FR2900277A1 - Procede de formation d'une portion monocristalline a base de silicium - Google Patents
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Abstract
Des portions monocristallines (2) à base de silicium sont réalisées sur une surface (S) d'un substrat (100), sélectivement dans des zones (101) où un matériau monocristallin est initialement découvert. Pour cela, une couche (1) est d'abord formée sur toute la surface du substrat, en utilisant un précurseur de silicium du type hydrure non-chloré, et dans des conditions adaptées de sorte que la couche est monocristalline dans les zones du substrat où un matériau monocristallin est initialement découvert, et amorphe en dehors de ces zones. Les portions amorphes de la couche (1) sont ensuite sélectivement gravées, de sorte que seules les portions monocristallines (2) de la couche restent sur le substrat.
Description
PROCEDE DE FORMATION D'UNE PORTION MONOCRISTALLINE A BASE DE SILICIUM La
présente invention concerne un procédé de formation d'une portion monocristalline à base de silicium sur la surface d'un substrat. Elle peut être mise en oeuvre, en particulier, pendant la fabrication d'un circuit électronique intégré.
De multiples architectures de circuits électroniques intégrés nécessitent de réaliser, sur un substrat, des portions d'un matériau semiconducteur sensiblement monocristallin. De telles portions peuvent être utiles pour former, par exemple, des zones de sources et de drains de transistors MOS qui sont surélevées, c'est-à-dire qui sont situées au dessus de la surface du substrat, ou pour réaliser des transistors bipolaires à hétérojonctions. Il est connu de réaliser des portions sensiblement monocristallines à partir de parties découvertes du substrat, elles-mêmes en matériau monocristallin. Les parties du substrat en matériau monocristallin servent de germes à la formation des portions. Un tel mode de formation des portions est appelé croissance épitaxiale. En dehors des parties du substrat en matériau monocristallin, la surface du substrat peut être constituée de matériau isolant, tel que la silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4). Le matériau des portions formées est en général du silicium, ou un alliage de silicium et de germanium, qui peut aussi comprendre des atomes de carbone. Le procédé de dépôt qui est utilisé le plus souvent pour obtenir une croissance épitaxiale est le dépôt chimique en phase vapeur, ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais. La couche est alors formée à partir de composés précurseurs gazeux qui sont amenés au contact de la surface du substrat, et qui réagissent chimiquement sur celle-ci. Un tel procédé est généralement mis en oeuvre dans une enceinte à pression réduite ( vacuum vessel en anglais). En utilisant le composé dichlorosilane (SiH2Cl2) comme précurseur gazeux du silicium, des portions sensiblement monocristallines sont formées dans les zones du substrat où la surface découverte est en un matériau -2- initialement monocristallin. Simultanément, des portions amorphes, ou éventuellement polycristallines, sont formées dans les zones du substrat où un matériau isolant est exposé, ou bien aucune portion n'est formée dans ces dernières zones. Dans ce dernier cas, le procédé de formation de la portion monocristalline est dit par croissance épitaxiale sélective. Le plus souvent, un mélange gazeux est utilisé, qui comprend, outre le composé de dichlorosilane, des molécules d'hydrogène (H2) et des molécules d'hydrure de germanium (GeH4). Les paramètres de dépôt comprennent les pressions partielles des composés gazeux, la température du substrat, ainsi qu'une quantité de chlorure d'hydrogène (HCI) qui est ajoutée au mélange. Ces paramètres peuvent être ajustés pour obtenir un degré déterminé de sélectivité du dépôt, entre des zones du substrat où la surface est en matériau monocristallin et des zones du substrat où la surface est en matériau isolant. Mais un tel procédé, qui est basé sur une utiilisation du composé dichlorosilane, présente des caractéristiques cinétiques qui varient très rapidement en fonction de la température du substrat. Plus particulièrement, une sélectivité satisfaisante du dépôt n'est obtenue que pour des températures de substrat élevées, dans un intervalle de température qui est très réduit et dans un intervalle réduit de pression partielle de chlorure d'hydrogène. Il en résulte que les dépôts obtenus présentent des caractéristiques de reproductibilité