FR3075826A1 - Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium - Google Patents
Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium Download PDFInfo
- Publication number
- FR3075826A1 FR3075826A1 FR1762931A FR1762931A FR3075826A1 FR 3075826 A1 FR3075826 A1 FR 3075826A1 FR 1762931 A FR1762931 A FR 1762931A FR 1762931 A FR1762931 A FR 1762931A FR 3075826 A1 FR3075826 A1 FR 3075826A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- particles
- matrix
- compacted
- powder
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 title description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 7
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 5
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 5
- SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 4-fluoro-1,3-dioxolan-2-one Chemical compound FC1COC(=O)O1 SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxol-2-one Chemical compound O=C1OC=CO1 VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- NNSIWZRTNZEWMS-UHFFFAOYSA-N cobalt titanium Chemical compound [Ti].[Co] NNSIWZRTNZEWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001725 laser pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/52—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
- C04B35/522—Graphite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/628—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents
- C04B35/62802—Powder coating materials
- C04B35/62828—Non-oxide ceramics
- C04B35/62839—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
- C04B35/83—Carbon fibres in a carbon matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0404—Methods of deposition of the material by coating on electrode collectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
- H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
- H01M4/587—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx for inserting or intercalating light metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/624—Electric conductive fillers
- H01M4/625—Carbon or graphite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/11—Powder tap density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/422—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/428—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
- C04B2235/5208—Fibers
- C04B2235/5216—Inorganic
- C04B2235/524—Non-oxidic, e.g. borides, carbides, silicides or nitrides
- C04B2235/5248—Carbon, e.g. graphite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
La présente invention concerne un procédé de fabrication dans lequel on incorpore des particules submicroniques à base de silicium dans une matrice, caractérisé en ce que, lors de l'incorporation des particules : - les particules sont dans un état compacté avec une densité apparente supérieure à 0,10 grammes par centimètre cube, et - les particules compactées ont une surface spécifique d'au moins 70% celles des particules considérées séparées sans contact entre elles.
Description
«Procédé de fabrication incorporant des particules à base de silicium»
Domaine technique
La présente invention concerne un procédé de fabrication incorporant des particules à base de silicium. Elle concerne aussi les produits et dispositifs obtenus à partir de ce procédé.
Le domaine de l'invention est plus particulièrement mais de manière non limitative celui des matériaux métalliques ou céramiques ou des batteries ou des cellules photovoltaïques.
Etat de la technique antérieure
On connaît des procédés de fabrication de batterie incorporant des particules à base de silicium.
En effet, le silicium peut être utilisé pour augmenter la capacité de stockage de la batterie.
Le but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication incorporant des particules à base de silicium, à la fois pratique à exploiter (notamment en terme de sécurité et de facilité de manutention) avec toutefois une bonne qualité du résultat obtenu.
Exposé de l'invention
Cet objectif est atteint avec un procédé de fabrication dans lequel on incorpore des particules submicroniques à base de silicium dans une matrice, caractérisé en ce que, lors de l'incorporation des particules : - les particules sont dans un état compacté avec une densité apparente supérieure à 0,10 grammes par centimètre cube, et - les particules compactées ont une surface spécifique d'au moins 70% (de préférence au moins 90%) de celles des particules considérées séparées sans contact entre elles.
Lors de l'incorporation des particules, les particules compactées n'ont de préférence pas de liaisons covalentes entre elles.
On peut étaler sur un support conducteur ou semi-conducteur les particules préalablement incorporées dans la matrice (cette matrice pouvant être modifiée ou diluée après incorporation des particules et avant cet étalement) et on peut fixer les particules au support. On peut fabriquer : - une électrode à partir du support sur lequel est déposé une couche contenant les particules. On peut fabriquer une batterie comprenant ladite électrode, et/ou - un panneau photovoltaïque à partir du support sur lequel sont étalées les particules.
Les particules compactées peuvent être obtenues par une étape de compactage à partir des particules dans un état non compacté, de sorte que lors de l'étape de compactage les particules ne sont pas soumises à une température supérieure à 400°C. L'incorporation des particules compactées dans la matrice se fait de préférence alors que les particules sont sans additifs.
Les particules comprennent de préférence un cœur de silicium non oxydé.
La matrice comprend de préférence du carbone.
La matrice peut être une matrice métallique et/ou céramique.
La matrice peut être une matrice liquide et/ou solide.
Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé une batterie obtenue par un procédé selon l'invention.
Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un panneau photovoltaïque obtenu par un procédé selon l'invention.
Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un matériau métallique ou céramique obtenu par un procédé selon l'invention.
Description des figures et modes de réalisation D'autres avantages et particularités de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée de mises en œuvre et de modes de réalisation nullement limitatifs, et des dessins annexés suivants : - la figure 1 est un organigramme des étapes d'un premier et d'un deuxième mode de réalisation de procédé selon l'invention, et - la figure 2 illustre différents résultats comparatifs pour le premier mode de réalisation de procédé selon l'invention.
Ces modes de réalisation étant nullement limitatifs, on pourra notamment considérer des variantes de l'invention ne comprenant qu'une sélection de caractéristiques décrites ou illustrées par la suite isolées des autres caractéristiques décrites ou illustrées (même si cette sélection est isolée au sein d'une phrase comprenant ces autres caractéristiques), si cette sélection de caractéristiques est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. Cette sélection comprend au moins une caractéristique de préférence fonctionnelle sans détails structurels, et/ou avec seulement une partie des détails structurels si cette partie uniquement est suffisante pour conférer un avantage technique ou à différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure.
On va tout d'abord décrire les points communs entre un premier et un second mode de réalisation de procédé selon l'invention.
Ces modes de réalisation comprennent une étape 1 de fabrication de particules, typiquement par pyrolyse laser, par exemple selon le procédé décrit dans le document W02014009265.
Ces modes de réalisation comprennent une étape 2 de compactage de particules submicroniques à base de silicium, agencée pour augmenter (de préférence d'au moins 100%, et de manière plus préférentielle d'au moins 200%) la densité apparente des particules submicroniques à partir d'une densité apparente initiale Di des particules jusqu'à une densité apparente finale Df des particules (i.e. de préférence (Df-Di)/Di>100% ou même 200%).
Chaque particule peut être constituée d'un assemblage de sphères reliées par des liaisons covalentes. L'étape de compactage est par exemple mise en œuvre par : - la compression au moyen d'une presse ou d'un système de calandrage (passage entre deux rouleaux) permettant d'exercer une pression d'au moins 20 bars sur la poudre. Le poudre ainsi compactée a la même surface spécifique que la poudre libre mais une densité supérieure à 150 g/L. Un tel procédé est par exemple décrit dans l'article suivant : R. VaJ3en and D. Stijver, Powder Technology, 72 (1992) 223-226 ; et/ou la granulation rotative : cela consiste à introduire la poudre dans un contenant cylindrique (de 5 à 500 cm de diamètre, de préférence entre 10 et 200 cm de diamètre) et à la faire tourner plusieurs heures afin d'obtenir de la poudre granulée dont la densité dépasse 100 g/L : plus le temps de rotation est long, plus la densité est importante. La rotation doit être faite autour de l'axe du milieu du contenant selon l'axe le plus long du contenant cylindrique. Cet axe peut être plus ou moins incliné. Un tel dispositif est décrit dans les brevets US 2013/0330557 Al , US 4,980,106, US 6,231,624 Bl.
Les particules ne sont pas modifiées significativement par leur compactage de la densité Di (avant compactage) à la densité Df (après compactage): on ne crée pas de particules, on ne détruit pas de particules, on ne fusionne pas de particules ensembles, on ne crée pas de nouvelles liaisons covalentes entre les particules, on ne sépare pas de particule en plusieurs morceaux. Ce sont les mêmes particules à la densité apparente Di avant leur compactage et à la densité apparente Df après leur compactage.
Les particules compactées sont obtenues par cette étape de compactage à partir des particules dans un état non compacté, de sorte que pendant l'étape de compactage les particules ne sont pas soumises à une température supérieure à 400°C. En effet au-delà de cette température, les particules peuvent former de nouvelles liaisons covalentes entre elles (frittage) et ainsi perdre leurs caractères et leurs propriétés nanométriques Ces modes de réalisation comprennent une étape 3 d'incorporation des particules submicroniques à base de silicium dans une matrice.
Entre le compactage des particules et leur incorporation dans la matrice, les particules ne sont pas soumises à une température supérieure à 400°C. On évite ainsi la création de liaisons covalentes entre les particules.
Par « particule submicronique », on entend dans la présente description une particule dont la plus petite des dimensions reliant deux points du pourtour de cette particule est inférieure à 1000 nm, de préférence inférieure à 300 nm, de préférence inférieure à 150 nm.
Par particule « à base de silicium », on entend dans la présente description une particule comprenant un cœur composé d'au moins 90% en masse de silicium oxydé ou non oxydé ou d'un mélange des deux.
