FR2957479A1

FR2957479A1 - Procede de traitement d'un contact metallique realise sur un substrat

Info

Publication number: FR2957479A1
Application number: FR1001007A
Authority: FR
Inventors: Raphael Cabal
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA; Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2010-03-12
Filing date: 2010-03-12
Publication date: 2011-09-16
Anticipated expiration: 2030-03-12
Also published as: JP5759490B2; JP2013526005A; FR2957479B1; WO2011111029A1; KR20130051924A; EP2545753A1; CN102870509A; US20130095603A1

Abstract

L'invention concerne un procédé d'obtention d'un contact métallique sur un substrat, comprenant les étapes suivantes : (a) déposer un motif métallique sous la forme d'une pâte formée à partir d'un mélange d'une poudre métallique avec un solvant ; (b) chauffer l'ensemble ainsi formé à l'étape (a) pour évaporer le solvant ; (c) effectuer un recuit afin de former un contact métallique entre le motif métallique et le substrat ; caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, une étape (d) dans laquelle on chauffe le contact métallique par laser à une densité d'énergie comprise entre 0,5J/cm2 et 15J/cm2

Description

PROCEDE DE TRAITEMENT D'UN CONTACT METALLIQUE REALISE SUR UN SUBSTRAT.

La présente invention concerne un procédé de traitement d'un contact métallique réalisé sur un substrat, une couche diélectrique étant éventuellement prévue entre le substrat et le métal. Le procédé selon l'invention peut notamment trouver application lors de la fabrication d'une cellule photovoltaïque. io En effet, dans ce type d'application, des contacts métalliques sont déposés en face avant et arrière du substrat afin de pouvoir récupérer les électrons provenant de l'effet photo-électrique généré dans le substrat. Un procédé de réalisation largement répandu dans l'industrie photovoltaïque comprend les étapes qui suivent. 15 Un substrat, par exemple en Silicium dopé p, est tout d'abord découpé aux dimensions souhaitées. Afin d'améliorer la qualité des surfaces ainsi découpées, une gravure chimique, par exemple avec alcalins, est ensuite effectuée. Généralement, une étape de texturisation de la face avant est 20 réalisée afin de former une structure optique à même de piéger les photons de la lumière incidente dans le substrat pour augmenter le rendement de la cellule. Il peut par exemple s'agir de structures optiques pyramidales réalisées par gravure chimique à l'hydroxyde de sodium. Les surfaces du substrat sont ensuite dopées n, par exemple 25 par diffusion de phosphore. Une étape préalable peut consister à effectuer une gravure à l'acide pour neutraliser les restes d'alcalins et éliminer les éventuelles impuretés, les surfaces du substrat devant être propres avant d'effectuer le dopage. Puis, le dopage de type n des bords verticaux est supprimé 30 afin d'isoler ces bords. Ceci est par exemple effectué par gravure sous plasma.

Une couche diélectrique est ensuite déposée pleine plaque sur la face avant du substrat pour jouer le rôle d'anti-reflet. Cette couche diélectrique peut être réalisée avec un dépôt sous phase vapeur de nitrure de silicium (NiS). s Un contact métallique est alors réalisé sur les faces avant et arrière du substrat. En particulier, en face arrière, on dépose une pâte comprenant une poudre d'aluminium mélangée à un solvant. Ce dépôt s'effectue généralement par sérigraphie (« screen printing » selon la io terminologie anglo-saxonne). La pâte est déposée selon un motif choisi, sous la forme d'une grille ou d'une couche uniforme. Puis, la pâte est chauffée afin d'enlever le solvant et ne laisser que l'aluminium. Le chauffage est généralement effectué par étuvage entre 100°C et 200°C pour supprimer les solvants et les composés organiques. 15 Cette technique de dépôt du motif métallique est très avantageuse en termes de coûts et de positionnement dudit motif par rapport au substrat. Une étape finale de recuit à haute température du substrat ainsi muni de la couche de diélectrique et des motifs métalliques avant et 20 arrière est effectuée. Cette étape permet de former un contact métallique entre lesdits motifs et le substrat susceptible de tenir dans le temps tout en éliminant les derniers résidus non métalliques. Cette étape est une étape délicate car elle nécessite de 25 contrôler le profil thermique du chauffage effectué, en fonction de la nature et de la composition de la pâte métallique. En particulier, un recuit trop long et/ou à température trop élevée risquerait de dégrader la cellule photovoltaïque, les contacts pouvant traverser la zone active de la cellule. 30