médiocres, notamment en ce qui concerne leur sélectivité en fonction du matériau du substrat qui est découvert dans des zones différentes. En outre, la sélectivité obtenue dépend des dimensions des différentes zones du substrat. Enfin, les portions monocristallines qui sont formées dans des conditions sélectives à partir d'un mélange de dichlorosilane et de chlorure d'hydrogène présentent une faible vitesse de croissance. Le procédé de dépôt doit alors être poursuivi pendant une longue durée pour obtenir des couches qui ont des épaisseurs compatibles avec l'architecture du circuit électronique intégré. Le procédé de dépôt limite par conséquent le débit de fabrication réalisable dans une ligne de production de circuits électroniques intégrés. Il est aussi connu d'utiliser du disilane (Si2H6) et du chlore gazeux (Cl2) pour réaliser des dépôts sélectifs d'un matériau sensiblement monocristallin à base de silicium. En particulier, le disilane et le chlore peuvent être amenés -3- alternativement au contact du substrat, et la sélectivité des dépôts résulte d'un temps de latence au bout duquel un dépôt apparaît dans les zones du substrat où un matériau amorphe ou isolant est exposé. Mais un tel procédé n'est mis en oeuvre que dans des conditions de vide très poussé ( ultra-high vacuum ), et l'alternance entre l'introduction du disilane et celle du chlore nécessite des durées de traitement très longues. En outre, ce procédé présente une sensibilité vis-à-vis de la température du substrat qui est à peu près équivalente à celle de l'utilisation du dichiorosilane. Il ne permet donc pas d'améliorer significativement un rendement de fabrication de circuits électroniques intégrés, ni de diminuer l'exigence du contrôle de la température du substrat. Un but de la présente invention consiste à proposer un procédé de réalisation d'une portion monocristalline à base de siliciure, qui est sélectif par rapport au matériau du substrat exposé dans des zones différentes, et qui ne présente pas les inconvénients indiqués ci-dessus. Pour cela, l'invention propose un procédé de formation d'au moins une portion sensiblement monocristalline à base de silicium sur une surface d'un substrat, sélectivement dans une première zone du substrat dans laquelle un matériau à base de silicium sensiblement monocristallin appartenant au substrat est initialement exposé, et en dehors d'une seconde zone du substrat dans laquelle est exposé initialement un matériau autre que ledit matériau sensiblement monocristallin appartenant au substrat, le procédé comprenant les étapes suivantes : /a/ chauffer le substrat et former une couche à base de silicium sur la surface du substrat, dans des conditions adaptées de sorte que ladite couche est sensiblement monocristalline sélectivement dans la première zone du substrat et amorphe dans la seconde zone du substrat, en mettant en contact avec le substrat, au niveau de ladite surface dans lesdites première et seconde zones, un premier mélange gazeux comprenant des molécules d'au moins un hydrure de silicium non-chloré et des molécules d'un premier gaz porteur, l'hydrure de silicium ayant une pression partielle comprise entre 0,03 et 30 Torr, et -4- les molécules du premier gaz porteur ayant une pression partielle comprise entre 10 et 760 Torr ; et /b/ graver sélectivement la couche à base de silicium formée à l'étape /a/, de sorte qu'une portion amorphe de ladite couche formée dans la seconde zone du substrat est retirée, et une portion sensiblement monocristalline de ladite couche formée dans la première zone du substrat reste sensiblement intacte. Ainsi, un procédé selon l'invention est basé sur l'utilisation d'un composé de type hydrure non-chloré comme précurseur de silicium. Grâce à un tel choix de composé, la température à laquelle le substrat doit être chauffé pour former la couche à base de silicium peut être plus basse. Il en résulte que le budget thermique qui est subi par des parties déjà réalisées d'un circuit électronique intégré comprenant une portion monocristalline formée selon l'invention est plus faible. En particulier, des diffusions atomiques qui interviennent entre des parties du circuit constituées de matériaux distincts sont moins importantes. En outre, grâce au faible budget thermique, le circuit peut contenir par ailleurs des portions de matériaux fragiles, métastables ou instables thermiquement, sans que ces matériaux soient altérés lors de la formation de la portion monocristalline.