Par matrice, on entend de la matière (de préférence solide et/ou liquide) dans laquelle les particules submicroniques sont incorporées.
La matrice est une matrice liquide ou solide (par exemple poudre) ou les deux (par exemple gel ou pâte), carbonée (pour la fabrication de batterie, d'électrode, de panneau photovoltaïque) ou pas (par exemple métallique ou céramique pour la fabrication de nouveaux matériaux aux propriétés intéressantes)
De préférence, chaque particule à base de silicium est composée d'au moins 80% en masse de silicium oxydé ou non oxydé ou d'un mélange des deux, c'est-à-dire pour l'ensemble formé par le cœur de cette particule et la ou les éventuelle(s) couche(s) supérieure(s) entourant le cœur de cette particule.
Selon différents exemples, le cœur de chaque particule submicronique peut par exemple comprendre (de préférence de manière homogène pour toutes les particules submicroniques utilisées): - du Si, de préférence 100% de Si ou au moins 80% de Si en masse mélangé à d'autres éléments ou dopants, - du Si02, de préférence 100% de Si02 ou au moins 80% de Si02 en masse mélangé à d'autres éléments ou dopants, - un mélange de Si02 et de Si, de préférence entre 20 et 60% en mole Si02 et de 40% à 80% de mole Si, de préférence pour un total en masse de Si et Si02 de 100% ou d'au moins 80% mélangé à d'autres éléments ou dopants,
Le cœur de chaque particule submicronique peut être enrobé d'au moins une couche située autour du cœur, par exemple une couche comprenant du carbone ou une couche de carbone pur, ou une couche de polymère.
Typiquement, chaque particule comprend un cœur de silicium non oxydé.
Typiquement, le cœur de chaque particule est entouré d'une couche de carbone.
Lors de l'incorporation des particules compactées dans la matrice (i.e. juste avant que les particules entrent en contact de la matrice), les particules sont sans additifs. Autrement dit, lors de l'incorporation des particules, ces particules ne sont pas mélangées avec quoi que ce soit d'autre (d'autres particules d'un autre type, ou un solvant, etc) avant d'entrer en contact avec la matrice.
Dans ces modes de réalisation de procédé selon l'invention, lors de l'incorporation des particules (i.e. quand les particules entrent en contact avec la matrice), les particules sont dans un état compacté avec une densité apparente Df supérieure à 0,10 grammes par centimètre cube, de préférence supérieure à 0,15 grammes par centimètre cube.
Dans ces modes de réalisation de procédé selon l'invention, lors de l'incorporation des particules, les particules compactées n'ont pas de liaisons covalentes entre elles, c'est-à-dire pas de nouvelles liaisons covalentes par rapport à leur état avant compactage.
Dans ces modes de réalisation de procédé selon l'invention, lors de l'incorporation des particules, les particules compactées à la densité apparente Df ont une surface spécifique d'au moins 70% (et même d'au moins 90%) celles des particules considérées séparées sans contact entre elles ou à la densité apparente Di.
Par densité « vrac » ou « apparente » (aussi appelée masse volumique apparente) on entend une grandeur bien connue et claire pour l'homme du métier. C'est une grandeur utilisée avec les substances se présentant sous forme de poudre ou de granulés, afin de rendre compte de la masse M de matériau contenue dans un volume total donné Vtot , ce volume total comprenant le volume d'air interstitiel entre les granulés ou particules ou grains de la poudre. De ce point de vue, la masse volumique apparente p d'un même matériau granulé ou pulvérulent peut varier en fonction du mode de manutention, selon qu'il est plus ou moins tassé ou, au contraire, aéré : Μ Ρ = —
Vtot L'usage veut qu'on exprime généralement cette masse volumique apparente en grammes par centimètre cube (g.cm-3) ou grammes par litre.
La surface spécifique des particules (qui désigne le rapport de la superficie de la surface réelle des particules (par opposition à sa surface apparente) et de la quantité de matière des particules (i.e. sa masse)) ne change pas ou sensiblement pas entre les densités apparentes Di et Df.
Dans la présente description, la mesure de la surface spécifique est faite par de l'adsorption d'un gaz sur la surface d'un matériau de masse connue. Le principe est de mesurer la quantité de diazote nécessaire pour avoir une mono-couche de ce gaz sur la surface. Il utilise le principe de la théorie Brunauer, Emmett et Teller (BET). L'appareil utilisé est un BelSorp mini II. On parlera par la suite indifféremment de surface spécifique ou de surface BET.
