FR2932008A1 - Procede de fabrication de capteurs d'image ccd a petits pixels - Google Patents

Abstract

L'invention concerne les circuits matriciels de capture d'image en technologie CCD, et tout particulièrement les matrices à très petits pixels. On propose une technologie de réduction des largeurs de bande d'isolation entre les colonnes de pixels et des largeurs de structures anti-éblouissement également présentes entre les colonnes de pixels. Selon l'invention, ces largeurs sont définies simultanément et de manière autoalignée à partir d'une étape globale de gravure d'une couche d'oxyde de silicium recouvrant une couche de silicium polycristallin.

Description

PROCEDE DE FABRICATION DE CAPTEURS D'IMAGE CCD A PETITS PIXELS L'invention concerne les circuits matriciels de capture d'image en technologie CCD (dispositifs à transfert de charges, en anglais charge coupled device) dont le principe repose sur l'accumulation de charges électriques engendrées par la lumière dans des pixels individuels d'une matrice puis le transfert de ces charges de ligne à ligne vers un registre de lecture au bas de la matrice ; le transfert des charges se fait le long des colonnes de pixels, sous la commande de potentiels de décalage appliqués à des grilles de transfert qui sont perpendiculaires aux colonnes et qui séparent les lignes adjacentes de pixels.

L'organisation des matrices de capture d'image CCD nécessite que les zones de transfert de charges d'une colonne soient électriquement isolées de celles des colonnes adjacentes, afin qu'il n'y ait pas de risque de transfert de charges d'un pixel d'une colonne vers un pixel d'une autre colonne. L'isolation entre colonnes peut être réalisée à partir de zones d'oxyde de silicium épais formées par oxydation profonde du silicium dans lequel sont formés les pixels, ou par une grille sur laquelle est appliquée une tension permettant de créer une barrière d'isolation entre les colonnes. Elle peut être faite aussi à partir de régions implantées contenant des impuretés de type de conductivité opposé au type de conductivité du silicium dans lequel le stockage de charges et les transferts de charges ont lieu. Typiquement, si la matrice est formée dans un substrat de silicium de type P, une région superficielle de type N est établie dans toute la matrice et sert au stockage de charges et au transfert de charges de ligne à ligne ; une implantation de type P, moins profonde que la région superficielle de type N est effectuée entre deux colonnes adjacentes, en continu tout le long de ces colonnes. Par ailleurs, il est le plus souvent utile de prévoir des moyens d'anti-éblouissement à côté des colonnes de pixels. Ces moyens sont destinés à recueillir et évacuer des charges en excès, produites en cas d'illumination trop intense d'un pixel de la matrice ; l'évacuation des charges en excès évite que ces charges ne débordent vers les pixels voisins et ne modifient donc la quantité de charges que ces derniers ont pu recueillir.

Les moyens d'anti-éblouissement sont en général constitués par une région de drain continue, de type de conductivité (par exemple P) opposé au type de conductivité de la région superficielle (par exemple N) qui sert au stockage et au transfert de charges ; cette région de drain s'étend tout le long de la colonne de pixels pour laquelle elle doit jouer le rôle d'antiéblouissement, et elle en est séparée par une grille d'anti-éblouissement (également continue tout le long de la colonne) ; la grille est portée à un potentiel qui crée une barrière entre les zones de transfert et le drain, et le niveau de ce potentiel définit le seuil d'évacuation de charges en excès ; en deçà de ce seuil les charges restent confinées dans la colonne ; au-delà, l'excès de charges se déverse automatiquement vers la région de drain. La région de drain, la grille d'anti-éblouissement, et la région d'isolation entre colonnes occupent une place non négligeable dans la matrice et cette place est perdue du point de vue de la génération de charges sous l'effet de la lumière. Ces régions ne participent pas à la génération de charges et la sensibilité du capteur à la lumière est d'autant plus réduite que le rapport entre la surface véritablement photosensible et la surface totale d'un pixel (isolation et anti-éblouissement compris) est plus petit.