En outre, l'utilisation d'un composé de type hydrure non-chloré comme précurseur de silicium permet d'obtenir une formation plus rapide de la couche à l'étape /a/. Autrement dit, le système réactionnel utilisé possède une cinétique plus rapide. Un procédé selon l'invention procure une bonne sélectivité de la portion monocristalline restant finalement sur le substrat, par rapport à la nature du matériau présent à la surface du substrat dans des zones différentes. A l'étape /a/, la couche est formée sur l'ensemble du substrat, à la fois dans les zones du substrat où la surface est constituée de matériau monocristallin et dans les zones du substrat où la surface est en un matériau distinct. Autrement dit, la couche qui est formée à l'étape /a/ est continue et recouvre toute la surface du substrat. La portion de couche qui est formée dans la zone où la surface est en matériau monocristallin est directement obtenue sous forme -5- monocristalline, par croissance épitaxiale. Un traitement thermique ultérieur de cristallisation n'est donc pas nécessaire. Une portion de couche qui est formée à l'étape /a/ en dehors de la zone où la surface du substrat est en matériau monocristallin est polycristalline ou amorphe. Elle est sélectivement retirée à l'étape /b/. Il ne reste alors sur le substrat que la portion monocristalline qui est exclusivement située dans la première zone du substrat. Des portions monocristallines qui sont formées selon l'invention à des endroits différents d'un même substrat ont des épaisseurs sensiblement identiques. Une telle uniformité des épaisseurs résulte de la stabilité du procédé par rapport à d'éventuelles variations de paramètres physico-chimiques à l'intérieur d'une enceinte de traitement du substrat. En outre, des mises en oeuvre successives d'un procédé selon l'invention, avec des mêmes valeurs de paramètres de contrôle du procédé, présentent une bonne répétitivité, étant donné que les paramètres de contrôle utilisés sont facilement mesurés avec une précision suffisante. Le matériau sensiblement monocristallin appartenant au substrat qui est initialement exposé dans la zone où la portion monocristalline est formée, dite première zone, peut être lui-même à base de silicium, éventuellement dopé, ou en un alliage de silicium et de germanium, qui peut comprendre en outre une certaine quantité de carbone. En dehors de cette première zone, le substrat peut comprendre des parties d'un matériau isolant électriquement exposées à sa surface, et/ou des parties d'un matériau amorphe. De façon préférée, un matériau de silice (SiO2) ou de nitrure de silicium (Si3N4) est exposé à la surface du substrat dans la seconde zone du substrat. En particulier, une sélectivité de dépôt est obtenue même lorsque la zone d'exposition du matériau cristallin appartenant au substrat possède des dimensions réduites, et notamment lorsqu'elle représente une surface 8 à 10 fois plus petite que la zone d'exposition du matériau isolant électriquement. Le composé de type hydrure de silicium non-chloré qui est utilisé à l'étape /a/ peut être, en particulier, du monosilane (SiH4), du disilane (Si2H6) ou du trisilane (Si3H8). De tels composés sont disponibles commercialement et sont peu onéreux. -6- Les molécules du premier gaz porteur utilisé à l'étape /a/ peuvent des molécules d'hydrogène (H2) ou d'azote (N2). Eventuellement, le premier mélange gazeux peut comprendre en outre au moins un composé de germanium ou de carbone. La couche formée à l'étape /a/ incorpore alors des atomes de germanium ou de carbone au moins dans la première zone du substrat. L'hydrure de germanium (GeH4) peut être choisi, en particulier, comme composé de germanium, et le méthylsilane (SiH3CH3) comme composé de carbone. Pour certaines applications de la portion monocristalline formée, la (les) quantité(s) du (des) composé(s) de germanium et/ou de carbone qui est (sont) ajoutées au mélange gazeux peut (peuvent) être ajustée(s) pour obtenir des contraintes prédéterminées dans la portion. Par exemple, des canaux de transistors MOS précontraints peuvent être réalisés de cette façon. De même, le premier mélange gazeux peut aussi comprendre un composé d'un élément dopant électriquement pour le silicium, pour la portion de couche sensiblement monocristalline formée dans la première zone du substrat. A titre d'exemple, du diborure d'hydrogène (B2H6) peut être notamment ajouté au mélange gazeux. Une quantité du composé de l'élément dopant dans le premier mélange gazeux peut en outre être ajustée de sorte que la couche incorpore l'élément dopant dans la première zone du substrat selon une concentration prédéterminée. L'étape /b/ de gravure sélective de la couche à base de silicium qui est formée à l'étape /a/ peut être exécutée en mettant cette couche en contact, dans les première et seconde zones