De cette manière, les particules compactées à densité Df sont agencées pour être simplement dispersées d'elles-mêmes dans la matrice (de préférence en solution, de préférence dans de l'eau à 20°C en moins de 10 heures) avec éventuellement l'aide d'ultrasons ou d'agitation ou de mélangeur pour accélérer cette dispersion.
On note toutefois que les particules compactées à densité Df ne sont pas solubles dans la matrice.
Ce sont les mêmes particules après leur compactage à la densité Df et après leur dispersion dans la matrice : on ne crée pas de particules, on ne détruit pas de particules, on ne fusionne pas de particules ensembles, on ne sépare pas de particules en plusieurs morceaux (ce qui est très différent donc d'un état de l'art d’un frittage créant de nouvelles liaisons covalentes suivi d'un broyage).
La matrice peut ensuite être modifiée et/ou séchée et/ou diluée et/ou mélangée dans une autre matrice ou avec une autre matrice et/ou avec des additifs et/ou avec des solvants.
Le premier mode de réalisation comprend un étalement 4, sur un support conducteur ou semi-conducteur, des particules préalablement incorporées dans la matrice, et on fixe ainsi les particules au support.
Cet étalement des particules peut se faire alors que la matrice a été éventuellement modifiée, par exemple séchée ou concentrée, et/ou encore diluée ou mélangée dans une autre matrice ou avec une autre matrice et/ou avec des additifs et/ou avec des solvants
Par conducteur, on entend que la matière du support en contact de la couche de matrice étalée sur le support a une résistivité électrique inférieure à 0,01 Ω.ιτι.
Par semi-conducteur, on entend que la matière du support en contact de la couche de matrice étalée sur le support a une résistivité électrique inférieure à 10000 Q.m, et de préférence supérieure à 0,01 Ω.ιτι.
Pour la batterie la matrice est par exemple carbonée : elle comprend du carbone, par exemple du graphite et/ou du « super P » et/ou du carboxymethylcellulose, de préférence au moins du graphite. On peut par exemple incorporer 12% en masse de particules submicroniques ayant un cœur de Silicium non oxydé recouvert d'une couche de carbone avec 68% en masse de Graphite et 10% en masse de Super P Timcal. Entre l'incorporation des particules dans la matrice et l'étalement sur le support, on procède à des étapes d'ajustement connues de l'homme du métier : - ajustement de la viscosité des particules incorporées dans la matrice, par exemple avec de l'eau, et/ou mélange des particules dans la matrice, par exemple 20 minutes à 700 rpm.
Le support est par exemple une feuille de cuivre de 10pm d'épaisseur. L'étalement se fait typiquement par une lame d'étalement se déplaçant à 5 centimètres par seconde et réglée pour déposer une couche de lOOpm d'épaisseur de particules incorporées dans la matrice.
Après l'étalement des particules sur le support, on procède à des étapes d'ajustement connues de l'homme du métier : - séchage des particules étalées sur le support, par exemple 12 heures dans un four à air à 80°C, pour une quantité finale de matière sèche après séchage déposée sur le support d'environ 2 mg.crrr2, et/ou - découpage du support.
On fabrique ensuite au choix : - une électrode (étape 5), plus exactement une anode, à partir du support sur lequel est déposée une couche contenant les particules. On fabrique ensuite (étape 6) une batterie comprenant ladite électrode, un séparateur et une cathode, le tout étant en contact avec un électrolyte liquide ou solide,. - un panneau photovoltaïque (étape 7) à partir du support sur lequel sont étalées les particules qui sont ensuite traitées thermiquement par exemple.
Différents exemples de batteries A à G ci-dessous illustrent les avantages techniques du procédé selon l'invention dont les batteries C à G font parties.
Batterie A : particules non submicroniaues 18 parts de silicium micrométrique (mesh 325, poudre A) sont mélangées à sec avec 35 parts de carbone nanométrique (Super P), et 35 parts de fibres de carbone (VGCF). Ensuite ce mélange est mis en contact avec une solution aqueuse contenant 12 parts de CMC (carboxymethyl cellulose). L'encre ainsi obtenue est étalée une feuille de cuivre (épaisseur 17,5 μιτι). La feuille sèche à l'air libre. Les pastilles sont découpées et séchées à 90°C sous vide. Elles sont ensuite conservées en boite à gants, sous atmosphère d'argon neutre.
