FR2950557A1 - Patin de polissage avec structure a porosite double - Google Patents

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Abstract

Le patin de polissage est utile pour polir au moins un substrat parmi les substrats magnétiques, optiques et semi-conducteurs. Une couche de polissage poreuse comprend une structure à porosité double dans une matrice de polyuréthane. La structure à porosité double a un ensemble principal de pores ayant des parois de pore avec une épaisseur de 15 à 55 µm et un module d'accumulation de 10 à 60 MPa mesuré à 25 °C. De plus, les parois de pore contiennent un ensemble secondaire de pores ayant une taille de pore moyenne de 5 à 30 µm. La couche de polissage poreuse est fixée sur un substrat à feuille ou film polymère ou bien sous la forme d'une structure tissée ou non-tissée afin de former le patin de polissage.

Description

L'in i, se te à des p2._Li ; de polis- i en polyuréthane eux util pour le pot 'fou moi, 3 u_ sub.trat parmi les Li- -cteurs. Par p ulièrement utiles our le polissage mécano-chimique (CMP) de mati ères de plaquette de :ni-conducteur et, plus particuliè - des proc poli s rire à faible défectivité substrats semi-conducteurs. La production de semi-conducteurs implique de manière typique plusieurs processus de polissage mécano-chimique (CMP). Dans chaque processus de CMP, un patin de polissage en combinaison avec une solution de polissage, telle qu'une pâte de polissage contenant un abrasif ou un liquide réactif sans abrasif, enlève de la matière en excès d'une manière qui aplanit ou maintient une planéité pour la réception d'une couche suivante. L'empilage de ces couches se combine d'une manière qui forme un circuit intégré. La fabrication de ces dispositifs à semi-conducteur continue à devenir plus complexe du fait des demandes de dispositifs avec des vitesses de fonctionnement plus élevées, des courants de fuite plus faibles et une consommation d'énergie réduite. En termes d'architecture de dispositif, ceci se traduit par des géométries à caractéristique plus fine et des nombres accru liveaux de métallisation. Ces - onceptiordispos - if toujours plu - tic' ,L avec s m es et e, le r poli - nt 30 aillturs, une de film qui diminue des circuits int 3 exige ration - les dé ~ti tout en - une Dur demdd d des spécifications de planéité, de creusement de ligne et de poli à faible érosion de surface toujours plus strictes. leurs, cies taux d'enlè. nt par polissage plus élE sont e pour améliorer le débit de plaquette et, puisque des :r tt ières à la fois r.. t es et diélectriques sont polies simultanément, les taux d'enlèvement relatifs de matières métalliques par rapport aux diélectriques sont importants. Afin de satisfaire des exigences d'intégration de plaquette futures, des rapports de sélectivité de taux d'enlèvement plus élevés diélectrique (par exemple TEOS) sur métal (par exemple cuivre) sont exigés. Historiquement, des patins de polissage en polyuréthane moulé ont procuré l'intégrité mécanique et la résistance chimique pour la plupart des opérations de polissage utilisées pour fabriquer des circuits intégrés. Par exemple, des patins de polissage en polyuréthane ont une résistance à la traction et un allongement suffisants pour résister au déchirement ; une résistance à l'abrasion pour éviter des problèmes d'usure pendant le polissage ; et une stabilité pour résit à l'attaque par des solutions de pol-; ,..o et caustiques tatin dE ls30 k ultra-faible (IC 1COO est une dénomination claie de Dow Electronic ' :les). Ces cants de semi- conducteur de plus plus s des patins de polissage « poromères », tels que , patins en polyuréthane PolitexTM pour les opérations de finition ou de polisseee finales dans lesquelles une faible défectivité est u, e condition plus importante (Politex est une dénomination commerciale de Dow Electronic Materials ou ses filiales). Pour la présente description, le terme poromère se rapporte à des patins de polissage en polyuréthane poreux fabriqués à partir de solutions aqueuses ou non aqueuses. L'avantage de ces patins de polissage est qu'ils assurent un enlèvement efficace avec une faible défectivité. Cette diminution de défectivité peut avoir pour résultat une nette augmentation du rendement de plaquette. Une application de polissage d'une importance particulière est le polissage de barrière de cuivre dans lequel une faible défectivité est exigée en combinaison avec la capacité d'enlever simultanément du cuivre et du diélectrique TEOS, de telle sorte que le taux d'enlèvement de TEOS est plus élevé que le taux d'enlèvement de cuivre de façon à satisfaire des conceptions avancées int ation de plaquette. ins du cemmerce que30 d.qectrique et e les per es du Gondi Leur. dépit du i~ _e taux d'en de patins de pol pccertaines ications de polissage avancées se de' iac vers des ations de poli de CMP à patin poru-,'re en raison du potentiel d'obtention d'aire etivité plus faible avec des patins poromères qu'avec d'autres types de pe:in tels que ces patins de polissage ICIOOO. Bien que ces opérations procurent de faibles défauts, les enjeux demeurent pour diminuer encore plus les défauts induits par le patin et pour augmenter le taux de polissage.