du substrat, avec des molécules de chlorure d'hydrogène. Ces molécules de chlorure d'hydrogène peuvent être amenées au contact de la couche au sein d'un second mélange gazeux qui comprend, outre les molécules de chlorure d'hydrogène, des molécules d'un second gaz porteur. Les molécules de chlorure d'hydrogène et les molécules du second gaz porteur peuvent avoir des pressions partielles respectivement comprises entre 5 et 760 Torr, et entre 10 et 760 Torr. Les molécules du second gaz porteur utilisé à l'étape /b/ de gravure sélective peuvent aussi comprendre des molécules d'hydrogène et/ou des molécules d'azote. De préférence, les étapes /a/ et /b/ sont exécutées dans une même enceinte de traitement. De cette façon, la durée et les installations de production qui sont nécessaires pour mettre en oeuvre un procédé selon l'invention sont réduites. D'autres particularités et avantages de la présente invention apparaîtront dans la description ci-après de deux exemples de mise en oeuvre non limitatifs, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : - les figures 1 et 3 représentent schématiquement un dispositif de 10 traitement d'un substrat adapté pour mettre en oeuvre les étape /a/ et /b/ d'un procédé selon l'invention ; et - les figures 2 et 4 illustrent schématiquement un substrat de circuit électronique intégré traité conformément à un procédé selon l'invention, dans des états obtenus respectivement à l'issue des étapes /a/ et /b. 15 Pour raison de clarté, les dimensions des éléments représentés sur ces figures ne sont pas en proportion avec des dimensions ou rapports de dimensions réels. N est une direction perpendiculaire à une surface d'un substrat de circuit électronique intégré utilisé pour mettre en oeuvre l'invention. N est orientée vers le haut des figures. Les mots sur et sous utilisés dans 20 la suite le sont en référence à cette orientation. En outre, des références identiques sur les deux figures désignent des éléments identiques. Un substrat de circuit électronique intégré, référencé 100 sur les figures, est en silicium monocristallin. Ce peut être un substrat disponible commercialement, par exemple pour réaliser des circuits selon la technologie 25 MOS (pour Metal-Oxide-Semiconductor ). Il présente une face supérieure plane, notée S. Des parties de matériau isolant 102 ont été formées dans le substrat 100, à partir de la surface S, pour définir des zones réduites 101 de la surface S dans lesquelles le matériau de silicium monocristallin du substrat 100 est exposé. Les parties 102 peuvent être, par exemple, en silice (SiO2), 30 notamment lorsqu'elles sont du type STI, pour Shallow Trench Isolator en anglais. Les zones 101 de la surface S peuvent être destinées à la réalisation de composants électroniques actifs, et sont couramment appelées zones 7 actives. Conformément à la figure 1, le substrat 100 est placé dans une enceinte à pression réduite 10, connectée à une unité de pompage (non représentée) par un orifice d'évacuation 11. L'unité de pompage permet d'établir une pression réduite à l'intérieur de l'enceinte 10, adaptée en fonction des traitements appliqués au substrat 100. Le substrat 100 est fixé sur un support 12, muni d'un système de chauffage 13. Une canalisation 14 permet d'introduire des gaz dans l'enceinte 10, de sorte que ces gaz viennent en contact avec la surface S du substrat 100.
Un dépôt de silicium est d'abord formé sur la surface S du substrat 100. Pour cela, le substrat 100 est chauffé initialement à une température comprise entre 500 C et 650 C. Un premier mélange gazeux comprenant du monosilane (SiH4) et un gaz porteur, qui peut être de l'hydrogène (H2), est introduit dans l'enceinte 10 par la canalisation 14. Alternativement, l'azote (N2) peut être utilisé en tant que gaz porteur. On entend par gaz porteur un gaz de dilution qui ne participe pas directement à une réaction chimique à l'intérieur de l'enceinte 10, mais qui contribue à l'établissement d'une pression gazeuse particulière pendant le traitement du substrat. Les débits respectifs du monosilane et du gaz porteur peuvent être déterminés de sorte que ces gaz aient des pressions partielles respectives comprises entre 0,03 et 30 Torr pour le silane, et entre 10 et 760 Torr pour le gaz porteur, par exemple. Un tel procédé de dépôt est du type RTCVD, pour Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition en anglais. Dans ces conditions de température et de pressions partielles, une couche de silicium 1 (figure 2) est formée sur le substrat 100, avec une vitesse de croissance comprise entre 1 et 100 nm/mn (nanomètres par minute), en considérant la variation de l'épaisseur de la couche 1 selon la direction N. Le dépôt peut être poursuivi jusqu'à ce que la couche 1 présente une épaisseur de 0,5 pm (micromètre) selon la direction N par exemple.