Une demi-pile est alors fabriquée : l'électrode contenant le silicium est mise en contact sous atmosphère inerte avec une membrane, une anode de lithium métal et un électrolyte composé d'un volume de carbonate d'éthylène (EC), d'un volume de carbonate de propylène (PC), de trois volumes de carbonate de 3 diméthyle (DMC) ainsi que 5% de carbonate de fluoroéthylène (FEC) et 1% de carbonate de vinyl - (VC).
On obtient au final la batterie A.
Batteries B fdensité apparente < 0.1 a.cm'3l et C à G fdensité apparente > 0.1 a-crrr3^ 18 parts de nanoparticules de silicium de 40 nm de diamètre selon leur plus petit axe avec une densité apparente (densité vrac) Df de : - 45 g/L soit 0,045 g.cm"3 (poudre B pour batterie B), ou - 108 g/L 0,108 g.cm"3 (poudre C pour batterie C), ou - 148 g/L 0,148 g.cm"3 (poudre D pour batterie D), ou - 180 g/L 0,180 g.cm"3 (poudre E pour batterie E), ou - 208 g/L 0,208 g.cm"3 3 (poudre F pour batterie F), ou - 320 g/L 0,320 g.cm" (poudre G pour batterie G) (cf axe des abscisses de la figure 2) et respectivement une surface BET de : - 43.6 m2/g (poudre B pour batterie B), ou - 43.7 m2/g (poudre C pour batterie C), ou - 43.2 m2/g (poudre D pour batterie D), ou - 43.4 m2/g (poudre E pour batterie E), ou - 43.1 m2/g (poudre F pour batterie F), ou - 43.3 m2/g (poudre G pour batterie G) sont mélangés à sec avec 35 parts de carbone nanométrique (Super P), et 35 parts de fibres de carbone (VGCF). Ensuite ce mélange est mis en contact avec une solution aqueuse contenant 12 parts de CMC (carboxymethyl cellulose).
On notre que pour les poudres B à G, la poudre non compactée (correspondant à la poudre B) avait la densité apparente Di=45 g/L soit 0,045 g.cm"3 et avait une surface BET de 43.6 m2/g . L'encre ainsi obtenue est étalée une feuille de cuivre (épaisseur 17,5 μιτι). La feuille sèche à l'air libre. Les pastilles sont découpées et séchées à 90°C sous vide. Elles sont ensuite conservées en boite à gants, sous atmosphère d'argon neutre.
Une demi-pile est alors fabriquée : l'électrode contenant le silicium est mise en contact sous atmosphère inerte avec une membrane, une anode de lithium métal et un électrolyte composé d'un volume de carbonate d'éthylène (EC, d'un volume de carbonate de propylène (PC), de trois volumes de carbonate de 3 diméthyle (DMC) ainsi que 5% de carbonate de fluoroéthylène (FEC) et 1% de carbonate de vinyl (VC).
Les batteries A à G obtenues ont été testées dans les conditions suivantes :
Un cycle initial comprenant : > une OCV (« Open-circuit voltage ») de 2 heures
> une décharge à C/20 limitée à 1 mA et 1,5 mA > suivie d'une charge en C/20 de même valeur absolue suivi d'un 2eme, 3eme, 4eme, ... 100eme cycle, chaque cycle comprenant :
> une décharge à C/5 limitée à 1 mA et 1,5 mA > suivie d'une charge en C/5 de même valeur absolue.
La tension est limitée entre 0,01V et 1,5V
Le tableau 1 ci-dessous représente les résultats de cyclage des batteries A à G.