Si un contact métallique de bonne qualité entre les motifs métalliques et le substrat peut être réalisé avec le procédé décrit précédemment, il s'avère que la conductance électrique des contacts métalliques reste limitée. Ceci est notamment lié au procédé de dépôt du métal, lequel est basé sur le dépôt d'une pâte métallique formée à partir d'une poudre du métal considéré mélangée à un solvant. En effet, lorsque la pâte est séchée, le motif métallique présente une structure constituée par un agglomérat de particules, lequel ne favorise pas l'obtention d'une résistance électrique faible au sein du contact lo métallique. Un motif métallique 10 en aluminium déposé sur un substrat 11 en silicium est par exemple représenté sur la figure 1, selon une vue de coupe avec un microscope électronique à balayage. De plus, cet agglomérat de particules est particulièrement sensible à l'oxydation car cette structure constituée par un agglomérat de 15 particules présente une grande surface développée. Ceci est particulièrement gênant dans le cadre d'une application à la fabrication de cellules photovoltaïques. Des problèmes similaires peuvent cependant se retrouver dans d'autres applications, dès lors que l'on cherche à réaliser un contact métallique sur un substrat à partir d'une 20 étape de dépôt d'une pâte formée à partir d'une poudre métallique mélangée à un solvant. Un objectif de l'invention est ainsi d'augmenter la conductance électrique d'un contact métallique réalisé sur un substrat, une couche diélectrique étant éventuellement prévue entre le substrat et le motif 25 métallique. Un autre objectif de l'invention est d'améliorer la stabilité d'un contact métallique contre les phénomènes d'oxydation, contact dont la partie métallique a été obtenue avec une pâte formée à partir d'un mélange d'une poudre métallique avec un solvant.

Pour atteindre l'un au moins de ces objectifs, l'invention propose un procédé d'obtention d'un contact métallique sur un substrat, comprenant les étapes suivantes : (a) déposer un motif métallique sous la forme d'une pâte formée à partir 5 d'un mélange d'une poudre métallique avec un solvant ; (b) chauffer l'ensemble ainsi formé à l'étape (a) pour évaporer le solvant ; (c) effectuer un recuit afin de former un contact métallique entre le motif métallique et le substrat ; caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, une étape (d) dans laquelle on io chauffe le contact métallique par laser à une densité d'énergie comprise entre 0,5J/cm2 et 15J/cm2. Le procédé selon l'invention pourra prévoir d'autres caractéristiques techniques de l'invention, prises seules ou en combinaison: l'étape (a) est une étape de sérigraphie ; 15 l'épaisseur du motif métallique est d'au moins 1 pm ; le contact métallique se présente sous la forme d'une grille ; le contact métallique se présente sous la forme d'une couche ; le contact métallique comprend de l'argent, de l'aluminium ou un alliage d'argent et d'aluminium ; 20 le procédé comprend une étape de dépôt d'une couche diélectrique sur le substrat, préalablement à l'étape (a) ; le laser émet dans le domaine infrarouge, par exemple à une longueur d'onde de 1064nm ; le laser étant un laser pompé par diode laser, le courant de crête émis 25 par la diode laser est compris entre 20A et 30A, de préférence entre 25A et 28A ; le laser émet des pulses à une fréquence comprise entre 30kHz et 60kHz, de préférence entre 40kHz et 60kHz ; le taux de recouvrement de la surface du contact métallique entre deux 30 pulses est d'au moins 95%, de préférence d'au moins 97% ;