La couche 1 est formée par croissance épitaxiale dans les zones 101 de la surface S du substrat 100. Elle croît progressivement selon la direction N et présente une structure sensiblement monocristalline dans ces zones 101. La 8 -9- couche 1 est simultanément formée sur le substrat 100 en dehors des zones 101, c'est-à-dire sur les parties isolantes 102. Mais, sur les parties 102, la couche 1 présente une structure amorphe, ou éventuellement polycristalline. Autrement dit, la couche 1 est formée sur toute la surface S du substrat 100, avec une structure cristalline qui est déterminée par le matériau présent initialement à chaque endroit de la surface du substrat 100. La couche 1 est monocristalline aux endroits de la surface S ou du silicium monocristallin du substrat est initialement exposé, et elle est amorphe aux endroits de la surface S qui correspondent à des parties isolantes 102. La figure 1 b illustre schématiquement la structure de la couche 1 qui est obtenue à l'issue de cette étape de dépôt. Une gravure sélective de la couche 1 est ensuite réalisée. Conformément à la figure 3, un second mélange gazeux comprenant du chlorure d'hydrogène (HCI) et de l'hydrogène (H2), est introduit dans l'enceinte 10 par la canalisation 14, alors que le substrat 100 est chauffé à une température comprise entre 550 C et 700 C. L'hydrogène possède encore une fonction de gaz porteur et peut être remplacé par de l'azote, éventuellement. Les pressions partielles du chlorure d'hydrogène et de l'hydrogène peuvent être comprises entre 5 et 760 Torr, et entre 10 et 760 Torr, respectivement. La couche 1 est alors gravée dans les zones où elle est amorphe ou polycristalline, c'est-à-dire au dessus des parties 102, avec une vitesse qui peut être comprise entre 1 et 30 nm/mn. Dans la pratique, des portions monocristallines de la couche 1 sont simultanément gravées avec une vitesse environ dix fois plus faible que des portions amorphes ou polycristallines de cette couche. Une gravure apparente de la couche 1 est ainsi obtenue, sélectivement au dessus des parties isolantes 102. La gravure est poursuivie jusqu'à découvrir la surface supérieure des parties 102. La couche 1 n'est alors plus composée que de portions monocristallines résiduelles 2, respectivement situées dans les zones 101 de la surface S (figure 4).
Eventuellement, la couche 1 qui est déposée peut être en alliage de silicium et de germanium. Dans ce cas, un composé de germanium, qui peut être de l'hydrure de germanium (GeH4), est introduit dans l'enceinte 10 avec le silane, par exemple pour obtenir une pression partielle du composé de - 10- germanium comprise entre 2 et 600 mTorr (milliTorr). Lorsque le substrat 100 est chauffé à une température comprise entre 400 C et 600 C, par exemple à 450 C, un alliage comprenant environ 20%at. de germanium et 80%at. de silicium est obtenu pour la couche 1. La température du substrat 100 et la pression partielle du composé de germanium pendant le dépôt de la couche 1 peuvent être ajustées de sorte que la couche 1 possède des contraintes prédéterminées dans la zone 101 du substrat. Ensuite, pour l'étape de gravure sélective, la température du substrat 100 peut être comprise entre 400 C et 650 C, par exemple égale à 500 C environ, et les pressions partielles du chlorure d'hydrogène et du gaz porteur peuvent être similaires à celles décrites plus haut pour la gravure d'une couche 1 de silicium dépourvue de germanium. Des portions 1 de silicium incorporant des atomes de carbone peuvent aussi être obtenues, en introduisant par exemple des molécules de méthylsilane (SiH3CH3) simultanément au silane et au premier gaz porteur lors du dépôt de la couche 1. Enfin, un composé précurseur d'élément dopant électriquement peut être introduit dans l'enceinte 10 par la canalisation 14, simultanément au monosilane et au premier gaz porteur lors du dépôt de la couche 1. Lorsque l'élément dopant est le bore, le composé diborure d'hydrogène (B2H6) peut être utilisé. Lorsque l'élément dopant est le phosphore ou l'arsenic, les composés d'hydrure de phosphore (PH3) ou d'arsenic (AsH3) peuvent être utilisés, respectivement. La quantité du composé de l'élément dopant qui est introduite dans le mélange gazeux peut alors être ajustée empiriquement, pour obtenir une concentration déterminée de bore, phosphore ou arsenic dans la couche 1, à l'intérieur des zones 101. Des concentrations de dopage élevées peuvent ainsi être obtenues. Les portions monocristallines de la couche 1 sont alors directement formées avec une valeur donnée de conductivité électrique. Il est entendu que de nombreuses adaptations peuvent être introduites dans les mises en oeuvre de l'invention qui ont été décrites ci-dessus.