Tableau 1
On remarque que l'utilisation de poudres submicroniques selon l'invention est très avantageuse par rapport au cas de la batterie A. On constate un effet technique surprenant. Malgré la taille des agglomérats de la poudre densifiée, les performances des batteries restent similaires à la poudre libre. En effet la poudre densifiée contient des agglomérats micrométriques mais dont les propriétés restent celles des particules libres nanométriques, plutôt que celle de la poudre micrométrique. 406 millilitre de poudre A, B, C, D, E, F ou G remplissant à ras bord un contenant de 71,8 mm de diamètre est vidé d'un coup dans un entonnoir de 119,48 mm de diamètre (haut) et 29,8 mm de diamètre bas au-dessus d'un flacon. Le temps d'écoulement est mesurée et correspond au temps au bout duquel l'entonnoir est vide. Les résultats sont ramenés en masse transféré par unité de temps. La référence est la poudre B non granulée dont la valeur a été fixée à 1 et dont la densité apparente est Di= 45 g/L. L'indice relatif d'écoulement est calculé par la formule : (masse de Si transféré/temps de transfert) p0Udre a, b, c, d, efoug/ (masse de Si transféré/temps de transfert)Pr0duit si nano non compacté-
Les résultats sont listés dans le tableau 2 ci dessous:
Tableau 2
La poudre submicronique B à faible densité apparente s'écoule beaucoup moins bien que la poudre micronique. Selon l'invention, lorsque la densité apparente de la poudre est supérieure (poudres C à G), l'indice relatif d'écoulement augmente significativement et se rapproche de celle de la poudre micronique. 406 millilitre de poudre A, B, C, D, E, F ou G remplissant à ras bord un contenant de 71,8 mm de diamètre est vidé d'un coup dans un entonnoir de 119.48 mm de diamètre (haut) et 29,8 mm de diamètre bas au-dessus d'un flacon. La hauteur du nuage de poudre au-dessus de l'entonnoir est mesurée. La référence est la poudre B non compactée dont la valeur a été fixée à 10 et dont la densité apparente est Di= 45 g/L. L'indice relatif de pulvérulence est calculé par la formule : lOx (hauteur nuage de Si transféré)p0Udre a, b, c, d, e f ou g / (hauteur nuage de
Si transféré)produit Si nano non compacté·
Les résultats sont listés dans le tableau 3 ci dessous:
Tableau 3
La poudre C D E F ou G utilisée selon l'invention est significativement moins pulvérulente que la poudre submicronique libre B, et est même
significativement moins pulvérulente que la poudre micronique A à partir de densité de granulation de 150 g/L (poudre D).
On remarque que les poudres C, D, E F et G utilisées selon l'invention avec Df > 0,1 g.cm-3 sont les seules à cumuler de bonnes qualités de batterie (Charge lOOème cycle / charge 2ème cycle > 75%) tout en ayant un écoulement et une pulvérulence satisfaisante (et encore plus particulièrement pour Df > 0,15 g.cm-3) et donc des conditions d'exploitation et de sécurité satisfaisante.
Dans le deuxième mode de réalisation, la matrice est une matrice : - métallique, c'est-à-dire ayant des liaisons métalliques ; comme par exemple du cuivre, de l'aluminium, de fer, de nickel, de chrome, de cobalt de titane, de manganèse, de lithium, de scandium, et/ou un mélange de ces éléments - céramique (c'est-à-dire ayant un corps vitrifié ou non, de structure cristalline ou partiellement cristalline, ou amorphe de verre, dont le corps est formé de substances essentiellement inorganiques et non métalliques, et qui est formé par une masse en fusion qui se solidifie en se refroidissant, ou qui est formé et porté à maturité, en même temps ou ultérieurement, par l’action de la chaleur) ; comme par exemple les céramiques à base de silicium, d'aluminium, de bore, de tungstène, de zirconium, sous forme de carbures, de nitrures ou d'oxydes .
Les avantages techniques sont les mêmes en termes de pulvérulence et d'écoulement que dans le premier mode de réalisation. L'incorporation des particules se fait alors que la matrice est à l'état solide (par exemple une matrice sous forme de poudre, les particules et la matrice étant par la suite liées par frittage ou fusion) ou liquide (par exemple métal en fusion).
Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention.
Bien entendu, les différentes caractéristiques, formes, variantes et modes de réalisation de l'invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres.
Claims (12)
- REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication dans lequel on incorpore des particules submicroniques à base de silicium dans une matrice, caractérisé en ce que, lors de l'incorporation des particules : - les particules sont dans un état compacté avec une densité apparente supérieure à 0,10 grammes par centimètre cube, et - les particules compactées ont une surface spécifique d'au moins 70% de celles des particules considérées séparées sans contact entre elles.
- 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, lors de l'incorporation des particules, les particules compactées n'ont pas de liaisons covalentes entre elles.
- 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'on étale sur un support conducteur ou semi-conducteur les particules préalablement incorporées dans la matrice et on fixe les particules au support.
- 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on fabrique une électrode à partir du support sur lequel est déposé une couche contenant les particules.
- 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'on fabrique une batterie comprenant ladite électrode.
- 6. Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce qu'on fabrique un panneau photovoltaïque à partir du support sur lequel sont étalées les particules.
- 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les particules compactées sont obtenues par une étape de compactage à partir des particules dans un état non compacté, de sorte que lors de l'étape de compactage les particules ne sont pas soumises à une température supérieure à 400°C.
- 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'incorporation des particules compactées dans la matrice se fait alors que les particules sont sans additifs.
- 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les particules comprennent un cœur de silicium non oxydé.