la vitesse de balayage du laser est inférieure à 10m/s, par exemple entre 1 m/s et 10m/s ; le laser émet des pulses dont la durée est comprise entre 1 ns et 1 ps, par exemple entre 100ns et 1 ps ; le laser étant un laser pompé par diode laser, pulsé et émettant dans le domaine infrarouge, celui-ci est mis en oeuvre dans les conditions suivantes : o la fréquence des pulses est comprise entre 40kHz et 60kHz, o le taux de recouvrement de la surface du contact métallique lo entre deux pulses est supérieur ou égale à 97%, o la vitesse de balayage du laser à la surface du contact métallique est comprise entre Unis et 10m/s, de préférence entre I m/s et 5m/s ; o la diode laser émet un courant de crête compris entre 25A et 15 28A. D'autres caractéristiques, buts et avantages de l'invention seront énoncés dans la description détaillée ci-après faite en référence aux figures suivantes : - la figure 1 représente, selon une vue de coupe, un motif 20 métallique obtenu, de manière connue, par dépôt d'une pâte métallique formée à partir d'un mélange d'une poudre métallique avec un solvant ; - la figure 2 représente un dispositif pour mettre en oeuvre le procédé conforme à l'invention ; - la figure 3 représente, pour une vitesse de balayage de 25 1 m/s de la surface du contact métallique par le laser, l'évolution de la résistance carrée du contact métallique en fonction de la fréquence de répétition des pulses de lumière issus du laser, pour différents taux de recouvrement de la surface du contact métallique impactée par deux pulses ; - la figure 4 représente, pour une vitesse de balayage de 30 3m/s de la surface du contact métallique par le laser, l'évolution de la résistance carrée du contact métallique en fonction de la fréquence de

répétition des pulses de lumière issus du laser, pour différents taux de recouvrement de la surface du contact métallique impactée par deux pulses ; - la figure 5 représente, pour une vitesse de balayage de 5 m/s de la surface du contact métallique par le laser, l'évolution de la résistance carrée du contact métallique en fonction de la fréquence des pulses de lumière issus du laser, pour différents taux de recouvrement de la surface du contact métallique impactée par deux pulses ; - la figure 6 comprend les figures 6(a) et 6(b), la figure 6(a) étant un motif métallique en aluminium, selon une vue de coupe, obtenu, de io manière connue, par dépôt d'une pâte en aluminium formée à partir d'un mélange d'une poudre d'aluminium avec un solvant et, la figure 6(b) étant le motif métallique de la figure 6(a) après traitement par le procédé selon l'invention ; - la figure 7 comprend les figures 7(a) à 7(c), lesquelles 15 représentent toutes un motif métallique en aluminium, selon une vue de coupe, obtenue à l'issue du procédé selon l'invention, pour différents courants de diode. L'invention concerne un procédé de traitement d'un contact métallique réalisé sur un substrat, dans lequel le contact a été obtenu à partir 20 des étapes (a), (b) et (c) suivantes : (a) déposer un motif métallique sous la forme d'une pâte formée à partir d'un mélange d'une poudre métallique avec un solvant ; (b) chauffer l'ensemble ainsi formé à l'étape (a) pour évaporer le solvant ; (c) effectuer un recuit afin de former un contact métallique entre le motif 25 métallique et le substrat. L'étape (a) peut être une étape de sérigraphie. L'épaisseur du motif métallique déposé lors de l'étape (a) peut être d'au moins 1 pm. Le motif métallique obtenu à l'issu des étapes (a) à (c) est un agglomérat de particules, comme représenté sur la figure 1. On peut 30 également qualifier ce motif métallique de poreux puisqu'il existe des espaces entre les particules métalliques.