Un aspect de l'invention prévoit un patin de polissage utile pour le polissage d'au moins un substrat parmi les substrats magnétiques, optiques et semi-conducteurs, comportant une couche de polissage poreuse, la couche de polissage poreuse ayant une structure à porosité double dans une matrice de polyuréthane, la structure à porosité double ayant un ensemble principal de pores, l'ensemble principal de pores ayant des parois de pore, les parois de pore ayant une épaisseur de 15 à 55 gm, un module d'accumulation de 10 à 60 MPa mesuré à 25 °C et contenant un ensemble secondaire de pores à l'intérieur des parois de pore, se able sec J de pores ayant une taille de pc à 30 la elle de polissagE ou film p' ou tissée ou no- issée doubl- - une n.sLrice de la structure à porc double un 1pal de pores, ule princip,l de pores ayant de tis de pore et un ` tre moy- d'au moins 40 gym, is de pore ayant le épai,_ ' de 20 à 50 gm, un meu d'accumulation de 10 à 50 MPa mc uré à 25 °C et contenant un ensemble secondaire de à l'intérieur des parois de pore, l'ensemble sec e de pores ayant une taille de pore moyenne de 5 à 25 gm et la couche de polissage poreuse étant fixée sur un substrat à feuille ou film polymère ou bien sous la forme d'une structure tissée ou non-tissée afin de former le patin de polissage.
Le patin de polissage de l'invention est utile pour le polissage d'au moins un substrat parmi les substrats magnétiques, optiques et semi-conducteurs. En particulier, le patin de polyuréthane est utile pour le polissage de plaquettes de semi-conducteur ; et en particulier, le patin est utile pour des applications de polissage avancées telles que des applications à barrière de cuivre dans lesquelles une défectivité très faible est plus importante que la capacité d'aplanissement et dans lesquelles il est nécessaire d'enlever simultanément de multiples matières telles que du cuivre, des métaux de barrière et des ratières diélectriques, comprenant y être limit le. ectri,es TEOS, à ,rie coeffici à k, ur ptio: , sont its d'is mes difoz 1s ou po el-, du manière ava des ulati sans agent tensi( in de poli om me couche poreuse ayant iure de double _ec une iee de polyurét zr un _, t rat " , de __t. La structul_ double e un ensemble principal de pores plus grands et un en,,-r e secondaire de pores plu :its à l'intérieur et entre les parois de cellule des ares plus grands. Cette structure à porosité double sert à réduire des défauts tout en augmentant le 10 taux d'enlèvement pour certains systèmes de polissage. La couche de polissage poreuse est fixée sur un substrat à film polymère ou bien sous la forme d'une structure tissée ou non-tissée afin de former le patin de polissage. Lors du dépôt de la couche de polissage poreuse 15 sur un substrat polymère, tel qu'un film ou une feuille non poreux de poly(éthylènetéréphthalate), il est souvent avantageux d'utiliser un liant, tel qu'un uréthane ou un adhésif acrylique breveté afin d'augmenter l'adhésion sur le film ou la feuille. Bien que ces films ou feuilles 20 puissent présenter une porosité, ces films ou feuilles sont de manière avantageuse non poreux. L'avantage des films ou des feuilles non poreux est qu'ils favorisent une épaisseur ou une planéité uniforme, augmentent la rigidité globale et diminuent la compressibilité globale du patin de poLssace, 25 et éliminent les effets mèche de pendai : le n, couche non 30 omme de , Ceci a pour résultat de sérieux p c :ec un irrégularité de polissage, une d 1 ,cité plus levée, une usus élevé( de patin et dzs vie C :in réduite. ,, sont élir qua du feutre t utilisé comme substrat de base puisque l'air peut passe travers ln feutre et des bulles d'air ne sont pas pic Deu- i ment, quand la couche de pold.,e est appliquée sur un film, l'adhésion de la couche de polissage sur le film dépend de la force de la liaison adhésive. Dans certaines conditions de polissage agressives, cette liaison peut lâcher et avoir pour résultat une défaillance catastrophique du polissage. Quand du feutre est utilisé, la couche de polissage pénètre réellement à une certaine profondeur dans le feutre et forme une interface forte liée mécaniquement. Bien que des structures tissées soient acceptables, des structures non-tissées peuvent procurer une surface additionnelle pour une liaison forte sur le substrat polymère poreux. Un excellent exemple d'une structure non-tissée appropriée est un feutre polyester imprégné de polyuréthane afin de tenir les fibres ensemble. Des feutres de polyester typiques ont une épaisseur de 500 à 1500 gm. L'ensemble principal de pores (également appelé ici macropores) est ouvert sur la surface de polissage et a de ni=,re typique un die.