Cependant, la surface ainsi perdue ne peut pas descendre au-dessous d'une certaine valeur liée aux procédés technologiques de réalisation des moyens d'anti-éblouissement et des régions d'isolation entre colonnes. La présente invention propose un procédé de réalisation de la 25 matrice permettant de réduire au minimum l'encombrement de la région d'isolation et des moyens d'anti-éblouissement. Selon l'invention, on propose un procédé de fabrication d'une matrice de pixels d'un capteur d'image CCD, la matrice comprenant des colonnes de pixels, deux colonnes adjacentes étant séparées par une région 30 d'isolation s'étendant tout le long des deux colonnes, chaque colonne étant séparée d'un drain d'anti-éblouissement par une grille d'anti-éblouissement reposant sur une couche isolante, procédé caractérisé par les étapes successives suivantes : - on dépose une première couche isolante suivie d'une couche de silicium polycristallin sur une surface de silicium dopée d'un premier type de conductivité ; - on dépose au-dessus de la couche de silicium polycristallin une deuxième couche isolante, de préférence de l'oxyde de silicium ; - on grave dans la deuxième couche isolante un groupe de quatre bandes adjacentes s'étendant parallèlement le long des colonnes de la matrice ; - on dépose et on grave un premier masque d'implantation qui protège l'intervalle entre la première et la deuxième bande ainsi que l'intervalle entre la deuxième et la troisième bande mais qui laisse libre l'intervalle entre la troisième et la quatrième bande ; - on implante une impureté d'isolation entre colonnes, de type de conductivité opposé au premier type, dans la surface de silicium qui n'est 15 protégée ni par le masque d'implantation ni par les bandes, l'implantation étant faite à travers la couche de silicium polycristallin ; - on protège les première et deuxième bandes en vue d'une opération d'élimination des troisième et quatrième bandes ; - on élimine les troisième et quatrième bandes ; 20 - on élimine la couche de silicium polycristallin là où elle n'est pas protégée par la deuxième couche isolante, en conservant deux grilles allongées s'étendant le long des colonnes au-dessous des première et deuxième bandes ; - on dépose un deuxième masque d'implantation en vue d'une 25 opération d'implantation locale d'impuretés et on ouvre ce masque pour dénuder l'intervalle entre la première et la deuxième bande ; - on implante une impureté permettant de constituer un drain d'anti-éblouissement dans l'intervalle entre la première et la deuxième bande et on élimine le deuxième masque d'implantation. 30 Les masques d'implantation sont de préférence des masques de résine photolithographique en épaisseur suffisante pour protéger les couches sous-jacentes contre une implantation d'impuretés. La protection des première et deuxième bandes en vue de l'élimination des troisième et quatrième bandes est de préférence aussi une couche de résine 35 photolithographique.

Les largeurs des quatre bandes sont de préférence les plus petites possibles compte-tenu des règles de dessin imposées par la technologie utilisée. Les intervalles entre première et deuxième bandes d'une part et entre troisième et quatrième bande d'autre part sont également de préférence les plus petits possibles compte-tenu des règles de dessins imposées par la technologie. La largeur des pixels est définie par la somme de la largeur de la troisième bande et de l'intervalle entre la deuxième bande et la troisième bande ; cette largeur est aussi définie par la somme de la largeur de la quatrième bande et de l'intervalle entre la quatrième bande et un autre groupe adjacent de quatre bandes ; on prendra soin d'avoir une égalité entre ces deux sommes pour que les pixels soient tous identiques. La largeur des pixels est choisie en fonction de considérations telles que la sensibilité désirée. Cet intervalle peut être très petit dans le cas où on veut des pixels très petits (mais alors moins sensibles à la lumière).

Grâce au procédé selon l'invention, et notamment grâce aux auto-alignements qu'il permet, à la fois pour le drain d'anti-éblouissement et pour la région d'isolation entre colonnes, on minimise la surface occupée par les moyens d'anti-éblouissement et la région d'isolation. Ce résultat est obtenu parce que toutes les largeurs critiques (largeur de grille d'anti-éblouissement, largeur de région de drain, et largeur de région d'isolation) sont définies toutes simultanément et de manière autoalignée à partir d'une étape globale de gravure d'une couche d'oxyde de silicium recouvrant une couche de silicium polycristallin. De plus, l'invention permet d'obtenir des pixels parfaitement 25 identiques, auto-alignés entre eux. La structure globale de la matrice est obtenue par la juxtaposition de groupes de quatre bandes. La structure est de préférence telle qu'une même région de drain d'anti-éblouissement serve à deux colonnes adjacentes, et dans ce cas la première et la deuxième bandes définissent les 30 grilles d'anti-éblouissement de ces deux colonnes.