L'Homme du métier comprendra que les valeurs numériques qui ont été citées ne sont qu'indicatives, et peuvent être variées dans une large mesure tout en conservant certains au moins des avantages de l'invention. En outre, le substrat 100 qui est utilisé peut être en alliage monocristallin de silicium et de germanium, ou comporter des parties monocristallines en alliage ternaire de silicium, de germanium et de carbone, dans les zones 101 situées entre les parties isolantes 102. Enfin, des portions monocristallines selon l'invention peuvent être utilisées pour de nombreuses applications. A titre d'exemple, on cite la réalisation de canaux précontraints de transistors MOS, en alliage de silicium et de germanium ou en silicium incorporant des atomes de carbone. Des zones de source et de drain surélevées peuvent aussi être obtenues en utilisant l'invention, notamment sur des substrats de type SOI-MOS (SOI pour Silicon On Isolator ), et en particulier lorsque la couche superficielle de silicium monocristallin de ces substrats est très fine. Il est aussi entendu que l'invention n'est pas limitée au procédé de gravure sélective qui a été décrit en détail ci-dessus, mais tout autre procédé équivalent, mettant en oeuvre une chimie humide ou un plasma notamment, peut aussi être utilisé pour l'étape /b/.
Claims (17)
1. Procédé de formation d'au moins une portion sensiblement monocristalline à base de silicium (2) sur une surface (S) d'un substrat (100), sélectivement dans une première zone (101) du substrat dans laquelle un matériau à base de silicium sensiblement monocristallin appartenant au substrat est initialement exposé, et en dehors d'une seconde zone (102) du substrat dans laquelle est exposé initialement un matériau autre que ledit matériau sensiblement monocristallin appartenant au substrat, le procédé comprenant les étapes suivantes : /a/ chauffer le substrat (100) et former une couche à base de silicium (1) sur la surface (S) du substrat (100), dans des conditions adaptées de sorte que ladite couche est sensiblement monocristalline sélectivement dans la première zone du substrat (101) et amorphe dans la seconde zone du substrat (102), en mettant en contact avec le substrat, au niveau de ladite surface (S) dans lesdites première (101) et seconde (102) zones, un premier mélange gazeux comprenant des molécules d'au moins un hydrure de silicium non-chloré et des molécules d'un premier gaz porteur, l'hydrure de silicium ayant une pression partielle comprise entre 0,03 et 30 Torr, et les molécules du premier gaz porteur ayant une pression partielle comprise entre 10 et 760 Torr ; et /b/ graver sélectivement la couche à base de silicium (1) formée à l'étape /a/, de sorte qu'une portion amorphe de ladite couche formée dans la seconde zone du substrat (102) est retirée, et une portion sensiblement monocristalline (2) de ladite couche (1) formée dans la première zone du substrat (101) reste sensiblement intacte.
2. Procédé selon la revendication 1, suivant lequel un matériau de silice ou de nitrure de silicium est exposé à la surface du substrat (100) dans la seconde zone du substrat (102).
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, suivant lequel l'hydrure de silicium non-chloré comprend du monosilane, du disilane ou du trisilane.-13-
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, suivant lequel les molécules du premier gaz porteur comprennent des molécules d'hydrogène et/ou des molécules d'azote.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, suivant lequel le substrat (100) est chauffé à une température comprise entre 500 C et 650 C à l'étape /a/.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, suivant lequel le premier mélange gazeux comprend en outre au moins un composé de germanium ou de carbone, et suivant lequel la couche (1) incorpore des atomes de germanium ou de carbone au moins dans la première zone du substrat (101).