Le motif métallique peut se présenter sous la forme d'une grille ou sous la forme d'une couche. Le motif métallique peut notamment comprendre de l'argent, de l'aluminium ou un alliage d'argent et d'aluminium. La nature du métal utilisé dans la pâte est choisie en fonction du type de contact métallique souhaité. Ainsi, pour une cellule photovoltaïque, on peut envisager un contact métallique face arrière en alliage d'argent et d'aluminium. Une couche diélectrique peut être prévue entre le motif métallique et le substrat. io Le procédé comprend en outre une étape (d) au cours de laquelle on chauffe le contact métallique par un laser à une densité d'énergie comprise entre 0,5J/cm2 et 15J/cm2. La résistance électrique de ce contact est ainsi diminuée, sans altérer le contact métallique ou le substrat et, sans décoller le contact du 15 substrat. Comme cela est précisé dans la suite de la description, plusieurs paramètres peuvent influer sur la valeur de la densité d'énergie obtenue à la surface du contact métallique. La figure 2 montre un schéma d'un dispositif pour mettre en 20 oeuvre l'étape (d) du procédé. Le laser 1 utilisé dans ce dispositif afin de chauffer le contact métallique peut émettre dans le domaine infrarouge, par exemple à une longueur d'onde de 1064nm. Ce laser 1 peut être un laser pompé par diode, tel qu'un laser Nd : YAG émettant à 1064nm pompé à 808nm par une diode 25 laser. Le laser 1 présenté ci-dessus est un laser émettant dans le domaine infrarouge. En effet, ce domaine de longueur d'onde est le plus critique pour des contacts métalliques réalisés sur des substrats silicium, puisque le silicium absorbe le rayonnement infrarouge et risque d'être altéré 30 par ce rayonnement (déformation par augmentation du volume). 2957479 s

En variante, le laser employé pourrait être un laser émettant dans le domaine ultraviolet ou dans le domaine visible, (par exemple « vert » à une longueur d'onde de l'ordre de 438nm). Lorsque le laser 1 est un laser pompé par diode laser, le 5 courant de crête émis par la diode laser peut être compris entre 20A et 30A, de préférence entre 25A et 28A. Au-delà de 30A, le contact et le substrat risquent d'être détériorés. On observe généralement, dans ce cas, une ablation partielle puis un décollement du contact avec arrachement du substrat sous-jacent audit io contact. Dans cette gamme de valeurs du courant de crête de la diode, on peut obtenir une densité d'énergie comprise entre 0,5 et 15J/cm2 à la surface du contact métallique. On diminue donc sensiblement la résistance électrique du 15 contact métallique sans l'altérer. De plus, on obtient un contact métallique durablement fixé au substrat, c'est-à-dire sans risque de décollement du contact et du substrat (phénomène de cloquage). Le laser 1 peut par ailleurs être un laser pulsé. Dans ce cas, le laser 1 peut émettre des pulses à une 20 fréquence de répétition comprise entre 30kHz et 60kHz, de préférence entre 40kHz et 60kHz. Cette gamme de valeurs de la fréquence de répétition favorise la diminution de la résistance électrique du contact métallique, sans endommager le contact métallique, le substrat ou la liaison entre les deux. 25 Par ailleurs, le taux de recouvrement de la surface du contact métallique entre deux pulses est d'au moins 95%, de préférence d'au moins 97%. On peut notamment envisager l'un des taux de recouvrement suivants : 97%, 98% ou 99%. Par taux de recouvrement, on entend le pourcentage de la 30 surface du contact qui subit deux passages successifs du laser le long de la