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 représente la structure générale d'un capteur matriciel CCD comportant des colonnes juxtaposées et des grilles de transfert entre lignes de pixels ; - la figure 2 représente une coupe verticale de la structure de la 5 figure 1 ; - la figure 3 (3A à 3C) représente les premières étapes principales du procédé selon l'invention ; - la figure 4 .(4A à 4C) représente les étapes suivantes. - la figure 5 représente une réalisation différente pour 10 l'implantation de drain d'anti-éblouissement ; - la figure 6 représente les profils de potentiel naturels sous le drain d'anti-éblouissement de la figure 5 ; - la figure 7 représente une réalisation dans laquelle les drains d'anti-éblouissement ne sont pas entourés par des grilles de contrôle. 15 Sur la figure 1, on a représenté schématiquement le dessin général d'un capteur matriciel CCD selon l'invention, et sur la figure 2 on a représenté la structure technologique en coupe verticale selon une ligne horizontale de la figure 1. Ces deux figures seront décrites simultanément. 20 La matrice comporte un réseau de lignes et de colonnes de pixels photosensibles. Quatre pixels appartenant respectivement à deux lignes et deux colonnes adjacentes sont figurés par des rectangles tiretés sur la figure 1 et sont désignés par Pl 1, P12 (pour la première ligne) et P21, P22 (pour la deuxième ligne). Les pixels accumulent des charges dues à leur éclairement, 25 et, après une période d'exposition, les charges accumulées sont transférées de pixel à pixel dans le sens des colonnes jusqu'à atteindre un registre de lecture non représenté. Des grilles de transfert recouvrent les pixels dans le sens des lignes pour assurer ce transfert dans le sens des colonnes. Deux grilles G1 30 G2 peuvent être prévues pour chaque ligne de pixel. Elles sont représentées juxtaposées sur la figure 1 pour la lisibilité du schéma mais dans la pratique les bords des grilles G1 peuvent recouvrir les bords des grilles G2. Des structures à trois grilles ou quatre grilles par ligne de pixel peuvent également être utilisées. Dans les structures à deux grilles on prévoit de 35 manière classique des dopages différents sous les deux grilles.

Les charges sont stockées et transférées dans une couche de superficielle de silicium 12 formée à la surface d'un substrat de silicium 10. Cette couche active 12 est dopée avec un type de conductivité (en principe N) opposé à celui du substrat (P).

Les colonnes adjacentes sont séparées par une région d'isolation ISP qui s'étend entre la première colonne (qui comprend ici les pixels P11 et P21) et la deuxième colonne (qui comprend ici les pixels P12 et P22). Cette région ISP est une région dopée de type opposé (ici de type P) à celui de la couche active 12 (type N). Elle forme une barrière d'isolation empêchant le passage de charges électriques d'une colonne à l'autre ; elle peut être portée à un potentiel de masse pour assurer cette fonction. Les pixels d'une colonne sont adjacents à des moyens d'antiéblouissement, qui sont des moyens d'évacuation d'excès de charges, destinés à vider les charges générées par l'éclairement d'un pixel lorsque cet éclairement est trop fort et risque de provoquer un débordement de charges vers d'autres pixels de lignes ou colonnes voisines. Ces moyens d'antiéblouissement comprennent une région de drain DAE portée à un potentiel suffisamment haut pour attirer les charges et une grille d'anti-éblouissement GAE portée à un potentiel suffisamment faible pour constituer, entre le pixel et le drain, une barrière empêchant normalement le passage de charges du pixel vers le drain. Cette barrière laisse passer uniquement des charges excédentaires présentes dans le pixel en cas de fort éclairement. Les charges passent si le potentiel du silicium dans le pixel descend au-dessous d'un seuil réglé par le potentiel appliqué à la grille.

La grille d'anti-éblouissement GAE s'étend en continu tout le long des pixels d'une colonne, entre ces pixels et le drain DAE qui s'étend lui aussi en continu tout le long de la colonne de pixels. L'organisation des groupes de deux colonnes adjacentes est la suivante : les pixels de la même ligne appartenant à deux colonnes adjacentes sont immédiatement adjacents d'un côté à la région d'isolation ISP et de l'autre à une grille respective d'anti-éblouissement GAE, et le drain d'évacuation DAE est situé de l'autre côté de cette grille. Mais le drain d'évacuation DAE sert aussi de drain d'évacuation pour une troisième colonne et est séparé de cette troisième colonne par une autre grille d'anti- éblouissement GAE.