- 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matrice comprend du carbone.
- 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matrice est une matrice métallique et/ou céramique.
- 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matrice est une matrice liquide et/ou solide.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1762931A FR3075826B1 (fr) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium |
CN201880083141.0A CN111566855B (zh) | 2017-12-22 | 2018-12-12 | 引入含硅颗粒的制备方法 |
EP18830416.6A EP3729545A1 (fr) | 2017-12-22 | 2018-12-12 | Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium |
KR1020207019849A KR20200101938A (ko) | 2017-12-22 | 2018-12-12 | 실리콘 함유 입자를 포함하는 제조 방법 |
PCT/EP2018/084624 WO2019121261A1 (fr) | 2017-12-22 | 2018-12-12 | Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium |
US16/956,314 US11554989B2 (en) | 2017-12-22 | 2018-12-12 | Production method incorporating particles containing silicon |
JP2020534835A JP7312752B2 (ja) | 2017-12-22 | 2018-12-12 | シリコンを含有する粒子を組み込む製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1762931A FR3075826B1 (fr) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium |
FR1762931 | 2017-12-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3075826A1 true FR3075826A1 (fr) | 2019-06-28 |
FR3075826B1 FR3075826B1 (fr) | 2019-12-20 |
Family
ID=62143286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1762931A Active FR3075826B1 (fr) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11554989B2 (fr) |
EP (1) | EP3729545A1 (fr) |
JP (1) | JP7312752B2 (fr) |
KR (1) | KR20200101938A (fr) |
CN (1) | CN111566855B (fr) |
FR (1) | FR3075826B1 (fr) |
WO (1) | WO2019121261A1 (fr) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007044565A1 (de) * | 2007-09-07 | 2009-04-02 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Metallmatrix-Nanoverbundwerkstoffes, Metallmatrix-Nanoverbundwerkstoff und seine Anwendung |
CN102332571B (zh) * | 2011-09-21 | 2012-12-19 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种硅碳复合负极材料及制造方法、锂离子电池及负极片 |
US20130334468A1 (en) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Naoetsu Electronics Co., Ltd. | Negative electrode material for nonaqueous electrolyte secondary battery and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3908022C1 (fr) | 1988-09-23 | 1990-03-29 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
DE19623198A1 (de) | 1996-06-11 | 1997-12-18 | Degussa | Verfahren zur kontinuierlichen Trockengranulation von Pulverruß |
JP2000164220A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化銀電池用電極材料 |
JP2004212496A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Nippon Aerosil Co Ltd | 混合粒子 |
JP3699103B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-28 | 日本製紙株式会社 | インクジェット記録媒体 |
DE102004014704A1 (de) * | 2004-03-25 | 2005-10-13 | Wacker-Chemie Gmbh | Partikelstabilisierte Emulsionen |
GB2414231A (en) * | 2004-05-21 | 2005-11-23 | Psimedica Ltd | Porous silicon |
KR20100097225A (ko) * | 2008-02-22 | 2010-09-02 | 후지 덴키 시스템즈 가부시키가이샤 | 전자 사진 감광체 및 그 제조방법, 그것을 사용한 전자 사진 장치 |
CN102598373B (zh) | 2009-09-29 | 2015-04-08 | 乔治亚技术研究责任有限公司 | 电极、锂离子电池及其制造和使用方法 |
FR2968577B1 (fr) | 2010-12-10 | 2013-01-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de granulation en voie seche de particules de tailles nanometriques |
CN102903954B (zh) * | 2011-07-25 | 2015-06-03 | 微宏动力系统(湖州)有限公司 | 含有离子液体电解质的锂离子二次电池 |
JP5889086B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-03-22 | 古河電気工業株式会社 | 多孔質シリコン粒子及びその製造方法 |
FR2993262B1 (fr) | 2012-07-12 | 2017-08-25 | Nanomakers | Procede de fabrication par pyrolyse laser de particules submicroniques multicouches |
CN113745473A (zh) * | 2014-12-23 | 2021-12-03 | 尤米科尔公司 | 粉末、包括此类粉末的电极和电池组 |
CN106067547A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-11-02 | 深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司 | 碳包覆纳米硅‑石墨烯‑裂解碳层复合材料、制备方法及包含该复合材料的锂离子电池 |
-
2017
- 2017-12-22 FR FR1762931A patent/FR3075826B1/fr active Active
-
2018
- 2018-12-12 EP EP18830416.6A patent/EP3729545A1/fr active Pending
- 2018-12-12 US US16/956,314 patent/US11554989B2/en active Active
- 2018-12-12 WO PCT/EP2018/084624 patent/WO2019121261A1/fr unknown