- e 'au moins 35 gm. Pour 1E e pore30 surface de d pa p laté, u structure verticales. De plus, l'eus b e ruincipal de pores contient des parois de pore, Ces v s pie pore ont une épaisseur de 15 à 55 im. Cette épaisseur de paroi contribue à la rigidité et à la capacité de polissage du patin. Si la paroi de cellule est trop mince, elle manque de rigidité requise pour un polissage constant, l'usure de patin est élevée et la durée de vie du patin raccourcie. De même, si la paroi de cellule est trop épaisse, la structure appropriée pour le polissage efficace fait défaut. De manière avantageuse, la paroi de cellule a une épaisseur de 20 à 50 gm. En plus de l'épaisseur, il est important que la paroi de cellule ait la rigidité ou le module nécessaire pour transférer une force de polissage appropriée au substrat de cible, tel qu'une plaquette, tout en ayant dans le même temps un module qui est suffisamment bas pour obtenir une polissage à faible défectivité. Pour la présente description, le module représente le module d'accumulation de tension de matière (E') mesuré après dissolution du polymère dans du diméthylformamide, dépôt de la sol-t.ion sur verre, éliminatiEn du solvant à -ature retrait du ec de un film non durant toute la durée de vie pri (ipaux , uvent avoir se préférelee avec: parois latér, col30 avec une faible De manière , les parois ont un mod -1' ion 10 De la manière la plus avantageux; les un module d'accumulati de 10 à 40 . En ls d'un module d'accumulé": de 10 MPA, los parois pore ont une rigidité insuffisante pour survivre aux contraintes mécano 1 du proces le fabrication par coagulation. Au--dessus c'un module d'accumulation de 60 MPA, les valeurs de défaut augmentent jusqu'à des niveaux qui étaient inacceptables pour des processus de polissage exigeants. D'après cela, une relation existe entre le module du polymère dans la paroi de pore et le niveau de défauts généré pendant le polissage. En plus de l'ensemble principal de pores (macropores), un ensemble secondaire de pores (également appelé ici micropores) dans les parois de macropore procure des bénéfices de polissage additionnels au patin de polissage. L'ensemble secondaire de pores a une taille de pore moyenne de 5 à 30 pm et tend à avoir une forme plus sphérique que les pores principaux. Pour la présente description, la taille secondaire de pore représente le diamètre moyen des micropores dans la paroi de cellule de macropore coupée transversalement à la surface de polissage qui coupe les pores secondaires. De manière avantageuse, les pores seco ires ont une taille de pore moyenne de 5 à 25 pm.30 les I pois de cellule ont de manière avant ~1~_ une porosi d'i moins 20 en volume mais pas su e à 50 % -ois de cellule ont de la ma fière la plu, porosité d'en: ron 20 à 40 % en volume. Par i'leurs, les parois de ont éventuellement une épaisseur égale à 2 à 10 fois la taille moyenne ci: micropores ou de préférence 4 à 10 fois la taille de pore moyenne des micropores. La création de structures de polymère poreuses par une technologie de coagulation à solvant/sans solvant a été utilisée pendant de nombreuses années pour fabriquer du similicuir (voir par exemple : Encyclopedia of Polymer Science « LeatherLike Materials ») ou des membranes synthétiques (voir par exemple : Encyclopedia of Polymer Science « Membrane Technology »). Dans le processus de coagulation, une solution d'un polymère dans un solvant est ajoutée à une solution qui est sans solvant pour ce polymère. La phase de polymère se sépare de la solution pour former une phase riche en polymère et une phase pauvre en polymère. La phase riche en polymère constitue les parois de pore et la phase pauvre en polymère les pores eux-mêmes. En commandant la chimie du polymère et les conditions de coagulation, il est possible de créer une grande variété de structures de pore pour différentes applications. En plus de '' s structures pore ses en :ilis st une solin. on d, à de s( il un de mère30 de crée euses similaire; par d'autres techniqI 1-oc, tels que le frittage, l'étil, -e, la :,piste, ess_ de gabarit et l'inversion de Cette dern comprend la précipitation par évaporation de solvant, la précipitation de phase vapeur, la précipitation par évaporation cc iée et la précipitation D' utres p~ i_ ,' de fabrication de pores intercel ,tés comprennent l'utilisation de fluides supercritiques ou la technologie 10 de mousse à faible densité.
