FR2865575A1 - Procede pour emballer des pastilles semi-conductrices et structure de pastille semi-conductrice ainsi obtenue - Google Patents

Procede pour emballer des pastilles semi-conductrices et structure de pastille semi-conductrice ainsi obtenue Download PDF

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Abstract

Procédé pour emballer des pastilles semi-conductrices et structure obtenue. Selon le procédé on développe une pastille semi-conductrice (5) munie d'une zone de membrane (55), on développe un couvercle (10, 10a-g) sur la zone de membrane (55) en laissant dégagée cette zone (55), on installe la pastille semi-conductrice (5) sur un cadre de montage (1), et on réalise un boîtier moulé (20, 20a-f) autour de la pastille semi-conductrice (5) et d'au moins une zone partielle du cadre de montage (1) pour emballer la pastille semi-conductrice (5).

Description

Domaine de l'invention
La présente invention concerne un procédé d'emballage de pastilles semiconductrices.
L'invention concerne également une pastille semi-5 conductrice ainsi obtenue.
Etat de la technique Bien que cette technique puisse s'appliquer à des structures quelconques de pastilles semi-conductrices, la présente invention et les problèmes à base de celle-ci seront décrits ci-après de manière plus détaillée dans le cadre d'une disposition de pastilles semiconductrices de micromécanique comportant un capteur de pression.
La figure 9 montre un exemple d'un procédé d'emballage de pastille semiconductrice et une 1:elle structure de pastille semi-conductrice vue en coupe.
A la figure 9, la référence 100 désigne une embase de boîtier TO8. La référence 5 désigne une pastille de capteur de pression en silicium, obtenue par un procédé micromécanique et ayant des éléments de convertisseur piézo-résistants 51 installés sur une membrane 55. Pour fabriquer la membrane 55 on réalise une cavité 58 au dos de la pastille de capteur de pression 5 au silicium, par exemple par gravure anisotrope utilisant par exemple KOH ou TMAH. En variante, la membrane 55 peut également être obtenue par gravure de tranchée.
La pastille de capteur 5 peut également être constituée par un simple pont de résistances ayant des résistances piézo- résistantes ou une combinaison avec un circuit d'exploitation intégré dans un procédé semi-conducteur avec les résistances piézo-électriques. Un socle en verre 140, formé de verre au sodium, est fixé par voie anodique au dos de la pastille 5; ce socle permet de réduire la tension mécanique engendrée par la brasure ou l'adhésif 70 fixant le socle en verre 140 à l'embase de boîtier TO8 100. La référence 53 de la figure 9 désigne une patte de liaison d'un circuit intégré 52 non dé-taillée, reliée par un fil de liaison 60 à une installation de branchement électrique 130 elle-même isolée de l'embase de boîtier TO8, 100 par une couche d'isolation 130. Le socle en verre 140 est muni d'un passage 141 faisant communiquer la cavité 58 par un passage 101 de l'embase de boîtier TO8 100 et une installation de branchement 120 rapportée, pour être reliée à la pression externe P. La structure présentée à la figure 9 est habituellement soudée de manière étanche et hermétique à l'aide d'un couvercle métallique non présenté.
Une variante de procédé consiste à coller la pastille de capteur 5 sur une céramique ou dans un boîtier prémoulé et de passiver la pastille avec un gel pour la protéger contre les influences de l'environnement.
Toutefois, de telles structures ont l'inconvénient d'être o encombrantes et de présenter souvent des difficultés pour fermer de manière hermétique la pastille de capteur 5, par exemple à cause de fils de soudage, non étanches. Comme le boîtier TO8 et le silicium ont des coefficients de dilatation thermique différents, cela engendre des contraintes mécaniques lors des changements de température, contraintes mesurées comme signal parasite par:les résistances piézo-électriques. Lorsqu'on utilise un gel, celui-ci définit la pression maximale.
