályosodás során parazitafázisok alakulhatnak ki, más szóval ezek olyan értékek, amelyeknél az M4LnO(BO3)3 fázis olvasztása már nem kongruens.
A Ca4_xSrxLnO(BO3)3 típusú vegyületek esetén x értéke előnyösen <0,5, különösen előnyösen <0,30.
A Ca4_yBayLnO(BO3)3 típusú vegyületek esetén y értéke előnyösen <0,5, különösen előnyösen <0,3.
A lantanidát előnyösen aszerint választjuk meg, hogy mi a kívánt felhasználási terület. Tulajdonképpen az anyag nemlineáris tényezői és kettős sugártörése attól függ, hogy a mátrixba milyen ritkaföldfémet vittünk be.
A találmány szerinti kristályokhoz, amint már említettük, adagolhatunk optikailag aktív lantanidaionokat, például az Nd3+ iont. A megfelelő kristályok képlete:
M4Lnj_zNdzO(BO3)3, ahol
M és Ln jelentése a fenti, z a kívánt hatástól függ, annak ismeretében, hogy a helyettesítő elemek jelenléte a kiváltott hatásban egymás közötti versengéshez vezethet.
A koncentráció növelése először azzal jár, hogy megnövekszik a lézerhatás. A helyettesítő ionok bizonyos koncentrációját meghaladva azt tapasztaljuk, hogy az emisszió fokozatosan kialszik. A helyettesítő ionok egymáshoz túlságosan „közel” kerülnek, és kölcsönhatásba lépnek. A gyakorlatban a helyettesítés nem haladja meg a 20%-ot, előnyösen a 10%-ot. Más szóval z értéke előnyösen <0,2, különösen előnyösen <0,1. Általánosságban a koncentráció akkora, hogy az élettartam ne legyen kisebb, mint a kis koncentrációnál megfigyelhető maximális élettartam fele, vagyis 99 ps.
A találmány szerint felhasznált nemlineáris kristályokat előnyösen egy Czochralski vagy Bridgemann típusú eljárással állítjuk elő. Bármely más kristályképzési eljárás, amely olvasztásból indul ki, megfelelhet, különösen a zónaolvasztásos módszer, amellyel kis átmérőjű egykristály szálak állíthatók elő.
Az olvasztott fürdőket lantanida-oxidokból (Ln2O3), megfelelő alkáliföldfém-karbonátokból (MC03) és bórsavból vagy bórsavanhidridből állítjuk elő. A por alakú komponenseket gondosan összekeverjük és olyan hőmérsékletre melegítjük, amely elegendő a keverék olvasztásához. Ezt a hőmérsékletet a tökéletes homogenizáció eléréséig fenntartjuk. Az olvasztott fürdő hőmérsékletét azután a kristályosítási hőmérsékletre állítjuk be, ez lehetővé teszi egykristályképződés megindulását.
Az olyan kristályok előállítására, amelyek adalékként Nd-t tartalmaznak, az eljárás azonos. Az egységes lantanida helyett egyszerűen a lantanida-oxid-keveréket használjuk.
A találmányt a következőkben részletesen ismertetjük, a Ca4GdO(BO3)3 kristályokkal kapcsolatban.
A kezdeti keveréket 107 g GdO3-ból, 236 g CaCO3ból és 109 g H3BO3-ból állítjuk elő, amely összesen kö2
HU 219 305 Β rülbelül 300 g oxidot jelent. Az elkészített keveréket körülbelül 100 cm3-es irídiumtégelybe helyezzük semleges atmoszférában, vagy körülbelül 100 cm3-es platinatégelybe oxigénatmoszférában. A hőmérsékletet 2 órán keresztül 1550 °C-on tartjuk, majd a kongruens olvasztás hőmérséklete körüli értékre (1480 °C) állítjuk be. Tengelye körül forgásban lévő mozgó rúdra egy megfelelően megválasztott kristályorientációval rendelkező csírát rögzítünk. Ezt a fürdő felületével érintkezésbe hozzuk.
A rúd forgási sebessége a tengelyén 33-45 fordulat/perc.
A kristályosodás kezdeti szakasza után a rudat forgásban haladó mozgással mozgatjuk az első három óra alatt 0,5 mm/óra, majd 2,5 mm/óra körüli sebességgel.
Az egykristály szabályos növekedését akkor szakítjuk meg, amikor a képződött henger 2 cm átmérőjű és 8 cm-es. Ezt ekkor 72 órán keresztül szobahőmérsékleten tároljuk.
A képződött egykristály nagyon jó homogenitású, és nem tartalmaz buborékzárványokat. Mohs-keménysége 6,5.
A találmány szerinti többi kristályt ugyanilyen eljárással állítjuk elő. A megfigyelt kongruens olvasztás az 1400-1500 °C közötti hőmérséklet-tartományban található.
A kapott kristályok mechanikai és kémiai szempontból is igen ellenállóak. Különös jellemzőjük, hogy nem higroszkóposak. Ezenkívül könnyen elvégezhetők velük a későbbi méretmódosítások és a polírozás. Szerkezetük monoklin, szimmetriacentrum nélkül (tércsoport Cm).
A Ca4GdO(BO3)3 kristálytani jellemzői a következők:
a=8,092-10-10 m b= 16,007· 10-io m c=3,56110l0m β=101,2°
Z=4 sűrűség d=3,75
X, Y, Z kristályfizikai tengelyek orientációi az a, b, c kristálytani tengelyekhez viszonyítva a következők:
(Z, a)=26° (Y,b)=0° (X, c)=15°
Az optikai tengely és a Z tengely közötti (V, z) szög olyan, hogy két (V, z)=120,6°, ami a kristályt negatív kéttengelyű kristályként definiálja.
A gadolíniumot tartalmazó kristály a 0,35-3 pm tartományban átlátszó. Az ittriumtartalmú vegyület esetén az átlátszósági tartomány 0,22-3 pm.
A törésmutatókat a hullámhossz függvényében a legkisebb elhajlás módszerével határozzuk meg. A Ca4GdO(BO3)3 kristály esetén a következő táblázatban feltüntetett értékeket kapjuk:
λ (pm) x ny nz
0,4047 1,7209 1,7476 1,7563
0,4358 1,7142 1,7409 1,7493
0,4678 1,7089 1,7350 1,7436
0,4800 1,7068 1,7333 1,7418