Exemples Le tableau 1 récapitule des propriétés des patins décrits dans les exemples ci-dessous. Sont incluses des 15 propriétés globales de patin, des données de métrologie pour les macropores, des données de polissage et les valeurs pour plusieurs caractéristiques qui définissent des patins de polissage poromères. Les exemples 1 à 3 représentent des exemples comparatifs de patins de 20 polissage poromères en polyuréthane du commerce. Les exemples 4 à 7 représentent des patins de polissage qui présentent des performances de polissage améliorées par rapport aux patins de polissage du commerce. 12 Tableau 1. Exemples comparatifs F'ycmhlc~ (lc 1,1 piéscn(c inv,cation, Part-un etrc de patin Exemple Exemple Evcnnhle Exemple 1:ycmplc 1ycnlplc Exemple 1 2 3 4 6 7 l'10plL«c 1Ics oIee ;);11m ln,li(L' 1~;1(ill k)(~11c ilniliit111c dc pouce) /(mm) 60/1,5 32/0,8 28/0,7 28/0.7 h~7I1.5 53f1,3 28/0,7 b'.11 11 <(c l)a~~ ~lc p,11111 Feutre Film Film l"ilin. 1 CUIR: FcUH Film f:l,<li~~cur ~I~ cui_icl~c pic 1xtli.~sa~~c tmillieme de pouce)/(mm) 16/0,4 25/0,6 21/0,5 21/0,5 21/0,5 lt~/O. 1 21/0,5 C'~>no re ihillie tle Matin (~~) 14,7 20,3 21,3 21,2 12,2 15? 22,8 ~'I1c [o[1 (Ipatin inillicnle depouce)/(mm) 8,3/0,21 7,5/0,19 5,5/0,14 5,5/0,14 7,0/0,18 7,6/0,19 5,9/0,15 etc oi 1~crc 1)rincïlrnj, lnaeropore) ~l1{ ine oie nl,'yturc (mm 6,0 6,0 6,0 6,0 6,0 (Li) 6,0 ( ~>nl1)t< pic i~OCC Lion• Ll : n O nce de mesure 642 213 514 716 637 575 521 ('~~n11)t, SIL 1)~ircr111n1 107 36 86 119 1)(~ °)( 87 Suli,lcc ln~~vnnc llc poorL' i0,00383 0,00320 0,00180 0,00149 1).00223 (1.00203 0,001.50 Divin ci e cic 13(,r,i (ail) 70 64 48 44 53 51 44 l lacil~~ii (le poire 0,410 0,114 0,154 0,178 0,237 0,195 0,130 \lttnn,ioie pmc ~ceon~lairc (micropore) } r,letiou ,lc )lunle cstiméc oie micropores dans la paroi de 0 >60 ?0x40 il[ 40 2Oa4(} 20x40 20x40 111;1c1t)1)tti~' l'i ) 13 ( ',il iiL du FUI \ CntiOn CUI [MI Oi du 111,1CIOUOI'L(Inn) 20 63 37 7fl 28 3' 39 ^ in i Liu ipol u Non Oui Oui Oui Oui Oui Oui ^I,idul piu o i de inucropore (MPa à 25 « 71 45 73 39 39 39 17 1 )t HUC \ «1«.' s umpiu du dciuui 27 13 41 6 7 11 2 1 cnicnt de 1 1_OS .\/min) 807 945 1199 1274 il(n) 1053 ,, de C \ ( inin) 434 368 749 3(16 369 (1C tut i^ «Rllkui UlIU2111TEOS : Cu 1,86 2,57 1,60 3,4S 3,82 2,85 sien du po 'orman' les a été ' __:ciné par l'al 1 films m_ Ceux-ci ont été pio en dépoant le olymère dis> :..gus dans du diméthylfo-mamide sur une lame de verre, en élis , ' le solvant à nature élevée et en enle ant ensuite le (t t sec de la lame de verre afin de laisseun film libre, sans bulles d'air et autres imperfections, d'approximativement 300 micromètres d'épaisseur. Après conditionnement du film pendant 5 jours à 25 °C et 50 % d'humidité relative, le module d'accumulation de tension a été mesuré en utilisant du matériel du type Rheometric ScientificTM Solids Analyser RSA III. Des mesures ont été faites sous tension en utilisant un montage à couche mince à une fréquence de 10 rads/sec et une température de 25 0C selon la norme ASTM D5026-06 « Standard Test Methods for Plastics : Dynamic Mechanical Properties : In Tension ». Les échantillons avaient des dimensions de 20 mm de long par 6,5 mm de large. Mesures de métrologie de pore : Les pores principaux (macropores) présents dans la surface de la couche de polissage poromère ont été caractérisés par microscopie optique en utilisant un microscope Nikon SMZ800-' en combinaison avec le logiciel Iuage-Pr( pa Medi Plusieur Ceux- z30 tions po Toits les données poli été es à ins de 20 p(ee 3 de di être (51 cm) :dîne de po'i s,. Apl,lied Mi , de 200 Les matins été gravés avec un 'n de h hure croi ée ayant des dimensions de pas de 100 millièmes de pouce (2,5 mm), de largeur de 30 millièmes de pouce (0,8 mm), et de profondeur , 15 millièmes de pouce (0,4 mm) ou usinés avec un de rainure à hachure croisée ayant des dimension: de pas de 180 millièmes de pouce (4,6 mm), de largeur de 30 millièmes de pouce (0,8 mm), et de profondeur de 15 millièmes de pouce (0,4 mm). La pâte utilisée était du type LK393c4 fabriquée par Dow Electronic Materials à un débit de 200 ml/minute. Les vitesses de platine et de tête de support étaient de 93 tours par minute et 87 tours par minute respectivement et la force vers le bas était de 10,34 KPa. Des données de taux d'enlèvement de cuivre et de diélectrique ont été mesurées en utilisant des ébauches de plaquettes en Cu et TEOS respectivement. Les données de métrologie de défaut étaient déterminées à des ébauches de plaquette en Cu en utilisant un outil d'inspection d'ébauche de plaquette du type KLA SP1 à la limite de détection de 0,08 micromètre suivi par un classement de défaut à l'aide d'un microscope de revue de défaut Leica Vistec 1NS3300. :if A (patin de po n d'ut ane et en Ilium rt ensuite dans un bain de solvant/à solvant de iaçon à foi:ur un ce substrat. , et sée le s' strat duit a été poli a- _2 abrasif afin d'enlever la couche de peau et la structure de pore. Le patin a été alora gravé pour créer un dessin de rainure à hachure croisé la couche de polissage. Le 'h de rainure facilite la distribution de pâte à travers la surface de patin pendant le polissage.
