FR2776462A1 - Module de composants electroniques de puissance - Google Patents

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Abstract

La présente invention concerne un module comprenant au moins deux composants électriques tels que des thyristors (T1-T2 ou T3-T4), caractérisé par le fait qu'il comporte un capteur de température (C1, C2) brasé sur deux bandes conductrices (f1 et f2) d'une nappe (N1, N2) formée par un film en plastique diélectrique souple (I) collé sur l'électrode métallique formant le dessus d'un des composants (T1, T3), sensiblement au centre de celui-ci.

Description

La présente invention se rapporte a un module de composants électroniques
de
puissance tels que des thyristors.
Dans de nombreux appareils électriques, on utilise des modules formés de deux thyristors interconnectés l'un à l'autre de manière à constituer une banche de pont. Dans les démarreurs on cherche à équiper ces modules d'un capteur thermique dont l'information de
température est utilisée pour protéger les thyristors.
La présente invention a pour but de fournir un module à thyristors équipé d'un
capteur de température.
Le module selon l'invention est caractérisé par le fait qu'il comporte un capteur de température brasé sur deux bandes conductrices d'une nappe formée par un film en plastique diélectrique souple collé sur l'électrode métallique formant le dessus d'un des
composants, sensiblement au centre de celui-ci.
L'invention va maintenant être décrite avec plus de détail en se référant à un mode de réalisation donné à titre d'exemple et représenté sur les dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 est une vue en perspective d'un module à thyristors selon l'invention; - la figure 2 est une vue de dessus du module de la figure 1; - la figure 3 est une coupe selon 111-111 de la figure 2;
- la figure 4 montre un détail selon IV-IV de la figure 2.
Le module représenté aux figures 1 et 2, comprend deux thyristors T1-T2 montés tête-bêche de manière à constituer une première branche de pont et deux thyristors T3-T4 montés tête-bêche de manière à constituer une seconde branche de pont. Chacun de ces thyristors T1, T2, T3, T4 est monté au dessus d'un dissipateur D1, D2, D3, D4 auquel il est brasé par son anode. Chacun de ces dissipateurs D1, D2, D3, D4 est réalisé en métal conducteur (cuivre par exemple) et est lui même brasé à un substrat S métallisé. Ce substrat S est pourvu de plages métallisées A1, A2 constituant les connexions puissance du premier pont et de plages métallisées A3, A4 constituant les connexions puissance du
second pont.
La plage de connexion puissance A1 est reliée électriquement au dissipateur conducteur D1 fixé, par l'anode, sous le thyristor T1. Elle se prolonge sous ce dissipateur D1 de manière à être reliée, via une connexion de clinquant de cuivre L2, à la cathode du
thyristor T2.
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La cathode du thyristor T1 est brasée à une connexion de clinquant de cuivre L1 brasée a la plage de connexion puissance A2 brasée au-dessous du dissipateur conducteur
D2 qui est relié, par l'anode, au thyristor T2.
De même la plage métallisée A3 est reliée électriquement au dissipateur conducteur D3 fixé, par l'anode, sous le thyristor T3. Elle se prolonge sous ce dissipateur D3 de manière à être reliée, via une connexion de clinquant de cuivre L4, à la cathode du
thyristor T24.
La cathode du thyristor T3 est brasée à une connexion de clinquant de cuivre L3 brasée à la plage de connexion puissance A4 brasée au dessous du dissipateur conducteur
D4 qui est relié, par l'anode, au thyristor T4.
Les gâchettes des thyristors T1, T2, T3, T4 sont repérées G1, G2, G3, G4 respectivement. La température de chaque branche T1-T2 ou T3-T4 est mesurée par un capteur de
température C1, C2 respectivement monté au dessus d'un des deux thyristors T1 ou T3.
Chaque capteur de température C1 ou C2 est monté sur une nappe N1 ou N2 constituée par un film en plastique diélectrique souple I sur lequel sont disposées deux bandes conductrices fl, f2. Le capteur de température Cl ou C2 de type CMS est brasé sur les deux bandes conductrices fl et f2 de la nappe N1 ou N2, du côté de la face métallisée de celle-ci. La face côté diélectrique (opposé aux bandes conductrices) de cette nappe est brasée ou collee sur l'électrode de dessus métallique (cathode) du thyristor par un plot de
liaison G. Le capteur de température est situé sensiblement au centre du thyristor.
Il est bien entendu que l'on peut sans sortir du cadre de l'invention imaginer des variantes et des perfectionnements de détail et de même envisager l'emploi de moyens équivalents.
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Claims (4)