λ (pm) ny nz
0,5090 1,7033 1,7295 1,7379
0,5461 1,6992 1,7253 1,7340
0,5780 1,6966 1,7225 1,7310
0,5876 1,6960 1,7218 1,7303
0,6439 1,6923 1,7181 1,7265
0,6678 1,6910 1,7168 1,7250
0,7290 1,6879 1,7133 1,7216
0,7960 1,6860 1,7112 1,7197
A fenti kísérleti értékekből kiindulva felírtuk a Sellmeier képleteket:
nz 2=2,9222+0,02471/(λ2-0,01279)-0,00820 λ2 ny2=2,8957+0,02402/(λ2-0,01395)-0,01039 λ2 nx2=2,8065+0,02347/(λ2-0,01300)-0,00356 λ2 Például a frekvenciakettőzéshez a fázisegyezést
0,87 pm és 3 pm közötti véletlenszerű hullámhosszoknál kaphatjuk. Ez csak I típus (a két alapfrekvenciájú foton azonos polarizációval rendelkezik). 1,064 pm hullámhossznál Nd-vel adagolt YAG lézernél; I típusú vagy II típusú (a két alapfrekvenciájú foton polarizációja ortogonális) 1,064 és 3 pm közötti hullámhosszoknál.
A vizsgált borát esetén a I típusú fázisegyezési szögek 1,064 pm-nél a következők:
Θ 0 sík (x,y) 90° 46,3° (x, z) 19,3° 0°
A nemlineáris koefficienseket az úgynevezett „fázisegyezési szög” módszerével határoztuk meg összehasonlítva egy etanol kristállyal a fő síkokban. A legjobb tulajdonságokat a ZX síkban kaptuk. így:
d,2=0,56 pm/V d32=0,44 pm/V
A deff, vagyis az effektív nemlineáris koefficiens értéke, amelyet a ZX síkban mértünk, a 788-1456 nm-es alaphullámhossz-tartományban a BBO deff értékének 40-70%-át teszi ki.
Ha a Ca4GdO(BO3)3 kristályt egy YAG lézer fényáramába helyezünk, 1,064 pm-nél (6 ns), akkor a károsodást küszöb 1 körüli érték, amely azonos körülmények között hasonló a BBO ilyen értékéhez.
A Ca4GdO(BO3)3 szög elfogadása 2,15 mrd cm, sokkal magasabb, mint a BBO hasonló értéke (1,4 mrd).
A Ca4GdO(BO3)3 walk-off szöge 0,7° (vagyis 13 mrd), vagyis ötször kisebb mint a BBO-é (4°, vagyis 70 mrd).
Az alapharmonikusból a második harmonikusba való átalakulás aránya eléri az 55%-ot. A kristályok stabil választ adnak.
Tekintettel a Ca4GdO(BO3)3 fentebb ismertetett jellemzőire, a Ca4GdO(BO3)3 kristályok új, rendkívül értékes nemlineáris tulajdonságokkal rendelkező anyagot jelentenek.
A becsült effektív nemlineáris koefficiens (deff) alapján, amely a BBO-énak 0,4-0,7-szerese, a Ca4GdO(BO3)3-ban a nemlineáris folyamat hatékonyságának kiválónak kell lennie, amennyiben előállíthatok nagyméretű egykristályok a Czochralski-módszer segítségével.
HU 219 305 Β
Mivel az egykristályokat viszonylag gyorsan és alacsony költséggel állítjuk elő, és ehhez járulnak a fent említett jellemzők, az ilyen egykristályok számos felhasználási területen nagyon jól hasznosíthatók. A felhasználási területek közül a legelteijedtebbek a lézersugarak frekvenciájának kettőzésével kapcsolatosak, pontosabban az infravörös tartományban sugárzókéval, amelyek a látható tartományban eredményeznek sugárzást.
A kristályok felhasználhatók két lézersugár közötti frekvencia összegének vagy különbségének előállítására és optikai parametrikus oszcillátorként is.
Még mindig a felhasználási területekre példaként a fentiekben vizsgált kristályokat Nd-vel adalékoltuk. Közelebbről megvizsgáltuk egy Nd-vel adalékolt Ca4GdO(BO3)3 egykristály tulajdonságait. A fentiek szerint előállított kristályoknál a Gd 5%-át (mól%) Nd-vel helyettesítettük. így a következő vegyületet kapjuk:
Ca4Gd() 95Ndo 05O(BO3)3.
Az így adalékolt kristály előnye, hogy nagyon kicsi az adszorpciója a második harmonikusnak megfelelő hullámhosszoknál, szemben azzal, ami például a jelenleg a kettőző lézerekhez kifejlesztett kristályoknál, például az Nd-vel adalékolt YA13(BO3)4 (NYAB) kristályoknál megfigyelhető, amelyek 531 nm-nél jelentős adszorpcióval rendelkeznek.
Az adszorpciós spektrumban egy széles sáv található, amely 810 nm körüli, és hatásos metszete a mérések szerint 1,5 χ 10 20 cm2.
A 4F3/2—>4Ii i/i2 átmenethez az adagolt kristály emissziója 1060 nm hullámhossznál található, az emisszió hatékony metszete 1,7 χ 10~20 cm2.
mól% Nd-adalék esetén a gerjesztett állapot élettartama 95 ps.
A neodímiummal adalékolt és az X, Y és Z kristálytani tengelyek szerint hasított Ca4GdO(BO3)3 kristállyal elvégzett lézeres vizsgálatok szerint 1060 nmnél lézerhatás figyelhető meg, amelynek jellemzői a következők:
A szivattyúnyaláb teijedési iránya Küszöb- teljesít- mény (mW) Differen- ciális hozam (%) A kibocsátott lézer- sugárnyaláb polarizációja
X 288 29 E//Z
Y 125 34 E//X
z 210 29 E//X
A frekvenciakettőzés 530 nm-nél hoz létre sugárzást, vagyis a kristály intenzív adszorpciós tartományán kívül. Ezért a találmány szerinti frekvencia-önkettőző lézerekkel ezen második harmonikus erős intenzitását lehet elérni.
A fentiekben említett példák nem korlátozó jellegűek, csupán a találmányt illusztrálják bizonyos megvalósítási esetekben. A fenti példák elegendően bizonyítják a találmány szerinti kristályok előnyeit, hiszen azok viszonylag alacsony költségűek, nagyméretűek és figyelemreméltó tulajdonságaik vannak frekvenciakettőzőként vagy -keverőként, optikai parametrikus oszcillátorként, valamint önkettőző lézerként.