La structure de pore du patin comparatif A comprenait de grands pores verticaux avec les dimensions prévues dans le tableau 1. Les pores faisaient de manière typique 70 micromètres de diamètre et plusieurs centaines de micromètres de longueur (mesurés en coupe transversal et parallèlement à la surface de polissage). La plupart des pores étaient effilés avec les pores qui étaient plus étroits vers la surface de polissage. Cette structure conique avait pour résultat une densité de pore qui variait avec l'usure de patin ; et la densité de pore variable procurait des performances de polissage irrégulières lorsque la surface de patin s'érodait pendant la durée de vie du patin. Les parois de cellule avaient une faible porosité et étaient exempt de micropores dans plage souhai dE ' 40 miel . Tous les pores Îent 5 oins de
re, 130 cr_ectivité plus él Le module du poli: formant la ' de pore, tel q' F le pru écrit avait valeur 71 . Cattera1 tait h te que s trble et avait t pour ta défauts plus élevés pendant le poli ' l'on se réfère aux doL et aux conditions de polidu tableau 1, les perforrdlces de polissage de ce patin 'étaient pas satisfaisantes pour des applications de polissage à faible défaut exigeantes. Par exemple, des valeurs de défectivité étaient excessives et les taux d'enlèvement de TEOS étaient trop faibles pour répondre à des exigences de débit pour des structures commerciales d'intégration de plaquette. Plus spécialement, le rapport de sélectivité de taux d'enlèvement TEOS : Cu était trop bas pour des besoins de polissage avancés à faible défaut ou futurs.
Exemple 2 : Patin comparatif B (H7000HN-PET, Fujibo) Le patin comparatif B était un patin poromère en polyuréthane utilisé pour polir des plaquettes de semi-conducteur vendu par Fujibo Corporation sous la désignation H7000HN-PET. Le patin semblait être fabriqué par un processus similaire à celui utilisé dans l'exemple 1, sauf que la couche de polissage était dépodée ,dur un stbstrat de film '- polyeste et comprenait d 1ts sidactifs tels Le sull !ioctyll jouté30 poli à faible exigea ii la struct dou le en aj, des agents actifs à la de polyu Certain de As nifs cc .tenaient des ions métali le patin c tls que du s qui peuvent compromettre les performances électriques des dispositifs polis tandis que d'autres agents tensioactifs peuvent avoir pour rmsu une génération de mousse inacceptable pendant le polis, Deuxièmement, la concentration de micropores dans les parois de macropore affaiblissait très fortement la paroi de cellule, ce qui peut conduire à une usure de patin élevée et à une durée de vie de patin réduite. Enfin, d'après le tableau 1, on peut voir que l'épaisseur de paroi de pore calculée était de 63 micromètres. La structure de pore se composait ainsi de pores séparés par des parois qui étaient de dimensions comparables au diamètre des pores eux-mêmes. Une telle structure de pore affecte de manière défavorable à la fois le transport de pâte et les forces de contact entre le patin et la plaquette et était inefficace pour des applications de polissage à faible défaut plus exigeantes.
Exemple 3 : Patin comparatif C (SPM3100TM) Le patin comparai f C était un patin poromère utilisé polir tes de silicium. Le patin it par ronic la 1)0. par un ire emple 1 sauf un subs. if C 18 atif B la né cité d( dan paroi pore obtenir applicaticas de à faible défaut exigeant Le rapport de sélectivité de taux d'enlèvement de TEC) : Cu était également bas de manière inacceptable pour des besoins de polissage avancés à faible dé» futurs .
Exemple 4 : (Substrat de base à film) Un polyuréthane a été synthétisé en DMF en faisant réagir un mélange d'un polyéthylènepropylèneglycol adipate polyol (0,0102 mole) et de butanediol (0,0354 mole) avec du diisocyanate de diphénylméthane (MDI) (0,0454 mole) afin de former un polyuréthane ayant un poids moléculaire moyen de 50.000 et une multidispersion de 1,6. La solution de polyuréthane résultante avait une viscosité à température ambiante d'approximativement 3000 cP à 25 % en poids de matière solide. Aucun agent tensioactif n'était présent dans la formulation.