Selon le document EP 0 742 581 A2, on connaît une structure de pastille semi-conductrice dont la pastille semi-conductrice est scellée par un couvercle à une zon.e de membrane qui elle reste li- bre. Le couvercle est fixé de manière anodique à la pastille semi- conductrice. La liaison anodique présente un inconvénient dans la me-sure où le silicium ne doit pas comporter de structure de circuit au-dessous de cette liaison mais uniquement d'éventuelles zones dopées pour les lignes d'alimentation.
Exposé et avantages de l'invention La présente invention concerne un procédé d'emballage de pastilles semi-conductrices du type défini cidessus, caractérisé par les étapes suivantes: - réalisation d'une pastille semi-conductrice ayant une première zone 3o de membrane, - installation d'un couvercle au-dessus de la zone de membrane en laissant une zone de membrane, - installation de la pastille semi-conductrice sur un châssis de montage, et - réalisation d'un boîtier moulé autour de la pastille semi-conductrice et d'au moins une zone partielle du cadre de montage pour emballer la pastille semi-conductrice.
L'invention concerne également une structure de pastille semi-conductrice du type défini ci-dessus, caractérisée par: - une pastille semi-conductrice munie d'une zone membrane, - un couvercle installé sur la zone de membrane en laissant une zone de membrane, - un cadre de montage sur lequel on installe la pastille semi-conductrice et - un boîtier moulé autour de la pastille semi-conductrice et autour d'au moins une zone partielle du cadre de support pour emballer la plaquette semi-conductrice.
Le procédé et la pastille semi-conductrice ainsi obtenue présentent vis-àvis des solutions connues, l'avantage de permettre de mouler ou d'injecter autour d'une pastille semi-conductrice munie d'une zone de membrane, par exemple une pastille de capteur. De tels boîtiers, utilisés déjà depuis des années pour les circuits intégrés classiques, sont très économiques à fabriquer et très simples.
La caractéristique générale à la base de la présente invention réside dans le couvercle au-dessus de la zone de membrane installé à la périphérie de cette zone et qui renforce mécaniquement la zone de membrane tout en la protégeant contre la masse moulée. Globalement, par l'enrobage par injection, on améliore également la résis- tance aux milieux. La matière du couvercle est quelconque; elle est de préférence en silicium. L'avantage est qu'ainsi la pastille semi- conductrice et le couvercle ont les mêmes coefficients de dilatation thermique ce qui se traduit par un effet de température moindre dans le signal de sortie.
Un autre avantage important réside dans l'éventuelle suppression du gel du passivation sur la membrane. Cela permet d'obtenir d'une part une moindre sensibilité transversale par rapport aux accélérations et d'autre part pour des pressions du côté avant (côté du circuit) on peut avoir des pressions d'application importantes.
La présente invention permet de conserver les étapes habituelles de fabrication de pastilles de capteur comme par exemple le procédé de fabrication du semi-conducteur pour les résistances piézo-électriques et/ou la fabrication du circuit d'exploitation sur la pastille ou encore l'utilisation de parties de boîtier de capteur existantes.
Il est possible d'équilibrer en fin de fabrication également dans le procédé de moulage selon l'invention car les chemins fusibles en aluminium peuvent être ouverts dans le circuit par les fils de liaison. En option, on peut également prévoir une couche ou une cavité sur les lo chemins fusibles pour absorber le métal vaporisé.
Il est possible d'effectuer une mesure électrique préalable dans la plaquette combinée. Le contrôle d'étanchéité est également possible sous forme de mesures préalables électriques ou lors de mesures en fin de fabrication. Un montage en pression peut être envisagé en op- tion avant la mesure.
Selon un développement préférentiel, le couvercle est fixé avec de la soudure de verre à la périphérie de la zone de membrane pour former une cavité fermée entre].e couvercle et la zone de membrane. Le couvercle peut être fixé à la pastille selon différents procédés, par exemple par collage ou de préférence soudage de scellement au verre. Le soudage de scellement au verre ou le collage peuvent égale-ment se faire sur des structures de circuits ce qui est très peu encombrant. Les liaisons de verre de scellement ou de collage conviennent pour des hauteurs de gradins, c'est-à-dire des différences topographi- ques au niveau du circuit. Dans le cas de la liaison anodique il faut en revanche que le courant traverse la pastille perpendiculairement. Cela n'est pas possible dans l'environnement du circuit.