Claims (10)

  1. SZABADALMI IGÉNYPONTOK
    1. Kongruens olvasztott készítmény kristályosításával előállított nemlineáris egykristály, amelynek általános képlete
    M4LnO(BO3)3 ahol
    M jelentése Ca, vagy részlegesen Sr-rel vagy Ba-val szubsztituált Ca,
    Ln jelentése valamely következő csoportba tartozó fém vagy fémkeverék: Y, Gd, La, Lu és Nd.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti egykristály, amelynek általános képletében, amikor a Ga részlegesen Sr-rel vagy Ba-val helyettesítve van, a helyettesítő elem legfeljebb olyan koncentrációjú, amelynél az olvasztás már nem kongruens.
  3. 3. Az 1. igénypont szerinti egykristály, amelynek általános képlete
    Ca4_xSrxLnO(BO3)3 ahol x értéke <0,5.
  4. 4. Az 1. igénypont szerinti egykristály, amelynek általános képlete
    Ca4_yBayLnO(BO3)3 ahol y értéke <0,5.
  5. 5. Az 1 -4. igénypontok bármelyike szerinti egykristály, amely adalékot tartalmaz, és általános képlete
    M4Ln1.zNdzO(BO3)3 ahol M és Ln jelentése a fenti, z értéke legfeljebb 0,2.
  6. 6. Az M4Ln,_zNdzO(BO3)3 általános képletű egykristály alkalmazása, ahol M és Ln jelentése az 1-5. igénypontok bármelyike szerinti.
  7. 7. A 6. igénypont szerinti egykristály alkalmazása frekvencia-önkettőző lézer kialakítására, a képletben M jelentése Ca, Ln jelentése Gd vagy La, és az adalék Nd.
  8. 8. Az 1-4. igénypontok bármelyike szerinti egykristály alkalmazása, ahol a kristályt különálló lézer frekvenciakettőzésére használjuk.
  9. 9. Az 1-4. igénypontok bármelyike szerinti egykristály alkalmazása optikai parametrikus oszcillátorként.
  10. 10. Az 1-4. igénypontok bármelyike szerinti egykristály alkalmazása két különálló lézer frekvenciakeverőjeként.
HU9602910A 1995-02-21 1996-02-16 Non-linear crystals and using them HU219305B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9501963A FR2730828B1 (fr) 1995-02-21 1995-02-21 Cristaux non lineaires et leurs applications
PCT/FR1996/000255 WO1996026464A1 (fr) 1995-02-21 1996-02-16 Cristaux non lineaires et leurs applications