Une couche de 75 millièmes de pouce (1,9 mm) d'épaisseur à l'état humide de la solution de polyuréthane ci-dessus à 17 °C a été déposée sur un substrat de film de polyester de 7,5 millièmes de pouce (0,2 mm) d'épaisseur. Le film enduit a été immet dans un bain contenant 14,5 % e module du polymère valeur critique pour faut exigés ponr des de DMF et 85,5 er le ructure p à 17 afin faire f-[ une de c de30 mil de pouce (0,4 mm) de -)ndeur et de 30 millièmes de pouce (0,8 mm) _s rainures ont facilitE distribuai de p à ; la surface de patin p( le poli _ combinaisc_ de formulation de polyuréthane et de conditions de coagulation a eu pour résultat une morphologie de pore souhaitable se composant de macrol- ; ayant une épaisseur de paroi moyenne de 30 micromètres ave: des micropores dans les parois de macropore. Les micropores étaient approximativement sphériques, d'environ 10 micromètres de diamètre et leur concentration était telle qu'une paroi de macropore continue existait entre les micropores. Ainsi, à la différence de la concentration élevée des micropores en chevauchement présents dans le patin comparatif B, les micropores dans cet exemple n'ont pas compromis la résistance ou la rigidité de la paroi de macropore. La structure de pore double poromère de polyuréthane présentait plusieurs bénéfices. Premièrement, elle était responsable de l'augmentation des taux d'enlèvement de TEOS aux valeurs plus élevées exigées pour des modes de polissage avancés et a augmenté d'une manière significative et encore plus importante le rapport sélectif de taux d'enlèvement de TEOS : Cu à une valeur préférée.
D' al i~s le tableau 1, on peut voir que le tat d'erle30 de de mac. trop éle pour tact et un tlu te optir 1 entre plaquette e_ le taux die1 réalisé par 7 patin __if B était in-atis ai_ pour des applications de ,lissage à faible défaut ei es . Un ue, e te bénéfice de la structure de pore double avantageuse de 1' )le 4 était qu'elle réduisait la variation des performances de polissage pendant que le patin s'usait. Pour les patins qui avaient une structure de macropore seulement, tels que le patin comparatif A de l'exemple 1, des changements dans le taux d'enlèvement apparaissaient lorsque le patin s'usait pendant le polissage. Ceci était une conséquence des macropores ayant une section transversale conique de telle sorte que, lorsque le patin s'usait, la section transversale de pore changeait. Des données de polissage pour des patins ayant la structure de pore double avantageuse de la présente invention ont montré que, lorsque le patin s'usait, les taux d'enlèvement restaient pratiquement constants ou réguliers pendant toute la durée de vie et la défectivité de patin était également inchangée, un bénéfice significatif par rapport aux patins du commerce A, B et C. Un troisième bénéfice de structure de pore de e de l' 1, 4 était que la des micropores sait créer surface s de pcU il st_30 bien pendant le pal* et qu'une préparation de la surface de patin avec Lie simple brosse en Nylon c a était suffisante pour maentenir des d' nt stables et une faible ivité toute la durée de vie du patin. L'éliminati ou au moins la minimisation du conditionnement au dia' -u a eu pour résultat une usure de patin moindre et une durée de vie de patin accrue. Un quatrième bénéfice de la structure de pore IO double de l'exemple 4 était que les performances de polissage devenaient moins dépendantes de la conception à macro-rainure gravée ou usinée dans la surface de patin. Des macro-rainures étaient exigées pour empêcher une striction entre le patin et la plaquette pendant le 15 polissage et pour permettre le transport de pâte dans l'espace patin-plaquette. Cependant, à la différence des patins de polissage conventionnels, des variations dans la conception de macro-rainure des patins de l'exemple 4 ont eu seulement un effet mineur sur les performances de 20 polissage. Le module d'accumulation du polymère dans la paroi de pore était de 39 MPa. Cette valeur a procuré un polissage à faible défectivité en combinaison avec des taux d'enlèvement de TEOS efficaces et une valeur de sélectivi 25 de tale... d'enlèvement de `1'ED' Cu élevée de 3,5. Le ur ti basse de compte ïcative au ni euifs A, B et C. at, fabriqué Dow
49 milliè es de DO. dans un bain en volume d'eau de polymère contenant à la fois des gi ids et des petits pores. Après rinçage et 10 séchage, le substrat revêtu a été poli avec du papier abrasif afin d'enlever la couche de peau et d'exposer la structure de pore. La couche de polissage a été ensuite été gravée afin de créer un dessin de rainure hachuré croisé avec des dimensions nominales de pas de 100 millièmes de 15 pouce (2,5 mm), de 15 millièmes de pouce (0,4 mm) de profondeur et de 30 millièmes de pouce (0,8 mm) de largeur. Le dessin de rainure gravé a facilité la distribution de pâte à travers la surface de patin pendant le polissage. Les substrats en feutre présentaient des 20 bénéfices par rapport au film en ce que des bulles d'air ne sont pas piégées entre le patin de polissage et la platine de l'outil de polissage avec pour résultat de médiocres performances de polissage, puisque les bulles peuvent se dissiper à travers la couche de feutre perméable. 25 Deuxiè quand la couche de polissage e ' appliquée sur ur. 9n de la cc filix. -=e dE certai ol ? liai peut ùou 'llance 30 cat.ae du ilisé, Ertai 23 de Elee:h ic une de 0,340 g /c une camp: é de 14 %, une de pouce (12 i) et une durEie de 49 _es feutre r<a a été contenant 14,5 % en volume de DMF et 85,5 maintenue à 17 °C pour faire coaguler et pour une microstructure poreuse PO -er plutôt qu'un substrat de Le poh ster était beaucoup plus moins que le film de polyester. Pu' r e poli, été fabriquée à partir de la formulation de po]; e les conditions de coagu ::.fion étaient identiques à l'euemple 4, une structure de pore double, une épaisseur de paroi et une valeur de module de po' r de paroi de pore similaires ont été obtenues dans emple 5. La seule différence était le substrat de base. On peut voir d'après le tableau 1 que le patin non-tissé de l'exemple 5 présentait de faibles valeurs de défaut, des taux d'enlèvement de TEOS élevés et un rapport de sélectivité de taux d'enlèvement de TEOS : Cu élevé. Cet exemple a démontré que de bonnes performances de polissage pouvaient également être obtenues avec un substrat de base en feutre non-tissé et que, comparé au film, les problèmes d'occlusion d'air et de défaillance de liaison adhésive étaient éliminés.