direction de balayage. On comprend donc que ces deux passages sont légèrement décalés, perpendiculairement à la direction de balayage du laser. Un taux de recouvrement élevé présente l'avantage de favoriser l'obtention d'une densité d'énergie minimum et diminue la résistance électrique du contact métallique. La vitesse de balayage du laser peut être inférieure à 10m/s, de préférence entre l m/s et 10m/s. Cette gamme de vitesse permet d'obtenir une productivité acceptable sur le plan industriel tout en préservant le contact métallique et le io substrat. La durée de chaque pulse peut par ailleurs être comprise entre 1 ns et 1 bas. Le dispositif représenté sur la figure 2 comprend également une lentille 2 de distance focale f. La face arrière 12 du contact arrière 10 est 15 disposée à la distance f de la lentille, si bien que la lentille 2 permet de focaliser le faisceau laser sur cette face arrière 12. D'autres possibilités de conception peuvent être mises en évidence à l'appui des figures 3 à 5. Les figures 3 à 5 expriment toutes en ordonnées la résistance 20 carrée du contact métallique et, en abscisse, la fréquence de répétition des pulses. De manière connue de l'homme du métier, on rappelle que la résistance carrée Rc de ce contact est reliée à sa résistivité électrique p et à son épaisseur e par la relation : R, = pie , exprimée ci-dessous en mû/carré. De plus, les données présentées sur les figures 3 à 5 25 proviennent de mesures effectuées par la méthode connue de l'homme du métier dite des « quatre pointes » (ou de Van der Pauw), le contact métallique formant une couche mince. Bien évidemment, l'épaisseur e du contact métallique est la même pour l'ensemble des tests réalisés, avec ou sans traitement laser. 30 Sur la figure 3, la vitesse de balayage du laser à la surface du contact métallique a été fixée à l m/s et le courant de crête de la diode à 25A. i0

Sur cette figure, on a représenté trois courbes montrant l'évolution de la résistance carrée obtenue du contact métallique après traitement laser, en fonction de la fréquence des pulses pour différents taux de recouvrement de deux pulses, à savoir 97%, 98% et 99%.

Une référence est représentée en lignes pointillées sur la figure 3. Cette référence est mesurée après obtention d'un contact métallique selon le procédé de l'art antérieur, le métal dudit contact étant de l'aluminium en liaison avec un substrat en silicium, une couche diélectrique io étant prévue entre les deux. Le contact métallique servant de référence n'a donc subi aucun traitement laser. Autrement dit, le contact métallique de référence a notamment été soumis aux étapes (a) à (c), mais pas à l'étape (d), contrairement aux 15 autres tests réalisés. Dans le cas d'espèce, la résistance carrée de référence a été mesurée à 10,5m0/carré. Pour l'ensemble des tests réalisés, la résistance électrique du contact diminue par rapport à la référence dans toute la gamme de 20 fréquences des pulses testés, à savoir de 30kHz à 60kHz, et par ailleurs quelles que soient les valeurs du taux de recouvrement de 97%, 98% ou 99%. Plus précisément, les valeurs de la résistance électrique obtenues sont comprises entre 5,1 et 8,7 mû/carré, soit une diminution comprise entre -51,4% et -17,1% par rapport à la valeur de référence. En 25 particulier, la résistance la plus faible est obtenue pour une fréquence de 30kHz et un taux de recouvrement de 99%. Sur la figure 4, la vitesse de balayage du laser à la surface du contact métallique a été augmentée à 5m/s et le courant de crête maintenu à 25A. On a représenté trois courbes montrant l'évolution de la résistance 30 électrique (résistance carrée) obtenue du contact métallique après traitement Il