Publications (3)

Publication Number Publication Date
HUP9602910A2 HUP9602910A2 (en) 1997-05-28
HUP9602910A3 HUP9602910A3 (en) 1998-04-28
HU219305B true HU219305B (en) 2001-03-28

Family

ID=9476340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9602910A HU219305B (en) 1995-02-21 1996-02-16 Non-linear crystals and using them

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6083319A (hu)
EP (1) EP0756719B1 (hu)
JP (1) JP3875265B2 (hu)
CN (1) CN1150427C (hu)
AT (1) ATE249061T1 (hu)
DE (1) DE69629770T2 (hu)
FR (1) FR2730828B1 (hu)
HU (1) HU219305B (hu)
PL (1) PL316947A1 (hu)
RU (1) RU2169802C2 (hu)
WO (1) WO1996026464A1 (hu)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW476018B (en) * 1998-03-27 2002-02-11 Japan Science & Tech Corp Wave length changing crystal and method for generating a laser light, and a laser generating device
US6185231B1 (en) 1999-02-02 2001-02-06 University Of Central Florida Yb-doped:YCOB laser
US6185236B1 (en) 1999-02-02 2001-02-06 University Of Central Florida Self frequency double nd-doped: YCOB LASER
US6676853B1 (en) * 1999-10-27 2004-01-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphor for vacuum ultraviolet excitation material
US7179405B2 (en) * 2002-10-01 2007-02-20 The Regents Of The University Of California Nonlinear optical crystal optimized for Ytterbium laser host wavelengths
US7378042B2 (en) * 2002-10-01 2008-05-27 Lawrence Livermore National Security, Llc Nonlinear optical crystal optimized for Ytterbium laser host wavelengths
US20050190805A1 (en) * 2003-06-30 2005-09-01 Scripsick Michael P. Doped stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate for self-frequency conversion lasers
US7622851B2 (en) * 2006-01-17 2009-11-24 The Penn State Research Foundation High temperature piezoelectric material
CN101514489B (zh) * 2008-02-22 2012-03-07 中国科学院理化技术研究所 含稀土离子的氟硼酸盐、晶体及晶体的生长方法和用途
CN101798707B (zh) * 2009-02-11 2012-06-13 中国科学院理化技术研究所 非线性光学晶体BaMgBO3F及其制备方法和用途
CN101942699A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 山东大学 一种具有倍频效应的硼酸钙氧盐晶体的生长方法
US10133148B2 (en) * 2015-04-13 2018-11-20 University Of Houston System Nonlinear optical material and methods of fabrication
CN109378691B (zh) * 2018-12-11 2021-06-01 山东大学 一种基于声子带边发射的全固态大功率板条激光器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5027361A (en) * 1988-06-21 1991-06-25 Board Of Trustees Of Leland Stanford, Jr., University Efficient laser harmonic generation employing a low-loss external optical resonator
US5030851A (en) * 1990-07-13 1991-07-09 Hoya Optics Inc. (REx Y1-x Al3 (BO3)4 crystals in electrooptic and nonlinear devices
US5243615A (en) * 1991-11-20 1993-09-07 Laserscope High-powered intracavity non-linear optic laser
CN1027514C (zh) * 1992-04-23 1995-01-25 中国科学技术大学 三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
US5343327A (en) * 1993-11-05 1994-08-30 University Of Central Florida RbNbB2 O6 crystal and its nonlinear optical devices
US5611946A (en) * 1994-02-18 1997-03-18 New Wave Research Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same
US5592325A (en) * 1994-07-29 1997-01-07 Litton Systems, Inc. Method and apparatus for laser beam management with frequency converting compounds