Selon un autre développement préférentiel, le couvercle comporte un passage et le boîtier de montage est tel que son passage soit raccordé au passage du couvercle.
Selon un autre développement préférentiel, la pastille semi-conductrice est installée sur le côté du cadre de montage à l'opposé de la zone de membrane.
Selon un autre développement préférentiel, le cadre de 35 support comporte un passage qui crée un branchement à la zone de ca- vité sous la zone de membrane et le boîtier moulé est tel que son pas- sage soit raccordé à l'orifice traversant du cadre de montage.
Selon un autre développement préférentiel, la pastille semi-conductrice est fixée au dos de la périphérie de la zone de mem- brane par l'intermédiaire d'un socle en verre au cadre de montage.
Selon un autre développement préférentiel, la pastille semi-conductrice comporte une zone de bord latéral dépassant du couvercle et ayant une zone de liaison reliée par un fil de liaison électrique au cadre de montage, le fil de liaison étant emballé complètement dans le boîtier moulé.
Selon un autre développement préférentiel, le couvercle est muni d'un passage comportant un ajutage de branchement et le boîtier moulé emballe au moins en partie l'ajutage de branchement.
Selon un autre développement préférentiel, le cadre de montage comporte un passage branché sur la zone de cavités sous la zone de membrane et comportant un ajutage de branchement, le boîtier moulé étant tel que l'ajutage de branchement soit en partie enveloppé.
Selon un autre développement préférentiel, la pastille semi-conductrice est installée par l'intermédiaire du couvercle sur le cadre de montage.
Selon un autre développement préférentiel, le cadre de montage est un cadre de connexion.
Selon un autre développement préférentiel, avant d'installer la pastille semi-conductrice sur un cadre de montage et avant de réaliser le boîtier moulé, on forme un ensemble comprenant la pastille semi-conductrice, le couvercle prévu sur la zone de membrane et un socle en verre fixé au dos à la périphérie de la zone de membrane.
Selon un autre développement préférentiel, on forme l'ensemble selon les étapes suivantes: - on développe une première plaquette comportant plusieurs pastilles semi- conductrices combinées, - on développe une seconde plaquette ayant un nombre correspondant de couvercles combinés, on développe une troisième plaquette munie d'un nombre corres- 35 pondant de socles en verre combinés, on relie la première, la seconde et la troisième plaquette pour former les ensembles combinés et on sépare les ensembles.
Suivant un autre développement préférentiel, la seconde plaquette comporte un ensemble de cavités qui, lorsque la première et la seconde plaquette sont reliées, laisse des zones de bord latéral dé-passant latéralement des couvercles et ayant des zones de liaison respectives et pour séparer on dégage par sciage au cours d'une première étape de sciage la seconde pastille au-dessus des cavités pour dégager les zones de liaison et par une seconde étape de sciage on dégage par sciage la première et la troisième plaquette sous les cavités pour séparer les ensembles, la première étape de sciage utilisant une largeur de sciage plus grande que la seconde étape de sciage.
Grâce à la double étape de sciage on peut dégager les pattes de liaison pour réaliser la connexion électrique, pattes complète-ment couvertes après l'encapsulage. Ainsi, il ne faut qu'une ouverture dans la plaquette des couvercles qu'il faudrait réaliser par un procédé de micromécanique et rendrait très fragile cette plaquette créant en plus un risque de rupture important pour les manipulations.
Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de réalisation représentés dans les dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 montre un premier mode de réalisation du procédé de l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante vue en coupe, - la figure 2 montre un second mode de réalisation du procédé de l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices ainsi 3o qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante vue en coupe, - la figure 3 montre un troisième mode de réalisation du procédé de l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante vue en coupe, - la figure 4 montre un quatrième mode de réalisation du procédé de l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante vue en coupe, - la figure 5 montre un cinquième mode de réalisation du procédé de l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante vue en coupe, - la figure 6 montre un sixième mode de réalisation du procédé de lo l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante vue en coupe, - les figures 7a, 7b montrent un septième mode de réalisation du pro-cédé selon l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices et une structure de pastille semi-conductrice correspondante, la fi- gure 7a étant une coupe et la figure 7b une vue de dessus, - les figures 8a-8g montrent les étapes successives du procédé correspondant à un huitième mode de réalisation du procédé pour emballer des pastilles semi-conductrices selon des vues en coupe, - la figure 9 est un exemple de procédé d'emballage de pastilles semi- conductrices et d'une structure de pastille semi-conductrice correspondante en vue en coupe, selon l'état de la technique.
Description de modes de réalisation
Dans les différentes figures on utilisera les mêmes réfé- rences pour désigner des composants identiques ou de mème fonction.
La figure 1 montre un premier mode de réalisation du procédé de l'invention pour emballer des pastilles ou puces semi-conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice en coupe.
Selon la figure 1, la référence 1 désigne un cadre de connexion sur lequel est installée une pastille de capteur 5 ayant une zone de membrane 55 et des résistances piézoélectriques 51 sur un socle en verre 140 et une couche de brasure 70. Un couvercle 10 en silicium est fixé à l'aide d'une couche de scellement de verre 11 à la périphérie de la zone de membrane 55 sur la pastille de capteur 50. Dans le présent exemple de réalisation, la couche de verre de scellement 11 se trouve directement au-dessus du circuit intégré 52 dans la pastille de capteur 5. Entre le couvercle 10 et la zone de membrane 55 on a une cavité 65. La référence 53 désigne une patte de liaison d'un circuit intégré 52 pla- s cé sur la zone de bord latéral 59 de la pastille de capteur 5 débordant latéralement du couvercle 10. Au-dessus du fil de liaison 60, la patte de liaison 53 est reliée au cadre de montage 1.
La cavité 58 du dos de la pastille est reliée par un pas-sage 141 au passage 2 du cadre de montage 1. La structure de la pas-tille et une partie du cadre de montage 1 sont enveloppées par moulage d'un boîtier moulé 20 ayant un passage 21 au niveau du passage 2 pour permettre d'appliquer la pression externe P par en dessous à la zone de membrane 55. Le passage 21 du boîtier moulé 20 peut être réalisé au moulage à l'aide d'un poinçon.
Le couvercle 10 du présent exemple de réalisation n'est pas structuré et laisse subsister la cavité 65 entre la membrane et son côté inférieur, ce que l'on réalise facilement à l'aide de la couche de verre de scellement 11. La cavité 65 permet à la membrane 55 de se déformer sous l'effet d'une pression, vers le haut, en direction du cou- vercle 10. Lorsqu'on installe le couvercle 10, on emprisonne dans la cavité 65 une pression de référence ou un vide de référence.
La figure 2 montre un second mode de réalisation du procédé selon l'invention pour emballer une pastille semi-conductrice et une structure de pastille semi-conductrice correspondante, vue en coupe.
Dans la structure de la figure 2, le couvercle l0a comporte une réservation 110 au niveau de la membrane 55; cette réservation permet d'agrandir le volume de référence de la cavité 65a. Il est avantageux de disposer d'un volume de référence plus important pour assurer une stabilité à long terme de la pression de référence. Il serait également possible d'utiliser une structure non représentée pour le côté extérieur du couvercle 10a pour agrandir par exemple la distance par rapport à la patte de connexion 53.
Une autre différence de la structure de pastille semi-35 conductrice de la figure 2 par rapport à celle de la figure 1 est que la pastille de capteur 5 est brasée directement sur le cadre de montage 1 à l'aide d'une couche de brasure 70. La surface supérieure de la pastille est rigidifiée par le couvercle l0a pour absorber les contraintes mécaniques engendrées au niveau de la liaison avec le cadre de montage 1 sous l'effet de variations de température. La suppression du socle en verre permet de réaliser un boîtier moulé 20a de volume moindre.