Exemple 6 : (Substrat de base en feutre) Une couche de 75 millièmes de pouce (1,9 mm) d'épaisseur à l'état humide de la solution de polyuréthane a été préparée dans l'exemple 4 à 17 °C et a été déposée sur un substrat de feutre de polyester non-tissé imprégné d polyuréthane. Le ubstra fabriqué par Dow Electronic avait un 1,- 0,318 g/cm3, une de 4 mîll' de DO. an un patin -onditioru (Substrat base à film) Un lyure a t en en d' dipate de pol'à thylènepro de butanediol (0,0259 mole) avec du diisccù te de diph -1méthane (MDI) (0,0373 mole) afin de former polyuréthar - ayant un poids moléculaire moyen de 40000 et une idispersion de 1,6. La solution de polyuréthane était no8 e sur le film et convertie en un patin de polissage en utilisant les mêmes étapes et conditions de processus que celles décrites dans l'exemple 4. L'exemple 7 diffère de l'exemple 4 en ce que la formulation de polyuréthane a été modifiée pour réduire le module du polymère dans la paroi de pore. D'autres aspects du patin de polissage, y compris la structure de pore double et l'épaisseur de paroi de pore, restent similaires au patin de polissage de l'exemple 4. Une relation claire existe entre le module du polymère dans la paroi de pore et le niveau de défauts générés pendant le polissage. Ainsi, en comparant les exemples 7 et 4, les valeurs pour le module du polymère dans les parois de pore sont de 17 et 39 MPa respectivement et les niveaux de défaut sont de 2 et 6 respectivement, ce qui nre clairement que la réduction de module de paroi de por, nue la défectivit(. 10 a.i 5leç de-> au. s a ' Lle coeffic et k au point d'inter e polissage.

Claims (2)

  1. REVENDICATIONS1. Patin de po utile pour le polissage d'au moins un substrat parmi ubstrats magnétiques, optiques et semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de polissage poreuse, la couche de polissage poreuse ayant une structure à porosité double dans une matrice de polyuréthane, la structure à porosité double ayant un ensemble principal de pores, l'ensemble principal de pores ayant des parois de pore, les parois de pore ayant une épaisseur de 15 à 55 pm, un module d'accumulation de 10 à 60 MPa mesuré à 25 °C et contenant un ensemble secondaire de pores à l'intérieur des parois de pore, l'ensemble secondaire de pores ayant une taille de pore moyenne de 5 à 30 pm et la couche de polissage poreuse étant fixée sur un substrat à feuille ou film polymère ou bien sous la forme d'une structure tissée ou non-tissée afin de former le patin de polissage.
  2. 2. Patin de polissage selon la revendication 1, 20 caractérisé en ce que les pores principaux ont un diamètre moyen d'au moins 35 lm. cE 25 po-- ne porosité d -à A.., ,j 30 . Patin Doli Ion l' que _estions 1 4 , c es _ . ma est une strict-8e coagui sans ageu ioactif. de polissage utile pour le p8}_ d'au moin un si' strat parmi les substrats À.quei, optiques et i -conducteurs, caractérisé en ce il comporte une IO couche de polissage poreuse, la couche de polissage poreuse ayant une structure à porosité double dans une matrice de polyuréthane, la structure â porosité double ayant un ensemble principal de pores, l'ensemble principal de pores ayant des parois de pore et un diamètre moyen d'au moins 40 15 pm, les parois de pore ayant une épaisseur de 20 à 50 pm, un module d'accumulation de 10 à 50 MPa mesuré à 25 °C et contenant un ensemble secondaire de pores à l'intérieur des parois de pore, l'ensemble secondaire de pores ayant une taille de pore moyenne de 5 à 25 pm et la couche de 20 polissage poreuse étant fixée sur un substrat à feuille ou film polymère ou bien sous la forme d'une structure tissée ou non-tissée afin de former le patin de polissage. 7. Patin de po selon la revendication 6, 25 c.ractérisé en que le c Iule d'accumulation des parois ore est de 10 à 40 MPa -é à 25 °C. 30 poila dications à 8, cara8à 4 à 10 fois la taille de ropoi 10. Patin de pc selon l'une quelco,- 3 revendications 6 à 9, caractérisé en ce que la matrice de polyuréthane est une structure coagulée sans agent tensioactif.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8162728B2 (en) * 2009-09-28 2012-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Dual-pore structure polishing pad
TWI510328B (zh) * 2010-05-03 2015-12-01 Iv Technologies Co Ltd 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法
JP5710353B2 (ja) * 2011-04-15 2015-04-30 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US20150056895A1 (en) * 2013-08-22 2015-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure
JP6434266B2 (ja) * 2013-12-17 2018-12-05 富士紡ホールディングス株式会社 ラッピング用樹脂定盤及びそれを用いたラッピング方法
TWI565735B (zh) * 2015-08-17 2017-01-11 Nanya Plastics Corp A polishing pad for surface planarization processing and a process for making the same
KR102066363B1 (ko) * 2015-10-29 2020-01-14 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 연마 패드, 연마 패드를 사용한 연마 방법 및 그 연마 패드의 사용 방법
US10259099B2 (en) 2016-08-04 2019-04-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tapering method for poromeric polishing pad
US10106662B2 (en) * 2016-08-04 2018-10-23 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Thermoplastic poromeric polishing pad
US9925637B2 (en) * 2016-08-04 2018-03-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tapered poromeric polishing pad
US10688621B2 (en) * 2016-08-04 2020-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Low-defect-porous polishing pad
JP2019160996A (ja) 2018-03-13 2019-09-19 東芝メモリ株式会社 研磨パッド、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法
US11545365B2 (en) * 2019-05-13 2023-01-03 Chempower Corporation Chemical planarization
WO2023069557A1 (fr) * 2021-10-23 2023-04-27 Rajeev Bajaj Brosse de nettoyage post-cmp et son procédé de fabrication
CN114406895B (zh) * 2022-01-14 2022-09-16 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 高孔隙率高模量抛光层及其制备方法与抛光垫及其应用

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841680A (en) * 1987-08-25 1989-06-27 Rodel, Inc. Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing
JPS6458475A (en) * 1987-08-25 1989-03-06 Rodeele Nitta Kk Grinding pad
US6099954A (en) * 1995-04-24 2000-08-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing material and method of polishing a surface
US6284114B1 (en) * 1997-09-29 2001-09-04 Rodel Holdings Inc. Method of fabricating a porous polymeric material by electrophoretic deposition
GB2334205B (en) * 1998-02-12 2001-11-28 Shinetsu Handotai Kk Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein
JP2918883B1 (ja) * 1998-07-15 1999-07-12 日本ピラー工業株式会社 研磨パッド
US6095902A (en) * 1998-09-23 2000-08-01 Rodel Holdings, Inc. Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods
JP3697963B2 (ja) 1999-08-30 2005-09-21 富士電機デバイステクノロジー株式会社 研磨布および平面研磨加工方法
WO2001045900A1 (fr) * 1999-12-23 2001-06-28 Rodel Holdings, Inc. Tampons a polir autolissants et procedes correspondants
JP2001244223A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Hitachi Chem Co Ltd 研磨パッド
GB2360723B (en) * 2000-04-01 2003-07-23 Hire Technicians Group Ltd Sanding machine clamp bar
EP1294536B1 (fr) * 2000-06-30 2005-04-20 Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc. Tampon de base pour tampon de polissage
US6852020B2 (en) * 2003-01-22 2005-02-08 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical—mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
US6913517B2 (en) * 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
JP2004136432A (ja) * 2002-09-24 2004-05-13 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨布及びその製造方法
US7311862B2 (en) * 2002-10-28 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size
US7435165B2 (en) * 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7267607B2 (en) 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
JP4659338B2 (ja) * 2003-02-12 2011-03-30 Ｈｏｙａ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド
JP2004358584A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Fuji Spinning Co Ltd 研磨布及び研磨加工方法
US6899602B2 (en) * 2003-07-30 2005-05-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Nc Porous polyurethane polishing pads
JP4555559B2 (ja) * 2003-11-25 2010-10-06 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布及び研磨布の製造方法
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
US20070117393A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 Alexander Tregub Hardened porous polymer chemical mechanical polishing (CMP) pad
US7287607B1 (en) * 2006-08-04 2007-10-30 Falgout Sr Thomas E Directional drilling apparatus
TWI341889B (en) * 2006-09-06 2011-05-11 Formosa Taffeta Co Ltd Color-coated, fouling-resistant conductive clothes and manufacturing method thereof
JP5297096B2 (ja) * 2007-10-03 2013-09-25 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
US8162728B2 (en) * 2009-09-28 2012-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Dual-pore structure polishing pad

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