Also Published As

Publication number Publication date
WO1996026464A1 (fr) 1996-08-29
EP0756719B1 (fr) 2003-09-03
US6083319A (en) 2000-07-04
CN1150427C (zh) 2004-05-19
JP3875265B2 (ja) 2007-01-31
FR2730828A1 (fr) 1996-08-23
EP0756719A1 (fr) 1997-02-05
DE69629770T2 (de) 2004-07-01
RU2169802C2 (ru) 2001-06-27
HUP9602910A3 (en) 1998-04-28
HUP9602910A2 (en) 1997-05-28
CN1146812A (zh) 1997-04-02
PL316947A1 (en) 1997-02-17
DE69629770D1 (de) 2003-10-09
FR2730828B1 (fr) 1997-04-30
ATE249061T1 (de) 2003-09-15
JPH09512354A (ja) 1997-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Roth et al. Oxide crystals for electro-optic Q-switching of lasers
Aron et al. Spectroscopic properties and laser performances of Yb: YCOB and potential of the Yb: LaCOB material
HU219305B (en) Non-linear crystals and using them
JP4061797B2 (ja) ホウ酸塩単結晶及びその育成方法並びにこれを用いたレーザ装置
US8300305B2 (en) Use of undoped crystals of the yttrium/aluminum/borate family for creating non-linear effects
Zhang et al. Growth and investigation of efficient self-frequency-doubling NdxGd1− xCa4O (BO3) 3 crystal
Doualan et al. Latest developments of bulk crystals and thin films of rare-earth doped CaF2 for laser applications
Aka et al. Overview of the laser and non-linear optical properties of calcium-gadolinium-oxo-borate Ca4GdO (BO3) 3
US5123022A (en) Frequency mixing crystal
US7260124B1 (en) Nonlinear optical crystal optimized for ytterbium laser host wavelengths
Vivien et al. Crystal growth and optical properties of rare earth calcium oxoborates
JP2009215167A (ja) ボレート系結晶の製造方法とレーザー発振装置
Mat Laser crystals with low phonon frequencies
US7378042B2 (en) Nonlinear optical crystal optimized for Ytterbium laser host wavelengths
CN1053021C (zh) 掺稀土四硼酸铝钆晶体及其生长方法
Jiang et al. Growth and optical properties of ErCa4O (BO3) 3 crystals
Pujol et al. Yb3+-doped KLu (WO4) 2, Nb: RbTiOPO4 and KGd (PO3) 4 crystals. Growth, characterization and laser operation
Jubera et al. Crystal growth and optical characterizations of Yb3+-doped LiGd 6 O 5 (BO 3) 3 single crystal: a new promising laser material
Wei et al. Growth, Thermal and Polarized Spectral Properties of Nd3+-Doped Gd1− x La x Ca4O (BO3) 3 (x= 0.16 and 0.33) Crystals
Jang et al. Improved Second-Harmonic Generation by Selective Yb Ion Doping in a New Nonlinear Optical Crystal YCOB
JPH0618949A (ja) セリウム‐ドープされた光学デバイス
Reino et al. Frequency conversion for blue laser emission in Gd1− xYxCOB
Zhang et al. A new oxyborate crystal, GdCa4O (BO3) 3: defects and optical properties
CN114108085A (zh) 一种氟硼铝酸钡二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途
Reino et al. Crystal growth of Ca4Gd1− xYxO (BO3) 3 (0.07< x< 1) compositions for non-critical phase matched frequency conversion of Nd3+ doped laser hosts.