REVENDICATIONS
1- Module comprenant au moins deux composants électriques tels que des thyristors (T1-T2 ou T3-T4), caractérisé par le fait qu'il comporte un capteur de température (Cl, C2) brase sur deux bandes conductrices (fl et f2) d'une nappe (N1, N2) formée par un film en plastique diélectrique souple (I) collé sur l'électrode métallique formant le dessus d'un
des composants (T1, T3), sensiblement au centre de celui-ci.
2- Module selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le capteur de
température (Cl, C2) est de type CMS.
3- Module selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par
le fait que les composants sont des thyristors brasés sur des dissipateurs (D1, D2, D3, D4) en métal conducteur eux-mêmes brasés à des plages métallisees (A1, A2) constituant les
connexions puissance et ménagées sur un substrat (S).
4- Module selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par
le fait qu'une plage de connexion puissance (A1) est reliée électriquement a un dissipateur conducteur (D1) fixé sous le premier thyristor (T1) et se prolonge sous ce dissipateur pour être reliée à la cathode du deuxième thyristor (T2), la cathode du premier thyristor (T1l) étant brasée à la plage de connexion puissance (A2) qui est brasée à un dissipateur conducteur
(D2) fixé sous le second thyristor (T2).
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1225098B1 (fr) * 2001-01-18 2003-10-22 Alps Electric Co., Ltd. Connecteur rotatif
US7416332B2 (en) * 2006-03-29 2008-08-26 Harris Corporation Flexible circuit temperature sensor assembly for flanged mounted electronic devices
DE102007054811A1 (de) * 2007-06-27 2009-01-08 Robert Bosch Gmbh Messanordnung zur Messung einer Temperatur einer wiederaufladbaren Energieversorgungseinrichtung
US20150159895A1 (en) 2013-12-11 2015-06-11 Honeywell International Inc. Building automation system with user defined lifestyle macros
ITTO20140012U1 (it) * 2014-01-23 2015-07-23 Johnson Electric Asti S R L Regolatore di tensione per un elettroventilatore di raffreddamento, in particolare per uno scambiatore di calore di un autoveicolo
CN104850160B (zh) * 2014-02-13 2018-03-20 德昌电机(深圳)有限公司 电压控制器的制造方法
DE102015200480A1 (de) * 2015-01-14 2016-07-14 Robert Bosch Gmbh Kontaktanordnung und Leistungsmodul
US10488062B2 (en) 2016-07-22 2019-11-26 Ademco Inc. Geofence plus schedule for a building controller
US10895883B2 (en) 2016-08-26 2021-01-19 Ademco Inc. HVAC controller with a temperature sensor mounted on a flex circuit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0809292A2 (fr) * 1993-04-23 1997-11-26 Fuji Electric Co. Ltd. Module de transistor à puissance
DE19630902A1 (de) * 1996-08-01 1998-02-05 Ixys Semiconductor Gmbh Einrichtung zur Temperaturüberwachung in einer leistungselektronischen Anordnung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4685081A (en) * 1984-12-17 1987-08-04 Allied Corporation Peltier junction used for thermal control of solid state devices
DE3786314D1 (de) * 1986-09-23 1993-07-29 Siemens Ag Halbleiterbauelemente mit leistungs-mosfet und steuerschaltung.
KR100307465B1 (ko) * 1992-10-20 2001-12-15 야기 추구오 파워모듈
JP2986381B2 (ja) * 1994-08-16 1999-12-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 電子チップ温度制御装置及び方法
DE19522126C2 (de) * 1995-06-19 1999-01-28 Hella Kg Hueck & Co Elektronischer Lastschalter für ein Kraftfahrzeug, beispielsweise Blinkgeber
US5926372A (en) * 1997-12-23 1999-07-20 Ford Global Technologies, Inc. Power block assembly and method of making same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0809292A2 (fr) * 1993-04-23 1997-11-26 Fuji Electric Co. Ltd. Module de transistor à puissance
DE19630902A1 (de) * 1996-08-01 1998-02-05 Ixys Semiconductor Gmbh Einrichtung zur Temperaturüberwachung in einer leistungselektronischen Anordnung

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Publication number Publication date
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