laser, en fonction de la fréquence des pulses pour différents taux de recouvrement de deux pulses, à savoir 97%, 98% et 99%. La référence (contact métallique n'ayant subi aucun traitement laser) est toujours représentée en lignes pointillées sur la figure 4, sa valeur 5 étant de 10,5mD/carré. Pour l'ensemble des tests effectués, la résistance électrique du contact diminue par rapport à la référence dans toute la gamme de fréquences des pulses testés, à savoir de 30kHz à 60kHz, et par ailleurs quelles que soient les valeurs du taux de recouvrement de 97%, 98% ou 99%. io Plus précisément, les valeurs de la résistance électrique obtenues sont comprises entre 8,1 et 10,3mû/carré, soit une diminution comprise entre -22,9% et -2% environ par rapport à la valeur de référence. De manière générale, la résistance du contact métallique obtenue avec les tests représentés sur la figure 4 est plus élevée que celle 15 obtenue avec les tests représentés sur la figure 3. Ceci est lié au fait que l'augmentation de la vitesse de balayage diminue la densité d'énergie impactant le contact métallique. Pour cette vitesse de balayage de 5m/s, on choisira de préférence un taux de recouvrement de 99%, lequel permet d'obtenir les plus 20 faibles résistances sur toute la gamme de fréquences testée. Sur la figure 5, la vitesse de balayage du laser à la surface du contact métallique a été maintenue à 5m/s et le courant de crête augmenté à 28A. On a représenté trois courbes montrant l'évolution de la résistance électrique (résistance carrée) obtenue du contact métallique après traitement 25 laser, en fonction de la fréquence de répétition des pulses, comprise entre 40kHz et 60kHz, pour différents taux de recouvrement de deux pulses. La référence (contact métallique n'ayant subi aucun traitement laser) est toujours représentée en lignes pointillées sur la figure 5, sa valeur étant de 10,5mÛ/carré. 30 Avec une valeur plus élevée du courant de diode, par rapport aux tests représentés sur la figure 4, il est préférable d'augmenter la fréquence de répétition des pulses afin de diminuer la résistance de contact vis-à-vis de la référence en lignes pointillées. En résumé, si le laser est un laser pompé par diode laser, pulsé et émettant dans le domaine infrarouge, l'homme du métier pourra 5 mettre en oeuvre les conditions suivantes afin d'obtenir une densité d'énergie comprise entre 0,5 J/cm2 et 15J/cm2 : la fréquence des pulses est comprise entre 40kHz et 60kHz, le taux de recouvrement de la surface du contact métallique entre deux pulses successifs est supérieur ou égale à 97%, 10 - la vitesse de balayage du laser à la surface du contact métallique est comprise entre lm/s et 10m/s, de préférence entre lm/s et 5m/s ; la diode laser émet un courant de crête compris entre 25A et 28A Pour les données représentées sur les figues 3 à 5, l'appareil utilisé est réglé sur la position de durée de pulse « 100ns - 1 bas ». 15 A l'issue des tests représentés sur les figures 3 à 5, le demandeur a pu constater que la structure dite d'agglomérat de particules obtenue avec le procédé classique avait été modifiée par l'étape laser conforme à l'invention. Ainsi, le traitement laser a pour effet de modifier la structure 20 d'agglomérat de particules en une structure qui s'avère plus continue que la structure d'agglomérat de particules. Ceci peut être constaté sur les figures 6 et 7 annexées. La figure 6, qui comprend les figures 6(a) et 6(b), fournit une première illustration de l'intérêt de l'invention. 25 La figure 6(a) représente un motif métallique 10 en aluminium, selon une vue de coupe, obtenu après la mise en oeuvre des étapes (a) à (c) du procédé. Ce motif métallique est formé d'un agglomérat de particules poreux. Autrement dit, il existe des espaces libres entre les particules métalliques, ces espaces favorisant l'oxydation surfacique des particules 30 métalliques.

La figure 6(b), représente ce même motif 10, selon la même vue de coupe, après mise en oeuvre de l'étape (d) de traitement laser conforme à l'invention. Dans le cas d'espèce, l'étape (d) a été réalisée avec un taux de recouvrement de 95% et un courant de diode de 26A.

Le motif métallique 10 ainsi obtenu présente une couche superficielle densifiée 101, qualifiée de continue puisqu'il n'existe plus d'espace permettant à un gaz de pénétrer au coeur du motif métallique. Cette couche superficielle n'est donc pas formée d'un agglomérat de particules. Par ailleurs, on constate, juste sous cette couche superficielle continue, que la taille des particules est généralement plus importante que celles de la figure 6(a). Ceci est à mettre en relation avec les résultats représentés sur les figures 3 à 5. On comprend en effet qu'il existe un lien entre l'augmentation de la conductance électrique du contact métallique et l'existence de cette couche superficielle densifiée, pouvant être qualifiée de continue, du motif métallique. De plus, cette couche superficielle continue forme une barrière à l'air extérieur, ce qui permet de limiter les phénomènes d'oxydation dans le temps et, par suite, de conserver une bonne conductance électrique à l'usage.