La figure 3 montre un troisième mode de réalisation du procédé selon l'invention pour emballer des pastilles semi-conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante, re- présentée en coupe.
Dans le troisième mode de réalisation selon la figure 3, le couvercle 10b comporte un passage 15 de forme annulaire. La pression de référence de ce mode de réalisation est emprisonnée dans la cavité 58 car le dos de la pastille de capteur 5 est fermé par un socle en verre 140, massif, lui-même relié au cadre cie montage 1 également par une couche de brasure 70. Le passage 21, situé vers le haut dans le boîtier moulé 20b, peut être réalisé, comme dans les autres modes de réalisation, à l'aide d'un poinçon approprié.
La figure 4 montre un quatrième mode de réalisation du procédé selon l'invention pour emballer une pastille semi-conductrice ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante, vue en coupe.
Dans le mode de réalisation de la figure 4, par comparai-son avec le premier:mode de réalisation selon la figure 1, ce n'est pas le boîtier moulé 20c qui est ouvert par un poinçon au cours du procédé de fabrication, mais un ajutage de branchement de pression 90 fixé à l'aide d'une couche de brasure 72 au cadre de montage 1 avant le moulage sur le passage 2.
La figure 5 montre un cinquième mode de réalisation du procédé selon l'invention pour emballer une pastille semi-conductrice ainsi que la structure de pastille semi-conductrice correspondante vue en coupe.
Dans le mode de réalisation de la figure 5, un ajutage de branchement de pression 92 est fixé par une couche de brasure 72 sur la face supérieure du couvercle munie du passage 15 avant le moulage.
Pour le reste, cette structure correspond à celle du troisième mode de réalisation selon la figure 3.
La figure 6 montre un sixième mode de réalisation du procédé selon l'invention pour emballer une pastille semi-conductrice ainsi que la structure de pastille semi--conductrice correspondante vue en coupe. Le sixième mode de réalisation représenté à la figure 6 montre un capteur de pression de référence ou de différence de pression. Dans ce capteur, le branchement pour les pressions P1, P2 se fait par le haut et par le bas. En d'autres termes, cette structure est une combinaison du premier et du troisième mode de réalisation. On peut égale-ment combiner les ajutages de branchement de pression 90, 92 selon le quatrième et le cinquième mode de réalisation.
Les figures 7a, 7b montrent un septième mode de réalisation du procédé selon l'invention pour emballer des pastilles semi- conductrices ainsi qu'une structure de pastille semi-conductrice correspondante, vue en coupe à la figure 7a et en vue de dessus à la figure 7b.
Selon la figure 7a, pour le septième mode de réalisation, le côté supérieur du couvercle fermé 10f est installé dans un creux du cadre de montage 1 par l'intermédiaire d'une couche de colle ou de brasure 70. En option, dans ce mode de réalisation, on peut également prévoir une plaque de verre contre la face inférieure de la pastille de capteur 50.
Le mode de réalisation de la figure 7b est une vue de des- sus de la structure de la figure 7a et elle montre à titre d'exemple les pattes de liaison 53a, 53b, 53c, juxtaposées; ces pattes sont reliées par des fils de liaison 60a, 60b, 60c au cadre de montage 1.
Les figures 8a-8g montrent les étapes successives d'un huitième mode de réalisation du procédé selon l'invention pour emballer 30 des pastilles semi-conductrices, avec des vues en coupe.
Selon le procédé de fabrication de la figure 8a, avant d'installer la pastille semi-conductrice 5 sur le cadre de montage 1 et avant de prévoir le boîtier moulé 20, 20a...20f, on forme un ensemble BG composé de la pastille semi-conductrice 5, du couvercle 10, l0a- il 10g, prévu sur la zone de membrane 55 et un socle en verre 140 fixé au dos de la périphérie de la zone de membrane 55.