Il en résulte que si on considère une ligne de pixels, on trouve successivement sur les figures 1 et 2 : deux grilles d'anti-éblouissement encadrant un drain d'évacuation, puis un pixel, par exemple P11, puis la région d'isolation ISP, puis un autre pixel P12, puis un autre groupe de deux grilles d'évacuation encadrant un drain d'évacuation, etc. On peut donc considérer que le pas D de répétition de cette organisation comporte l'ensemble des éléments suivants : deux grilles d'antiéblouissement encadrant un drain d'évacuation, un pixel, la région d'isolation ISP et un autre pixel.

Les grilles d'anti-éblouissement sont faites de préférence en silicium polycristallin 16 et reposent sur une fine couche isolante 14 qui peut être en oxyde de silicium. La couche 14 est déposée sur la couche active de silicium 12. Les grilles GAE sont recouvertes par un isolant 18. Les grilles G1 et G2 sont également en silicium polycristallin 20. Elles sont déposées l'une après l'autre, en léger recouvrement mutuel et sont séparées l'une de l'autre par un isolant. Seule la couche G1 est représentée sur la figure 2, recouverte par un isolant 22. La figure 3 représente les premières étapes principales du procédé de fabrication selon l'invention, qui concerne à la fois la fabrication de la région d'isolation DSP et la fabrication des moyens d'antiéblouissement DAE/GAE. Ce procédé est expliqué en référence à un motif de deux colonnes adjacentes, ce motif se répétant latéralement avec un pas D conformément à ce qui a été dit ci-dessus. La figure 3 est une vue en coupe le long d'une ligne de pixels.

On part d'un substrat 10 de silicium de type P dans lequel on a formé une couche superficielle active 12 de type N dans laquelle seront stockées et transférées les charges. Les dopages différents éventuellement présents sous l'une des grilles G1 ou G2 dans les structures à deux grilles peuvent être faits en amont ou en aval des étapes qui vont maintenant être décrites. On dépose la couche isolante 14 (oxyde de silicium de préférence) puis la couche de silicium polycristallin 16 qui servira à former les grilles d'anti-éblouissement GAE. Puis on dépose une couche d'oxyde de silicium 18 (qui servira 35 ultérieurement d'isolant entre les grilles GAE et les grilles G1 ou G2).

On effectue une étape de photolithographie pour définir un motif de gravure des couches 14, 16 et 18. Pour cela on recouvre la couche 18 d'une résine photosensible 24 que l'on expose à travers un masque ; le motif d'exposition définit, l'intérieur d'un pas D, quatre bandes B1, B2, B3, B4 s'étendant longitudinalement en continu tout le long des deux colonnes de pixels définies dans le motif de pas D. Le motif se répète latéralement pour définir les autres colonnes de pixels. Dans le motif élémentaire de largeur D, les bandes B1 et B2 définiront deux grilles d'anti-éblouissement GAE encadrant un drain d'évacuation DAE. Les bandes B2 et B4 encadrent un espace qui définira l'emplacement de la région d'isolation ISP. L'intervalle entre les bandes B2 et B3 et la partie située sous la bande B3 définissent un pixel P11 de la première colonne, dont le drain d'évacuation sera à gauche. L'intervalle entre la bande B4 et la première bande B'1 du motif suivant, ainsi que la partie située sous la bande B4, définissent un pixel P12 de la deuxième colonne, dont le drain d'évacuation sera situé à droite du pixel et sera constitué par le motif adjacent suivant. La structure est alors celle de la figure 3A. Les largeurs des bandes B1 et B2 sont égales et sont les plus petites possibles compte-tenu des règles de dessin de la technologie de gravure utilisée (règles qui dépendent notamment de l'épaisseur de la couche 16). De même, les intervalles entre la bande B1 et la bande B2, et entre la bande B3 et la bande B4, sont les plus petits possibles compte-tenu des règles de dessin de la technologie de gravure utilisée.

Ayant gravé les quatre bandes d 'oxyde de silicium 18, on élimine la résine 24, et on recouvre la surface du substrat d'un masque d'implantation 26, en principe en résine photolithographique, que l'on expose et que l'on grave selon un motif qui dénude l'intervalle entre la troisième bande B3 et la quatrième bande B4.