La figure 7, qui comprend les figures 7(a) à 7(c), fournit une autre illustration de l'intérêt de l'invention. Ces figures représentent toutes, selon une vue de coupe, un motif métallique 10 obtenu après la mise en oeuvre des étapes (a) à (d) du procédé, dans les mêmes conditions, à l'exception du courant de diode. En particulier, le taux de recouvrement a été fixé à 95%. En effet, pour la figure 7(a), le courant de diode utilisé est de 25A. Il est respectivement de 26A et 27A sur les figures 7(b) et 7(c). On constate que l'épaisseur de la couche superficielle, pouvant être qualifiée de continue, augmente avec l'augmentation du courant de diode. On comprend ainsi que plus le courant de diode augmente, plus la 5 densité d'énergie du faisceau laser augmente et plus la profondeur de la zone densifiée augmente. Le traitement du contact métallique décrit ci-dessus trouve avantageusement application dans la fabrication de cellules photovoltaïques. Le laser décrit ci-dessus est un laser pulsé émettant dans le domaine infrarouge. En variante, on pourrait cependant envisager un laser émettant une lumière continue, indifféremment dans le domaine infrarouge, visible ou ultraviolet. 10

Claims

REVENDICATIONS1. Procédé d'obtention d'un contact métallique sur un substrat, 5 comprenant les étapes suivantes : (a) déposer un motif métallique sous la forme d'une pâte formée à partir d'un mélange d'une poudre métallique avec un solvant ; (b) chauffer l'ensemble ainsi formé à l'étape (a) pour évaporer le solvant ; (c) effectuer un recuit afin de former un contact métallique entre le motif io métallique et le substrat ; caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, une étape (d) dans laquelle on chauffe le contact métallique par laser à une densité d'énergie comprise entre 0,5J/cm2 et 15J/cm2. 15
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape (a) est une étape de sérigraphie.
3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'épaisseur du motif métallique est d'au moins 1 pm.
4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le contact métallique se présente sous la forme d'une grille.
5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le contact 25 métallique se présente sous la forme d'une couche.
6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le contact métallique comprend de l'argent, de l'aluminium ou un alliage d'argent et d'aluminium. 20 30
7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel il est prévu une étape de dépôt d'une couche diélectrique sur le substrat, préalablement à l'étape (a).
8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le laser émet dans le domaine infrarouge, par exemple à une longueur d'onde de 1064nm.
9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le 10 laser étant un laser pompé par diode laser, le courant de crête émis par la diode laser est compris entre 20A et 30A, de préférence entre 25A et 28A.
10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le laser émet des pulses à une fréquence comprise entre 30kHz et 60kHz, de 15 préférence entre 40kHz et 60kHz.
11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le taux de recouvrement de la surface du contact métallique entre deux pulses est d'au moins 95%, de préférence d'au moins 97%.
12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la vitesse de balayage du laser est inférieure à 10m/s, par exemple entre 1 m/s et 10m/s. 25
13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le laser émet des pulses dont la durée est comprise entre 1 ns et 1 ps, par exemple entre 100ns et 1 bas.
14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le 30 laser étant un laser pompé par diode laser, pulsé et émettant dans le 20domaine infrarouge, celui-ci est mis en oeuvre dans les conditions suivantes : la fréquence des pulses est comprise entre 40kHz et 60kHz, le taux de recouvrement de la surface du contact métallique entre deux 5 pulses est supérieur ou égale à 97%, la vitesse de balayage du laser à la surface du contact métallique est comprise entre lm/s et 10m/s, de préférence entre lm/s et 5m/s ; la diode laser émet un courant de crête compris entre 25A et 28A. i0