Selon les figures 8a, b et d, on développe tout d'abord une plaquette de capteurs SW composée de plusieurs pastilles semi- conductrices 5 munies de cavités 58; en option on a également un circuit non représenté, fixé. De plus, on développe une plaquette de couvercles KW ayant un nombre approprié de couvercles 10, 10a-10g combiné. En outre, on réalise une plaquette de socles en verre GSW ayant un nombre correspondant de socles en verre 140, combiné. Au Io dos de la plaquette de socles en verre GSW et de la plaquette à couvercles KW on a une couche de métallisation M prévue en option.
Dans l'étape de procédé représentée aux figures 8c-8e on relie la plaquette de capteurs SW, la plaquette de couvercles KW et la plaquette de socles en verre GSW pour obtenir en combinaison plu- sieurs ensembles BG.
Des cavités V, V' sont prévues dans la plaquette de couvercles KW; les cavités V viennent au-dessus des zones de membrane 55 pour y former les cavités 65g; les cavités V' viennent au-dessus des bords latéraux 59 des pastilles de capteur 5 débordant latéralement des couvercles 10, 10a-10g; ces couvercles ont des zones de liaison 53 et forment les cavités 1-1.
Selon la figure 8f, les cavités H ont pour fonction de per-mettre de réaliser au sciage tout d'abord une première étape de sciage. Dans cette étape on scie la plaquette de couvercles KW au-dessus des cavités H pour libérer les zones de liaison 53. Dans une seconde étape de sciage on dégage par sciage la plaquette de capteurs SW et la plaquette de socles en verre GSW sous les cavités H pour séparer les différents ensembles. L'élément décisif est que la largeur de pas de sciage au cours de la première étape de sciage est supérieure à celle de la seconde étape de sciage. Il suffit que la distance entre la pastille de capteur 5 et le couvercle 10 soit suffisamment grande pour éviter d'endommager la pastille lors de la première étape de sciage en tenant compte des tolérances de profondeur pour la coupe réalisée par sciage. Après la seconde étape de sciage on obtient les ensembles séparés BG comme le montre la figure 8g.
Bien que la présente invention ait été décrite ci-dessus à l'aide d'exemples de réalisation préférentiels, elle n'est pas limitée à ceux-ci et peut également s'appliquer de manière différente.
En option, pour minimiser les contraintes mécaniques appliquées à la face inférieure de la pastille de capteur 5, on effectue une gravure poreuse du silicium sous i.e côté inférieur. Pour réduire encore plus les tensions mécaniques s'exerçant sur la pastille de capteur 5, on peut également structurer de manière appropriée le cadre de montage 1 ou encore réaliser un cadre de montage combiné.
Une autre variante non représentée est celle d'un capteur à surface micromécanique. Pour de tek capteurs on réalise une cavité sur la face avant, par exemple par du silicium poreux que l'on forme au niveau de la membrane avant la couche épitaxiale et on la transfère lors du développement épitaxial pour former une cavité. Dans le cas d'un tel capteur on peut supprimer le socle en verre 140 car le volume de référence se trouve directement dans la pastille.
Les ajutages de branchement de pression 90, 92 peuvent également être fixés au cadre de montage 1 par collage ou brasage. En variante, les ajutages de pression peuvent également être réalisés par injection au moulage, par injection par le haut et par le bas. Autour des ajutages de pression on peut prévoir un joint d'étanchéité (joint torique) dans une rainure autour de l'ajutage de branchement de pression, pour le moulage.
L'exemple de réalisation décrit ci-dessus ne concerne que des structures de capteurs piézo-résistants. Mais l'invention convient également pour des structures de capteurs capacitifs ou autres utilisant des membranes. 5
10, l0a-g 20,20a-f 53,53a-c 60,60a-c 65,65a-d P,P1,P2 70,72 130 131 SM 140 141 58 21,21a,21b KW
SW
GSW M
V,V' S1 S2
H
90,92 2,15
BG
Liste des références cadre de montage embase de boîtier T08 pastille de capteur couvercle boitier moulé couche de soudure de verre résistance piézo-électrique circuit intégré patte de liaison fil de liaison membrane cavité pression appliquée couche de brasure ou couche d'adhésif branchement de pression installation de branchement électrique couche d'isolation maximum de tension socle en verre perçage caverne passage plaquette de couvercles plaquette de capteurs plaquette de socles en verre couche de métallisation zone amincie première zone de sciage seconde zone de pliage cavité ajutage de branchement passage zone de bord latéral ensemble 101 passage cavité

Claims (24)

REVENDICATIONS
1 ) Procédé d'emballage de pastilles semi-conductrices comprenant les étapes suivantes: - réalisation d'une pastille semi-conductrice (5) ayant une première 5 zone de membrane (55), - installation d'un couvercle (10, 10a-g) au-dessus de la zone de membrane (55) en laissant une zone de membrane (55), - installation de la pastille semi-conductrice (5) sur un châssis de montage (1) et to - réalisation d'un boîtier moulé (20, 20a-f) autour de la pastille semi-conductrice (5) et d'au moins une zone partielle du cadre de montage (1) pour emballer la pastille semi-conductrice (5).
2 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le couvercle (10, 10a-g) est monté de préférence avec une soudure de verre (11) à la périphérie de la zone de membrane (55) pour former une cavité fermée (65, 65a-d) entre le couvercle (10, 10a-g) et la zone de membrane (55).
3 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le couvercle (10, 10a-g) comporte une ouverture de passage (15) et le boîtier moulé (20, 20a-f) est prévu pour raccorder un passage (21, 21a,b) du boîtier moulé (20, 20a-f) au passage (15) du couvercle (10, 10a- g).
4 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pastille semi-conductrice (5) est installée sur le côté du cadre de montage (1) à l'opposé de la zone de membrane (55).
5 ) Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le cadre de montage (1) comporte un passage (2) créant un branche-ment pour une zone de cavités (58) sous la zone de membrane (55) et le boîtier moulé (20, 20a-f) est réalisé pour raccorder un passage (21, 21a,b) du boîtier moulé (20, 20a-f) au passage (2) du cadre de montage (1).
6 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pastille semi-conductrice (5) est fixée sur un socle en verre (140) sur lo le côté arrière de la périphérie de la zone de membrane (55), socle portant le cadre de montage (1).
7 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pastille semi-conductrice (5) comporte une zone de bord latéral (59) débordant du couvercle (10, 10a-g), cette zone ayant une zone de liaison (53) reliée électriquement au cadre de montage (1) par un fil de liaison (60), et ensuite ce fil de liaison (60) est emballé complètement dans le boîtier moulé (20, 20a-f).
8 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le couvercle (10, 10a-g) comporte un passage (15) sur lequel est installé un ajutage de branchement (92) et le boîtier moulé (20, 20a-f) est réalisé pour que l'ajutage de branchement (92) soit en partie emballé dans le boîtier moulé (20, 20a-f).
9 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cadre de montage (1) comporte un passage (2) qui réalise un branchement pour la zone de cavités (58) sous la zone de membrane (55) pour recevoir un ajutage de branchement (90) et le boîtier moulé (20, 20a-f) est tel que l'ajutage de branchement (90) est emballé en partie dans le boîtier moulé (20, 20a-f).
10 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pastille semi-conductrice (5) est installée par l'intermédiaire du couvercle (10, 10a-g) sur le cadre de montage (1).
11 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' on forme un ensemble (BG) comprenant la pastille semi-conductrice (5), le couvercle (10, 10a-g) prévu sur la zone de membrane (55) et un socle lo en verre (140) fixé au dos de la périphérie de la zone de membrane (55) avant d'installer la pastille semi-conductrice (5) sur le cadre de montage (1) et avant de prévoir un boîtier moulé (20, 20a-f).
12 ) Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu' on forme l'ensemble (BG) selon les étapes suivantes: - on développe une première plaquette (SW) comportant plusieurs pastilles semi-conductrices (5) combinées, - on développe une seconde plaquette (KW) ayant un nombre corres- 20 pondant de couvercles (10, 10a-g) combinés, - on développe une troisième plaquette (GSW) munie d'un nombre correspondant de socles en verre (140) combinés, - on relie la première, la seconde et la troisième plaquette (SW, KW, GSW) pour former les ensembles (BG) combinés et - on sépare les ensembles (BG).
13 ) Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la seconde plaquette (KW) comporte un ensemble de cavités (H) qui, 3o lorsque la première et la seconde plaquette (SW, KW) sont reliées, laisse des zones de bord latéral (53) dépassant latéralement des couvercles (10, 10a-g) et ayant des zones de liaison respectives (53) et pour séparer on dégage par sciage au cours d'une première étape de sciage la seconde pastille (KW) au-dessus des cavités (H) pour dégager les zones de 3s liaison (53) et par une seconde étape de sciage on dégage par sciage la première et la troisième plaquette (SW, GSW) sous les cavités (H) pour séparer les ensembles (BG), la première étape de sciage utilisant une largeur de sciage plus grande que la seconde étape de sciage.
14 ) Structure de pastille semi-conductrice comprenant: - une pastille semi--conductrice (5) munie d'une zone membrane (55), - un couvercle (10, 10a-g) installé sur la zone de membrane (55) en laissant une zone de membrane (55), - un cadre de montage (1) sur lequel on installe la pastille semilo conductrice (5) et - un boîtier moulé (20, 20a-f) autour de la pastille semi-conductrice (5) et autour d'au moins une zone partielle du cadre de support (1) pour emballer la plaquette semi-conductrice (5).
15 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que le couvercle (10, 10a-g) est relié à la périphérie de la zone de membrane (55), de préférence par de la soudure par verre (11) et on forme une cavité fermée (65, 65a-d) entre le couvercle (10, 10a-g) et la zone de mem- brane (55).
16 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que le couvercle (10, 10a-g) comporte un passage (15) et le boîtier moulé 25 (20, 20a-f) est prévu avec un passage (21, 21a,b) qui se raccorde au passage (15) du couvercle (10, 10a-g).
17 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que la pastille semi-conductrice (5) est installée sur le côté du cadre de montage (1) opposé à la zone de membrane (55).
18 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 17, caractérisée en ce que le cadre de montage (1) comporte un passage (2) qui crée un branche-ment avec la zone de cavités (58) sous la zone de membrane (55) et le boîtier moulé (20, 20a-f) est réalisé avec un passage (21, 21a,b) qui se raccorde au passage (2) du cadre de montage (1).
19 ) Structure de pastille semi-conductrice selon au moins l'une des revendications 14 à 18, caractérisée en ce que la pastille semiconductrice (5) est fixée au dos de la périphérie de la lo zone de membrane (55) par un socle en verre (140) installé sur le cadre de montage (1).
20 ) Structure de pastille semi-conductrice selon l'une quelconque des revendications 14 à 19, caractérisée en ce que la pastille semi-conductrice (5) présente une zone de bord latéral (59) dépassant latéralement du couvercle (10, 10a-g), cette zone de bord ayant une zone de liaison (53) reliée électriquement par un fil de liaison (60) au cadre de montage (1) et le fil de liaison (60) est emballé complè- tement dans le boîtier moulé (20, 20a-fi.
21 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que le couvercle (10, 10a-g) comporte un passage (15) muni d'un ajutage de 25 branchement (92) et le boîtier moulé (20, 20a-f) est tel que l'ajutage de branchement (92) est en partie emballé dans le boîtier moulé (20, 20a-f).
22 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que le cadre de montage (1) comporte un passage (2) qui crée une communication avec la zone de cavités (58) sous la zone de membrane (55), zones munies d'un ajutage de branchement (90) et le boîtier moulé (20, 20a-f) est prévu pour que l'ajutage de branchement (90) soit en partie emballé dans le boîtier moulé (20, 20a-f).
23 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que la pastille semi-conductrice (5) est installée audessus du couvercle (10, 10a-g) sur le cadre de support (1).
24 ) Structure de pastille semi-conductrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que le cadre de montage (1) est un cadre de connexion. Io
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