On effectue à ce stade une opération d'implantation avec une impureté de type P (opposé à celui de la couche 12). L'implantation est profonde et est faite à travers la couche de silicium polycristallin 16 et la fine couche isolante 14. La résine 26 et les bords de la couche d'oxyde 18 des bandes B3 et B4 empêchent l'implantation en dehors de l'intervalle entre les bandes B3 et B4.

Cette implantation crée la région d'isolation ISP désirée qui s'étend tout le long des deux colonnes de pixels formées dans la largeur D. La figure 3B représente la structure à ce stade. L'étape suivante consiste à protéger les bandes B1 et B2 et dénuder les bandes B3 et B4, en vue d'une élimination des bandes B3 et B4 en oxyde de silicium . Ceci peut être fait soit en re-gravant le masque d'implantation 26 pour ouvrir plus largement ses ouvertures de manière qu'elles dénudent totalement les bandes B3 et B4 mais pas les bandes BI et B. Toutefois on préférera en principe éliminer la résine 26 et re-déposer une 1 o autre résine photolithographique 28 pour définir le motif de gravure des bandes B3 et B4. On attaque l'oxyde de silicium des bandes B3 et B4 non protégées avec un produit d'attaque sélective qui n'attaque pas significativement le silicium polycristalllin de la couche 16. 15 La figure 3C représente la structure à ce stade. On élimine alors la couche de résine 28 et on attaque la couche de silicium polycristallin 16 avec un produit d'attaque sélectif par rapport à l'oxyde de silicium, qui s'arrête sur la couche 14. Le silicium polycristallin subsiste uniquement là où il est protégé par la couche d'oxyde de silicium 18, 20 c'est-à-dire dans les bandes B1 et B2. Il subsiste dans ces bandes des grilles d'anti-éblouissement GAE en silicium polycristallin séparées l'une de l'autre par un intervalle étroit, ces grilles étant surmontées d'une couche isolante 18. La figure 4A représente la structure à ce stade. On dépose sur la surface du substrat un deuxième masque 25 d'implantation 30, en principe en résine phololithographique, en vue de l'implantation de la région de drain anti-éblouissement DAE. On expose la résine à l'aide d'un masque qui dénude le substrat dans l'intervalle entre les deux grilles GAE et qui protège le substrat ailleurs. On effectue une implantation d'impureté dans le substrat. 30 L'impureté est de type N pour créer une région de drain. Cette région sera reliée à un potentiel positif, par exemple l'alimentation positive du capteur. La résine 30 et les bords des grilles GAE protègent le reste du substrat pendant l'implantation. L'implantation ne se fait donc que dans l'espace étroit entre les bandes B1 et B2. 35 La figure 4B représente la structure à ce stade.

Enfin, on élimine le masque d'implantation 30. On aboutit à la structure de la figure 4C dans laquelle les drains d'anti-éblouissement DAE, les grilles correspondantes GAE et la région d'isolation ISP ont une largeur aussi petite que possible, déterminée uniquement par les règles minimales de largeur de gravure lors d'une seule opération de gravure qui est celle du silicium polycristallin de la couche 16. La largeur des pixels P11 et P21 réalisés à l'intérieur du motif de dimension D est définie d'une part par l'intervalle entre une grille GAE et la région d'isolation. Cette largeur est choisie en fonction de la sensibilité souhaitée. L'invention est particulièrement intéressante pour des matrices de très petits pixels pour lesquelles la largeur perdue par les bandes d'isolation et les bandes d'anti-éblouissement peut être très dommageable. Les opérations qui suivent sont standard et ne seront pas décrites ; elles comprennent notamment la formation des grilles de transfert de charges G1 et G2 mentionnées en référence aux figures 1 et 2. L'oxyde de silicium 18 qui a été conservé jusqu'ici au-dessus des grilles antiéblouissement vont servir de couche isolante qui sépare les grilles GAE du premier niveau de grille G1.

Dans une variante de réalisation représentée à la figure 5, on prévoit que le drain d'anti-éblouissement DAE est constitué par une double implantation, d'abord de type P+, puis de type N+. L'implantation P est plus profonde (plus énergétique) que l'implantation N, mais de dose plus faible que l'implantation N. Les deux implantations sont faites à travers le même masque qu'à la figure 4B. Elles produisent une région de drain de type N+ qui est enclose de tous côtés (en largeur comme en profondeur) dans une région de type opposé. De cette double implantation il résulte à l'endroit du drain d'anti-éblouissement un profil de potentiel naturel (en l'absence de potentiel sur les grilles GAE) tel que représenté à la figure 6. Ce profil comprend un puits de potentiel défini par la région N+ et des barrières de potentiel formées autour de ce puits par les zones étroites de type P+ qui entourent la région N+. Avec ce type de profil, on peut même supprimer les grilles GAE après les étapes d'implantation de drain d'anti-éblouissement. Le drain d'anti- éblouissement continue alors à jouer son rôle, mais le niveau des barrières de potentiel autour du drain n'est pas ajustable par une commande électrique. La suppression des grilles de contrôle GAE augmente encore la surface photosensible disponible pour les pixels P11 et P12, ou inversement elle permet de faire des pixels encore plus petits pour une taille de zone photosensible donnée. la figure 7 représente une telle réalisation avec un drain d'anti-éblouissement non entouré de grilles de contrôle de potentiel.

Claims (10)

1. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une matrice de pixels d'un capteur d'image CCD, la matrice comprenant des colonnes de pixels, deux colonnes adjacentes étant séparées par une région d'isolation (ISP) s'étendant tout le long des deux colonnes, chaque colonne étant séparée d'un drain d'anti- éblouissement (DAE) par une grille d'anti-éblouissement (GAE) reposant sur une couche isolante (14), procédé caractérisé par les étapes successives suivantes : - on dépose une première couche isolante (14) suivie d'une couche de silicium polycristallin (16) sur une surface de silicium dopée d'un ~o premier type de conductivité ; - on dépose au-dessus de la couche de silicium polycristallin une deuxième couche isolante ; - on grave dans la deuxième couche isolante un groupe de quatre bandes adjacentes (B1, B2, B3, B4) s'étendant parallèlement le long des 15 colonnes de la matrice ; - on dépose et on grave un premier masque d'implantation (26) qui protège l'intervalle entre la première et la deuxième bande ainsi que l'intervalle entre la deuxième et la troisième bande mais qui laisse libre l'intervalle entre la troisième et la quatrième bande ; 20 - on implante une impureté d'isolation entre colonnes, de type de conductivité opposé au premier type, dans la surface de silicium qui n'est protégée ni par le masque d'implantation ni par les bandes, l'implantation étant faite à travers la couche de silicium polycristallin ; - on protège les première et deuxième bandes en vue d'une 25 opération d'élimination des troisième et quatrième bandes ; - on élimine les troisième et quatrième bandes ; - on élimine la couche de silicium polycristallin là où elle n'est pas protégée par la deuxième couche isolante, en conservant deux grilles allongées (GAE) s'étendant le long des colonnes au-dessous des première 30 et deuxième bandes ;- on dépose un deuxième masque d'implantation (30) en vue d'une opération d'implantation locale d'impuretés et on ouvre ce masque pour dénuder l'intervalle entre la première et la deuxième bande ; - on implante une impureté permettant de constituer un drain d'anti-éblouissement (DAE) dans l'intervalle entre la première et la deuxième bande et on élimine le deuxième masque d'implantation.
2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'intervalle entre la première bande et la deuxième bande est égal à l'intervalle entre la troisième bande et la quatrième bande.
3. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'intervalle entre la première bande et la deuxième bande a la dimension la plus petite permise par les règles de dessin de la technologie utilisée.
4. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la largeur de la première bande est égale à la largeur de la deuxième bande. 20
5. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la largeur de la première bande a la dimension la plus petite permise par les règles de dessin de la technologie utilisée.
6. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en 25 ce que la deuxième couche isolante est en oxyde de silicium et est conservée pour servir de couche isolante entre les grilles d'antiéblouissement et une grille de transfert de charges (G1) formée ultérieurement. 30
7. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le premier masque d'implantation (26) est une résine photolithographique.15
8. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le deuxième masque d'implantation (30) est une résine photo lithographique.
9. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'implantation locale faite à travers le deuxième masque d'implantation comprend une étape d'implantation d'une impureté opposée à celle du drain d'anti-éblouissement, préalable à l'implantation du drain d'anti- éblouissement, plus profonde et moins énergétique que cette dernière.
10. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les deux grilles allongées sont supprimées après l'étape d' l'implantation locale faite à travers le deuxième masque d'implantation.