- 2018-12-12 KR KR1020207019849A patent/KR20200101938A/ko active IP Right Grant
- 2018-12-12 JP JP2020534835A patent/JP7312752B2/ja active Active
- 2018-12-12 CN CN201880083141.0A patent/CN111566855B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007044565A1 (de) * | 2007-09-07 | 2009-04-02 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Metallmatrix-Nanoverbundwerkstoffes, Metallmatrix-Nanoverbundwerkstoff und seine Anwendung |
CN102332571B (zh) * | 2011-09-21 | 2012-12-19 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种硅碳复合负极材料及制造方法、锂离子电池及负极片 |
US20130334468A1 (en) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Naoetsu Electronics Co., Ltd. | Negative electrode material for nonaqueous electrolyte secondary battery and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111566855A (zh) | 2020-08-21 |
CN111566855B (zh) | 2023-08-01 |
KR20200101938A (ko) | 2020-08-28 |
US11554989B2 (en) | 2023-01-17 |
US20210078911A1 (en) | 2021-03-18 |
JP2021506722A (ja) | 2021-02-22 |
EP3729545A1 (fr) | 2020-10-28 |
JP7312752B2 (ja) | 2023-07-21 |
FR3075826B1 (fr) | 2019-12-20 |
WO2019121261A1 (fr) | 2019-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2764566B1 (fr) | Procède de préparation d'électrodes flexibles auto supportées | |
EP3014678B1 (fr) | Procede d'impression ou de depot par atomisation pour la preparation d'une electrode flexible supportee et la fabrication d'une batterie lithium-ion | |
FR2981643A1 (fr) | Procede de preparation d'un materiau composite silicium/carbone, materiau ainsi prepare, et electrode notamment electrode negative, comprenant ce materiau. | |
TWI648899B (zh) | 粉末、包含此種粉末之電極及電池組 | |
WO2004008560A2 (fr) | Particules comportant un noyau non conducteur ou semi conducteur enrobées par une couche conductrice hybride, leurs procédés d'obtention et leurs utilisations dans des dispositifs électriques | |
EP3659193B1 (fr) | Matériau nanostructuré et son procédé de préparation | |
WO2010029135A2 (fr) | Procédé de préparation d'un matériau composite silicium/carbone, matériau ainsi préparé et électrode notamment electrode negative, comprenant ce matériau | |
FR2997076A1 (fr) | Materiau composite comprenant des nano-objets notamment des nano-objets de carbone, son procede de preparation, et encre et electrode comprenant ce materiau. | |
EP3756229A1 (fr) | Formulation de matière active pour accumulateur li-s et procédé de préparation | |
EP3740984A1 (fr) | Formulation sous la forme d'une dispersion solide-liquide pour la fabrication d'une cathode pour batterie li/s et procede de preparation de ladite formulation | |
CA2416892C (fr) | Materiau composite conducteur et electrode pour pile a combustible utilisant ce materiau mis en forme par thermo-compression | |
EP3483953A2 (fr) | Composition specifique pour la fabrication d'electrodes destinees a une batterie au lithium | |
FR3075826A1 (fr) | Procede de fabrication incorporant des particules a base de silicium | |
WO2015144647A1 (fr) | Materiau composite comprenant des nano-objets de carbone, son procede de preparation, et encre et electrode comprenant ce materiau | |
FR2975815A1 (fr) | Electrode negative pour supercondensateur asymetrique a electrode positive a base d'hydroxyde de nickel et a electrolyte alcalin et son procede de fabrication | |
CH693053A5 (fr) | Matériau graphitique pour une électrode négative d'un élément d'accumulateur à ions lithium et procédé pour le fabriquer. | |
FR2489602A1 (fr) | Procede de fabrication d'un element electrochimique haute temperature | |
EP2923398B1 (fr) | Procede de fabrication d'une electrode pour accumulateur au lithium | |
FR3018955A1 (fr) | Procede de fabrication d'une electrode, electrode ainsi fabriquee et systeme electrochimique la comprenant. | |
EP0212318A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une électrode au cadmium consolidée par polymère pour accumulateur alcalin et électrode obtenue par ce procédé | |
EP4128388A1 (fr) | Electrode nanoporeuse | |
FR3090993A1 (fr) | Procede de fabrication d'une electrode frittee, electrode frittee et dispositif comprenant une telle electrode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20190628 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |