FR3049758A1 - Transformateur de puissance du type symetrique-dissymetrique a topologie completement equilibree - Google Patents
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Abstract
Transformateur du type symétrique-dissymétrique comprenant un circuit inductif primaire (L1) et un circuit inductif secondaire (L2) formés dans un même plan (P) par des pistes métalliques respectives entrelacées et empilées, comprenant au moins une première région de croisement (CR1) dans laquelle deux plaques de raccord en regard (PL1, PL2) ont des formes de plateaux rectangulaires plus larges que les pistes métalliques, et sont chacune diagonalement reliées à des pistes du circuit secondaire (L2).
Description
Transformateur de puissance du type symétrique-dissymétrique à topologie complètement équilibrée. L’invention concerne les transformateurs intégrés du type symétrique-dissymétrique communément désignés par l’homme du métier sous la dénomination anglo-saxonne de « BALUN » (BALanced to UNbalanced). L’invention s’applique par exemple en téléphonie mobile ou dans le domaine des radars automobiles.
La réalisation de systèmes intégrés en silicium, qu’ils soient de puissance ou de traitement, se fait de plus en plus avec des structures différentielles et d’impédance de référence variable pour les parties analogiques. Le monde « externe », reste lui essentiellement un système du type mode asymétrique et d’impédance de référence 50 Ohms.
La liaison entre une ligne de transmission symétrique et une ligne de transmission asymétrique ne peut être réalisée sans un circuit électrique adapté. Cette transition est assurée par un transformateur du type symétrique-dissymétrique encore appelé « balun ».
Un balun convertit par exemple un signal de type mode asymétrique (ou « single-ended » selon une dénomination anglosaxonne couramment utilisé par l’homme du métier) en un signal de type mode différentiel, et inversement, et assure les transformations d’impédance. L’une des caractéristiques électriques principales d’un balun est sa perte d’insertion, qui doit être avantageusement la plus faible possible. En effet, la perte d’insertion est le résultat en perte de la transformation opérée. Elle peut être due à une désadaptation d’impédance, un déséquilibre d’amplitude et/ou de phase entre les deux voies, une perte ohmique, et/ou tous ces facteurs combinés. Cette perte provoque une réduction des performances globales du système employant ce dispositif.
Par ailleurs les performances d’un balun sont principalement exprimées en termes de symétries d’amplitude et de phase, soit une différence d’amplitude et un déphasage entre les signaux d’entrée et de sortie avantageusement minimisés.
Les baluns peuvent encore être utilisés par exemple dans des circuits de réception et d’émission de systèmes de communication sans fil, pour la conception de circuits différentiels tels que des amplificateurs, des mélangeurs, des oscillateurs et des systèmes d’antenne.
Dans les circuits d’émission et de réception de systèmes de communication sans fil, l’impédance côté différentiel peut être basse, typiquement de l’ordre de 10 à 20 Ohms pour un amplificateur faible bruit tandis que l’impédance côté mode asymétrique, c’est-à-dire du côté de l’antenne, est, comme indiqué ci-avant, généralement de l’ordre de 50 Ohms. Il s’ensuit donc la nécessité d’avoir un rapport de transformation élevé, ce qui peut être particulièrement compliqué à réaliser.
Par ailleurs, notamment en émission, l’amplificateur de puissance doit être alimenté avec un courant élevé, de l’ordre de quelques centaines de milliampères. Et, si l’on souhaite alimenter l’amplificateur de puissance par l’intermédiaire du transformateur (balun), il s’ensuit un impact sur la performance de ce balun.
Par exemple, les courants élevés nécessitent une piste métallique de largeur importante, ce qui introduit une augmentation de la résistance en série qui est nuisible pour la perte d’insertion.
Par conséquent, la conception de baluns est habituellement limitée à un tour par boucle sur le circuit secondaire pour des circuits de puissance élevée.
Cela a pour conséquence que le couplage entre les voies différentielle et asymétrique est généralement inéquitable et mal réparti, aboutissant à de mauvaises performances telles que des déphasages et des discordances d’amplitudes.
Selon un mode de réalisation, il est proposé une architecture intégrée de transformateur du type symétrique-dissymétrique totalement équilibrée, permettant d’obtenir des signaux en phase et d’amplitudes correspondantes, notamment pour des applications d’amplificateurs de puissance.
Selon un aspect, il est proposé un transformateur du type symétrique-dissymétrique comprenant un circuit primaire inductif et un circuit secondaire inductif formés dans un même plan par des pistes métalliques respectives entrelacées et empilées, comprenant au moins une première région de croisement dans laquelle deux plaques de raccord en regard ont des formes de plateaux rectangulaires plus larges que les pistes métalliques, et sont chacune diagonalement reliées à des pistes du circuit secondaire.
Les formes planes en regard des régions de croisement offrent une grande surface de croisement, augmentant la capacité de couplage entre toutes les spires du transformateur.
Avantageusement, notamment en matière de signaux parasites, lesdites portions élargies sont de même taille et sont alignées dans un axe perpendiculaire audit plan.
Selon un mode de réalisation, la plaque de raccord passant au-dessus de l’autre comporte deux ailes respectivement situées chacune sur une extrémité de deux flancs opposés dudit plateau rectangulaire, lesdites extrémités étant diagonalement opposées et les pistes métalliques du circuit secondaire étant connectées sur la surface inférieure desdites ailes.
Avantageusement, lesdites ailes peuvent présenter chacune un chanfrein à sa liaison avec ledit plateau rectangulaire.
Cette configuration est notamment avantageuse en matière d’écoulement de courant, en cas d’intensité élevée.
Selon un mode de réalisation, les circuits inductifs primaire et secondaire comportent chacun une boucle décrivant au moins deux spires et présentent une architecture symétrique par rapport à un axe dudit plan.
Une architecture géométriquement symétrique et équilibrée en matière de couplage minimise les déséquilibres de phase et d’amplitude des signaux présents sur les circuits primaire et secondaire. Généralement une borne du circuit primaire est reliée à une charge et l’autre borne à la masse, par conséquent le couplage entre les circuits primaire et secondaire ne se réalise pas de la même manière entre les pistes sur des positions proches de la borne de charge et sur des positions proches de la borne de masse.
Selon un mode de réalisation, les circuits inductifs primaire et secondaire sont configurés pour que, sur l’ensemble des positions du circuit secondaire sur lesquelles un couplage avec le circuit primaire est réalisé, la somme des distances d’une borne du circuit primaire aux positions couplées correspondantes du circuit primaire est égale à la somme des distances de l’autre borne du circuit primaire aux mêmes positions couplées.
Dans cette configuration, le circuit secondaire est couplé avec le circuit primaire en proportions équitables sur des positions du circuit primaire proches d’une borne et des positions du circuit primaire proches de l’autre borne.
En d’autres termes, le signal sur le circuit secondaire « voit » autant la borne de masse que la borne de charge du circuit primaire.
Ainsi, lors du parcours d’un signal sur le circuit secondaire, ce signal est couplé de manière homogène avec l’ensemble du circuit primaire, offrant de bonnes symétries de phase et d’amplitude.
Cela permet d’obtenir d’excellents comportements en matière d’équilibre de phases et d’équilibre d’amplitudes, et notamment pour des applications d’amplificateur de puissance.
Dans un mode de réalisation, ladite au moins une première région de croisement comprend des premières pistes métalliques de raccord de pistes du circuit primaire se croisant en-dessous desdites plaques de raccord.
Selon un mode de réalisation, lesdites boucles entrelacées comportent au moins une deuxième région de croisement, dans laquelle des deuxièmes pistes métalliques de raccord du circuit primaire se croisent de part et d’autre d’une borne de polarisation, l’une desdites deuxièmes pistes de raccord passant au-dessus de la borne de polarisation et l’autre en-dessous.
Ainsi la symétrie de l’architecture et l’équilibre des couplages entre les circuits primaire et secondaire sont optimisés également au niveau des régions de croisement.
Avantageusement, la borne de polarisation a une forme de plateau rectangulaire connecté en un point milieu du circuit secondaire et situé au voisinage des bornes du circuit secondaire.
Cela permet de connecter des capacités de découplage entre la borne de polarisation et la masse du circuit différentiel de manière optimisée en matière d’espace et de performance.
Selon un mode de réalisation, des pistes métalliques du circuit primaire sont plus étroites que les pistes métalliques du circuit secondaire, sur au moins une portion du circuit primaire.
Cela permet, outre une diminution avantageuse de la surface occupé par le transformateur, de limiter une capacité parasite existant entre le circuit primaire et la masse du substrat sur lequel le transformateur est fabriqué.
Selon un mode de réalisation, le transformateur est réalisé de façon intégré au-dessus d’un substrat semiconducteur.
Il est également proposé un circuit comprenant une antenne, des moyens de traitement et un transformateur précédemment décrit, connecté entre l’antenne et les moyens de traitement.
En outre, il est proposé un système de télécommunication, par exemple du type téléphone mobile cellulaire, ou tablette ou équivalent, comprenant un tel circuit. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : la figure 1 représente un transformateur selon l’invention, dans une vue plane ; les figures 2 et 3 représentent les régions de croisement du transformateur dans des vues en perspectives ;
La figure 4 représente un étage d’entrée ou de sortie d’un système de télécommunication radiofréquence comportant un transformateur selon l’invention.
La figure 1 représente une vue du dessus d’un mode de réalisation d’un transformateur symétrique-dissymétrique, ou balun BLN.
Le balun BLN appartient à un plan P comportant un axe X formant un axe de symétrie de l’architecture entière de ce mode de réalisation, et est réalisé sur un substrat semiconducteur SC.
Le balun BLN comporte un circuit inductif primaire L1 formé par des pistes métalliques dont la disposition forme une boucle octogonale qui s’enroule et se déroule en parcourant trois tours complets, ou trois spires.
Le circuit primaire L1 comprend deux bornes SE et GND destinées à être connectées en mode asymétrique respectivement à une charge, par exemple une antenne émettrice ou réceptrice, et à une masse.
Les bornes SE et GND du circuit primaire L1 sont disposées côte-à-côte de manière symétrique par rapport à l’axe X, sur un coté extérieur du balun BLN.
Le balun BLN comporte également un circuit inductif secondaire L2, formé par des pistes métalliques dont la disposition forme une boucle octogonale qui s’enroule et se déroule en parcourant deux spires, de manière entrelacée avec les spires de la boucle du circuit primaire Ll.
Les pistes métalliques P11-P15, P21-P25 formant les spires des circuits primaire Ll et secondaire L2 sont situées dans un même niveau de métallisation. D’autre part, les géométries octogonales des boucles des circuits primaire et secondaire sont données à titre non limitatif, et peuvent prendre une autre forme polygonale, ou circulaire.
Le circuit secondaire L2 comprend deux bornes PAl et PA2 destinées à être connectées en mode symétrique, par exemple à des transistors d’un circuit amplificateur de puissance. Une borne de polarisation VCC est connectée en un point milieu du circuit secondaire L2 et est destinée à recevoir une tension continue de mode commun.
Les bornes PAl, VCC et PA2 du circuit secondaire L2 sont disposées respectivement côte-à-côte de manière symétrique par rapport à l’axe X, sur un coté extérieur du balun BLN, opposé au côté comportant les bornes SE, GND du circuit primaire Ll.
Ainsi, le caractère entrelacé des circuits inductifs primaire Ll et secondaire L2 procure un agencement dans lequel les pistes métallique des spires du circuit primaire Ll sont disposées de part et d’autre et directement voisines de la piste de chaque spire du circuit secondaire L2. L’enroulement et déroulement des spires des circuits primaire et secondaire introduit des croisements de pistes métalliques. Ainsi, les pistes métalliques sont empilées notamment dans les régions de croisement, passant au-dessus et en-dessous du niveau de métallisation des spires, dans des niveaux de métallisation respectivement supérieurs et inférieurs.
On considère néanmoins que le balun BLN est compris dans un plan P et que la symétrie par rapport à l’axe X ne prend pas en compte les différences de hauteur des niveaux de métallisation, comme il est couramment admis en microélectronique en raison des très faibles dimensions verticales de l’architecture.
Ainsi le balun BLN comporte deux régions de croisement CRI et CR2 dans lesquelles se croisent les pistes métalliques, par le biais de pistes métalliques dites de raccord.
La première région de croisement CRI est situé dans les spires du côté des bornes SE, GND du circuit primaire et comporte un croisement du circuit primaire Ll et un croisement du circuit secondaire L2.
La deuxième région de croisement CR2 est située dans les spires du côté des bornes du circuit secondaire L2 et comporte un croisement du circuit primaire, passant de part et d’autre verticalement de la borne de polarisation VCC.
En parcourant le circuit primaire L1 de la borne SE à la borne GND, on passe par une piste Pli qui rejoint la deuxième région de croisement CR2. Une piste métallique de raccord PL6 dirige la spire vers l’intérieur de la boucle et relie la piste Pli à une piste P23 qui rejoint la première région de croisement CRI. Dans la région de croisement CRI une piste de raccord PL4 dirige la spire vers l’intérieur et relie la piste P23 à une piste P15. Le circuit primaire L1 a parcouru ici une première spire (un tour complet). Le circuit parcourt ensuite une deuxième spire selon deux demi-spires formées par les pistes P15 et P25 reliées entre elles en un point milieu. La boucle du circuit primaire s’est jusqu’ici enroulé et commence alors à se dérouler. La piste P25 rejoint la première région de croisement CRI, dans laquelle une piste de raccord PL3 dirige la spire vers l’extérieur et raccorde la piste P25 à une piste P13. La piste P13 rejoint la deuxième région de croisement CR2 dans laquelle la piste de raccord PL5 dirige la spire vers l’extérieur et raccorde la piste P13 à une piste P21. La piste P21 rejoint alors la borne de masse GND. Les pistes du circuit primaire L1 ont ainsi formé une boucle de trois spires qui s’enroule et se déroule.
En parcourant le circuit secondaire de la borne PAl à la borne PA2, on passe sous la piste Pli pour rejoindre une piste P12 qui rejoint la première région de croisement CRI. Dans la région de croisement CRI une plaque de raccord PLI dirige la spire vers l’intérieur et relie la piste P12 à une piste P24. La piste P24 parcourt un demi-tour jusqu’à un point point-milieu raccordé à la borne de polarisation VCC. Le circuit secondaire L2 a formé ici une première spire en s’enroulant et commence à se dérouler. Une piste P14 part du point milieu et rejoint la première zone de croisement CRI dans laquelle une plaque de raccord PL2 dirige la spire vers l’extérieur et relie la piste P14 à une piste P22. La piste P22 rejoint la borne PA2 en passant sous la piste P21.
Les pistes du circuit secondaire sont disposées entre les pistes du circuit primaire, en particulier, la piste P12 est située entre les piste Pli et P13, la piste P14 est située entre les pistes P13 et P15, la piste P22 est située entre les piste P21 et P23 et la piste P24 est située entre les pistes P23 et P25. Un écart constant sépare, de bord à bord, les pistes du circuit primaire et les pistes du circuit secondaire.
Une telle configuration forme une structure telle que sur l’ensemble des positions du circuit secondaire sur lesquelles un couplage avec le circuit primaire est réalisé, la somme des distances d’une borne du circuit primaire aux positions couplées correspondantes du circuit primaire est égale à la somme des distances de l’autre borne du circuit primaire aux mêmes positions couplées.
Dans cette configuration, le circuit secondaire est couplé avec le circuit primaire en proportions équitables sur des positions du circuit primaire proches d’une borne et des positions du circuit primaire proches de l’autre borne.
En d’autres termes, le signal sur le circuit secondaire « voit » autant la borne de masse GND que la borne de charge SE du circuit primaire.
Ainsi, lors du parcours d’un signal sur le circuit secondaire, ce signal est couplé de manière homogène avec l’ensemble du circuit primaire, offrant de bonnes symétries de phase et d’amplitude.
Cela permet d’obtenir d’excellents comportements en matière d’équilibre de phases et d’équilibre d’amplitudes, et notamment pour des applications d’amplificateur de puissance. D’autre part, les pistes Pli, P21, P15 et P25 du circuit primaire El sont plus fines que les autres pistes, leur largeur faisant environ la moitié de la largeur d’une piste du circuit secondaire L2.
Des pistes métalliques plus fines permettent notamment de diminuer la capacité parasite existant entre les pistes métalliques et le substrat. Le courant s’écoulant dans le circuit primaire est usuellement plus faible que celui s’écoulant dans le circuit secondaire, ainsi une diminution avantageuse de la largeur des pistes sur certaines parties du circuit primaire n’est pas nuisible en matière d’écoulement de courant.
Il est également possible de réaliser les pistes P13 et P23 chacune sous la forme de deux fines pistes parallèles. Chaque fine piste parallèle étant séparée du bord des pistes du circuit secondaire par le même écart constant.
Dans ce mode de réalisation, les pistes de raccord du circuit primaire peuvent avoir la même épaisseur que les pistes du circuit secondaire, de manière avantageuse en matière de signaux parasites.
La figure 2 représente une vue en perspective de la première région de croisement CRI, dans laquelle les pistes métallique entrelacées et empilées sont représentées en transparence pour une bonne compréhension de l’architecture de ce mode de réalisation.
Dans la première région de croisement CRI, la piste métallique du circuit secondaire P14 est reliée à la piste métallique P22 via une plaque de raccord PL2. La piste métallique du circuit secondaire P24 est reliée à la piste P12 via une autre plaque de raccord PLI.
La plaque de raccord PL2 est formée à un même niveau de métal que les pistes métalliques formant les spires des circuits inductifs primaire et secondaire et a une forme de plateau rectangulaire.
Les pistes P14 et P22 sont connectées à la plaque de raccord PL2 sur deux flancs opposés du plateau rectangulaire, chacune sur une extrémité du flanc respectif, lesdites extrémités étant diagonalement opposées.
La plaque de raccord PLI est formée sur un niveau de métal supérieur au niveau des pistes métalliques des circuits inductifs primaire et secondaire. La plaque de raccord PLI a également une forme de plateau rectangulaire, comportant de plus deux ailes respectivement sur deux flancs opposés du plateau rectangulaire, chacune étant sur une extrémité du flanc respectif, et lesdites extrémités étant diagonalement opposées.
Les pistes P12 et P24 sont connectées à la plaque de raccord PLI sur la surface inférieure des ailes respectives.
En outre, les plaques de raccord PLI et PL2 sont de même taille et alignées dans un axe vertical perpendiculaire au plan. Les diagonales selon lesquelles les pistes du circuit secondaire sont reliées à une plaque de raccord ou une autre sont opposées entre-elles. D’autre part dans cette représentation non-limitative, les ailes de la plaque de raccord PLI présentent chacune un chanfrein 1 et 2 à leur liaison avec le plateau rectangulaire PLI. Cette configuration est avantageuse en matière d’écoulement de courant et ne nuit pas à l’aspect équilibré des couplages mis en œuvre par l’invention. En effet, bien que n’étant pas géométriquement rigoureusement symétrique par rapport à l’axe X, cette configuration est équilibrée en matière de couplage entre les circuits primaire et secondaire.
La figure 3 représente une vue en perspective de la deuxième région de croisement CR2, dans laquelle les pistes métallique entrelacées et empilées sont également représentées en transparence pour une bonne compréhension de l’architecture proposée de ce mode de réalisation.
Dans la deuxième région de croisement CR2, la piste métallique du circuit primaire Pli est reliée à la piste métallique P23 via une piste de raccord PL6. La piste de raccord PL6 est à un niveau inférieur au niveau de métallisation des pistes formant les spires du circuit, passant sous la borne de polarisation VCC.
La piste métallique P13 est reliée à la piste P21 via une piste de raccord PL5, passant au-dessus de la borne de polarisation VCC, dans un niveau de métallisation supérieur au niveau de métallisation des pistes formant les spires du circuit.
La borne de polarisation VCC a une forme de plateau rectangulaire et est connecté le long d’une de ses largeurs de manière centrée sur le point milieu du circuit secondaire. La largeur du plateau rectangulaire de la borne de polarisation mesure environs le double de la largeur d’une piste métallique, en raison d’un fort passage de courant sur la borne de polarisation.
Ainsi, les pistes de raccord PL5 et PL6 se croisent de part et d’autre de la borne de polarisation VCC, de manière symétrique par rapport à l’axe X, offrant de bonnes performances en matière de symétries de phase et d’amplitude.
Les pistes de raccord PL5 et PL6 peuvent avoir des formes de plateau rectangulaire de tailles identiques au plateau de la borne de polarisation VCC, superposés entre eux et avec la borne de polarisation, tous-trois alignés selon un axe vertical perpendiculaire au plan P. L’invention s’emploie avantageusement à toute application de puissance dans les systèmes de télécommunication radiofréquence, et la figure 4 montre un exemple d’étage d’entrée ou de sortie d’un tel système SYS, par exemple du type téléphone mobile cellulaire ou tablette, comportant un balun BLN selon l’invention.
La borne SE circuit primaire L1 du balun BLN est connecté à une antenne ANT, typiquement d’impédance de 50 Ohms, et la borne GND est connectée à une masse « extérieure ». L’antenne peut être utilisée en émission comme en réception.
Les bornes PAl et PA2 du circuit secondaire L2 sont quant à elles reliées à des moyens de traitement en mode différentiel MTD, pouvant comporter par exemple un amplificateur faible bruit LNA.
Le point milieu du circuit secondaire L2 est connecté à une capacité de découplage Cap reliée à la masse GND_PA associée au circuit en mode différentiel connecté aux bornes du circuit secondaire L2.
La balun BLN fournit ainsi un signal de sortie en mode différentiel (ou en mode asymétrique) à partir d’un signal d’entrée reçu en mode asymétrique (ou en mode différentiel) avec très peu de pertes, d’excellentes symétries de phase et d’amplitude, tout en permettant le passage d’une forte intensité de courant.
De telles performances permettent d’optimiser l’efficacité des amplificateurs de puissance combinés au transformateur BLN selon l’invention.
En outre, l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation qui viennent d’être décrit mais en embrasse toutes les variantes.
Ainsi, il a été décrit un balun comportant un circuit primaire à trois spires et un circuit secondaire à deux spires, mais il est possible, notamment afin de dimensionner le rapport de transformation d’impédance du balun BLN, que le circuit primaire comprenne N+1 spires et le circuit secondaire comprenne N spires, avec N un nombre entier supérieur ou égal à 2. Le nombre de premières régions de croisement et de deuxièmes régions de croisement comportant les caractéristiques précédemment décrites peut varier en fonction du nombre de spires des circuits primaire et secondaire.
Claims (14)
- REVENDICATIONS1. Transformateur du type symétrique-dissymétrique comprenant un circuit inductif primaire (Ll) et un circuit inductif secondaire (L2) formés dans un même plan (P) par des pistes métalliques respectives entrelacées et empilées, comprenant au moins une première région de croisement (CRI) dans laquelle deux plaques de raccord en regard (PLI, PL2) ont des formes de plateaux rectangulaires plus larges que les pistes métalliques, et sont chacune diagonalement reliées à des pistes du circuit secondaire (L2).
- 2. Transformateur selon la revendication 1, dans lequel lesdites plaques de raccord (PLI, PL2) sont de même taille et sont alignées dans un axe perpendiculaire audit plan (P).
- 3. Transformateur selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel la plaque de raccord (PLI) passant au-dessus de l’autre comporte deux ailes respectivement situées chacune sur une extrémité de deux flancs opposés dudit plateau rectangulaire, lesdites extrémités étant diagonalement opposées et les pistes métalliques du circuit secondaire étant connectées sur la surface inférieure desdites ailes.
- 4. Transformateur selon la revendication 3, dans lequel lesdites ailes présentent chacune un chanfrein (1, 2) à leur liaison avec ledit plateau rectangulaire (PLI).
- 5. Transformateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdits circuits inductifs primaire (Ll) et secondaire (L2) comportent chacun une boucle décrivant au moins deux spires et présentent une architecture symétrique par rapport à un axe (X) dudit plan (P).
- 6. Transformateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdits circuits inductif primaire (Ll) et secondaire (L2) sont configurée pour que, sur l’ensemble des positions du circuit secondaire (L2) sur lesquelles un couplage avec le circuit primaire (Ll) est réalisé, la somme des distances d’une borne du circuit primaire (GND, SE) aux positions couplées correspondantes du circuit primaire est égale à la somme des distances de l’autre borne du circuit primaire (SE, GND) aux mêmes positions couplées.
- 7. Transformateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite au moins une première région de croisement (CRI) comprend des premières pistes métalliques de raccord (PL3, PL4) de pistes du circuit primaire (El) se croisant en-dessous desdites plaques de raccord (PLI, PL2).
- 8. Transformateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant au moins une deuxième région de croisement (CR2), dans laquelle des deuxièmes pistes métalliques de raccord (PL5, PL6) du circuit primaire (El) se croisent de part et d’autre d’une borne de polarisation (VCC), l’une desdites deuxièmes pistes de raccord (PL5) passant au-dessus de la borne de polarisation (VCC) et l’autre (PL6) en-dessous.
- 9. Transformateur selon la revendication 8, dans lequel la borne de polarisation (VCC) a une forme de plateau rectangulaire connecté en un point milieu du circuit secondaire (L2) et situé au voisinage des bornes (PAl, PA2) du circuit secondaire (L2).
- 10. Transformateur selon l’une quelconques des revendications précédentes, dans lequel les pistes métalliques du circuit primaire (El) sont plus étroites que les pistes métalliques du circuit secondaire (L2), sur au moins une portion du circuit primaire (El).
- 11. Transformateur selon l’une quelconque des revendications précédentes, réalisé de façon intégrée au-dessus d’un substrat semiconducteur (SC).
- 12. Circuit comprenant une antenne (ANT), des moyens de traitement (MTD) et un transformateur (BEN) selon l’une quelconque des revendications précédentes, connecté entre l’antenne (ANT) et les moyens de traitement (MTD).
- 13. Système de télécommunication comprenant un circuit selon la revendication 12.
- 14. Système selon la revendication 13, formant un téléphone mobile cellulaire ou une tablette.
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