7. Procédé selon la revendication 6, suivant lequel une quantité du composé de germanium ou de carbone dans le premier mélange gazeux est ajustée de sorte que la couche (1) possède des contraintes prédéterminées dans la première zone du substrat (101).
8. Procédé selon la revendication 6 ou 7, suivant lequel le premier mélange gazeux comprend un composé de germanium, et suivant lequel le substrat (100) est chauffé à une température comprise entre 400 C et 600 C.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, suivant lequel le premier mélange gazeux comprend un composé de germanium ayant une pression partielle comprise entre 2 et 600 mTorr.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, suivant lequel le premier mélange gazeux comprend en outre un composé d'un élément dopant électriquement pour le silicium, et suivant lequel une quantité dudit composé de l'élément dopant dans le premier rnélange gazeux est ajustée de sorte que la couche (1) incorpore l'élément dopant selon une concentration prédéterminée dans la première zone du substrat (101).-14-
11. Procédé selon la revendication 10, suivant lequel la portion de la couche sensiblement monocristalline à base de silicium (2) formée dans la première zone du substrat (101) est une partie d'un transistor.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, suivant lequel l'étape /b/ de gravure sélective de la couche à base de silicium (1) est exécutée en mettant ladite couche en contact, dans lesdites première (101) et seconde (102) zones du substrat, avec des molécules de chlorure d'hydrogène.
13. Procédé selon la revendication 12, suivant lequel l'étape /b/ de gravure sélective est exécutée en mettant la couche (1) en contact, dans lesdites première (101) et seconde (102) zones du substrat, avec un second mélange gazeux comprenant les molécules de chlorure d'hydrogène et des molécules d'un second gaz porteur, les molécules de chlorure d'hydrogène et les molécules dudit second gaz porteur ayant des pressions partielles respectivement comprises entre 5 et 760 Torr, et entre 10 et 760 Torr.
14. Procédé selon la revendication 13, suivant lequel les molécules du second gaz porteur comprennent des molécules d'hydrogène et/ou des molécules d'azote.
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, suivant lequel la couche (1) possède une température comprise entre 550 C et 700 C pendant l'étape /b/ de gravure sélective de ladite couche.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14 ensemble la revendication 8 ou 9, suivant lequel la couche (1) possède une température comprise entre 400 C et 650 C pendant l'étape /b/ de gravure sélective de ladite couche.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, suivant lequel le substrat (100) est dans une même enceinte de traitement pendant l'étape /a/ de formation de la couche à base de silicium (1) et pendant l'étape /b/ de gravure sélective de ladite couche.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0603453A FR2900277B1 (fr) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Procede de formation d'une portion monocristalline a base de silicium |
| US11/788,391 US8158495B2 (en) | 2006-04-19 | 2007-04-18 | Process for forming a silicon-based single-crystal portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0603453A FR2900277B1 (fr) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Procede de formation d'une portion monocristalline a base de silicium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2900277A1 true FR2900277A1 (fr) | 2007-10-26 |
| FR2900277B1 FR2900277B1 (fr) | 2008-07-11 |
Family
ID=37714441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0603453A Expired - Fee Related FR2900277B1 (fr) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Procede de formation d'une portion monocristalline a base de silicium |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8158495B2 (fr) |
| FR (1) | FR2900277B1 (fr) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102161241B1 (ko) | 2013-03-15 | 2020-09-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 펄스형 광-여기된 증착 및 에칭을 위한 장치 및 방법들 |
| FR3105571B1 (fr) | 2019-12-18 | 2023-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de formation d’une couche par épitaxie cyclée |
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Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4578142A (en) * | 1984-05-10 | 1986-03-25 | Rca Corporation | Method for growing monocrystalline silicon through mask layer |
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| US7468311B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-12-23 | Tokyo Electron Limited | Deposition of silicon-containing films from hexachlorodisilane |
| US7132338B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-11-07 | Applied Materials, Inc. | Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process |
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| US20060071213A1 (en) | 2004-10-04 | 2006-04-06 | Ce Ma | Low temperature selective epitaxial growth of silicon germanium layers |
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| JP2007329200A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-04-19 FR FR0603453A patent/FR2900277B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-18 US US11/788,391 patent/US8158495B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8158495B2 (en) | 2012-04-17 |
| US20070254451A1 (en) | 2007-11-01 |
| FR2900277B1 (fr) | 2008-07-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20131231 |